Đề tài đã nghiên cứu các công nghệ chế tạo các lớp màng mỏng ô-xít bán dẫn nền ZnO và CuO; sử dụng hoàn toàn công nghệ sol-gel kết hợp quay phủ để chế tạo các màng mỏng bán dẫn loại n, bán dẫn loại p và các linh kiện điện tử thử nghiệm; nghiên cứu và tối ưu hóa quy trình chế tạo các màng mỏng bán dẫn loại n, màng mỏng bán dẫn loại p và màng mỏng làm điện cực,... Mời các bạn cùng tham khảo.
ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN *********** Nguyễn Quang Hòa NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG MỎNG NỀN CuO VÀ ZnO ĐỊNH HƯỚNG ỨNG DỤNG TRONG LINH KIỆN ĐIỆN TỬ LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ Hà Nội - 2019 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN *********** Nguyễn Quang Hòa NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG MỎNG NỀN CuO VÀ ZnO ĐỊNH HƯỚNG ỨNG DỤNG TRONG LINH KIỆN ĐIỆN TỬ Chuyên ngành: Vật lý Chất rắn Mã số: 9440130.02 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: TS Bùi Nguyên Quốc Trình GS.TS Bạch Thành Công HÀ NỘI, NĂM 2019 LỜI CAM ĐOAN Tơi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu cá nhân hướng dẫn trực tiếp cán hướng dẫn Các số liệu kết trình bày luận án thực trình thực luận án chưa cơng bố bất ký cơng trình khác Các số liệu, thông tin, minh chứng so sánh kết từ nguồn tài liệu tham khảo phục vụ cho mục đích học thuật trích dẫn tài liệu theo quy định Tác giả luận án Nguyễn Quang Hòa LỜI CẢM ƠN Trước hết, xin trân trọng gửi lời cảm ơn sâu sắc đến TS Bùi Nguyên Quốc Trình, GS TS Bạch Thành Cơng người thầy tận tình hướng dẫn bảo giúp đỡ tơi suốt q trình học tập, nghiên cứu thực luận án Tôi xin chân thành bày tỏ cảm ơn tới thầy, cô Bộ môn Vật lý Chất rắn, Trung tâm Khoa học Vật liệu Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội cho tơi lời khun, góp ý hữu ích q trình nghiên cứu thực luận án Tôi xin chân thành cảm ơn NCS Lưu Mạnh Quỳnh (Trung tâm Khoa học Vật liệu, Khoa Vật lý, ĐHKHTNĐHQGHN), GS Akihiko Fujiwara (Đại học Kwansei Gakuin, Nhật Bản) giúp đỡ đo đạc, khảo sát tính chất vật liệu, linh kiện hồn thiện luận án Tôi xin chân thành cảm ơn thầy, Khoa Vật lý, Phịng Sau đại học, ĐHKHTN tạo điều kiện giúp đỡ suốt thời gian học tập thực luận án Tôi xin gửi lời cảm ơn chân thành đến đồng nghiệp, bạn bè động viên, giúp đỡ suốt thời gian học tập thực luận án Cuối cùng, tơi xin cảm ơn gia đình ln tin tưởng ủng hộ, tạo điều kiện thuận lợi cho tơi để tơi hồn thành luận án Luận án hỗ trợ đề tài cấp Đại học Quốc gia có mã số QG 19-02 Tác giả luận án Nguyễn Quang Hòa MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN LỜI CẢM ƠN DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT DANH MỤC CÁC BẢNG DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ MỞ ĐẦU 11 Lí chọn đề tài luận án 11 Mục tiêu luận án 13 Phương pháp nghiên cứu 13 Ý nghĩa khoa học đóng góp luận án 13 4.1 Ý nghĩa khoa học 13 4.2 Những đóng góp luận án 13 Bố cục luận án 14 CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN ƠXÍT BÁN DẪN KIM LOẠI VÀ ỨNG DỤNG 15 1.1 Vật liệu ơxít bán dẫn kim loại 15 1.2 Vật liệu bán dẫn ZnO 17 1.2.1 Cấu trúc tinh thể ZnO 18 1.2.2 Tính chất vật lý ZnO 20 1.2.3 Cấu trúc, tính chất điện, quang ZnO pha tạp 27 1.2.4 Các phương pháp chế tạo 28 1.2.4.1 Các phương pháp vật lý 28 1.2.4.2 Các phương pháp hóa học 30 1.2.5 Tiềm ứng dụng ZnO ZnO pha tạp 36 1.3 Vật liệu bán dẫn CuO 38 1.3.1 Cấu trúc tinh thể 39 1.3.2 Tính chất vật lý CuO 42 1.3.4 Tiềm ứng dụng CuO 46 1.4 Ứng dụng chế tạo linh kiện điện tử 47 1.4.1 Transistor bán dẫn dạng màng mỏng 47 1.4.2 Pin mặt trời 48 CHƯƠNG 2: CHẾ TẠO VÀ CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN TÍCH TÍNH CHẤT CỦA CÁC MÀNG MỎNG 50 2.1 Chế tạo màng mỏng 50 2.1.1 Danh mục hóa chất thiết bị sử dụng chế tạo màng mỏng 50 2.1.2 Quy trình chế tạo 52 2.1.2.1 Quy trình chế tạo dung dịch tiền chất 52 2.1.2.2 Quy trình chế tạo màng phương pháp quay phủ 57 2.2 Phương pháp phân tích 59 2.2.1 Nhiễu xạ tia X 59 2.2.2 Kính hiển vi điện tử quét 61 2.2.3 Phổ tán sắc lượng tia X 62 2.2.4 Kính hiển vi lực nguyên tử 63 2.2.5 Khảo sát tính chất điện màng mỏng 64 2.2.5.1 Phép đo bốn mũi dò 64 2.2.5.2 Phép đo Hall 65 2.2.6 Phổ hấp thụ tử ngoại – khả kiến 66 2.2.7 Khảo sát đặc trưng transistor dạng màng mỏng pin mặt trời 67 2.2.7.1 Khảo sát đặc trưng transistor dạng màng mỏng 67 2.2.7.2 Khảo sát đặc trưng pin mặt trời 67 CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ KHẢO SÁT TÍNH CHẤT CỦA CÁC MÀNG MỎNG BÁN DẪN LOẠI N VÀ P 69 3.1 Các kết màng mỏng bán dẫn loại p 69 3.1.1 Kết màng mỏng ZnO:Ag 69 3.1.1.1 Kết nghiên cứu cấu trúc tinh thể 69 3.1.1.2 Kết nghiên cứu hình thái bề mặt 73 3.1.1.3 Kết nghiên cứu tính chất quang 74 3.1.1.3 Kết nghiên cứu tính chất điện 76 3.1.2 Kết màng mỏng ZnO:Cu 77 3.1.2.1 Kết nghiên cứu cấu trúc tinh thể 77 3.1.2.2 Kết nghiên cứu hình thái bề mặt 80 3.1.2.3 Kết nghiên cứu tính chất quang 81 3.1.2.4 Kết nghiên cứu tính chất điện 83 3.1.3 Kết màng mỏng CuO 83 3.1.3.1 Ảnh hưởng tỷ lệ muối đồng MEA 83 3.1.3.2 Ảnh hưởng nồng độ ion Cu2+ dung dịch tiền chất 88 3.1.3.3 Ảnh hưởng nhiệt độ xử lý 97 3.2 Các kết màng mỏng bán dẫn loại n 101 3.2.1 Ảnh hưởng tỷ lệ muối kẽm MEA 101 3.2.1.1 Kết nghiên cứu cấu trúc tinh thể 101 3.2.1.2 Kết nghiên cứu hình thái bề mặt 103 3.2.1.3 Kết nghiên cứu tính chất quang 104 3.2.2 Ảnh hưởng nồng độ Zn2+ dung dịch tiền chất 106 3.2.2.1 Kết nghiên cứu cấu trúc tinh thể 106 3.2.2.2 Kết nghiên cứu hình thái bề mặt 107 3.2.2.3 Kết nghiên cứu tính chất quang 109 3.2.3 Ảnh hưởng nồng độ pha tạp Al 110 3.2.3.1 Kết nghiên cứu cấu trúc tinh thể 110 3.2.3.2 Kết nghiên cứu hình thái bề mặt 112 3.2.3.3 Kết nghiên cứu tính chất quang 113 3.2.3.3 Kết nghiên cứu tính chất điện 114 CHƯƠNG 4: ỨNG DỤNG MÀNG MỎNG ZNO VÀ CUO 116 4.1 Ứng dụng chế tạo transistor 116 4.1.1 Chế tạo khảo sát transistor dạng màng mỏng 116 4.1.2 Đặc trưng lối transistor 117 4.1.3 Đặc trưng truyền qua transistor 118 4.2 Ứng dụng chế tạo pin mặt trời 119 4.2.1 Chế tạo khảo sát tính chất màng mỏng ITO 120 4.2.1.1 Kết nghiên cứu cấu trúc tinh thể 120 4.2.1.2 Kết nghiên cứu hình thái bề mặt 122 4.2.1.3 Kết nghiên cứu tính chất điện 124 4.2.1.4 Kết nghiên cứu tính chất quang 125 4.2.2 Chế tạo khảo sát tính chất màng mỏng LNO 126 4.2.2.1 Kết qủa nghiên cứu cấu trúc tinh thể 126 4.2.2.2 Kết nghiên cứu hình thái bề mặt 128 4.2.2.3 Kết nghiên cứu tính chất điện 130 4.2.3 Chế tạo pin mặt trời 132 ĐỊNH HƯỚNG NGHIÊN CỨU TIẾP THEO 138 DANH MỤC CÁC CƠNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN ÁN 139 TÀI LIỆU THAM KHẢO 140 DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT AFM Atomic Force Microscope – Kính hiển vi nguyên tử lực ĐHKHTN Trường Đại học Khoa học Tự nhiên ĐHQGHN Đại học Quốc gia Hà Nội EDS Energy dispersive X-ray spectrum – Phổ lượng tán sắc tia X Eg Band gap Energy - Độ rộng vùng cấm ITO In2-xSnxO3 LNO LaNiO3 MEA Monoethanolamine SEM Scanning Electron Microscope – Kính hiển vi điện tử quét TFTs Thin film transistors – Transistor dạng màng mỏng UV – vis Ultraviolet Visible – Phổ hấp thụ tử ngoại – khả kiến XRD X-ray Diffraction -Nhiễu xạ tia X DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 1.1 Thơng số mạng tính chất ZnO 18 Bảng 1.2 Thông số mạng tính chất CuO 39 Bảng 1.3 Sự phát triển màng mỏng CuO với phương pháp chế tạo khác 41 Bảng 2.1 Danh mục hóa chất sử dụng để chế tạo dung dịch tiền chất 50 Bảng 2.2: Danh mục dụng cụ thiết bị dùng để chế tạo màng mỏng bán dẫn 51 Bảng 2.3: Khối lượng nguyên liệu ban đầu theo tỷ lệ muối kẽm MEA 52 Bảng 2.4: Khối lượng nguyên liệu ban đầu theo nồng độ ion Zn2+ 52 Bảng 2.5: Khối lượng nguyên liệu ban đầu theo tỷ lệ pha tạp Ag 53 Bảng 2.6: Khối lượng nguyên liệu ban đầu theo tỷ lệ pha tạp Cu 53 Bảng 2.7: Khối lượng nguyên liệu ban đầu theo tỷ lệ pha tạp Al 53 Bảng 2.8: Khối lượng nguyên liệu ban đầu theo tỷ lệ muối đồng MEA 56 Bảng 2.9: Khối lượng nguyên liệu ban đầu theo nồng độ ion Cu2+ 56 Bảng 3.1: Hằng số mạng màng mỏng ZnO:Ag với nồng độ Ag khác 70 Bảng 3.2: Hằng số mạng màng mỏng ZnO:Cu với nồng độ Cu khác 78 Bảng 3.3: Hằng số mạng màng mỏng CuO với tỷ lệ Cu2+ MEA khác 84 Bảng 3.4: Điện trở mặt màng mỏng CuO với tỷ lệ MEA khác 86 Bảng 3.5: Hằng số mạng kích thước tinh thể màng mỏng CuO với nồng độ Cu2+ khác 90 Bảng 3.6: Điện trở mặt màng mỏng CuO với nồng độ Cu2+ khác 93 Bảng 3.7: Hằng số mạng kích thước tinh thể màng mỏng CuO với nhiệt độ ủ khác 98 Bảng 3.8: Điện trở mặt màng mỏng CuO với nhiệt độ ủ khác 99 Bảng 3.9: Hằng số mạng kích thước hạt tinh thể màng mỏng ZnO với tỷ lệ muối kẽm MEA khác 102 Bảng 3.10: Hằng số mạng kích thước hạt tinh thể màng mỏng ZnO với nồng độ Zn2+ khác 107 Bảng 3.11: Hằng số mạng kích thước hạt tinh thể màng mỏng ZnO:Al với nồng độ pha tạp Al khác 111 Bảng 3.12: Các thông số điện đặc trưng màng mỏng ZnO:Al với nồng độ Al khác 114 Bảng 4.1: Các thông số đặc trưng điện transistor dạng màng mỏng CuO với chiều dài kênh dẫn khác 118 Bảng 4.2: Hằng số mạng kích thước hạt tinh thể màng mỏng ITO 121 Bảng 4.3: Các tính chất điện màng mỏng ITO ủ nhiệt độ khác 124 Bảng 4.4: Hằng số mạng kích thước hạt tinh thể màng mỏng LNO 127 Bảng 4.5: Điện trở suất màng mỏng LNO ủ nhiệt độ khác 130 Bảng 4.6: Các thông số điện màng mỏng LNO ủ nhiệt độ khác 131 [9] Aouaj M A., Diaz R., Belayachi A., Rueda F., Lefdil M A (2009), “Comparative study of ITO and FTO thin films grown by spray pyrolysis”, Materials Research Bulletin 44, 1458–1461 [10] Asl H Z., Rozati S M (2018), “Spray Deposited Nanostructured CuO Thin Films: Influence of Substrate Temperature and Annealing Process”, Materials Research 21 [11] Balamurugan B., Mehta B R (2001), “Optical and structural properties of nanocrystalline copper oxide thin films prepared by activated reactive evaporation”, Thin Solid Films 396, 90–96 [12] Bari R H., Patil S B., Bari A R (2013), “Spray-pyrolized nanostructured CuO thin films for H2S gas sensor”, International Nano Letters 3, 12 [13] Batzill M., Diebold U (2005), “The Surface and Material Science of Tin Oxide”, Progress in Surface Science 79, 47–154 [14] Bedia F Z., Bedia A., Aillerie M., Maloufi N., Benyoucef B (2015), “Structural, optical and electricalproperties of Sn-doped zinc oxide transparent films interesting for organic solar cells (OSCs)”, Energy Procedia 74, 539-546 [15] Beyer W., Hüpkes J., Stiebig H (2007), “Transparent Conducting Oxides Films for Thin Film Silicon Photovoltaics”, Thin Solid Films 516, 147-154 [16] Brown K E R., Choi K S (2006), “Electrochemical synthesis and characterization of transparent nanocrystalline Cu2O films and their conversion to CuO films”, Chem Commun 0(31), 3311–3313 [17] Busch G (1989), “Early history chemistry of of the physics and semiconductors-from doubts to fact in a hundred years”, Eur J Phys 10, 254-264 [18] Callister W D (2000), “Fundamentals of materials science and engineering”, Fifth edition: John Wiley & Sons, Inc, New York [19] Calnan S., Tiwari A.N (2010), “High Mobility Transparent Conducting Oxides for Thin Film Solar Cells”, Thin Solid Films 518, 1839-1849 141 [20] Catlow C R A., Sokol A.A., Walsh A (2011), “Microscopic origins of electron and hole stability in ZnO”, Chemical Communications 47(12), 3386 [21] Czternastek H (2004), “ZnO thin films prepared by high pressure magnetron sputtering”, Opto-electronics Review 12, 49-52 [22] Chand P., Gaur A., Kumar A., Gaur U K (2014), “Structural, morphological and optical study of Li doped ZnO thin films on Si (100) substrate deposited by pulsed laser deposition”, Ceramics International 40, 11915-11923 [23] Chang J F., Kuo H H., Leu I C., Hon M H (2002), “The effects of thickness and operation temperature on ZnO:Al thin film CO gas sensor”, Sensors and Actuators B 84, 258-264 [24] Chavillon B., Cario L., Renaud A., Tessier F., Chevire F., Boujtita M., Pellegrin Blart Y., E., Smeigh A., Hammarstrom L., Odobel F., Jobic S (2012), “P-type nitrogen-doped ZnO nanoparticles stable under ambient conditions”, J Am Chem Soc 134, 464–470 [25] Chen Y F., Bagnall D M., Zhu Z Q., Sekiuchi T., Park K T., Hiraga K., Yao T., Koyama S., Goto T (1997), “Growth of ZnO single crystal thin films on c-plane (0001) sapphire by plasma enhanced molecular beam epitaxy” Journal of Crystal Growth 181, 165-169 [26] Chen Y., Ko H J., Hong S K., Yao T., Segawa Y (2000), “Twodimensional growth of ZnO films on sapphire(0 0 1) with buffer layers”, Journal of Crystal Growth 214-215, 87-91 [27] Cho S (2013), “Optical and electrical properties of CuO thin films deposited at several growth temperatures by reactive RF magnetron sputtering”, Met Mater Int 19, 1327–1331 [28] Chopra K L., Major S., Pandya D K (1983), “Transparent conductors‐A status review”, Thin Solid Films 102(1), 1‐46 [29] Chopra K L., Paulson P D., Dutta V (2004), “Thin-Film Solar Cells: An Overview”, Prog Photovolt: Res Appl 12, 69–92 [30] Dayan N J., Sainkar S R., Karekar R N., Aiyer R C (1998), “A thick film hydrogen sensor based on a ZnO: MoO3 formulation”, Materials Science and Technology 9, 360-364 142 [31] Dayan N J., Sainkar S R., Karekar R N., Aiyer R C (1998), “Formulation and characterization of ZnO:Sb thick-film gas sensors”, Thin Solid Films 325, 254-258 [32] Denton A R., Ashcroft N W (1991), “Vegard's law”, Phys Rev A 43, 31613164 [33] Dhanasekaran V., Mahalingam T., Chandramohan R., Rhee J K., Chu J P (2012), “Electrochemical deposition and characterization of cupric oxide thin films”, Thin Solid Films 520, 6608–6613 [34] Dikovska A O., Atanasov P A., Vasileva C., Dimitrov I G., Stoyanchov T R (2005), “Thin ZnO films produced by pulse laser deposition”, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 7, 1329 – 1334 [35] Dolai S., Dey R., Das S., Hussain S., Bhar R., Pal A K (2017), “Cupric oxide (CuO) thin films prepared by reactive d.c magnetron sputtering technique for photovoltaic application”, Journal of Alloys and Compounds 724, 456-464 [36] Dutta A., Basu S (1993), “Modified CVD growth and characterization of ZnO thin films”, Materials Chemistry and Physics 34, 41-45 [37] Edwards P P., Porch A., Jones M O., Morgan D V and Perks R M (2004), “Basic Material Physics of Transparent Conducting Oxides”, Dalton Trans 0(19) 2995 – 3002 [38] Fons P., Iwata K., Niki S., Yamada A., Matsubara K (1999), “Growth of high-quality epitaxial ZnO films on α-Al2O3”, Journal of Crystal Growth 201-202, 627-632 [39] Fujimoto K., Oku T., Akiyama T., Suzuki A (2013), “Fabrication and characterization of copper oxide-zinc oxide solar cells prepared by electrodeposition”, Journal of Physics: Conference Series 433, 012024 [40] George J., Menon C S (2000), “Electrical and optical properties of electron beam evaporated ITO thin films”, Surface and Coatings Technology 132, 45-48 143 [41] Gong Y S., Lee C P., Yang C K (1995), “Atomic force microscopy and Raman spectroscopy studies on the oxidation of Cu thin films”, J Appl Phys 77, 5422-5425 [42] Gopalakrishna D., Vijayalakshmi K., Ravidhas C (2013), “Effect of pyrolytic temperature on the properties of nano-structured CuO optimized for ethanol sensing applications”, J Mater Sci: Mater Electron 24, 1004–1011 [43] Gulen Y., Bayansal F., Sahin B., Cetinkara H A., Guder H (2013), “Fabrication and characterization of Mn-doped CuO thin films by the SILAR method”, Ceramics International 39, 6475–6480 [44] Hashim H., Shariffudin S S., Saad P S M., Ridah H A M (2015), “Electrical and optical properties of copper oxide thin films by sol-gel technique”, IOP Conf Series: Materials Science and Engineering 99, 012032 [45] Hong S K., Hanada T., Chen Y., Ko H J., Yao T., Imai D., Araki K., Shinohara M (2002), “Control of polarity of heteroepitaxial ZnO films by interface engineering”, Applied Surface Science 190, 491-497 [46] Hong S K., Ko H J., Chen Y., Hanada T., Yao T (2000), “Control and characterization of ZnO/GaN heterointerfaces in plasma-assisted MBE-grown ZnO films on GaN/Al2O3”, Applied Surface Science 159-160, 441-448 [47] Hosseini S M., Sarsari I A., Kameli P., Salamati H (2015), “Effect of Ag doping on structural, optical, and photocatalytic properties of ZnO nanoparticles”, Journal of Alloys and Compounds 640, 408–415 [48] Hu J., Gordon R G (1992), “Textured aluminum doped zinc oxide thin films from atmospheric pressure chemicalvapor deposition”, J Appl Phys 71, 880-890 [49] Huang L S., Yang S G., Li T., Gu B X., Du Y W., Lu Y N., Shi S Z (2004), “Preparation of large-scale cupric oxide nanowires by thermal evaporation method”, Journal of Crystal Growth 260, 130–135 [50] Hutson A (1957), “Hall Effect Studies of Doped Zinc Oxide Single Crystals”, Physical Review 108(2), 222–230 144 [51] Jagadish C., Pearton S (2006), “Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures : Processing, Properties and Applications”, Elsevier, [52] Janotti A., Van de Walle C G (2009), “Fundamentals of Zinc Oxide as a Semiconductor”, Rep Prog Phys 72, 126501 [53] Johnson M A L., Fujita S., Rowland W H., Hughes W C., Cook J W., Schetzina J F (1996), “MBE growth and properties of ZnO on sapphire and SiC substrates”, Journal of Electronic Materials 25, 855-862 [54] Johnson V A., Horovitz K L (1953), “Theory of thermoelectric power in semiconductors with applications to Germanium”, Physical Review 92, 226232 [55] Kadam A.N., Kim T G., Shin D S., Garadkar K M., Park J S (2017), “Morphological evolution of Cu doped ZnO for enhancement of photocatalytic activity”, Journal of Alloys and Compounds 710, 102-113 [56] Kamaruddin S A., Chan K Y., Yow H K., Sahdan M Z., Saim H., Knipp D (2011), “Zinc oxide films prepared by sol–gel spin coating technique”, Appl Phys A 104, 263–268 [57] Kang H B., Nakamura K., Yoshida K., Ishikawa K (1997), “Singlecrystalline ZnO films grown on (0001) Al2O3 substrate by electron cyclotron resonance-assisted molecular beam epitaxy technique”, Japanese Journal of Applied Physics 36, L933-L955 [58] Kaur G., Mitra A., Yadav K L (2015), “Pulsed laser deposited Al-doped ZnO thin films for optical applications”, Progress in Natural Science: Materials International 25, 12–21 [59] Kidowaki H., Oku T., Akiyama T., Suzuki A., Jeyadevan B., Cuya J (2012), “Fabrication and characterization of CuO-based solar cells”, Journal of Materials Science Research 1, 138-143 [60] Kim H J., Jang D Y., Shishodia P K., Yoshida A (2006), “Growth of Highly Oriented Zinc Oxide Thin Films by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition”, Key Engineering Materials 321-323, 1687-1690 145 [61] Kim H., Horwitz J S., Kushto G., Pique A., Kafafi Z H., Gilmore C M., Chrisey D B (2000), “Effect of film thickness on the properties of indium tin oxide thin films”, J Appl Phys 88, 6021-6025 [62] Kim K K., Kim H S., Hwang D K., Lim J H., Park S J., (2003) “Realization of p-type ZnO thin films via phosphorus doping and thermal activation of the dopant”, Appl Phys Lett 83 63-65 [63] Klein A., Korber C., Wachau A., Sauberlich F., Gassenbauer Y., Harvey S P., Proffit D E., Mason T O (2010), “Transparent Conducting Oxides for Photovoltaics: Manipulation of Fermi Level, Work Function & Energy Band Alignment”, Materials 3, 4892-4914 [64] Ko H J., Chen Y., Hong S K., Yao T (2000), “MBE growth of high-quality ZnO films on epi-GaN”, Journal of Crystal Growth 209, 816-821 [65] Ko H J., Hong S K., Chen Y., Yao T (2002), “A challenge in molecular beam epitaxy of ZnO: control of material properties by interface engineering”, Thin Solid Films 409, 153-160 [66] Kumar V., Singh R.G., Purohit L.P., Mehra R.M (2011), “Structural, Transport and Optical Properties of Boron-doped Zinc Oxide Nanocrystalline”, J Mater Sci Technol 27(6), 481-488 [67] Kuroyanagi A (1989), “Properties of Aluminum-doped ZnO thin films growth by electron beam evaporation”, Japanese Journal of Applied Physics 28, 219-222 [68] Laeri F., Schuth F., Simon U., and Wark M (2003), “Host-Guest-Systems Based on Nanoporous Crystals”, Wiley [69] Lehraki N., Aida M S., Abed S., Attaf N., Attaf A., Poulain M (2012), “ZnO thin films deposition by spray pyrolysis: Influence of precursor solution properties”, Current Applied Physics 12, 1283-1287 [70] Li F M., Waddingham R., Milne W I., Flewitt A J., Speakman S., Dutson J., Wakeham S., Thwaites M (2011), “Low temperature (