Nghiên cứu chế tạo cảm biến khí trên cơ sở màng mỏng SnO2 đồng biến tính Ag và Pt bằng phương pháp phún xạ

Nghiên cứu chế tạo cảm biến khí trên cơ sở màng mỏng SnO2 đồng biến tính Ag và Pt bằng phương pháp phún xạNghiên cứu chế tạo cảm biến khí trên cơ sở màng mỏng SnO2 đồng biến tính Ag và Pt bằng phương pháp phún xạluận văn tốt nghiệp thạc sĩ

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI LUẬN VĂN THẠC SỸ Nghiên cứu chế tạo cảm biến khí sở màng mỏng SnO2 đồng biến tính Ag Pt phương pháp phún xạ DƯƠNG THỊ THÙY TRANG Trang.DTTCB180069@sis.hust.edu.vn Ngành: Khoa học vật liệu – VLĐT Giảng viên hướng dẫn: PGS TS Nguyễn Văn Duy TS Phùng Thị Hồng Vân Viện: Đào tạo Quốc tế Khoa học vật liệu (ITMS) HÀ NỘI, 6/2020 TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI LUẬN VĂN THẠC SỸ Nghiên cứu chế tạo cảm biến khí sở màng mỏng SnO2 đồng biến tính Ag Pt phương pháp phún xạ DƯƠNG THỊ THÙY TRANG Trang.DTTCB180069@sis.hust.edu.vn Ngành: Khoa học vật liệu – VLĐT Giảng viên hướng dẫn: PGS TS Nguyễn Văn Duy TS Phùng Thị Hồng Vân Viện: Chữ ký GVHD Chữ ký GVHD Đào tạo Quốc tế Khoa học vật liệu (ITMS) HÀ NỘI, 6/2020 CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập – Tự – Hạnh phúc BẢN XÁC NHẬN CHỈNH SỬA LUẬN VĂN THẠC SĨ Họ tên tác giả luận văn : Dương Thị Thùy Trang Đề tài luận văn: Nghiên cứu chế tạo cảm biến khí sở màng mỏng SnO2 đồng biến tính Ag Pt phương pháp phún xạ Ngành: Khoa học vật liệu - VLĐT Mã số SV: CB180069 Tác giả, Người hướng dẫn khoa học Hội đồng chấm luận văn xác nhận tác giả sửa chữa, bổ sung luận văn theo biên họp Hội đồng ngày 3006-2020 với nội dung sau: - Sửa lại tên đề tài thành: Nghiên cứu chế tạo cảm biến khí sở màng mỏng SnO2 đồng biến tính Ag Pt phương pháp phún xạ - Chỉnh sửa lỗi tả, phơng chữ, câu từ - Chỉnh sửa ký hiệu, đơn vị, thích rõ ràng hình 2.1; 2.6; 2.7,… - Một số tài liệu tham khảo cần trích dẫn sát nội dung - Phần kết luận cần viết nhấn mạnh rõ loại cảm biến dựa hai loại vật liệu Ag Pt thay diễn tả ký hiệu (tên mẫu) Ngày 09 tháng 07 năm 2020 Giáo viên hướng dẫn Giáo viên hướng dẫn PGS TS Nguyễn Văn Duy TS Phùng Thị Hồng Vân Tác giả luận văn Dương Thị Thùy Trang CHỦ TỊCH HỘI ĐỒNG PGS TS Nguyễn Phúc Dương ĐỀ TÀI LUẬN VĂN Nghiên cứu chế tạo cảm biến khí sở màng mỏng SnO2 đồng biến tính Ag Pt phương pháp phún xạ Ngành: Khoa học vật liệu - VLĐT Học viên: Dương Thị Thùy Trang Mã số HV: CB180069 Giáo viên hướng dẫn Giáo viên hướng dẫn (Ký ghi rõ họ tên) (Ký ghi rõ họ tên) PGS TS Nguyễn Văn Duy TS Phùng Thị Hồng Vân Lời cảm ơn Để hoàn thành Luận văn Thạc sĩ này, em xin gửi lời cảm ơn chân thành đến thầy PGS TS Nguyễn Văn Duy cô TS Phùng Thị Hồng Vân truyền đạt nhiều kiến thức quý báu, tận tình giúp đỡ tạo điều kiện thuận lợi để em nghiên cứu khoa học hoàn thành tốt luận văn Em xin chân thành cảm ơn ban Lãnh đạo trường Đại học Bách Khoa Hà Nội, Viện Đào tạo Sau Đại học, thầy cô Viện Đào Tạo Quốc tế Khoa học vật liệu (ITMS) truyền đạt kiến thức chuyên ngành quý báu tạo điều kiện thuận lợi cho em suốt trình học tập nghiên cứu trường Em xin gửi lời cảm ơn sâu sắc đến anh, chị nghiên cứu sinh, bạn học viên cao học nhóm iSensor giúp đỡ em nhiều suốt trình thực luận văn Cuối cùng, em xin gửi lời cảm ơn chân thành đến gia đình, bạn bè hỗ trợ động viên tinh thần lúc khó khăn để em vượt qua hồn thành tốt luận văn Tóm tắt nội dung luận văn Trong luận văn này, chúng tơi phát triển cảm biến khí H2S H2 có độ đáp ứng cao, đo nồng độ thấp để phát khí ứng dụng kiểm sốt an tồn vệ sinh thực phẩm, chẩn đốn bệnh thơng qua thở, kiểm sốt khí dễ cháy nổ phương pháp phún xạ để tạo màng mỏng SnO2, SnO2 biến tính Ag, Pt SnO2 đồng biến tính AgPt điều kiện khác Đặc trưng vật liệu khảo sát thiết bị đại đáng tin cậy: FE-SEM, EDS, XRD Luận văn có bố cục hợp lý, lý giải đầy đủ kết đạt cách khoa học Kết luận văn hoàn toàn phù hợp với vấn đề đặt ra; nghiên cứu có hệ thống, kết thu có ý nghĩa thực tiễn Định hướng khảo sát khảo sát thêm tính nhạy khí với số loại khí khác sở biến tính thêm kim loại khác để tăng khả chọn lọc cho cảm biến HỌC VIÊN Dương Thị Thùy Trang MỤC LỤC DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ - ĐỒ THỊ iii DANH MỤC BẢNG BIỂU viii MỞ ĐẦU CHƯƠNG TỔNG QUAN 1.1 Giới thiệu cảm biến khí ôxít kim loại bán dẫn 1.1.1 Cấu trúc tính chất vật liệu SnO 1.1.2 Cơ chế nhạy khí sở cảm biến oxit kim loại bán dẫn SnO 1.2 Cảm biến khí ơxít kim loại bán dẫn đồng biến tính kim loại 11 1.2.1 Tổng quan ơxít kim loại bán dẫn đồng biến tính kim loại 11 1.2.2 Màng mỏng SnO đồng biến tính Ag−Pt 16 CHƯƠNG THỰC NGHIỆM 20 2.1 Các thiết bị sử dụng trình chế tạo 20 2.2 Quy trình chế tạo cảm biến 20 2.3 Các phương pháp phân tích mẫu 26 2.4 Khảo sát đặc trưng nhạy khí cảm biến 27 CHƯƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 29 3.1 Khảo sát hình thái cấu trúc vật liệu 29 3.1.1 Hình thái cấu trúc màng mỏng biến tính Pt, Ag 29 3.1.2 Hình thái cấu trúc màng mỏng SnO đồng biến Ag−Pt 32 3.2 Đặc tính nhạy khí cảm biến 33 3.2.1 Đặc tính nhạy khí màng SnO biến tính Pt, Ag 35 3.2.2 Đặc tính nhạy khí màng SnO đồng biến tính Ag-Pt 45 CHƯƠNG KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ 60 TÀI LIỆU THAM KHẢO 61 i DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT STT Viết tắt Nghĩa Tên tiếng Anh tiếng Việt EDS/EDX Energy Dispersive X-ray Spectroscopy ITIMS International Training Institute Materials Science Mass Flow Controllers for Phổ tán sắc lượng tia X Viện đào tạo quốc tế khoa học vật liệu Bộ điều khiển MFC ppb Parts per billion Một phần tỷ ppm Parts per million Một phần triệu R Resistance Điện trở Ra R air Rg R gas S Sensitivity 10 SEM 11 T Temperature Nhiệt độ 12 s Time Thời gian Scanning Electron Microscope lưu lượng khí Điện trở đo khơng khí Điện trở đo khí thử Độ hồi đáp/Độ đáp ứng Kính hiển vi điện tử quét ii DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ - ĐỒ THỊ Hình 1.1 Cấu trúc chung cảm biến khí dựa thay đổi độ dẫn vật liệu nano ơxít kim loại Hình 1.2 Thống kê loại vật liệu ơxít bán dẫn nghiên cứu [36] Hình 1.3 Mơ hình cấu trúc ô đơn vị cấu trúc vùng lượng SnO [46] Hình 1.4 Cơ chế nhạy khí ơxít kim loại bán dẫn loại n (SnO ) 10 Hình 1.5 Sơ đồ biểu diễn chế cảm biến In−Pd−SnO (a) không khí (b) HCHO 15 Hình 1.6 (a) Mơ hình cảm biến khí dạng màng, (b) Sự suy giảm nồng độ khí theo chiều sâu khuếch tán [68] 17 Hình 1.7 (A) Độ đáp ứng theo nồng độ khí H nhiệt độ 350 ℃, (B) Độ đáp ứng theo nồng độ khí H S nhiệt độ 200 ℃ 18 Hình 2.1 Hình ảnh mặt nạ sử dụng quang khắc: (A) Mặt nạ số 1, (B) Mặt nạ số 20 Hình 2.2 Quy trình chế tạo cảm biến 21 Hình 2.3 Kính hiển vi quang học phịng viện ITIMS 23 Hình 2.4 Bếp ủ mẫu phòng viện ITIMS 23 Hình 2.5 Hệ phún xạ phịng viện ITIMS 23 Hình 2.6 Quy trình chế tạo bước 1-3: (a) Đế Si; (b) Phủ chất cảm quang; (c) Lắp mặt nạ quang khắc; (d) hình; (e) Phún xạ điện cực Pt; (f) lift-off thành công điện cực 24 Hình 2.7 Quy trình chế tạo bước 4-6: a) Phủ chất cảm quang; (b) Lắp mặt nạ quang khắc; (c) Hiện hình; (d) Phún xạ màng vật liệu (Màng SnO biến tính Pt Ag); (e) lift-off thành công 26 Hình 2.8 Quy trình ủ mẫu 26 Hình 2.9 Sơ đồ ngun lý hệ trộn khí MFC 27 Hình 3.1 Ảnh SEM mẫu vật liệu điều kiện khác nhau: (A-B) SnO ; (C-D) P2; (E-F) P4; (G-H) P8 tương ứng độ phân giải 100 000 – 200 000 29 Hình 3.2 Ảnh SEM mẫu vật liệu điều kiện khác nhau: (A-B) A1; (C-D) A2; (E-F) A4 tương ứng độ phóng đại 100 000−200 000 30 Hình 3.3 Phổ tán sắc lượng tia X mẫu SnO – Ag SnO − Pt 31 iii Hình 3.4 Giản đồ nhiễu xạ tia X màng mỏng SnO2 (A), A4 (B), P8 (C) A1P4 (D) 31 Hình 3.5 Ảnh SEM mẫu điều kiện khác nhau: (A-B) A1P2, (C-D) A1P4, (E-F) A1P8, (G-H) A2P4, (I-J) A4P4 tương ứng với độ phóng đại 100 000−200 000 32 Hình 3.6 Phổ tán sắc lượng tia X mẫu SnO2-Ag-Pt 33 Hình 3.7 Các đồ thị đặc trưng cho cảm biến SnO2: (A) Sự phụ thuộc điện trở theo thời gian với nồng độ H2 nhiệt độ làm việc từ 200 ℃ đến 350 ℃ ; (B) Độ đáp ứng theo nồng độ khí H2 nhiệt độ khác nhau; (C) Thời gian đáp ứng hồi phục cảm biến nhiệt độ làm việc khác nồng độ 250 ppm khí H2 34 Hình 3.8 Các đồ thị đặc trưng cho cảm biến SnO2: (A) Sự phụ thuộc điện trở theo thời gian với nồng độ H2S nhiệt độ làm việc từ 200 ℃ đến 350 ℃ ; (B) Độ đáp ứng theo nồng độ khí H2S nhiệt độ khác nhau; (C) Thời gian đáp ứng hồi phục cảm biến nhiệt độ làm việc khác nồng độ 2.5 ppm khí H2S 34 Hình 3.9 Các đồ thị đặc trưng cho cảm biến P2: (A) Sự phụ thuộc điện trở theo thời gian với nồng độ H2 nhiệt độ làm việc từ 150 ℃ đến 300 ℃ ; (B) Độ đáp ứng theo nồng độ khí H2 nhiệt độ khác nhau; (C) Thời gian đáp ứng hồi phục cảm biến nhiệt độ làm việc 150 ℃ nồng độ khí H2 37 Hình 3.10 Các đồ thị đặc trưng cho cảm biến P4: (A) Sự phụ thuộc điện trở theo thời gian với nồng độ H2 nhiệt độ làm việc từ 150 ℃ đến 300 ℃ ; (B) Độ đáp ứng theo nồng độ khí H2 nhiệt độ khác nhau; (C) Thời gian đáp ứng hồi phục cảm biến nhiệt độ làm việc 150 ℃ nồng độ khí H2 37 Hình 3.11 Các đồ thị đặc trưng cho cảm biến P8: (A) Sự phụ thuộc điện trở theo thời gian với nồng độ H2 nhiệt độ làm việc từ 150 ℃ đến 300 ℃ ; (B) Độ đáp ứng theo nồng độ khí H2 nhiệt độ khác nhau; (C) Thời gian đáp ứng hồi phục cảm biến nhiệt độ làm việc 150 ℃ nồng độ khí H2 38 iv Hình 3.12 (A) Đồ thị so sánh độ đáp ứng cảm biến SnO2 biến tính Pt nồng độ 150 ℃ với khí H2 (B) độ lặp lại cảm biến P2 nồng độ 250 ppm nhiệt độ 150 ℃ với khí H2 38 Hình 3.13 Độ đáp ứng theo nồng độ khí H2S nhiệt độ làm việc khác đồ thị so sánh độ đáp ứng ba cảm biến nhiệt độ làm việc 250 ℃ 39 Hình 3.14 Các đồ thị đặc trưng cho cảm biến A1: (A) Sự phụ thuộc điện trở theo thời gian với nồng độ H2S nhiệt độ làm việc từ 200 ℃ đến 350 ℃ ; (B) Độ đáp ứng theo nồng độ khí H2S nhiệt độ khác nhau; (C) Thời gian đáp ứng hồi phục cảm biến nhiệt độ làm việc 300 ℃ nồng độ khí H2S 40 Hình 3.15 Các đồ thị đặc trưng cho cảm biến A2: (A) Sự phụ thuộc điện trở theo thời gian với nồng độ H2S nhiệt độ làm việc từ 200 ℃ đến 350 ℃ ; (B) Độ đáp ứng theo nồng độ khí H2S nhiệt độ khác nhau; (C) Thời gian đáp ứng hồi phục cảm biến nhiệt độ làm việc 300 ℃ nồng độ khí H2S 41 Hình 3.16 Các đồ thị đặc trưng cho cảm biến A4: (A) Sự phụ thuộc điện trở theo thời gian với nồng độ H2S nhiệt độ làm việc từ 200 ℃ đến 350 ℃ ; (B) Độ đáp ứng theo nồng độ khí H2S nhiệt độ khác nhau; (C) Thời gian đáp ứng hồi phục cảm biến nhiệt độ làm việc 300 ℃ nồng độ khí H2S 41 Hình 3.17 Đồ thị so sánh độ đáp ứng cảm biến A1, A2, A4 nồng độ 2.5 ppm 300 ℃ với khí H2S 43 Hình 3.18 Độ đáp ứng theo nồng độ khí H2 nhiệt độ làm việc khác đồ thị so sánh độ đáp ứng ba cảm biến nhiệt độ làm việc 250 ℃ 43 Hình 3.19 Các đồ thị đặc trưng cho cảm biến A1P2: (A) Sự phụ thuộc điện trở theo thời gian với nồng độ H2S nhiệt độ làm việc từ 200 ℃ đến 350 ℃ ; (B) Độ đáp ứng theo nồng độ khí H2S nhiệt độ khác nhau; (C) Thời gian đáp ứng hồi phục cảm biến nhiệt độ làm việc khác nồng độ 2.5 ppm khí H2S 45 Hình 3.20 Các đồ thị đặc trưng cho cảm biến A1P4: (A) Sự phụ thuộc điện trở theo thời gian với nồng độ H2S nhiệt độ làm việc từ 200 ℃ đến 350 ℃ , (B) Độ đáp ứng theo nồng độ khí H2S nhiệt độ khác nhau; (C) Thời gian v Hình 3.34 Cơ chế nhạy khí (A) màng SnO2 biến tính Ag; (B) màng SnO2 biến tính Pt màng SnO2 đồng biến tính Ag−Pt Cơng trình nghiên cứu Joanna Wisniewsk and Maria Ziolek [64] cho thấy hợp kim Ag−Pt hình thành nhiệt độ 400 °C, tỷ lệ nguyên tử Ag−Pt phù hợp hình thành hợp kim 2/5 Tương tự, Weiwei cộng [73] báo cáo kết thành phần hợp kim nano Ag−Pt hình thành Ag0.45Pt0.55 Trong cơng 57 trình [74], hoạt tính xúc tác hợp kim Ag−Pd Ag−Pt thấp so với hoạt tính xúc tác hợp kim có cấu trúc lõi (Ag)–vỏ (Pd, Pt) giải thích chuyển điện tử từ Ag sang Pd Pt Từ nghiên cứu nhà khoa học kết phân tích khí đạt được, chúng tơi giải thích chế nhạy khí cảm biến màng mỏng SnO2 đồng biến tính Ag−Pt khí H2S có thay đổi độ đáp ứng lớn so với cảm biến màng mỏng SnO2 đơn biến tính Ag Pt hoạt tính xúc tác hợp kim nano Ag−Pt, cụ thể sau: Do hình thành hợp kim Ag−Pt làm tăng hoạt tính xúc tác, yếu tố xúc tác giúp làm phân ly phân tử ơxy có khơng khí đến hấp phụ lên bề mặt vật liệu, biến phân tử ơxy trung hịa điện thành ion ơxy O- có hoạt tính hóa học cao; sau bề mặt vật liệu SnO2 dễ dàng hấp phụ ion ôxy theo hiệu ứng tràn làm cho lượng ôxy hấp phụ bề mặt tăng lên đáng kể, kết điện tử vùng dẫn bị bắt nhiều làm cho chiều dày lớp nghèo tăng lên so với màng mỏng SnO2 biến tính Ag Pt (Hình 3.34) Khi cảm biến SnO2−Ag−Pt đặt vào mơi trường khí H2S, ion ơxy hình thành bề mặt vật liệu tương tác với khí H2S theo phương trình 3.3 đây: − − 𝐻𝐻2 𝑆𝑆 + 3𝑂𝑂(ℎấ𝑝𝑝 𝑝𝑝ℎụ) → 𝐻𝐻2 𝑂𝑂 + 𝑆𝑆𝑆𝑆2 + 3𝑒𝑒 (3.3) Đây phản ứng oxi hóa – khử, ba điện tự tạo từ phản ứng trả lại cho lớp vật liệu nhạy khí làm tăng độ dẫn cảm biến nghĩa điện trở cảm biến giảm mạnh, (điện trở cảm biến SnO2−Ag−Pt giảm mạnh so với cảm biến SnO2 biến tính Ag Pt) Phản ứng phụ thuộc lớn vào nồng độ ion O− có bề mặt vật liệu Mặt khác, hình thành chuyển tiếp Schottky hợp kim AgPt SnO2 (Hình 3.35) Trong đó, hợp kim AgPt có cơng điện tử ΦAgPt = 5.2 eV; cơng điện tử SnO2 ΦSnO2 = 4.6 eV Sau biến tính hình thành vi tiếp xúc hạt xúc tác nano AgPt với màng SnO2 tạo rào vi mơ Vì cơng điện tử hợp kim AgPt lớn cơng SnO2, điện tử di chuyển từ vùng dẫn SnO2 sang hợp kim AgPt, làm cho vùng nghèo vị trí tiếp xúc hạt AgPt màng SnO2 mở rộng phía SnO2 (hay mức lượng bị uốn cong vị trí tiếp xúc AgPt SnO2) Sự 58 mở rộng vùng nghèo làm cho kênh dẫn hẹp lại, độ dẫn cảm biến giảm, điện trở cảm biến SnO2−Ag−Pt tăng đáng kể (10MΩ) so với cảm biến SnO2 biến tính Pt (2MΩ) biến tính Ag (1MΩ) Trong trường hợp này, dịng điện dẫn hệ gồm hai thành phần dòng qua vật liệu SnO2 dòng qua cấu trúc AgPt SnO2 Khi tiếp xúc khí H2S, hạt nano Ag2O ( Ag dễ bị ơxy hóa chuyển thành Ag2O) phản ứng với phân tử khí theo phương trình: 𝐴𝐴𝐴𝐴2 𝑂𝑂 + 𝐻𝐻2 𝑆𝑆 → 𝐴𝐴𝐴𝐴2 𝑆𝑆 + 𝐻𝐻2 𝑂𝑂 (3.4) Kết tiếp xúc hạt xúc tác nano AgPt với màng SnO2 bị phá vỡ, đồng thời cơng điện tử Ag2S (4.42 eV) nhỏ cơng điện tử SnO2 (4.6 eV), điện tử di chuyển từ vùng dẫn Ag2S sang lại SnO2 làm cho lớp nghèo lớp tiếp xúc giảm, cảm biến giảm điện trở mạnh 59 CHƯƠNG KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ Sau trình thực đề tài Viện Đào tạo Quốc tế Khoa học Vật liệu (ITIMS), trường Đại học Bách Khoa Hà Nội, dựa sở kết phân tích trình bày trên, rút số kết luận sau:  Đã chế tạo thành công cảm biến màng mỏng SnO2, SnO2 biến tính Ag, Pt SnO2 đồng biến tính Ag−Pt phiến SiO2/Si/SiO2 phương pháp phún xạ kết hợp công nghệ vi điện tử  Khảo sát đặc trưng nhạy khí cảm biến chế tạo với hai loại khí H2, H2S nồng độ nhiệt độ đo khác Kết thu được: • Các cảm biến đồng biến tính Ag–Pt điều kiện chiều dày khác A1P2 (1 nm Ag – nm Pt) , A1P4 (1 nm Ag − nm Pt), A1P8 (1 nm Ag − nm Pt), A2P4 (2 nm Ag − nm Pt) A4P4 (4 nm Ag − nm Pt) cho độ đáp ứng khí H2S cao so với cảm biến đơn biến tính Ag ba chiều dày A1 (1 nm Ag), A2 (2 nm Ag), A4 (4 nm Ag) đơn biến tính Pt ba chiều dày P2 (2 nm Pt), P4 (4 nm Pt), P8 (8 nm Pt) Trong đó, cảm biến A1P4 cho độ đáp ứng tốt (~ 612.69) gấp ≈ 48 lần so với cảm biến A1 ≈ lần so với cảm biến P4 • Đối với khí khử H2, cảm biến A1P2; A1P4 có độ đáp ứng cao cảm biến P2, P4, P8 A1, A2, A4; cảm biến A1P8 (23) có độ đáp ứng không thay đổi nhiều so với cảm biến P8 (23.88), cảm biến A2P4 A4P4 có độ đáp ứng thấp cảm biến A2 A4 • Cảm biến A1P4 có độ nhạy khí tốt với hai khí H2, H2S so với cảm biến cịn lại • Các cảm biến có độ đáp ứng cao, độ bền độ ổn định suốt q trình khảo sát tính chất nhạy khí  Cảm biến khí A1P4 có tính chọn lọc với khí ethanol, methanol, acetone, CO, CH4 Hướng nghiên cứu tiếp theo: - Khảo sát thêm tính nhạy khí với số loại khí khác sở biến tính thêm kim loại khác để tăng khả chọn lọc cho cảm biến - Đóng gói cảm biến lên vi mạch điện tử để có linh kiện cảm biến hoàn thiện nhằm ứng dụng thực tiễn sống 60 TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Q Zhou, W Chen, L Xu, R Kumar, Y Gui, and Z Zhao, “Highly sensitive carbon monoxide ( CO ) gas sensors based on Ni and Zn doped SnO2 nanomaterials,” Ceram Int., vol 44, no 4, pp 4392–4399, 2018, doi: 10.1016/j.ceramint.2017.12.038 [2] V Balouria et al., “Nano-crystalline Fe2O3 thin films for ppm level detection of H2S,” Sensors Actuators, B Chem., vol 181, pp 471–478, 2013, doi: 10.1016/j.snb.2013.02.013 [3] S D Boben Thomas, K PrasannaKumari, “Microwave-enhanced pyrolysis grown nanostructured SnO2 thin films for near room temperature LPG detection and the impedance analysis.” Sensors and Actuators: A Physical, 2019 [4] G L Qingji Wang, Liwen Bao, Zongqiang Cao, Chaoyang Li, Xu Li, Fangmeng Liu, Peng Sun, “Microwave-assisted hydrothermal synthesis of Pt/SnO2 gas sensor for CO detection.” Chinese Chemical Letters, 2019 [5] V L Patil, S A Vanalakar, P S Patil, and J H Kim, “011-Sensors and Actuators B : Chemical Fabrication of nanostructured ZnO thin films based NO2 gas sensor via SILAR technique,” Sensors & Actuators: B Chemical, vol 239, no pp 1185–1193, 2017, doi: 10.1016/j.snb.2016.08.130 [6] A Mirzaei, S S Kim, and H W Kim, “Resistance-based H2S gas sensors using metal oxide nanostructures: A review of recent advances,” J Hazard Mater., vol 357, pp 314–331, 2018, doi: 10.1016/j.jhazmat.2018.06.015 [7] N S A Eom, H Cho, H Lim, B S Kim, and Y Choa, “Facile tilted sputtering process (TSP) for enhanced H2S gas response over selectively loading Pt nanoparticles on SnO2 thin Films,” Sensors Actuators B Chem., p 127009, 2019, doi: 10.1016/j.snb.2019.127009 [8] S Pandey, “Highly sensitive and selective chemiresistor gas/vapor sensors based on polyaniline nanocomposite: A comprehensive review,” J Sci Adv Mater Devices, vol 1, no 4, pp 431–453, 2016, doi: 10.1016/j.jsamd.2016.10.005 [9] A Mortezaali and R Moradi, “The correlation between the substrate temperature and morphological ZnO nanostructures for H2S gas sensors,” 61 Sensors Actuators, A Phys., vol 206, pp 30–34, 2014, doi: 10.1016/j.sna.2013.11.027 [10] C Liu et al., “Selective removal of H2S from biogas using a regenerable hybrid TiO2/zeolite composite,” Fuel, vol 157, pp 183–190, 2015, doi: 10.1016/j.fuel.2015.05.003 [11] G Huang et al., “Synthesis and Characterization of γ-Fe2O3 for H2S Removal at Low Temperature,” Ind Eng Chem Res., vol 54, no 34, pp 8469–8478, 2015, doi: 10.1021/acs.iecr.5b01398 [12] V G Anjali Sharmaa, Monika Tomarb, “Low temperature operating SnO2 thin film sensor loaded with WO3 micro-discs with enhanced response for NO2 gas.” 2012 [13] N Van Toan, C M Hung, N Van Duy, N D Hoa, D T T Le, and N Van Hieu, “Bilayer SnO2–WO3 nanofilms for enhanced NH3 gas sensing performance,” Mater Sci Eng B Solid-State Mater Adv Technol., vol 224, no May, pp 163–170, 2017, doi: 10.1016/j.mseb.2017.08.004 [14] V S V N.G Patel , P.D Patel, “Indium tin oxide (ITO) thin film gas sensor for detection of methanol at room temperature.” 2003 [15] A K Mukhopadhyay, P Mitra, A P Chatterjee, and H S Maiti, “Tin dioxide thin film gas sensor,” Ceramics International, vol 26, no pp 123–132, 2000, doi: 10.1016/S0272-8842(99)00029-2 [16] N Van Duy, T H Toan, N D Hoa, and N Van Hieu, “Effects of gamma irradiation on hydrogen gas-sensing characteristics of Pd-SnO2 thin film sensors,” Int J Hydrogen Energy, vol 40, no 36, pp 12572–12580, 2015, doi: 10.1016/j.ijhydene.2015.07.070 [17] I Fasaki, M Suchea, G Mousdis, G Kiriakidis, and M Kompitsas, “The effect of Au and Pt nanoclusters on the structural and hydrogen sensing properties of SnO2 thin fi lms,” Thin Solid Films, vol 518, no 4, pp 1109– 1113, 2009, doi: 10.1016/j.tsf.2009.07.192 [18] C H Liu, L Zhang, and Y J He, “Properties and mechanism study of Ag doped SnO2 thin films as H2S sensors,” Thin Solid Films, vol 304, no 1–2 pp 13–15, 1997, doi: 10.1016/S0040-6090(97)00107-7 [19] C Liu, Q Kuang, Z Xie, and L Zheng, “The effect of noble metal (Au, 62 Pd and Pt) nanoparticles on the gas sensing performance of SnO2-based sensors: a case study on the {221} high-index faceted SnO2 octahedra,” CrystEngComm, vol 17, no 33, pp 6308–6313, 2015, doi: 10.1039/c5ce01162k [20] S Mohammad-youse, S Rahbarpour, and H Ghafoorifard, “Describing the effect of Ag / Au modification on operating temperature and gas sensing properties of thick film SnO2 gas sensors by gas diffusion theory,” vol 227, no August 2018, pp 148–156, 2019, doi: 10.1016/j.matchemphys.2019.02.010 [21] Z K Colbow, R F Frindt, S.R Morison, M.Plischke, “Silver clusters on SnO2 thin film surfaces and their application to gas sensors.” 1995 [22] P S Kolhe, P M Koinkar, N Maiti, and K M Sonawane, “Synthesis of Ag doped SnO2 thin films for the evaluation of H2S gas sensing properties,” Phys B Condens Matter, vol 524, no June, pp 90–96, 2017, doi: 10.1016/j.physb.2017.07.056 [23] L Yang, C Yin, Z Zhang, and B Zhu, “A study of hydrogen sensing properties and microstructure for highly dispersed Pd-SnO2 thin films with high response magnitude,” Appl Surf Sci., vol 311, pp 74–82, 2014, doi: 10.1016/j.apsusc.2014.05.003 [24] V B Kamble and A M Umarji, “Achieving selectivity from the synergistic effect of Cr and Pt activated SnO2 thin film gas sensors,” Sensors Actuators, B Chem., vol 236, pp 208–217, 2016, doi: 10.1016/j.snb.2016.05.119 [25] S Choi, A Katoch, G Sun, and S S Kim, “Sensors and Actuators B : Chemical Bimetallic Pd/Pt nanoparticle-functionalized SnO2 nanowires for fast response and recovery to NO2,” Sensors Actuators B Chem., vol 181, pp 446–453, 2013, doi: 10.1016/j.snb.2013.02.007 [26] M C B Jaswinder Kaur, Rajesh Kumar, “Effect of indium-doped SnO2 nanoparticles on NO2 gas sensing properties.” 2007 [27] V Kumar, S Sen, K P Muthe, N K Gaur, S K Gupta, and J V Yakhmi, “Copper doped SnO2 nanowires as highly sensitive H2S gas sensor,” Sensors and Actuators, B: Chemical, vol 138, no pp 587–590, 63 2009, doi: 10.1016/j.snb.2009.02.053 [28] S M H Al-jawad, “Influence of Multilayer Deposition on Characteristics of Nanocrystalline SnO2 Thin Films Produce by Sol-Gel Technique for Gas Sensor Application,” Opt - Int J Light Electron Opt., 2017, doi: 10.1016/j.ijleo.2017.08.053 [29] S Nasresfahani, M H Sheikhi, M Tohidi, and A Zarifkar, “Methane gas sensing properties of Pd-doped SnO2/reduced graphene oxide synthesized by a facile hydrothermal route,” Mater Res Bull., 2017, doi: 10.1016/j.materresbull.2017.01.032 [30] Z Zhu, C T Kao, and R J Wu, “A highly sensitive ethanol sensor based on Ag@TiO2 nanoparticles at room temperature,” Appl Surf Sci., vol 320, pp 348–355, 2014, doi: 10.1016/j.apsusc.2014.09.108 [31] B T Raut, P R Godse, S G Pawar, M A Chougule, D K Bandgar, and V B Patil, “Novel method for fabrication of polyaniline-CdS sensor for H2S gas detection,” Meas J Int Meas Confed., vol 45, no 1, pp 94–100, 2012, doi: 10.1016/j.measurement.2011.09.015 [32] D Maity, K Rajavel, and R T R Kumar, “Polyvinyl alcohol wrapped multiwall carbon nanotube (MWCNTs) network on fabrics for wearable room temperature ethanol sensor,” Sensors and Actuators, B: Chemical, vol 261 pp 297–306, 2018, doi: 10.1016/j.snb.2018.01.152 [33] T Seiyama, K Fujiishi, M Nagatani, and A Kato, “A New Detector for Gaseous Components Using Zinc Oxide Thin Films,” The Journal of the Society of Chemical Industry, Japan, vol 66, no pp 652–655, 1963, doi: 10.1246/nikkashi1898.66.5_652 [34] N Taguchi, “Gas detecting device,” US patent, vol 3, no 631 p 436, 1971, [Online] Available: https://patents.google.com/patent/US3695848A/en [35] W H Brattain and J Bardeen, “Surface Properties of Germanium,” Bell System Technical Journal, vol 32, no pp 1–41, 1953, doi: 10.1002/j.1538-7305.1953.tb01420.x [36] S H Salman, A A Shihab, and A H K Elttayef, “Design and construction of nanostructure TiO2 thin film gas sensor prepared by R.F 64 magnetron sputtering technique,” Energy Procedia, vol 157, no 2018, pp 283–289, 2019, doi: 10.1016/j.egypro.2018.11.192 [37] L G Teoh, Y M Hon, J Shieh, W H Lai, and M H Hon, “Sensitivity properties of a novel NO2 gas sensor based on mesoporous WO3 thin film,” Sensors Actuators, B Chem., vol 96, no 1–2, pp 219–225, 2003, doi: 10.1016/S0925-4005(03)00528-8 [38] A Ghosh, C Zhang, S Shi, and H Zhang, “High temperature CO2 sensing and its cross-sensitivity towards H2 and CO gas using calcium doped ZnO thin film coated langasite SAW sensor,” Sensors Actuators, B Chem., vol 301, no August, p 126958, 2019, doi: 10.1016/j.snb.2019.126958 [39] L Jianping, W Yue, G Xiaoguang, W Li, and H Jinghong, “H2S sensing properties of the SnO2-based thin films,” Sensors Actuators B, pp 111– 113, 2000 [40] H J Kim and J H Lee, “Highly sensitive and selective gas sensors using p-type oxide semiconductors: Overview,” Sensors and Actuators, B: Chemical, vol 192 pp 607–627, 2014, doi: 10.1016/j.snb.2013.11.005 [41] T Nandy, R A Coutu, and C Ababei, “Carbon monoxide sensing technologies for next-generation cyber-physical systems,” Sensors (Switzerland), vol 18, no 10 2018, doi: 10.3390/s18103443 [42] S S Lekshmy, G P Daniel, and K Joy, “Microstructure and physical properties of sol gel derived SnO2 :Sb thin films for optoelectronic applications,” Appl Surf Sci., vol 274, pp 95–100, 2013, doi: 10.1016/j.apsusc.2013.02.109 [43] L Li, J Huang, T Wang, H Zhang, Y Liu, and J Li, “An excellent enzyme biosensor based on Sb-doped SnO2 nanowires,” Biosens Bioelectron., vol 25, no 11, pp 2436–2441, 2010, doi: 10.1016/j.bios.2010.03.037 [44] S Bajantri and R Mathad, “Effect of Energy Band Gap and Substrate Temperature on Gas Sensing Properties of F and PEG-6000 Co-Doped SnO2 Thin Films,” International Journal of Pure and Applied Physics, vol 13, no pp 219–229, 2017 [45] Y Deng, “Semiconducting Metal Oxides for Gas Sensing.” 2019 65 [46] S Das and V Jayaraman, “SnO2: A comprehensive review on structures and gas sensors,” Prog Mater Sci., vol 66, pp 112–255, 2014, doi: 10.1016/j.pmatsci.2014.06.003 [47] A Staerz, T Suzuki, U Weimar, and N Barsan, SnO2: The most important base material for semiconducting metal oxide-based materials Elsevier Inc., 2020 [48] G Korotcenkov, B K Cho, L B Gulina, and V P Tolstoy, “Gas sensor application of Ag nanoclusters synthesized by SILD method,” Sensors Actuators, B Chem., vol 166–167, pp 402–410, 2012, doi: 10.1016/j.snb.2012.02.081 [49] Y Shen, T Yamazaki, Z Liu, D Meng, and T Kikuta, “Hydrogen sensing properties of Pd-doped SnO2 sputtered films with columnar nanostructures,” Thin Solid Films, vol 517, no 21, pp 6119–6123, 2009, doi: 10.1016/j.tsf.2009.05.036 [50] N S Ramgir et al., “CO sensor derived from mesostructured Au-doped SnO2 thin film,” Appl Surf Sci., vol 252, no 12, pp 4298–4305, 2006, doi: 10.1016/j.apsusc.2005.07.015 [51] G Tofighi et al., “Microfluidically synthesized Au, Pd and AuPd nanoparticles supported on SnO2 for gas sensing applications,” Sensors and Actuators, B: Chemical, vol 292 pp 48–56, 2019, doi: 10.1016/j.snb.2019.02.107 [52] N S A Y Vijayakumar, P Nagaraju, Veeraswamy Yaragani, Saidi Reddy Parne, “Nanostructured Al and Fe co-doped ZnO thin films for enhanced ammonia detection.” 2019 [53] G Li, Z Cheng, Q Xiang, L Yan, X Wang, and J Xu, “Bimetal PdAu decorated SnO2 nanosheets based gas sensor with temperature-dependent dual selectivity for detecting formaldehyde and acetone,” Sensors Actuators, B Chem., vol 283, no March 2018, pp 590–601, 2019, doi: 10.1016/j.snb.2018.09.117 [54] S Kim, S Park, S Park, and C Lee, “Acetone sensing of Au and Pddecorated WO3 nanorod sensors,” Sensors and Actuators, B: Chemical, vol 209 pp 180–185, 2015, doi: 10.1016/j.snb.2014.11.106 66 [55] F Fan, J Zhang, J Li, N Zhang, R Hong, and X Deng, “Sensors and Actuators B : Chemical Hydrogen sensing properties of Pt-Au bimetallic nanoparticles loaded on ZnO nanorods,” Sensors Actuators B Chem., vol 241, pp 895–903, 2017, doi: 10.1016/j.snb.2016.11.025 [56] ∗ Yuxiu Lia, Dongyang Denga, Xinxin Xinga, Nan Chenb, Xu Liua, Xuechun Xiaoa,c, Yude Wangb,c, “A high performance methanol gas sensor based on palladium-platinum-In2O3 composited nanocrystalline SnO2.” pp 133–141, 2016 [57] nn Ying Lina, Ying Wanga, Wei Weia, Linghui Zhua, Shanpeng Wenb,n, Shengping Ruana, “Synergistically improved formaldehyde gas sensing properties of SnO2 microspheres by indium and palladium co-doping.” pp 7329–7336, 2015 [58] J Gong, Q Chen, W Fei, and S Seal, “Micromachined nanocrystalline SnO2 chemical gas sensors for electronic nose,” Sensors and Actuators, B: Chemical, vol 102, no pp 117–125, 2004, doi: 10.1016/j.snb.2004.02.055 [59] C Liewhiran, N Tamaekong, A Tuantranont, A Wisitsoraat, and S Phanichphant, “The effect of Pt nanoparticles loading on H2 sensing properties of flame-spray-made SnO2 sensing films,” Materials Chemistry and Physics, vol 147, no pp 661–672, 2014, doi: 10.1016/j.matchemphys.2014.06.005 [60] A Umar, M Tomar, and V Gupta, “ScienceDirect Custom designed metal anchored SnO2 sensor for H2 detection,” vol 2, 2016, doi: 10.1016/j.ijhydene.2016.12.054 [61] M Shahabuddin, A Sharma, J Kumar, M Tomar, A Umar, and V Gupta, “Metal clusters activated SnO2 thin film for low level detection of NH3 gas,” Sensors Actuators, B Chem., vol 194, pp 410–418, 2014, doi: 10.1016/j.snb.2013.12.097 [62] N X Thai, N Van Duy, N Van Toan, C M Hung, N Van Hieu, and N D Hoa, “Effective monitoring and classification of hydrogen and ammonia gases with a bilayer Pt/SnO2 thin film sensor,” Int J Hydrogen Energy, no xxxx, 2019, doi: 10.1016/j.ijhydene.2019.11.072 67 [63] J.-D G David Degler, Sabrina A Măuller, Dmitry E Doronkin, Di Wang and U W and N Barsan, “Platinum loaded tin dioxide: a model system for unravelling the interplay between heterogeneous catalysis and gas sensing.” 2018 [64] J Wisniewska and M Ziolek, “Formation of Pt-Ag alloy on different silicas-surface properties and catalytic activity in oxidation of methanol,” RSC Adv., vol 7, no 16, pp 9534–9544, 2017, doi: 10.1039/c6ra28365a [65] A A Umar, E Rahmi, A Balouch, M Y A Rahman, M M Salleh, and M Oyama, “Highly-reactive AgPt nanofern composed of {001}-faceted nanopyramidal spikes for enhanced heterogeneous photocatalysis application,” J Mater Chem A, vol 2, no 41, pp 17655–17665, 2014, doi: 10.1039/c4ta03518f [66] Z Peng, H You, and H Yang, “An electrochemical approach to PtAg alloy nanostructures rich in Pt at the surface,” Adv Funct Mater., vol 20, no 21, pp 3734–3741, 2010, doi: 10.1002/adfm.201001194 [67] W He et al., “Pt-Guided Formation of Pt-Ag Alloy Nanoislands on Au Nanorods and Improved Methanol Electro-Oxidation,” Am Chem Soc., vol 1113, pp 10505–10510, 2009 [68] G Sakai, N Matsunaga, K Shimanoe, and N Yamazoe, “Theory of gasdiffusion controlled sensitivity for thin film semiconductor gas sensor,” Sensors and Actuators, B: Chemical, vol 80, no pp 125–131, 2001, doi: 10.1016/S0925-4005(01)00890-5 [69] G Korotcenkov and B K Cho, “Thin film SnO2-based gas sensors: Film thickness influence,” Sensors and Actuators, B: Chemical, vol 142, no pp 321–330, 2009, doi: 10.1016/j.snb.2009.08.006 [70] G Sakai, N S Baik, N Miura, and N Yamazoe, “Gas sensing properties of tin oxide thin films fabricated from hydrothermally treated nanoparticles: Dependence of CO and H2 response on film thickness,” Sensors and Actuators, B: Chemical, vol 77, no 1–2 pp 116–121, 2001, doi: 10.1016/S0925-4005(01)00682-7 [71] D Haridas, K Sreenivas, and V Gupta, “Improved response characteristics of SnO2 thin film loaded with nanoscale catalysts for LPG 68 detection,” Sensors and Actuators, B: Chemical, vol 133, no pp 270– 275, 2008, doi: 10.1016/j.snb.2008.02.030 [72] M K Verma and V Gupta, “A highly sensitive SnO2-CuO multilayered sensor structure for detection of H2S gas,” Sensors and Actuators, B: Chemical, vol 166–167 pp 378–385, 2012, doi: 10.1016/j.snb.2012.02.076 [73] W He et al., “Design of AgM bimetallic alloy nanostructures (M = Au, Pd, Pt) with tunable morphology and peroxidase-like activity,” Chem Mater., vol 22, no 9, pp 2988–2994, 2010, doi: 10.1021/cm100393v [74] M Tsuji, D Shimamoto, K Uto, M Hattori, and H Ago, “Enhancement of catalytic activity of AgPd@Pd/TiO2 nanoparticles under UV and visible photoirradiation,” J Mater Chem A, vol 4, no 38, pp 14649–14656, 2016, doi: 10.1039/c6ta05699g 69 PHỤ LỤC Bảng P3.1 Thời gian đáp ứng hồi phục cảm biến P2, P4 P8 với khí H2 từ nhiệt độ 150 °C – 300 °C, dải nồng độ 25 – 250 ppm Mẫu P2 P4 P8 Thời gian đáp ứng (s) Nồng Nhiệt độ (°C) độ 150 200 250 300 (ppm) 25 145 94 18 12 50 140 91 16 10 100 133 87 14 250 124 81 12 25 131 72 17 11 50 124 69 15 100 115 65 13 250 107 63 10 25 129 74 37 21 50 111 71 35 19 100 98 68 33 16 250 89 65 30 14 Thời gian hồi phục (s) Nồng Nhiệt độ (°C) độ 150 200 250 300 (ppm) 25 192 59 20 15 50 210 63 26 17 100 229 76 28 19 250 245 93 35 20 25 159 64 19 12 50 174 68 21 14 100 195 74 23 16 250 227 78 25 18 25 187 80 42 26 50 209 113 53 29 100 220 157 69 35 250 236 165 83 43 Bảng P3 Thời gian đáp ứng hồi phục cảm biến A1, A2 A4 với khí H2S từ nhiệt độ 200 °C – 350 °C, dải nồng độ 0.25 – 2.5 ppm Mẫu A1 A2 A4 Thời gian đáp ứng (s) Nồng Nhiệt độ (°C) độ 200 250 300 350 (ppm) 0.25 130 99 44 30 0.5 117 90 39 27 98 74 31 24 2.5 88 54 25 20 0.25 199 116 70 39 0.5 180 109 65 35 160 92 60 31 2.5 144 85 48 27 0.25 225 139 90 48 0.5 207 128 85 43 185 113 79 39 2.5 158 104 71 32 Thời gian hồi phục (s) Nồng Nhiệt độ (°C) độ 200 250 300 350 (ppm) 0.25 392 45 30 26 0.5 425 69 36 32 475 80 45 40 2.5 523 104 57 47 0.25 482 127 71 40 0.5 525 141 83 47 559 167 92 55 2.5 585 194 106 63 0.25 587 436 261 57 0.5 716 475 290 62 957 492 324 73 2.5 1117 520 364 91 Bảng P3.3 Thời gian đáp ứng hồi phục cảm biến A1P2, A1P4, A1P8, A2P4 A4P4 với khí H2S từ nhiệt độ 200 °C – 350 °C, dải nồng độ 0.25 – 2.5 ppm Thời gian đáp ứng (s) Nồng Nhiệt độ (°C) độ 200 250 300 350 (ppm) A1P2 0.25 155 56 47 18 0.5 139 51 40 15 Mẫu Thời gian hồi phục (s) Nồng Nhiệt độ (°C) độ 200 250 300 350 (ppm) 0.25 1035 342 49 32 0.5 1129 365 59 36 70 A1P4 A1P8 A2P4 A4P4 2.5 0.25 0.5 2.5 0.25 0.5 2.5 0.25 0.5 2.5 0.25 0.5 2.5 125 110 145 123 105 86 170 155 139 121 153 178 45 39 48 44 39 35 89 78 69 60 91 81 72 66 98 86 75 68 36 30 42 37 32 29 65 60 53 46 72 67 55 50 86 70 61 52 11 15 11 20 16 12 25 20 18 14 23 20 17 12 2.5 0.25 0.5 2.5 0.25 0.5 2.5 0.25 0.5 2.5 0.25 0.5 2.5 1227 1303 987 1026 1149 1287 1407 1538 1625 1788 3618 3579 398 421 74 79 83 87 322 352 405 445 355 379 398 425 367 384 413 445 63 69 16 20 25 29 53 62 79 87 73 80 92 99 54 58 66 70 40 45 10 13 15 18 35 38 41 46 43 47 52 58 37 43 48 52 Bảng P3 Thời gian đáp ứng hồi phục cảm biến A1P2, A1P4, A1P8, A2P4 A4P4 với khí H2 từ nhiệt độ 200 °C – 350 °C, dải nồng độ 25 – 250 ppm Mẫu A1P2 A1P4 A1P8 A2P4 A4P4 Thời gian đáp ứng (s) Nồng Nhiệt độ (°C) độ 200 250 300 350 (ppm) 25 102 35 18 50 89 31 15 100 78 28 13 250 193 66 25 11 25 75 32 15 50 71 29 11 100 66 24 250 113 60 20 25 228 95 42 20 50 194 87 38 16 100 180 82 35 13 250 171 79 32 10 25 172 86 37 22 50 163 81 35 19 100 151 75 32 17 250 140 70 29 15 25 247 144 72 32 50 265 134 67 27 100 282 126 60 23 250 303 110 55 20 Thời gian hồi phục (s) Nồng Nhiệt độ (°C) độ 200 250 300 350 (ppm) 25 73 32 26 50 80 35 30 100 90 38 33 250 544 119 41 35 25 57 21 10 50 62 24 13 100 69 28 15 250 389 75 31 17 25 406 64 30 26 50 447 77 33 30 100 497 81 44 33 250 582 89 47 35 25 297 165 61 105 50 350 186 79 128 100 424 211 91 132 250 484 246 142 100 25 485 154 82 69 50 502 167 106 83 100 520 180 139 98 250 542 202 158 114 71 ... tài nghiên cứu luận văn là: ? ?Nghiên cứu chế tạo cảm biến khí sở màng mỏng SnO2 đồng biến tính Ag Pt phương pháp phún xạ? ??  Mục tiêu, đối tượng phạm vi nghiên cứu Mục tiêu: - Nghiên cứu chế tạo màng. .. tạo màng mỏng SnO2, SnO2 biến tính Ag, Pt SnO2 đồng biến tính Ag? ? ?Pt phương pháp phún xạ - Nghiên cứu, tìm hiểu chế nhạy khí xúc tác kim loại lên tính nhạy khí màng mỏng SnO2 - Khảo sát tính chất... luận văn Bằng phương pháp phún xạ, chế tạo thành công cảm biến sở màng mỏng SnO2 biến tính Ag, Pt SnO2 đồng biến tính Ag? ? ?Pt để ứng dụng phát triển cảm biến khí Chúng tơi khảo sát đánh giá tính chất