Chương 1 - Các linh kiện bán dẫn. Trong chương này, người học có thể hiểu được một số kiến thức cơ bản về: Một số lĩnh vực ứng dụng của điện tử công suất, bộ ổn áp tuyến tính, bộ ổn áp xung, diode, thyristor (SCR), Transistor công suất bjt (Bipolar Junction Transistor),... Mời các bạn cùng tham khảo để biết thêm các nội dung chi tiết.
Môn học điệntử c ông s uất TS Nguyễn Tiến Ban Tàiliệuthamkhảo [1] PGS.TSKH Thõn Ngoc Hoan ( 2004) Điện tử công suất Nhà xuất bản xây dựng, Hà Nội [2] Nguyễn Bính ( 1999) Điện tử công suất Nhà xuất bản khoa học và kỹ thuật, Hà Nội [3] PGS.TS Lê Văn Doanh - Cyril w lander ( 1994) Điện tử công suất và điều khiển động điện Nhà xuất bản khoa học và kỹ thuật, Hà Nội [4] PGS.TS Lê Văn Doanh ( 2004 Điện tử công suất Nhà xuất bản KH và KT, Hà Nội [5] Phạm Quốc Hải , Dương Văn Nghi ( 1999) Phân tích và giải mạch điện tử công suất Nhà xuất bản khoa học và kỹ thuật, Hà Nội [6] Võ Minh Chính , Phạm Quốc Hải, Trần Trọng Minh ( 2004) Điện tử công suất Nhà xuất bản khoa học và kỹ thuật, Hà Nội [7] Bimal K Bose (1998) Power electronics and Variable Frequency Driver The institute Electrical and Electronics Engineers, Inc,New York Néi dung m«n häc Chương Các linh kiện bán dẫn Chương Chỉnh lưu Chương Bộ biến đổi điện áp xoay chiều Chương Bộ biến đổi điện áp chiều Chương 5.Nghịch lưu biến tần Chng Thit b điều khiển điện tử Chương CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN Mé t s è lÜnh vùc ø ng dô ng c điệntử c ông s uất(ĐTCS ) Mộ tvàivídụ ứ ng dụ ng điệntử c ông s uất • Ứng dụng biến đổi ĐTCS giúp tiết kiệm lượng, nâng cao chất lượng đáp ứng thit b S ơđồc c biếnđổ i bé ỉn ¸p tun tÝnh bé ỉn ¸p xung bé ỉn ¸p xung 10 Dịng trì GTO cao T cấu trúc khác Khi GTO dẫn dịng điều khiển khơng cịn ý nghĩa: dùng xung ngắn, cơng suất nhỏ Khi GTO dẫn dịng, tiếp giáp J2 chứa số lượng lớn điện tích sinh hiệu ứng “bắn phá vũ bão” Phải lấy điện tích đi, vùng dẫn co hẹp lại Dòng Anot Dòng đ/k phải trì thời gian để GTO khố 48 chắn Mạch điều khiển GTO 49 50 MẠCH BẢO VỆ GTO Q trình ngắt GTO địi hỏi sử dụng dịng xung kích thich dài, GTO chịu du/dt di/dt nên cần phải giới hạn trị số an toàn Tụ điện trữ lượng cần thiết, diode cắt bớt xung gai Cầu chì chống ngắn mạch 51 GTO (Gate Turn-Off Thyristor) 52 IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 53 IGBT mang hai ưu điểm: + Đóng cắt nhanh MOSFET, + Chịu tải lớn transistor thường Đặc điểm: + Điều khiển điện áp: Công suất y/c nhỏ, + Cấu trúc giống transistor pnp với dòng Bazơ điều khiển MOSFET 54 IGBT - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 55 Nguyên lí điều khiển: Dưới tác dụng điện áp điều khiển U GE > 0, kênh dẫn với hạt mang điện điện tử hình thành ( giống cấu trúc MOSFET) Các điện tử di chuyển phía colector vượt qua lớp tiếp giáp n-p ( cấu trúc Bazơ colector transistor thường) tạo nên dòng colector 56 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 57 Đặc tính đóng cắt IGBT Do cấu trúc p-n-p nên điện áp thuận UCE chế độ dẫn dòng thấp so với MOSFET, thời gian đóng cắt chậm đặc biệt khố Dòng qua IGBT gồm thành phần: + I1 dòng qua MOSFET + I2 dịng qua transistor Dịng I1 khố nhanh, I2 khơng thể suy giảm nhanh điện tích tích luỹ lớp n 58 Yêu cầu tín hiệu điều khiển IGBT IGBT mở tín hiệu điện áp : Điện áp phải có mặt liên tục cực điều khiển G E để xác định chế độ mở, khố Tín hiệu mở có biên độ UGE, tín hiệu khố có biên độ - UGE cung cấp qua điện trở RG Mạch GE bảo vệ ổn áp +/- 18V 59 MCT (MOS-Controlled Thyristor) 60 Khả đóng ngắt khóa bán dẫn thơng dụng 61 Khả tải & đóng cắt linh kiện ĐTCS 62 ... Chương Các linh kiện bán dẫn Chương Chỉnh lưu Chương Bộ biến đổi điện áp xoay chiều Chương Bộ biến đổi điện áp chiều Chương 5.Nghịch lưu biến tần Chng Thit b iu khin điện tử Chương CÁC LINH KIỆN... thuộc vào linh kiện Điện trở M dẫn Ron thay đổi phụ thuộc vào khả chịu áp linh kiện 42 Mạch kích sử dụng totem-pole gồm transistor npn pnp Khi điện áp U1 mức cao Q1 dẫn, Q2 khoá làm M dẫn Khi điện. .. Chế độ hoạt động biến đổi 11 Các linhkiệnđiệntử c ông s uấtthông dụ ng 12 Diode - ốt 13 Các thông số cơbản diode 1.Dòng điện thuận I D : Giá trị trung bình dòng điện cho phÐp ch¹y qua diode