Bài giảng môn học điện tử 2

BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ – Chương Đại học Thủy Lợi – Khoa Năng Lượng – Bộ môn Kỹ Thuật Điện Giảng viên : Ths Bùi Văn Đại Email : buidai68@gmail.com Chương : Mạch điện tử số : Lý luận thiết kế IC, so sánh Mos & BJT : Phân cực Ic, nguồn dòng : Đáp ứng tần số cao : KĐ CS,CE với tải tích cực : KĐ CG, CB với tải tích cực : KĐ cascode : KĐ CS & Rs, CE & Re : KĐ CD, CC : Các cặp trans, mạch dòng mirror : Lí luận thiết kế IC, so sánh Mos - BJT Tiết kiệm diện tích - Loại bỏ trở lớn - Loại bỏ tụ rẽ nhánh (tụ lớn) - Giảm kích thước (chiều dài kênh dẫn) Cmos sử dụng rộng rãi - Kết hợp với BJT thành Bimos Mạch nguồn dịng ảnh dịng : Lí luận thiết kế IC, so sánh Mos - BJT  Thông số đặc trưng Mos: Thơng số Mosfet : Lí luận thiết kế IC, so sánh Mos - BJT Thông số BJT : Lí luận thiết kế IC, so sánh Mos - BJT  So sánh Mos BJT (xem bảng STHT giáo trình) Mos - điện trở vào vô - thông số W/L dễ thay đổi so với Ae BJT - điện dẫn cao - hệ số khuếch đại tốt : Lí luận thiết kế IC, so sánh Mos - BJT  Mos : - Phù hợp với KĐ trở kháng vào cao - Chuyển mạch - Phù hợp mật độ đóng gói cao (IC)  BJT - Mạch yêu cầu chất lượng cao (KĐTT)  BiCmos - Cấy thêm BJT vi mạch Mos : Phân cực Ic, nguồn dòng Dùng nguồn dòng  - Dòng tham chiếu : Iref  - Các mạch lái dòng Nguồn dòng  - Dùng Mos  - Dùng BJT : Phân cực Ic, nguồn dòng Nguồn dòng dùng Mos I D1 IO IO I REF I REF I D2 VDD VGS R ' W kn ( ) (VGS Vtn ) 2 L (W / L)2 (W / L)1 Điều kiện Vo > Vgs -Vt : Phân cực Ic, nguồn dòng Mạch lái dòng Mos I2 I3 I REF I REF I4 I3 I5 I4 * (W / L) (W / L)1 (W / L)3 (W / L)1 (W / L)3 (W / L)1 (W / L)5 (W / L) Điều kiện : : Khuếch đại cascode Cascode BiCmos : KĐ CS, CE với điện trở CS Rs tH = CgsRgs + CgdRgd + CL : KĐ CS, CE với điện trở CE Re Ro ro (1+gmR’e) : Bộ lặp lại cực phát cực nguồn (KĐ CD, CC) CD : KĐ CD, CC CC : Các cặp trans CD-CS, CC-CE, CD - CE : Các cặp trans Mạch ghép Darlington : Các cặp trans CC-CB, CD - CG : Các cặp trans CC-CB, CD - CG : Mạch ảnh dòng Mạch cascode Mos Ro = ro3 + [1+(gm3+gmb3)ro3]ro2 gm3ro3ro2 : Mạch ảnh dòng Mạch BJT : Mạch ảnh dòng Mạch Wilson : Mạch ảnh dòng Mạch Wilson dùng Mos R0 ro3 (gm3ro02+2) gm3ro3ro2 : Mạch ảnh dòng Nguồn dòng Wildar Ro [1+gm(Re //r )]ro ... / Z2) P2 ) 2 P2 Z1 Z2 P1  Mở rộng : nhiều điểm cực điểm zero H 1/ ( P1 P2 .) 2( Z1 Z2 .) : Đáp ứng tần số cao  Dùng số thời gian mạch hở a1s a2 s an s n b1s b2 s bn s n FH ( s ) b1 1 P1 P2... dùng Mos I D1 IO IO I REF I REF I D2 VDD VGS R ' W kn ( ) (VGS Vtn ) 2 L (W / L )2 (W / L)1 Điều kiện Vo > Vgs -Vt : Phân cực Ic, nguồn dòng Mạch lái dòng Mos I2 I3 I REF I REF I4 I3 I5 I4 * (W... Phân cực Ic, nguồn dòng Nguồn dịng BJT (có xét đến β) IREF = Ic + 2IC/ β = IC(1 +2/ β) IO I REF IC I C (1 IO I REF 1 m m ) 2 : Phân cực Ic, nguồn dòng Nguồn dòng BJT Các điểm lấy dòng cấp dòng