Đang tải... (xem toàn văn)
Một bộ số hoá ảnh phải có khả năng chia một ảnh thành các phần tử điểm ảnh (pixel), đánh địa chỉ cho mỗi phần tử riêng biệt, đo giá trị các mức xám của ảnh tại mỗi điểm, lượng tử hoá [r]
(1)CHƯƠNG
ẢNH SỐ HOÁ
2.1 GIỚI THIỆU
Các máy tính xử lý ảnh số, tự nhiên ban cho ảnh dạng khác, nên điều định trước tiên cho vấn đề xử lý ảnh số chuyển đổi ảnh sang dạng số Nhìn chung, thiết bị chuyên dụng cho ảnh số hoá biến đổi từ hệ thống máy tính thơng thường thành trạm làm việc (workstation) xử lý ảnh số Một thiết bị ghi lại ảnh cần đến, chất lượng in máy in ma trận điểm bị hạn chế
Những ngày đầu xử lý ảnh số, thiết bị số hoá ảnh phức tạp đắt vài trung tâm nghiên cứu có liên quan có đủ khả trang bị Tuy nhiên, tiến cơng nghệ khiến cho số hố ảnh trở nên rẻ phổ biến
Cấu hình thiết bị gồm nhiều loại khác xa sử dụng để chuyển đổi ảnh sang dạng số Trong chương này, đề cập đến phần tử số hoá ảnh, vài tượng vật lý thường dùng trình xử lý xem xét vài thực số hoá Mục đích để mở rộng hiểu biết khả hạn chế cách tiếp cận khác số hoá ảnh, nhạy cảm với nhiễu méo ảnh Sự giảm bớt hay loại bỏ nhiễu méo số hoá chức xử lý ảnh số
2.1.1 Các phần tử số hố
Một số hố ảnh phải có khả chia ảnh thành phần tử điểm ảnh (pixel), đánh địa cho phần tử riêng biệt, đo giá trị mức xám ảnh điểm, lượng tử hoá giá trị liên tục đo thành tập số nguyên ghi giá trị tập số nguyên thiết bị lưu trữ liệu Để thực công việc này, số hố phải có năm phần tử
Phần tử số hố ống kính (aperture) lấy mẫu-cho phép số hoá truy cập vào phần tử điểm ảnh riêng lẻ bỏ qua phần lại ảnh
Phần tử thứ hai chế quét (sampling/scanning) ảnh Quá trình gồm có di chuyển ống kính lấy mẫu khắp ảnh theo mơ hình định nghĩa trước Q trình qt cho phép ống kính lấy mẫu đánh địa cho phần tử điểm ảnh, lần điểm
Phần tử thứ ba cảm nhận ánh sáng, dùng để đo độ sáng điểm ảnh thông qua ống kính lấy mẫu Bộ cảm biến nói chung chuyển đổi dùng để biến đổi từ cường độ ánh sáng thành điện áp hay cường độ dòng điện
Phần tử thứ tư lượng tử hoá, chuyển đổi giá trị liên tục từ đầu cảm biến thành giá trị số nguyên Đặc trưng lượng tử mạch điện tử gọi bộ
chuyển đổi tương tự sang số (analog to digital converter-ADC)
(2)2.2 CÁC ĐẶC TÍNH CỦA BỘ SỐ HỐ ẢNH
Mặc dù số ảnh khác thiết bị mà chúng sử dụng để thực chức chúng, chúng có đặc tính liên quan với
Kích thước điểm ảnh Hai đặc tính quan trọng kích thước ống kính lấy mẫu khoảng cách điểm ảnh liền kề Nếu số hoá trang bị hệ thống quang học thay đổi khả phóng to, khoảng cách kích thước mẫu mặt phẳng ảnh vào thay đổi, lĩnh vực đáng quan tâm
Kích thước ảnh Tham số quan trọng khác khả phương tiện kích thước ảnh vào Đối với trường hợp máy quét film, kích thước film đầu vào cực đại 35 mm ảnh X quang 11 14 inch Ở đầu ra, kích thước ảnh định rõ số dòng cực đại số điểm ảnh dịng
Tính chất phân phối cục Đặc tính quan trọng thứ ba số hoá ảnh tham số vật lý mà thực tế đo lượng tử hố Ví dụ máy quét film, chúng đo lượng tử hố hệ số truyền hay mật độ quang học film Cả hai hàm độ sáng hay độ tối film chắn ứng dụng chúng hữu ích hàm khác
Tính chất tuyến tính Mức độ tuyến tính số hố yếu tố quan trọng Chẳng hạn, thực tế phương tiện số hoá cường độ ánh sáng, dùng để xác định mức độ xác mức xám tỷ lệ với độ sáng thực ảnh Bộ số hố phi tuyến phá huỷ tính hợp lệ trình xử lý Số mức xám mà thiết bị lượng tử hố ảnh quan trọng Các số hoá ảnh trước có hai mức xám: đen trắng Trong thực hành số hoá đơn sắc nay, liệu thường bit (256 mức) thiết bị có độ phân giải cao thực
Nhiễu Cuối cùng, mức nhiễu số hố đặc tính có tầm quan trọng Trường hợp ảnh xám thể số hố, nhiễu vốn có hệ thống gây tượng mức xám đan chéo ảnh đầu ra, cho dù độ sáng ảnh đầu vào số Nhiễu số hố tạo nguyên nhân gây suy biến ảnh điều liên quan phần đến tương phản ảnh
Những đặc tính tạo thành chi tiết kỹ thuật cho số hoá Chúng cung cấp sở để so sánh phương tiện khác hay để định số hố có thích hợp cho cơng việc cụ thể hay khơng Trong vài trường hợp, ảnh số hố thích hợp với vài dịng, số điểm ảnh dịng, mức xám có liên quan với tính phi tuyến đánh giá hay mức nhiễu cao Tuy nhiên, nhiều ứng dụng quan trọng xử lý ảnh số địi hỏi số hố chất lượng cao-có khả số hố ảnh lớn có nhiều mức xám với tính tuyến tính tốt mức nhiễu thấp Chương sau, thảo luận chi tiết đến yêu cầu số hoá ứng dụng xử lý ảnh
2.3 CÁC KIỂU BỘ SỐ HOÁ ẢNH
Một kiểu số hoá đa quan trọng camera số hố, camera mà có hệ thống thấu kính số hoá ảnh đối tượng Một ví dụ camera video phối ghép với máy tính, thiết bị số hố khơng đối tượng vật lý mà ảnh film chụp ảnh
(3)đó Về phương diện lịch sử, máy quét film đóng vai trò bật xử lý ảnh, thực tế camera số hố trực tiếp có xu sử dụng nhiều
2.3.1 Số hóa quét đầu vào (Scan-in) quét đầu (Scan-out)
Có hai cách tiếp cận q trình số hố tổng qt, gọi số hóa qt đầu vào (Scan-in) số hoá quét đầu (Scan-out) Trong hệ thống qt đầu (Hình 2-1), tồn đối tượng hay ảnh film chiếu sáng cách liên tục ống kính lấy mẫu cho phép cảm biến ánh sáng “nhìn thấy” lần điểm ảnh Cịn hệ thống qt đầu vào (Hình 2-2), lúc vết (spot) nhỏ đối tượng chiếu sáng ánh sáng truyền qua tập trung vào cảm biến Trong trường hợp này, chùm ánh sáng chiếu vào quét lên đối tượng cảm biến không rõ ràng mặt không gian
HÌNH 2-1
Hình 2-1 Bộ số hố qt đầu
Có cách tiếp cận thứ ba kết hợp từ hai cách tiếp cận trước Trong hệ thống quét đầu vào/quét đầu ra, đối tượng chiếu vết sáng chuyển động lấy mẫu thơng qua ống kính chuyển động theo vết sáng Đó hệ thống làm giảm ảnh hưởng ánh sáng cung cấp vài ứng dụng q trình số hố ảnh hiển vi Tuy nhiên, điều rắc rối chúng, đặc biệt vết lấy mẫu di chuyển theo vết sáng, có phần hạn chế ứng dụng hệ thống quét đầu vào/quét đầu
HÌNH 2-2
(4)2.4 CÁC THÀNH PHẦN SỐ HOÁ ẢNH
Như đề cập trước đây, số hố phải có nguồn ánh sáng, cảm biến ánh sáng hệ thống quét Hơn nữa, nguồn ánh sáng cảm biến ánh sáng (hoặc hai) phải nằm phía trước ống kính lấy mẫu Trong phần này, đề cập đến nguồn ánh sáng rời rạc, cảm biến hệ thống quét khác Phần tiếp theo, đặt chúng với để tạo thành số hoá ảnh đầy đủ
2.4.1 Nguồn ánh sáng
Bóng đèn nóng sáng Hầu hết nguồn sáng nhân tạo bóng đèn nóng sáng Đối với hệ thống quét đầu ra, đèn nóng sáng thích hợp cho việc chiếu sáng đối tượng ảnh số hố Đối với cơng việc quét đầu vào, sợi giây tóc bóng đèn nhỏ hay đi-ốt phát sáng (LED) mơ tả thấu kính để tạo thành vết sáng nhỏ
Laser Laser tạo chùm ánh sáng tập trung mức độ cao Laser sinh chùm ánh sáng hẹp, tập trung có cường độ lớn cách kích thích nguyên tử nguyên tố hoạt động (argon, helium, neon, ) lên trạng thái lượng cao, đồng thời kích thích cho chúng chuyển hố trạng thái bình thường Sự chuyển hoá gây chùm ánh sáng tập trung có cường độ cao, dễ dàng hội tụ làm lệch hướng Mặc dù laser sử dụng làm nguồn chiếu sáng hệ thống quét đầu ra, ưu tạo vết sáng nhỏ có cường độ cao cho số hố quét đầu vào
Phốt Phốt phát sáng điện tử chiếu vào Nếu chùm điện tử hội tụ vào điểm nhỏ bề mặt kính thuỷ tinh có tráng phốt (Hình 2-3), ánh sáng phát từ điểm Bề mặt ống tia điện tử (Cathode-ray tube - CRT) tráng hợp chất pha trộn phốt pha lê Phốt phủ lên mặt ống nhờ màng nhơm suốt Màng nhơm có nhiệm vụ tạo thành cực dương (anode) thu hút chùm điện tử
Sự va chạm điện tử mang lượng chùm điện tử kích thích nguyên tử phốt pho, đưa vài nguyên tử lên trạng thái lượng cao Mỗi điện tử phân rã trạng thái bình thường nó, phát phơtơn Trong q trình sản xuất phốt ta điều chỉnh quang phổ (màu) tính bền vững (độ phân rã) ánh sáng phát Có thể tìm nhiều vật phát quang phổ thời gian phân rã từ nhỏ micrơ giây đến vài giây
HÌNH 2-3
(5)Độ sáng vết sáng tạo thành chùm điện tử đại khái tỷ lệ với mật độ trung bình chùm Phốt tạo thành từ hạt nhỏ thế, giả thiết đưa bên lớp phốt có nhiều hạt phát sáng Các ống tia điện tử có độ phân giải giới hạn từ 30 đến 70 dòng (chu kỳ) milimet
LED Các LED dùng bán dẫn tạo nguồn ánh sáng đặc thích hợp Thực chất LED tạo từ chất bán dẫn Asen Gali Chúng phát ánh sáng cường độ điều khiển từ nguồn nhỏ Nhờ mà chúng sử dụng hệ thống quét đầu vào
2.4.2 Bộ cảm biến ánh sáng
Các cảm biến ánh sáng sinh tín hiệu điện ứng với cường độ ánh sáng chiếu lên chúng Năm tượng vật lý khác ứng dụng để tạo năm kiểu cảm biến: thiết bị quang phát (photoemissive), tế bào quang điện (photovoltaic), chất quang dẫn (photoconductor), cảm biến silicon (silicon sensor) phận tiếp giáp bán dẫn (P-N) Các chất quang phát phát điện tử có ánh sáng chiếu vào Các chất quang điện, tế bào lượng mặt trời silicon, sinh điện phơi ánh sáng Các chất quang dẫn, Sunfit Catmi (Cadmium sunfide), bị suy giảm điện trở có tác động ánh sáng Các thiết bị silicon lợi dụng tính chất cảm nhận ánh sáng tinh thể silicon nguyên chất Đặc tính tiếp giáp bán dẫn ốt quang (photodiode) transistor quang (phototransistor) chúng tích điện có tác động ánh sáng tới
Thiết bị quang phát Ống nhân quang (photomutiplier) (Hình 2-4) có bề mặt quang phát tạo thành catôt quang nửa suốt (semitransparent photocathode) Thành ống phủ lớp ôxit kim loại kiềm (như bạc, cesium, antimon, natri, bitmut, rubidi) Khi phơtơn có lượng đủ lớn ( micron) đập vào catơt quang tích điện âm, giải phóng hạt điện tử khỏi bề mặt catơt
HÌNH 2-4
Hình 2-4 Ống nhân quang
(6)mạch điện ngồi Dịng điện tỷ lệ với thông lượng (flux) phôtôn tới ca tốt quang, dịng điện lấy mẫu lượng tử hoá
Ống nhân quang nhạy cảm hiệu ứng phân rã hạt nhân đinôt Một hạt điện tử sơ cấp tạo đến tận hàng triệu điện tử Ống nhân quang sử dụng q trình số hố mức ánh sáng thấp nhờ vào tính nhạy cảm cao
Bộ cảm biến silicon Nguyên chất mức độ cao, xử lý đặc biệt, silicon trở thành tinh thể cỡ lớn Mỗi nguyên tử silicon liên kết hoá trị với sáu nguyên tử xung quanh mạng lưới tinh thể hình khối chữ nhật ba chiều Các phôtôn tới đủ lượng ( < 1m) phá vỡ mối liên kết, giải phóng điện tử để lại “lỗ hổng” nơi
Lớp kim loại mỏng phủ bề mặt silicon tích điện áp âm tạo nguồn điện thế (potential well), tập hợp nắm giữ quang điện tử khu vực phơ tơn giải phóng Mỗi nguồn điện tương ứng với điểm ảnh mạng cảm biến Mỗi nguồn điện giữ khoảng 800 điện tử/một micron vuông, từ 105 đến 106 điện tử/một điểm ảnh chip có
Dải động nguồn tỷ số với dung lượng điện tử mức nhiếu số liệu Nhiễu số liệu thấp đến 5-10 điện tử thiết bị chất lượng cao Nguồn phơi lâu sinh điện tử mức qui định tràn sang nguồn kế bên, dẫn đến ảnh bị nở hoa (blooming)
Năng lượng nhiệt gây phá vỡ liên kết ngẫu nhiên, tạo thành nhiệt điện tử (thermal electron) không thường xuyên phân biệt với quang điện tử Điều gây luồng tối (dark current) cho cảm biến silicon, thiếu ánh sáng Luồng tối nhạy cảm với nhiệt độ, tăng gấp đôi độ tăng 60C (tức là, nhiệt độ tăng 60C luồng tối lại tăng gấp đôi) Việc cảm nhận ảnh địi hỏi nhiều thời gian kết hợp nguồn nhiệt điện tử thường sử dụng quang điện tử
Sự làm nguội thường dùng làm giảm luồng tối phạm vi thời gian kết hợp dùng Làm mát cảm biến silicon làm giảm luồng tối từ vài nghìn điện tử giây với nhiệt độ phòng, dần đến điện tử giây -600C
Đi ôt quang Đi ốt quang (Hình 2-5) thiết bị tiếp giáp P-N thể rắn Một điện trường tạo phân cực đối ngược vùng phụ cận vùng tiếp giáp hai vật liệu bán dẫn Trường quét qua vật mang điện (các điện tử lỗ hổng) bên vùng tiếp giáp, tạo thành lớp trống rỗng ngăn cản dịng chảy Đó thơng thường thiết bị cho phép dòng chảy chảy theo chiều Trong ốt quang, mặt thiết bị (ví dụ lớp P) chế tạo mỏng ánh sáng xuyên đến lớp tiếp giáp
(7)Hình 2-5 Đi ơt quang
Hoạt động lớp tiếp giáp cung cấp điện áp phân cực đảo, dẫn luồng nhỏ Tuy nhiên, phôtôn va chạm giải phóng cặp điện tử-lỗ hổng bên vật liệu bán dẫn Trong lớp trống rỗng, nơi điện trường mạnh, hầu hết vật mang huy động chịu ảnh hưởng điện trường dạt xa trước chúng kết hợp lại Trong mạch điện ngoài, di trú (migration) chúng tạo thành luồng tỷ lệ với thông lượng phôtôn tới
Tiếp giáp P-N biểu thị trở kháng cao (high resistance) cho dòng chảy theo chiều đảo, dòng chảy mà điều khiển cường độ ánh sáng độc lập quan hệ với điện áp cung cấp theo bên ngồi Lớp trống rỗng làm tương đối dày để thu hút phơtơn có bước sóng dài
Đi ơt quang thác (avalanche photodiotde) đạt tính nhạy cảm cao ốt quang bình thường nhờ tính nhân điện tử ống nhân quang Đi ơt quang thác lệ thuộc vào điện áp phân cực đảo cao Sự va chạm phơtơn giải phóng điện tử, điện tử gia tốc (accelerate) điện trường có cường độ lớn lớp trống rỗng Chúng đạt tới vận tốc cao chúng ion hố va chạm phạm vi vật liệu, giải phóng nhiều điện tử Hiệu ứng làm cho hệ số tăng cao đến tận 1,000, tăng tính nhạy cảm thiết bị cách đáng kể
Trong phần đề cập trước đây, người ta cho ốt quang tạo dòng trạng thái ổn định tỷ lệ với thông lượng phôtôn tới Như lựa chọn, chúng hoạt động chếđộ tích hợp (integrating mode) Bởi tiếp giáp ốt quang biểu thị cho điện dung, nên mang điện tích chiều phân cực có xu hướng đảo (reverse-biased polarity) Tiếp sau đó, chất quang dẫn làm giảm điện tích vận tốc tỷ lệ với thông lượng phôtôn tới Nếu ốt quang tích điện lại với điện áp cụ thể cách định kỳ, điện tích yêu cầu (số điện tử) phải tỷ lệ với tích phân thơng lượng phơtơn tới chu kỳ lần tích điện lại Vì thế, chế độ tích hợp, ốt quang khơng cảm nhận thông lượng phôtôn tức thời, lại cảm nhận tích phân thơng lượng phơtơn chu kỳ thời gian
Có hai nhân tố giới hạn dải động hoạt động ốt quang chế độ tích hợp Đầu tiên, điện dung tiếp giáp nhỏ làm giới hạn tích điện ban đầu Thứ hai, luồng tối, luồng lưu thông mà không cần ánh sáng chiếu vào, từ từ phóng điện vào ốt quang Các nhân tố giới hạn chu kỳ tích hợp tới vài mili giây dải dộng khoảng 100 đến nhiệt độ phòng Bởi luồng tối nhậy cảm với nhiệt độ, nên việc làm mát ốt quang thực tế để làm tăng đáng kể số lần tích hợp
(8)HÌNH 2-6
Hình 2-6 Transistor quang
2.4.3 Các chế quét
Trong phần này, đề cập đến kỹ thuật sử dụng để di chuyển điểm quét hay chiếu sáng ảnh Chúng ta xem xét nguồn sáng, cảm biến hoạt động chế quét với hệ thống số hoá ảnh phần
Thiết bị qt khí Hình 2-7 trình bày hai phương pháp khí dùng cho quét ảnh: trống quay (rotating drum) trục bước (lead screw) Từng phần toàn ảnh chụp bọc trống hình trụ, trống quay để kéo ảnh qua lỗ ống kính cố định Thao tác thực việc quét ảnh theo hướng Lỗ ống kính quét đặt trục bước nhằm di chuyển lỗ ống kính ngang qua ảnh Trong hình, trống quay trục bước kết hợp để tạo quét ảnh hai chiều Nếu trục bước quay liên tục bước, đường quét đường xoắn ốc, thường đường số xấp xỉ thích hợp với quét thẳng
Tốc độ hoạt động thiết bị quét khí bị giới hạn, cung cấp ảnh lớn có độ ổn định hình học tốt với giá thành thấp
HÌNH 2-7
Hình 2-7 Cơ chế qt khí
(9)HÌNH 2-8
Hình 2-8 Sự lệch hướng chùm điện tử
Sự lệch hướng tĩnh điện Một chùm điện tử, sinh súng điện tử đáy ống, bị cực dương tích điện hút phía mục tiêu Chùm điện tử qua kim loại làm lệch hướng tĩnh điện, điện trường tác động lượng lên điện tử, làm thay đổi hướng chúng, góc lệch hướng phụ thuộc vào tốc độ chùm điện kim loại Bằng cách điều khiển điện thế, ta làm cho chùm điện tử tác động đến điểm đích
Sự lệch hướng từ tính Từ trường nằm ngang sử dụng để làm lệch hướng chùm điện tử Năng lượng hạt tích điện chuyển động từ trường vectơ, sản phẩm vận tốc hạt từ trường Vì vậy, hình 2-8, điện tử tích điện âm bị lệch hướng xuống phía
Tiêu điểm chùm Các chùm điện tử phải tập trung thành điểm nhỏ đích Giống lệch hướng, điều thực phương tiện tĩnh điện hay điện từ Sự hội tụ chùm điện tử dẫn đến điểm quét lớn độ phân giải thấp
2.5 CAMERA ỐNGẢNHĐIỆN TỬ (ELECTRONIC IMAGE TUBE)
Các ống ảnh điện tử thiết bị sử dụng phổ biến để quan sát việc cảm nhận ảnh truyền hình Chúng khơng phải thiết bị bán dẫn, chúng đảm trách phần quan trọng q trình số hố ảnh
2.5.1 Ống camera vidicon
Hình 2-9 minh hoạ cấu trúc vidicon, kiểu chung ống cảm nhận ảnh truyền hình Vidicon vỏ bọc thuỷ tinh hình cầu chứa súng điện tử đầu, đích mặt (faceplate) đầu Ống bao quanh kẹp chứa tiêu điểm điện từ cuộn lái tia Bên mặt phủ lớp mỏng chất quang dẫn lên màng kim loại mỏng suốt Lớp kép tạo thành đích (target) Một điện tích âm nhỏ cung cấp cho lớp kim loại bao phủ đích, phía sau lớp chắn dây mịn, gọi mạng lưới (mesh)
Các điện tử tới giảm tốc độ xuyên qua mạng lưới chúng đạt đến đích với vận tốc xấp xỉ zero Trong bóng tối, chất quang dẫn có tác dụng chất cách ly, khơng cho phép điện tử chảy qua mỏng tích điện âm Tác dụng chùm điện tử để đặt lớp điện tử lên bề mặt bên chất quang dẫn nhằm cân điện tích âm lớp phủ kim loại Vì thế, sau chùm điện tử hồn thành việc qt, chất quang dẫn tụ điện có mặt tích điện âm điện tích bề mặt điện tử mặt
(10)được thực mặt sau đích Nghĩa điện tử xuất vùng tối mà khơng có mặt vùng sáng
Khi chùm điện tử qt đích, thay điện tử bị mất, lưu giữ điện tích bề mặt không thay đổi Khi điện tử bị thay thế, dịng điện lưu thơng mạch điện ngồi đích Vì thế, dịng điện tỷ lệ với số điện tử yêu cầu có vật mang với cường độ ánh sáng điểm Nó tỷ lệ với vận tốc chùm quét
Sự biến thiên dịng điện mạch điện đích tạo tín hiệu video Chùm điện tử quét quét lại bề mặt đích, thay điện tích bị Đích vidicon cảm biến tích hợp với chu kỳ tốc độ quét
Quy tắc quét Hình 2-10 minh hoạ quy tắc quét RS-170 (Hiệp hội cơng nghiệp điện tử-EIA), tiêu chuẩn cho quảng bá truyền hình đơn sắc Mỹ Chùm quét lên tồn bề mặt đích với 525 dịng qt ngang, tốc độ 30 lần/giây Tuy nhiên, dịng khơng quét theo thứ tự kế tiếp, tốc độ làm tươi hình TV 30 lần/giây mắt nhận thấy rung hình khó chịu Thay vào đó, qui tắc quét đan xen (interlaced) sử dụng để mang lại tốc độ làm tươi hình 60 lần/giây
HÌNH 2-10
Hình 2-10 Quy tắc quét RS-170
Mỗi khung hình hợp lại từ hai trường đan xen, trường bao gồm 262.5 dòng Trường khung hình qt tồn dịng lẻ, trường thứ hai quét tất dòng chẵn xen vào Quá trình đan xen mang lại tốc độ 60 lần/giây nhằm giảm thiểu rung hình, tốc độ 30 khung hình/giây làm giảm yêu cầu độ rộng dải tần tín hiệu truyền
Mỗi dịng quét ngang đòi hỏi 83% 63.5 s, hay xấp xỉ 50 s Từng khung hình có 525 dịng, trường bị 21 dòng kẻ lại thẳng đứng, lại 483 dòng thực cho khung Dải tần tín hiệu video tiêu chuẩn mở rộng lên đến 4.5 MHz, cho phép thực 255 chu kỳ, thông tin khoảng 550 điểm ảnh Chủ đề lấy mẫu độ phân giải nằm chương 15
Các quy tắc quét màu Tiêu chuẩn định thời RS-170A (NTSC) cho truyền hình màu khác chút so với quy tắc RS-170 Nó thiết kế để điều tiết truyền màu trì tính tương thích máy thu đơn sắc có Mỗi quốc gia khác sử dụng quy tắc quét khác Ví dụ, chuẩn Comité Consultatif International des Radiocommunications (CCIR), sử dụng nhiều Châu Âu, dùng khung hình có 625 dịng qt đan xen, dịng khoảng 768 điểm ảnh có tốc độ 25 khung/giây