Đang tải... (xem toàn văn)
Bài giảng Điện tử công suất - Chương 1: Mở đầu cung cấp cho người học các kiến thức: Đặc tính của công tác bán dẫn, Diode bán dẫn, Transistor bán dẫn, họ Thyristor, tổng kết. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.
CHƯƠNG 1: MỞ ĐẦU LINH KUỆ KUỆN ðIỆ ðIỆN TỬ TỬ CƠNG SUẤ SUẤT Các linh kiện cơng suất giao hốn có đặc tính sau: o LINH KIỆN ðIỆN TỬ CƠNG SUẤT ðặc tính cơng tắc bán dẫn Diode công suất Transistor công suất Họ Thyristor Tổng kết 11:33 AM 1 ðẶ ðẶC TÍNH CƠNG TẮ TẮC BÁN DẪ DẪN Do tính chất chất bán dẫn nên • Tốc độ giao hốn nhanh • Giảm thiểu cơng suất tiêu tán • Cho phép điều khiển tải nặng (dòng tải lớn hay điện trở tải nhỏ) • Có gắn vi xử lý, vi điều khiển PLC • Các linh kiện cơng suất giao hốn thơng dụng là: Diode,Transistor, Mosfet, SCR, TRIAC, GTO, SCS, IGBT, MCT… 11:33 AM ðẶ ðẶC TÍNH CƠNG TẮ TẮC BÁN DẪ D ẪN o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0) v,i chịu tác động xung kích, dạng sóng ngõ Hiệu điện V có dạng hình Đặc tuyến giao hốn biểu diễn từ t Dòng điện I toff tswon trạng thái tắt (off) sang trạng thái dẫn (on) từ trạng thái dẫn (on) sang trạng thái ngưng (off) 11:33 AM 11:33 AM 1 ðẶ ðẶC TÍNH CƠNG TẮ TẮC BÁN DẪ DẪN ðẶ ðẶC TÍNH CƠNG TẮ TẮC BÁN DẪ D ẪN o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0) o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0) v,i v,i Hiệu điện V Hiệu điện V t Dòng điện I toff 11:33 AM ðẶ ðẶC TÍNH CƠNG TẮ TẮC BÁN DẪ DẪN t Dòng điện I toff tswon tswon ton 11:33 AM ðẶ ðẶC TÍNH CƠNG TẮ TẮC BÁN DẪ D ẪN o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0) o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0) v,i v,i Hiệu điện V Dòng điện I t Dòng điện I toff tswon ton tswoff Chọn t=0 tswon t v = V 1 − t swon 11:33 AM t Hiệu điện V toff 11:33 AM ton i=I tswoff t t swon ðẶ ðẶC TÍNH CƠNG TẮ TẮC BÁN DẪ DẪN ðẶ ðẶC TÍNH CƠNG TẮ TẮC BÁN DẪ D ẪN o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0) v,i poff=0 pon=0 pswon o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0) v,i pswoff Cơng suất p Dịng điện I Dòng điện I Chọn t=0 t Hiệu điện V toff tswon t v = V 1 − t swon ton 11:33 AM ðẶ ðẶC TÍNH CƠNG TẮ TẮC BÁN DẪ DẪN Năng lượng thất thoát thời gian t swon khởi dẫn bằng: tswon t v = V 1 − t swon t t swon Wswon = ∫ pdt = VIt swon t Hiệu điện V toff tswoff i=I Chọn t=0 ton i=I tswoff t t swon toff tswon t t p = vi = VI 1 − t swon t swon 11:33 AM 10 ðẶ ðẶC TÍNH CƠNG TẮ TẮC BÁN DẪ D ẪN o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf ≠0) v,i Hiệu điện V Năng lượng thất thoát thời gian tswoff khởi ngưng: W swoff = ∫ Dòng điện Ir pdt = VItswoff toff t tswon ton Năng lượng thất thoát tổng cộng chu kỳ giao hoán bằng: W 11:33 AM sw = Wswon + Wswoff = VI (t swon + t swoff ) 11 11:33 AM 12 ðẶ ðẶC TÍNH CƠNG TẮ TẮC BÁN DẪ DẪN ðẶ ðẶC TÍNH CƠNG TẮ TẮC BÁN DẪ D ẪN o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf ≠0) o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf ≠0) v,i v,i Hiệu điện V Dòng điện IF Hiệu điện VF Dòng điện Ir toff t tswon ton t toff 11:33 AM 13 ðẶ ðẶC TÍNH CƠNG TẮ TẮC BÁN DẪ DẪN tswon ton 11:33 AM 14 ðẶ ðẶC TÍNH CƠNG TẮ TẮC BÁN DẪ D ẪN o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf ≠0) o Trường hợp cơng tắc lý tưởng (Vf ≠0) v,i v,i Dịng điện IF Dòng điện IF Chọn t=0 Hiệu điện VF Hiệu điện VF t t toff tswon ton tswoff toff i=I 11:33 AM 15 11:33 AM tswon ton tswoff t t t t + V f + V = V 1 − ; v = −(V − V f ) t t swon t swon swon t swon 16 ðẶ ðẶC TÍNH CƠNG TẮ TẮC BÁN DẪ DẪN o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf ≠0) pswon v,i ðẶ ðẶC TÍNH CƠNG TẮ TẮC BÁN DẪ D ẪN o Trường hợp công tắc không lý tưởng (Vf ≠0) v,i pswoff Công suất p pon≠0 poff ≠0 Dòng điện IF Dòng điện IF Chọn t=0 Chọn t=0 Hiệu điện VF Hiệu điện VF VF t tswon toff i=I t t swon ton toff tswoff ; v = −(V − V f ) t t swon i=I t t + V f + V = V 1 − t swon t swon 11:33 AM tswon Năng lượng thất thoát thời gian Wswon = ∫ 1 11 pdt = VItswon + V f Itswon = VI + V f I t swon 3 Năng lượng thất thoát thời gian khởi ngưng: t swoff Wswoff = ∫ Năng lượng thất thoát tổng cộng sw 11:33 AM t t swon t tswon t t + V f + V = V 1 − t swon t swon t t swon − (V − V f )I t2 t swon 18 DIODE CƠNG SUẤ SUẤT o Diode chỉnh lưu Diode cơng suất hoạt động diode công suất nhỏ (nối p-n) với dòng điện lớn từ vài chục đến vài trăm Ampe 1 11 pdt = VIt swoff + V f It swoff = VI + V f I t swoff 3 chu kỳ giao hoán bằng: W ; v = −(V − V f ) toff 11:33 AM ðẶ ðẶC TÍNH CÔNG TẮ TẮC BÁN DẪ DẪN khởi dẫn bằng: t swon tswoff p = vi = VI 17 t swon t ton A J p n K 11 = Wswon + Wswoff = VI + V f I (t swon + t swoff ) 3 19 11:33 AM 20 DIODE CÔNG SUẤ SUẤT DIODE CƠNG SUẤ SUẤT o Phân cực Diode • Phân cực thuận • Phân cực nghịch o Thời gian phục hồi: Khi diode dẫn chuyển sang p p n n trạng thái ngưng, diode ngưng mà có thời gian chuyển tiếp hồi Etx Etx Engoài Engoài + phục hạt tải nối p-n làm dịng + có dạng hình 11:33 AM 21 11:33 AM DIODE CƠNG SUẤ SUẤT 22 DIODE CÔNG SUẤ SUẤT o Đồ thị thời gian chuyển tiếp Diode o Công suất thất diode cơng suất diR/dt diF/dt Qrr=IRM.trr/2 IF PT = PON + POFF + Psw 0,25.IRM t IRM t3 VON VF t1 11:33 AM t2 S=t5/t4 t4 trr PON = VF I F tON T t5 POFF = VR I R VRM VR t tOFF T Psw = Pswon + Pswoff = VCC I F (t swon + t swoff ) f 23 11:33 AM 24 DIODE CÔNG SUẤ SUẤT o Diode Schottky DIODE CƠNG SUẤ SUẤT o Diode Schottky Diode • Diode schottky đóng ngắt tốt tần số cao schottky • VD nhỏ bình thường, 0.3-0.5V thường • Diode Schottky dùng kim loại bán dẫn chế điện tạo • Diode Schottky thường gặp 1N5817 chất GaAs Cấu tạo – Ký hiệu 11:33 AM 25 DIODE CÔNG SUẤ SUẤT o BJT (Bipolar Junction Transistor) E B B Diode (silicon) Diode Schottky 26 TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT o Diode Schottky ID(mA) 11:33 AM p p n VD(Volt) 0,2 0,4 0,6 0,7 n p n n p p- n- p n C Diode (silicon) base PNP BJT emitter 11:33 AM 27 11:33 AM p C collector Diode Schottky E base n collector NPN BJT emitter 28 TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT o Trạng thái đóng ngắt transistor cơng suất o Đặc tuyến BJT 11:33 AM 29 TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT 11:33 AM 30 TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT o Mạch bảo vệ BJT o Công suất thất BJT • Khi transistor dẫn bão hịa, ta có: PON = (VCEbh I CM + VBEbh I B ) VCC tON t ≈ VCEbh I CM ON T T D • Khi transistor ngưng dẫn dịng rỉ Ir bé, ta có: POFF = VCC I r R is tf t Is B t OFF T Q Cs Psw = Pswon + Pswoff = VCC I F ( max ) (t swon + t swoff ) f 11:33 AM ic Ic vCE tf t t 31 11:33 AM 32 TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) o MOSFET: hình thành hai dòng song song sơ đồ cấu trúc tương đương 11:33 AM 33 11:33 AM 34 TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT o Đặc tuyến MOSFET o Hoạt động MOSFET Nguồ Ngu ồn VG1 11:33 AM 35 11:33 AM 36 TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT o Hoạt động MOSFET o Hoạt động MOSFET Nguồồn VG2 Ngu Nguồ Ngu ồn VG3 11:33 AM 37 TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT 38 TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT o Mạch bảo vệ cho MOSFET o Cơng suất thất MOSFET • Khi MOSFET dẫn bão hịa, ta có: PON = I D2 RDS (on ) 11:33 AM tON T • Khi MOSFET ngưng dẫn dòng rỉ Ir bé, ta có: POFF = VDS max I r tOFF T Mạch RC nhỏ mắc song song với ngõ linh kiện để hạn chế tác dụng dãy điện áp Psw = Pswon + Pswoff = Vnguon I F (max ) (t swon + t swoff ) f 11:33 AM xung nhiễu dao động xuất linh kiện đóng 39 11:33 AM 40 10 TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT o IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) o Mạch tương đương IGBT oLà linh kiện kết hợp đặc tính tác động nhanh công suất lớn Transistor với điện điều khiển lớn cực cổng MOSFET: G E n n E Cách điện E n n p p n- G p+ 11:33 AM C C 41 TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT 11:33 AM 42 TRANSISTOR CƠNG SUẤ SUẤT o Đặc tuyến IGBT o Cơng tải • Cơng suất trung bình cấp cho tải: Với thời gian dẫn tON, ta có: VL = PL = VL2 RL Vcc tON T V t PL = s ON RL T o Cơng suất tiêu tán tổng cộng giao hốn: Psw = Pswon + Pswoff = 6(VCE max I c max ) (t swon + t swoff ) f sw 11:33 AM 43 11:33 AM 44 11 HỌ HỌ THYRISTOR HỌ HỌ THYRISTOR Gồm linh kiện công suất có cấu trúc gần với o SCR (Silicon Controlled Rectifier) Thyristor (SCR gọi theo phịng thí nghiệm Bell từ năm J1 1956) linh kiện kích cho linh kiện công J2 J3 A p1 suất theo bảng tóm tắt sau: p2 n1 n2 K Họ Thyristor Mạch kích Đơn hướng (4 lớp) SCR 0,8-1000A 100-1000V Lưỡng hướng (5 lớp) SCS 0,2A 100V LASCR 0,7A 100-600V TRIAC 0,5-80A 100-600V Đơn hướng (4 lớp) UJT Lưỡng hướng (5 lớp) SUS 0,2A 6-10V SBS 0,2A 6-10V Diode Shockley (3 lớp) Diac 0,2A 6-10V 45 11:33 AM 11:33 AM 46 HỌ HỌ THYRISTOR J1 A J2 p1 n1 iAG iAK J3 p2 n2 HỌ HỌ THYRISTOR o SCR (không K thơng dụng) loại kích dịng G o Có thể xem SCR gồm transistor npn pnp ghép “ khố chặt” hình n1 cực G o SCR (thơng dụng) loại kích + A J1 p1 n1 J2 J3 iAK p2 n2 dòng vào cực G 11:33 AM G + _ K A iGK 47 11:33 AM T1 p1 n2 K T2 IA = p2 G α I G + (I CBO1 + I CBO ) − (α1 + α ) 48 12 HỌ HỌ THYRISTOR HỌ HỌ THYRISTOR o Đặc tuyến SCR 11:33 AM Để làm SCR từ ngưng dẫn sang dẫn: • Tăng điện A-K, làm tăng dòng rỉ ICBO, làm xảy tượng huỷ thác • Tăng dịng cửa IG để transistor nhanh chóng vào dẫn bảo hồ • Tăng nhiệt độ t0 mối nối làm tăng dòng T1, T2 • Tăng tốc độ tăng dV/dt tạo dịng nạp cho điện dung nối pn • Sử dụng lượng quang học ánh sáng để làm dẫn SCR quang (LASCR – Light actived SCR) 49 11:33 AM 50 HỌ HỌ THYRISTOR HỌ HỌ THYRISTOR o TRIAC (Triode Alternative Current) Để làm SCR từ dẫn sang ngưng dẫn: • Cắt bỏ nguồn cấp điện VAK • Thắng động lực: dùng phận có điện trở N1 G N2 N3 • Tạo VAK < (dòng xoay chiều, xung giao MT2 P1 MT2 P N N thật nhỏ mắc song song với SCR để tạo dòng IA < IH MT2 MT2 MT2 P2 G N4 MT1 MT1 G MT2 P G G P N MT1 MT1 N G MT1 P MT1 hoán…) 11:33 AM 51 11:33 AM 52 13 HỌ HỌ THYRISTOR HỌ HỌ THYRISTOR o Có thể xem Triac gồm SCR ghép đối song có cổng kích chung T1 U1 o Đặc tuyến Triac T Z T2 MT1 Z U1 MT2 MT2 G MT1 G 11:33 AM 53 11:33 AM HỌ HỌ THYRISTOR 54 HỌ HỌ THYRISTOR o Các cách kích Triac: o Bốn kiểu hoạt động Triac: Kiểu I+ Kiểu I- Kiểu II+ Kiểu II- Vì Triac dẫn chiều nên cách kích VMT1MT2 > VMT1MT2 > VMT1MT2 < VMT1MT2 < điện DC thơng dụng cách kích IG > (Dịng vào) IG < (Dòng ra) IG > (Dòng vào) IG < (Dòng ra) điện AC xung Dòng từ MT1 -> MT2 Dòng từ MT1 -> MT2 Dòng từ MT2 -> MT1 Dòng từ MT2 -> MT1 Mạch tạo xung tạo nên từ UJT, IC 555, mạch số, Flip flop…, đặc biệt mạch dùng DIAC 11:33 AM 55 11:33 AM 56 14 HỌ HỌ THYRISTOR HỌ HỌ THYRISTOR o MCT (Mosfet Controlled Thyristor) có cấu tạo kết hợp cơng nghệ thyristor với ưu điểm tổn hao dẫn điện thấp khả chịu áp cao với khả đóng ngắt nhanh MOSFET o MCT linh kiện kết hợp đặc tính tác động nhanh cơng suất lớn SCR với điện điều khiển lớn cực cổng Mosfet Có loại MCT: N-MCT P-MCT, cách ghép Mosfet làm cổng hình 11:33 AM 57 11:33 AM HỌ HỌ THYRISTOR 58 HỌ HỌ THYRISTOR o Đặc tính đóng ngắt MCT: có đặc tuyến SCR cổ điển khơng dẫn điện nghịch hình o Khả chịu tải MCT: MCT áp dụng cho trường hợp yêu cầu điện trở độ tự cảm nhỏ với khả chịu dòng điện lớn di/dt cao MCT sử dụng làm thiết bị phóng nạp điện cho máy bay, xe ô tô, tàu thủy, nguồn cung cấp tivi 11:33 AM 59 11:33 AM 60 15 HỌ HỌ THYRISTOR HỌ HỌ THYRISTOR o GTO (Gate turn – off Thyristor) Có cấu tạo phức tạp SCR cổ điển để tắt SCR dẫn cách cho xung âm vào cực G (mà trước làm SCR dẫn cách xung dương vào G) hình 11:33 AM 61 GTO kích đóng xung dịng điện tương tự kích đóng SCR thơng thường Dịng điện kích đóng tăng đến giá trị IGM sau giảm xuống đến giá trị IG 11:33 AM HỌ HỌ THYRISTOR HỌ HỌ THYRISTOR o Kích mở GTO o Kích đóng GTO Để kích ngắt GTO, xung dịng điện âm lớn đưa vào cổng G – cathode với độ dốc (diGQ/dt) lớn giá trị qui định linh kiện, đẩy hạt mang điện khỏi cathode Điểm khác biệt so với u cầu xung kích đóng SCR dịng kích iG phải tiếp tục trì suốt thời gian GTO dẫn điện 11:33 AM 62 63 11:33 AM 64 16 HỌ HỌ THYRISTOR HỌ HỌ THYRISTOR Q trình ngắt GTO địi hỏi sử dụng xung dịng kích đủ rộng Điều dẫn đến thời gian ngắt dài, khả di/dt dv/dt GTO thấp Vì thế, cần phải giới hạn trị số hoạt động khơng vượt q giá trị an tồn q trình ngắt GTO 11:33 AM 65 o IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) • Sự cải tiến cơng nghệ chế tạo GTO thyristor dẫn đến phát minh cơng nghệ IGCT • GCT (Gate Commutated Thyristor) dạng phát triển GTO với khả kéo xung dòng điện lớn dòng định mức dẫn qua cathode mạch cổng GCT để đảm bảo ngắt nhanh dòng điện Cấu trúc GCT mạch tương đương giống GTO • IGCT linh kiện gồm GCT có thêm số phần tử hỗ trợ, bao gồm board mạch điều khiển gồm diode ngược 11:33 AM HỌ HỌ THYRISTOR HỌ HỌ THYRISTOR IGCT tích hợp diode ngược mối nối n+n-p vẽ hình Diode ngược cần thiết cấu tạo nghịch lưu áp o Đặc tuyến IGCT A G G K K 11:33 AM 66 67 11:33 AM Q trình ngắt dịng điện IGCT tác dụng xung dịng kích cổng vẽ minh họa hình Để so sánh với q trình ngắt dịng GTO, đồ thị dòng cổng vẽ cho hai trường hợp 68 17 MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC o UJT (Unijunction Transistor) Cực B2 N Cực phát E P B2 Tiếp xúc P-N E B1 Cực B1 MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC o UJT (Unijuncton Transistor) UJT gọi transistor đơn nối Có cơng suất thấp nên xếp vào loại linh kiện điều khiển công suất Khi cấp ñiện Khi chưa cấp ñiện B2 B2 D RB2 D E F VEE RB1 F RB1 VF = RBB = RB1 + RB 69 11:33 AM MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC RB1 VBB = ηVBB RB1 + RB 70 11:33 AM MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC o UJT (Unijuncton Transistor) o UJT (Unijuncton Transistor) ðặc tuyến UJT Phân cực UJT Vùng ngưng Vùng bão hịa Vùng dẫn IP 10µA 11:33 AM IEbh Iv 2,5mA 50mA VE E VBB=10v VBB=5v Vv R2 R2 R2 VBB=15v V1 V1 V1 VE VP VBB B1 B1 Cấu tạo – Ký hiệu RB2 E E R1 R1 VBB=0v IE Mạch dao ñộng thư giãn 71 11:33 AM 72 18 MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC o PUT (Programmable Unijunction Transistor) MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC o PUT (Programmable Unijunction Transistor) Phân cực PUT A PUT giống UJT P K N có đặc tính thay đổi G P G N IA RB2 IG R Tuy cấu A Khi VAK < VP : PUT ngưng Khi VAK > VP : mối nối A-G bắt đầu dẫn VBB VAA G RB1 RTH tạo, PUT khác hẳn UJT K Cấu tạo ký hiệu cách hoạt động VBB η= RB1 R B + RB1 K RTH = RB1 // RB = VG = ηV BB khác 11:33 AM 73 MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC RB1 RB RB1 + RB 11:33 AM 74 MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC o PUT (Programmable Unijunction Transistor) o SCS (Silicon Controlled Switch) Mạch dao ñộng thư giãn Cấu tạo – mạch tương ñương – ký hiệu VP VV RB2 Xả C ηVBB p t VG GA J2 n1 J3 p n2 GA K n1 A GK RB1 p1T1 p2 n2 K T2 GK K G K GA A t VK SCS gọi Tetrode thyristor (thyristor có cực) t 11:33 AM J1 A VBB R VA 75 11:33 AM 76 19 MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC o SCS (Silicon Controlled Switch) • SCS dẫn điện dương cấp cho anod MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC o DIAC (Diode AC) N1 cho xung dương vào GK • SCS dẫn, muốn làm tắt cho P2 vào GA A2 A1 N3 A1 A1 A1 • SCS hoạt động có: IA=0,2A; VRM=100V • SCS ứng dụng điều khiển công suất nhỏ, dao động thư giãn A2 A2 P1 N2 xung âm vào GK, cho xung dương 11:33 AM Cấu tạo – ký hiệu A2 77 MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC o DIAC (Diode AC) DIAC giống hai SCR cực cổng hay transistor khơng có cực 11:33 AM 78 MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC o DIAC (Diode AC) IA • Cách hoạt động gồm có SCR Đặc tuyến DIAC (n1p1n2p2 n3p2n2p1) khơng có cng kớch G ã VBR = 28V ữ 40V -VBR IBR -IBR ã IBR = IH = vi trm àA VBR VA1A2 • DIAC tương đương với hai Diode Zener mắc đối đầu 11:33 AM 79 11:33 AM 80 20 MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC o Diode Shockley J2 J1 A p1 IA J3 p2 n1 o Diode Shockley ðặc tuyến V/A Diode shockley đặc tuyến IA giống SCR lúc dòng + A Cấu tạo – ký hiệu MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC + n2 K cổng IG=0V Khi Vf _ IBO Diode shockley gồm có lớp bán VBO VAK số VBO diode shockley bắt đầu có hai cực 11:33 AM anod-catod tới trị _ K dẫn PNPN (diode lớp) điện dẫn 81 11:33 AM TỔ TỔNG KẾ KẾT TỔ TỔNG KẾ KẾT Khả hoạt động linh kiện bán dẫn công suất so sánh theo cơng suất mang tải tốc độ đóng ngắt minh họa hình dựa theo số liệu tra cứu năm 1998-1999 hãng EUPEC Linh kiện GTO công suất lớn sản xuất với khả chịu điện áp/dòng điện từ 2,56kV/1-6kA GTO chế tạo chứa diode ngược với tổn hao thấp, khả chịu điện áp/dịng điện đạt đến 4,5kV/3kA 11:33 AM 83 82 oThống kê số liệu tra cứu năm 1998-1999 hãng EUPEC 11:33 AM 84 21 TỔ TỔNG KẾ KẾT TỔ TỔNG KẾ KẾT Linh kiện IGCT đươc chế tạo gần có khả chịu điện áp/ dòng điện 6kV/6kA với khả chuyển mạch gần tồn dịng điện sang mạch cổng kích ngắt Các thyristor cho nhu cầu thông thường đươc chế tạo với khả chịu điện áp thay đổi từ 400V đến 12kV dòng điện từ 1000A đến 5kA Đối với nhu cầu đóng ngắt nhanh, khả dòng đạt đến 800-1.500A điện áp 1.2002.500V Các diode cho nhu cầu thông thường đươc chế tạo với khả chịu điện áp thay đổi từ 500V đến 4kV dòng điện từ 60A đến 3,5kA Đối với nhu cầu đóng ngắt nhanh khả dịng đạt đến 800-1.700A điện áp 2.800-6.000V 11:33 AM 85 Các linh kiện IGBT dạng modul chế tạo với khả chịu điện áp/ dòng điện 1,73,3kV/400-1.200A 11:33 AM 86 KẾT THÚC CHƯƠNG I CHỈNH LƯU MỘT PHA 11:33 AM 87 22 ... đương 11:3 3 AM 33 11:3 3 AM 34 TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT o Đặc tuyến MOSFET o Hoạt động MOSFET Nguồ Ngu ồn VG1 11:3 3 AM 35 11:3 3 AM 36 TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT TRANSISTOR CÔNG... động nhanh công suất lớn Transistor với điện điều khiển lớn cực cổng MOSFET: G E n n E Cách điện E n n p p n- G p+ 11:3 3 AM C C 41 TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT 11:3 3 AM 42 TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT o... phục hạt tải nối p-n làm dịng + có dạng hình 11:3 3 AM 21 11:3 3 AM DIODE CÔNG SUẤ SUẤT 22 DIODE CÔNG SUẤ SUẤT o Đồ thị thời gian chuyển tiếp Diode o Cơng suất thất diode công suất diR/dt diF/dt