Bài giảng Điện tử công suất: Các linh kiện bán dẫn (p3) - PGS.TS Lê Minh Phương

Bài giảng Điện tử công suất: Các linh kiện bán dẫn (p3) trình bày những nội dung chính sau: Silicon Controlled Rectifier - SCR, basic structure and operation, dynamic switching characteristics, trạng thái SCR, đặc điểm của SCR, gate Turn-off rhyristors - GTO,... Mời các bạn tham khảo.

1/21/2013 Ho Chi Minh City University of Technology PGS.TS Lê Minh Phương Khoa Điện –Điện Tử Trường Đại Học Bách Khoa TP HỒ CHÍ MINH Contact info: Address: 268 Lý Thường Kiệt, P.14,Q.10, TP Hồ Chí Minh Telephone: 84-08-38647256 (5722) Mobile: 0988572177 E-mail: lmphuong@hcmut.edu.vn; ivanphuong@yahoo.com Power Electronics ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT PGS.TS Lê Minh Phương Khoa Điện –Điện Tử Trường ĐHBK TPHCM TPHCM 2012 1/21/2013 Contents – Nội dung Tổng quan Điện tử công suất Các linh kiện bán dẫn Mô Matlab-Simulink Bộ chỉnh lưu Bộ biến đổi điện áp xoay chiều Bộ biến đổi điện áp chiều Bộ nghịch lưu –biến tần 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong References MÔ PHỎNG ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT TRONG MATLAB/SIMULINK - Lê Minh Phương, Phan Quốc Dũng – Nhà xuất ĐHQG 2011 POWER ELECTRONICS HANDBOOK – Muhammad H Rashid MATLAB/SIMULINK - Mathworks http://www.mathworks.com/ ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT – Nguyễn Văn Nhờ Nhà xuất ĐHQG 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong 1/21/2013 Power Electronics Chương CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN PGS.TS Lê Minh Phương Khoa Điện –Điện Tử Trường ĐHBK TPHCM TPHCM 2012 Contents – Nội dung Diodes Bipolar Junction Transistor (BJT) Metal Oxide Semiconductor Effect Transistor (MOSFET) Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Thyristor Gate Turn Of Thyrisor (GTO) Triode Alternative Current (TRIAC) 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong 1/21/2013 Power Electronic Devices SILICON CONTROLLED RECTIFIER -SCR SCR linh kiện bán dẫn điều khiển đóng dòng điện Cấu tạo gồm lớp tiếp xúc p-np-n, điện cực Anode (A), Cathode (K), Gate (G) Mạch công suất nối A-K, Mạch điều khiển nối cổng G-K 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong Power Electronic Devices Basic Structure and Operation Hoạt động: Khi VAK>0: SCR trạng thái khóa (forward-blocking Khi IGthuận >0, J3 phân cực thuận state), J phân ngược điện tử chạy từ n+cực sang p- Một (reverse biased) IG=0.tánNếu VAK số điện tử khuyếch qua pTrường hợp đặc biệt: điện không vượt điện áp đánh nhận n-, điều làm áp đặt lớn hơnởđiện áp khóa lớn thủng trạng SCR OFF thay đổi tháiforward-blocking J1 làm cho (maximum điện tíchthì lỗ hổng từ p+ voltage) SCR ON Tuychuyển nhiên sang n- vàtrạng khuyếch tán quadòng p- nên tránh thái Quá tăng trình đột ngột làm cho J2 thể chuyển điện có gây sang trạng thái phân cực thuận hư hỏng SCR SCR ON 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong 1/21/2013 Power Electronic Devices Basic Structure and Operation Hoạt động: (giải thích cách khác) E1 B1 C2 C1 B2 E2 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong SCR cấu tạo tương đương hai BJT dạng p-n-p dạng (n-p-n) Khi điện áp VAK>0, có xung dòng điện cổng G-K, transistor dạng n-p-n dẫn Dòng điện dẫn tiếp tục qua mạch E1-B1 transistor dạng p-n-p, làm cho transistor dẫn SCR dẫn Dòng qua Collector transistor dòng Base transistor Các transistor trì trạng thái đóng, dòng IG ngắt Power Electronic Devices Basic Structure and Operation 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong Nhánh thuận : UAK>0 IG>0, Thyristor dẫn tương ứng với giá trị khác điện áp UAK mà dòng điều khiển IG có giá trị khác Thyristor dẫn với IG =0 điện áp UAK có giá trị lớn Nhánh nghịch UAK0, có xung dòng điện cổng G-K, transistor dạng n-p-n dẫn Dòng điện dẫn tiếp tục qua mạch E1-B1 transistor dạng p-n-p, làm cho transistor dẫn SCR dẫn Dòng... Tổng quan Điện tử công suất Các linh kiện bán dẫn Mô Matlab-Simulink Bộ chỉnh lưu Bộ biến đổi điện áp xoay chiều Bộ biến đổi điện áp chiều Bộ nghịch lưu –biến tần 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong