Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất từ và điện của cấu trúc MTJ kép

V TH HOI HNG giáo dục đào tạo trường đại học bách khoa hà nội - VŨ THỊ HOÀI HƯƠNG KHOA HỌC VẬT LIỆU NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ MỘT SỐ TÍNH CHẤT TỪ VÀ ĐIỆN CỦA CẤU TRÚC MTJ KÉP LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC NGÀNH: KHOA HỌC VẬT LIỆU 2007 - 2009 Hµ Néi 2009 Hµ néi - 2009 MỤC LỤC Trang MỞ ĐẦU CHƯƠNG TỔNG QUAN 1.1 Giới thiệu chung 1.2 Hiệu ứng xuyên ngầm lượng tử 14 1.3 Các cấu trúc từ 16 1.3.1.Các loại cấu trúc 16 1.3.2 Tính chất từ 18 1.3.3 Tính chất điện 20 1.3.3.1 Dòng xuyên ngầm 20 1.3.3.2 Phổ trở kháng phức 22 1.3.3.2.1 Tiếp cận mạch điện 25 1.3.3.2.2 Mơ hình tiếp cận 26 CHƯƠNG CÁC PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM 29 Chế tạo màng dạng cấu trúc FM/I/FM/I/FM 29 2.1 2.1.1 Chuẩn bị bia, đế 29 2.1.1.1 Làm bia đế 29 2.1.1.2 Ghép bia 29 2.1.2 Phún xạ tạo màng xử lý nhiệt 29 2.1.2.1 Phún xạ tạo màng 29 2.1.2.2 Xử lý mẫu màng 32 Các phương pháp đo 32 2.2.1 Phương pháp đo chiều dày 32 2.2.2 Đo tính chất từ 34 2.2.3 Đo đặc trưng điện 35 2.2 2.2.3.1 Đo đặc trưng I-V 2.2.3.2 Đo đặc trưng phổ tổng trở (CIS) CHƯƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 35 36 37 3.1 Các mẫu phún xạ 37 3.2 Tính chất từ 39 3.3 Tính chất điện 51 3.3.1 Đặc trưng I – V 51 3.3.2 Đặc trưg CIS 57 KẾT LUẬN CHUNG 66 TÀI LIỆU THAM KHẢO 67 Luận văn tốt nghiệp MỞ ĐẦU Trong lĩnh vực điện tử học bán dẫn, cấu trúc kiểu tụ điện có rào kép, đi-ốt xuyên ngầm cộng hưởng có cấu trúc rào kép hay linh kiện CMOS có cấu trúc rào kép nghiên cứu sử dụng từ lâu, đặc biệt lĩnh vực điện tử tần số cao [1] Ưu điểm cấu trúc rào kép tăng cường mật độ dòng xuyên ngầm giảm nhiễu (noise) linh kiện [2] Với phát triển công nghệ nano điện tử học nano (nanoelectronics), cấu trúc rào kép tiếp tục nghiên cứu mạnh mẽ khả ứng dụng hiệu ứng chắn Coulomb cho mục đích tạo linh kiện siêu cao tần, đặc biệt linh kiện vận chuyển đơn điện tử (single electron transport, SET) [3] Vào năm 1986-1988 kỷ 20, việc phát tượng từ điện trở khổng lồ (Giant Magneto-Resistance, GMR) màng mỏng từ có cấu trúc đa lớp [4, 5], mà chất tán xạ phụ thuộc spin gây ra, mở đầu cho việc hình thành nên hướng nghiên cứu lĩnh vực điện tử spin đối tượng sử dụng linh kiện điện tử hệ mới: linh kiện spintronics Tiếp theo khám phá hiệu ứng GMR, vào khoảng năm 1990, khám phá hiệu ứng từ điện trở xuyên ngầm (tunneling magneto-resistance, TMR) cấu trúc ba lớp gọi tiếp xúc xuyên ngầm từ (magnetic tunnel junction, MTJ) [6, 7] Cấu trúc tiếp xúc từ kiểu xuyên ngầm MTJ bao gồm lớp sắt từ (FM), Co, Fe, CoFe, , cách lớp cách điện (I), Al2O3, MgO, , có chiều dày nằm phạm vi nanomét Trong trường hợp đơn giản nhất, cấu trúc MTJ gồm lớp FM cách lớp I có chiều dày khoảng vài Vũ Thị Hoài Hương ITIMS 2007 -1- Luận văn tốt nghiệp nanomét, FM/I/FM Cấu trúc tương tự tụ điện gọi (a) (b) FM I FM Đế Hình 1.1 (a) Minh họa cấu trúc MTJ đơn sở màng mỏng lớp FM/I/FM (b) Cấu trúc tụ điện tương đương cấu trúc MTJ đơn, biểu thị gồm có rào (hình 1) Như phải có trường hợp ứng với cấu trúc MTJ có nhiều rào thế, thể qua nhiều lớp I xen kẽ lớp FM Cấu trúc MTJ nhiều rào đơn giản cấu trúc lớp FM/I/FM/I/FM – hay gọi cấu trúc MTJ kép, hiểu cấu trúc có hai rào thế, hay rào kép (hình 2), gọi tắt DBMTJ (double-barrier magnetic tunnel junction) Các cấu trúc MTJ đơn ứng dụng nhớ từ mật độ cao (MRAM), cảm biến từ trường thấp, đầu đọc từ tính linh kiện lập trình (logic) khác [8, 9] Gần vấn đề xuyên ngầm phụ thuộc spin cấu trúc MTJ có rào kép lại nhà khoa học cơng nghệ ý [10-14] ngồi ưu điểm bật nêu cấu trúc rào kép linh kiện bán dẫn, người ta cịn thấy có tăng cường đáng kể mật độ dòng xuyên ngầm spin [15], nhiều ưu điểm khác nữa, đặc biệt thực vận chuyển đơn spin điện tử (single spin electron transport, SSET) sử dụng hiệu ứng chắn Coulomb từ (magnetic Coulomb blockage, MCB) [16] Vũ Thị Hoài Hương ITIMS 2007 -2- Luận văn tốt nghiệp (a) (b) FM I FM I FM Đế Hình 1.2 (a) Minh họa cấu trúc DBMTJ sở màng mỏng lớp FM/I/FM/I/FM (b) Cấu trúc tụ điện kép tương đương Thực tế nước có số nghiên cứu cấu trúc kiểu DBMTJ viện ITIMS, sở cấu trúc lớp NiFe/Al2O3/Co/Al2O3/Co [17, 18] Tuy nhiên nghiên cứu số khảo sát ban đầu Nhằm tiếp tục tìm hiểu sâu cơng nghệ số tính chất cấu trúc DBMTJ, luận văn tiến hành nghiên cứu chế tạo hệ màng mỏng lớp Co/Al2O3/Co/Al2O3/Co kỹ thuật phún xạ catốt, khảo sát số tính chất từ, điện xun ngầm khơng có mặt từ trường ngồi chúng cách tương đối có hệ thống, tập trung vào thay đổi chiều dày lớp Co xen lớp điện môi Al2O3, theo chế độ ủ nhiệt sau chế tạo Các tính chất điện tìm hiểu dựa sở khảo sát đáp ứng dòng xoay chiều cấu trúc rào nối tiếp, nghĩa khảo sát phổ trở kháng phức (Complex Impedance Spectroscopy, CIS) Nghiên cứu tính chất liên quan đến xuyên ngầm qua hệ gồm rào nối tiếp thay đổi yếu tố liên quan đến tính chất rào thế, thể qua chiều dày lớp Co Al2O3 chế độ xử lý nhiệt, tiến hành thông qua phép đo đặc trưng I-V chế độ khơng có mặt từ trường ngồi Các tính chất từ cấu trúc DBMTJ thay đổi yếu tố rào tương tự Vũ Thị Hoài Hương ITIMS 2007 -3- Luận văn tốt nghiệp phản ánh qua trình đảo từ độ lớp Co qua mối liên kết từ tĩnh lớp Co tìm hiểu thông qua đường từ trễ Kết thu luận văn sở để tiếp cận đến nghiên cứu tượng liên quan đến xuyên ngầm lượng tử phụ thuộc spin qua rào kép nghiên cứu Luận văn chia làm chương chính, bao gồm: Chương I: Tổng quan cấu trúc DBMTJ, giới thiệu chung nét bật đặc trưng từ, điện trình xuyên ngầm cấu trúc DBMTJ liên quan đến công nghệ, tình hình nghiên cứu chúng giới nước Một số vấn đề lý thuyết liên quan đến nội dung nghiên cứu luận văn trình bày Đó q trình đảo từ tương tác tĩnh từ lớp sắt từ cạnh cấu trúc từ đa lớp; sơ lược xuyên ngầm lượng tử qua hệ có rào đơn kép; sở lý thuyết phổ CIS áp dụng để nghiên cứu tính chất điện hệ vật liệu có cấu trúc dị thể, đa pha, đa lớp Chương II: Các phương pháp thực nghiệm Ở trình bày phương pháp, kỹ thuật thực nghiệm sử dụng luận văn cho việc chế tạo, xử lý, đo đạc phân tích mẫu chế tạo Các thực nghiệm bao gồm kỹ thuật phún xạ chế tạo cấu trúc DBMTJ, cách xác định chiều dày màng mỏng lớp phún xạ, đo tính chất từ kỹ thuật từ kế mẫu rung (VSM), tính chất điện máy phân tích phổ tổng trở CIS, quan sát trình xuyên ngầm máy đo/phân tích đặc trung I-V Chương III: Kết thảo luận, trình bày kết nghiên cứu phân tích, đánh giá thảo luận khoa học xung quanh tượng quan sát hay đo Chương chia làm phần kết chủ yếu Vũ Thị Hoài Hương ITIMS 2007 -4- Luận văn tốt nghiệp cấu trúc DBMTJ Co/Al2O3/Co/Al2O3/Co, bao gồm: Các tính chất từ, dựa phân tích đặc trưng từ trễ; Các tính chất điện dựa phân tích đặc trưng phổ CIS; Các tính chất xun ngầm chế độ khơng có từ trường ngồi dựa phân tích đặc trưng I-V Cuối phần Kết luận chung số đề xuất cho hướng nghiên cứu Một phần kết nghiên cứu công bố báo cáo khoa học Hội nghị Vật lý chất rắn Khoa học vật liệu toàn quốc lần thứ VI tổ chức Đà nẵng ngày 8-10/11/2009, với tiêu đề: “CIS characteristics of Co/Al2O3/Co/Al2O3/Co double-MTJ structures” Báo cáo tồn văn trình bày phần Phụ lục luận văn Vũ Thị Hoài Hương ITIMS 2007 -5- Luận văn tốt nghiệp CHƯƠNG I TỔNG QUAN 1.1 Giới thiệu chung Công nghệ thông tin dựa vật liệu bán dẫn vật liệu từ Quá trình thu nhận xử lý thực nhờ việc sử dụng thuộc tính điện tích điện tử transitor mạch tích hợp bán dẫn Khi việc lưu giữ thông tin lại thực nhờ thuộc tính spin điện tử đĩa có mật độ cao Điều chứng tỏ điện tích spin vủa điện tử nghiên cứu riêng rẽ linh kiện khác Vì thế, công nghệ điện tử bán dẫn dần thay cơng nghệ nano có tên gọi kỹ thuật điện tử - spin mở nhằm mục đích nghiên cứu để sử dụng đồng thời hai thuộc tính điện tích spin điện tử linh kiện, mô tả tượng sáng tạo tượng vật lý Ngay từ cuối kỷ 20 đầu kỷ 21 người ta cố gắng tìm kiếm đối tượng để thay cho điện tử truyền thống bị hạn chế nêu Vào năm 80 kỷ 20, việc phát tượng từ điện trở khổng lồ (Giant Magneto-Resistance, GMR) màng mỏng từ có cấu trúc đa lớp [4, 5], mà chất tán xạ phụ thuộc spin gây ra, mở đầu cho việc hình thành hướng nghiên cứu spin điện tử đối tượng quan tâm Việc sử dụng spin điều khiển chúng theo phương thức sử dụng từ trường kết hợp với điện trường mở thời kỳ cho điện tử học truyền thống tình trạng khủng hoảng Vũ Thị Hoài Hương ITIMS 2007 -6- Luận văn tốt nghiệp Hình 1.3 Các “nút” cơng nghệ logic độ dài cổng Transistor theo dòng thời gian [19] Cho đến năm 1995, người ta cho hình thành lĩnh vực từ điện tử học (Magnetoelectronics) điện tử học truyền thống [20] Từ loạt cấu trúc mới, vật liệu từ tượng vật lý xuất khai thác điều khiển spin Đó cấu trúc van spin (spin valve) [21], hiệu ứng GMR cấu trúc từ kiểu dạng hạt [22], cấu trúc tiếp xúc xuyên ngầm từ (magnetic tunnel junction, MTJ) với hiệu ứng từ điện trở xuyên ngầm (tunneling magnetoresistance, TMR) [7], hiệu ứng từ điện trở xung kích (ballistic magneto-resistance, BMR) [23], hiệu ứng GMR sợi carbon nano [24], cấu trúc tiếp xúc dị thể sắt từ - bán dẫn [25], hiệu ứng từ điện trở siêu khổng lồ (colossal magnetoresistance, CMR) [26], v.v Nhiều vật liệu sử dụng cho spintronics tìm kiếm nhằm mục đích làm nguồn spin linh kiện spintronics Chúng góp phần làm tăng hiệu suất vận chuyển spin, Vũ Thị Hoài Hương ITIMS 2007 -7- Luận văn tốt nghiệp kiểu Ohmic thơng thường Điều có nghĩa lớp điện mơi Al2O3 có điểm gần hoàn toàn bị đứt đoạn làm cho khoảng cách lớp sắt từ (Co) điểm gần hoàn toàn tiếp xúc điện với Tuy nhiên số mẫu M11, M12, M13, M15 chưa ủ ủ nhiệt độ 100, 150, 200, 250, 3000C thể rõ hiệu ứng xuyên ngầm qua rào biểu thị dạng đường cong đặc trưng I – V khơng tuyến tính Điều chứng tỏ lớp điện mơi Al2O3 cấu trúc MTJ tốt, khơng có điểm gần dẫn đến tượng đánh thủng điện từ mẫu (trừ mẫu M12 chưa ủ) Ngồi ra, chúng tơi cịn nhận thấy dường với cấu trúc MTJ có bề dày lớp điện mơi mỏng có tính chất xun ngầm rõ rệt cao ủ Đối với mẫu M11, M12, M13, M15 ta quan sát tượng xuyên ngầm tức tượng xảy khi: - e/2C < V < +e/2C Mẫu Vth (eV) M11 2.9 0,276.10-19 M12 1.9 0,421.10-19 M13 3.3 0,242.10-19 M15 4.2 0,191.10-19 C ∑ (F) Mẫu M13 ủ Ta = 1000C đo đặc trưng I – V từ trường H = Oe, H = 200 Oe, H = 500 Oe cho kết hình 3.33 Vũ Thị Hồi Hương ITIMS 2007 - 56 - Luận văn tốt nghiệp I (mA) -2 H = Oe H = 200 Oe H = 500 Oe -4 -6 -8-10 -5 10 U (V) Hình 3.34 Đặc trưng I – V mẫu M13 (T = 1000C) đặt từ trường Kết phép đo đặc trưng I – V phụ thuộc từ trường cho thấy có thay đổi dạng đường Cụ thể, độ dốc đường cong I – V trường hợp có từ trường ngồi lớn so với khơng có từ trường Điều thể cản trở dòng qua cấu trúc bị giảm có từ trường (tương đương với điện trở cấu trúc giảm), độ dốc đường đặc trưng I – V nhỏ thể cản trở dòng tăng lên khơng có từ trường ngồi tác dụng (tương đương với điện trở cấu trúc tăng) 3.3.2 Đặc trưng CIS Một cấu trúc MTJ kép năm lớp F/I/F/I/F tương tự tụ điện kép F/I/F F/I/F nối tiếp Phổ trở kháng phức CIS không cho phép khảo sát chất lượng tiếp xúc lớp phủ điện cực bề mặt lớp điện môi tụ điện, mà cịn phương pháp gián tiếp đáng tin cậy việc nhận định vi Vũ Thị Hoài Hương ITIMS 2007 - 57 - Luận văn tốt nghiệp cấu tạo lớp điện mơi, nghĩa biết cấu trúc MTJ kiểu tụ điện đơn hay kép Cấu trúc MTJ kép giống tụ điện kép mà mạch tương đương có hai số thời gian τ = τ + τ = R1C1 + R2 C Trong trường hợp MTJ với lớp điện môi mỏng, vài nanomet, điện dung tụ điện hình thành từ cấu trúc cỡ aF, nên việc hình thành tụ điện kép có kích thước nano (tạo từ điện cực nano đảo Co) có điện dung nhỏ, khó thể đường đặc trưng CIS Hình 3.35 đến hình 3.53 trình bày đường phổ CIS mẫu MTJ kép kiểu năm lớp nhiệt độ ủ khác Các mẫu chưa xử lý nhiệt 800000 - Im Z(Ohm) 100 -Im Z (Ohm) 75 50 600000 400000 200000 25 00 350000 700000 1050000 1400000 Re Z(Ohm) 00 25 50 75 100 125 150 Re Z (Ohm) Hình 3.37 Đặc trưng phổ CIS Hình 3.35 Đặc trưng phổ CIS của mẫu M8 mẫu M5 Vũ Thị Hoài Hương ITIMS 2007 - 58 - Luận văn tốt nghiệp - Im Z (Ohm) 90000 150 100 60000 30000 - Im Z(Ohm) 200 50 00 00 200 400 600 40000 80000 120000 ReZ (Ohm) 800 Re Z(Ohm) Hình 3.39 Đặc trưng phổ CIS Hình 3.36 Đặc trưng phổ CIS mẫu M16 mẫu M12 50 30 20 - Im Z(Ohm) 40 10 00 40 80 120 160 Re Z (kOhm) Hình 3.38 Đặc trưng phổ CIS mẫu M13 Vũ Thị Hoài Hương ITIMS 2007 - 59 - Luận văn tốt nghiệp Các mẫu ủ nhiệt độ 1000C giờ: 600 500 500 400 - Im Z (kOhm) - ImZ (Ohm) 400 300 300 200 200 100 100 00 00 200 400 600 800 1000 1200 mẫu M16 mẫu M12 60 50 - Im Z (Ohm) 40 30 20 10 100 150 Re Z (Ohm) Hình 3.41 Đặc trưng phổ CIS mẫu M15 Vũ Thị Hoài Hương ITIMS 2007 600 800 Hình 3.42 Đặc trưng phổ CIS Hình 3.40 Đặc trưng phổ CIS 50 400 Re Z (kOhm) Re Z (Ohm) 00 200 - 60 - Luận văn tốt nghiệp Các mẫu ủ nhiệt độ 1500 C giờ: 15000 Im Z(Ohm) 200 100 5000 - - ImZ (Ohm) 150 10000 50 00 10000 20000 30000 40000 Re Z(Ohm) 00 100 200 300 400 Hình 3.44 Đặc trưng phổ CIS 500 ReZ (Ohm) mẫu M13 Hình 3.43 Đặc trưng phổ CIS mẫu M12 Các mẫu ủ nhiệt 2000C giờ: Hình 3.45 Đặc trưng phổ CIS mẫu M5 600 150 400 Im Z(Ohm) 100 200 - - Im Z(Ohm) 200 00 1000 50 -50 -100 -150 2000 -200 -900 Re Z(Ohm) -600 -300 300 Re Z(Ohm) Vũ Thị Hoài Hương ITIMS 2007 - 61 - 600 900 Luận văn tốt nghiệp Hình 3.47 Đặc trưng phổ CIS mẫu M12 - Im Z (kOhm) 60 50000 30000 20 20000 00 - Im Z(Ohm) 40000 40 10000 00 40000 80000 120000 Hình 3.49 Đặc trưng phổ CIS 160000 mẫu M16 Hình 3.46 Đặc trưng phổ CIS mẫu M13 200 150 100 - Im Z(Ohm) 150 Re Z (kOhm) Re Z(Ohm) 50 00 75 250 500 Re Z(Ohm) Hình 3.48 Đặc trưng phổ CIS mẫu M11 Vũ Thị Hoài Hương ITIMS 2007 - 62 - Luận văn tốt nghiệp Các mẫu ủ nhiệt độ 2500C giờ: -Im Z (Ohm) 400 300 200 100 00 200 400 600 800 1000 1200 ReZ (Ohm) Hình 3.50 Đặc trưng phổ CIS mẫu M12 Các mẫu ủ nhiệt độ 3000C giờ: 3000 - Im Z (Ohm) 2000 1000 -1000 -2000 Ta=300C -3000 -8000 -4000 4000 8000 Re Z (Ohm) Hình 3.51 Đặc trưng phổ CIS mẫu M12 Vũ Thị Hoài Hương ITIMS 2007 - 63 - Luận văn tốt nghiệp - Im Z (Ohm) 150000 100000 50000 00 100000 200000 300000 400000 Re Z (Ohm) Hình 3.53 Đặc trưng phổ CIS mẫu M13 40 -Im Z (Ohm) 30 20 10 00 40 80 120 Re Z (Ohm) Hình 3.52 Đặc trưng phổ CIS mẫu M15 Nhìn chung đường phổ CIS có dạng cung trịn đơn, thể mẫu có cấu trúc lớp túy với liên kết bề mặt F – I tốt tạo cấu trúc tụ điện đơn lý tưởng Việc cấu trúc kép điện dung tụ nano nhỏ mà phép đo nhiệt độ phòng khơng phát Vũ Thị Hồi Hương ITIMS 2007 - 64 - Luận văn tốt nghiệp Các mẫu sau ủ nhiệt độ khác nhau, kết phổ tổng trở cho thấy xuất cung nhỏ (từ hình 3.43 đến hình 3.49) có số cung chưa xuất rõ ràng Vũ Thị Hoài Hương ITIMS 2007 - 65 - Luận văn tốt nghiệp KẾT LUẬN CHUNG Qua số kết nghiên cứu bước đầu nhằm chế tạo cấu trúc MTJ kép, rút số kết luận sau: - Đã nghiên cứu chế tạo thành công cấu trúc MTJ kép kiểu màng mỏng lớp F/I/F/I/F sở Co/Al2O3/Co/Al2O3/Co nghiên cứu chế tạo phương pháp phún xạ catốt với chiều dày lớp điện môi Al2O3 lớp Co xen thay đổi khoảng từ 1-3 nm - Phân tích tính chất từ cấu trúc - Khả xuyên ngầm phụ thuộc spin điện tử màng từ Co chứng minh qua khảo sát đặc trưng I – V - Phổ tổng trở phức CIS cấu trúc thể cung đơn, thể mẫu có cấu trúc lớp túy với liên kết bề mặt F – I tốt tạo cấu trúc tụ điện đơn lý tưởng Vũ Thị Hoài Hương ITIMS 2007 - 66 - Luận văn tốt nghiệp TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Resonant Tunneling in Semiconductors - Physics and Applications, Eds by L.L Chang, E.E Mendez and C Tejedo, NATO ASI Series – Seriers B: Physics Vol 277, Plenum Press, New York 1991 [2] InAs/AlSb double-barrier structure with large peak-to-valleycurrent ratio: a candidate for high-frequency microwave devices; Soderstrom, J.R Chow, D.H McGill, T.C ; Electron Device Letters, IEEE, Volume: 11, Issue: 1, Jan 1990, pp 27-29 2’) Shot noise in double barrier structures; Isawa Y.; Matsubara N.; Ohuti T.; Solid-State Electronics, Volume 42, Number 7, July 1998 , pp 1515-1521 [3] Transport in Nanostructures, D.K Ferry and S.M Goodnick, Cambridge University Press 1997, First publíhed 1997, Reprinted 2001 in the USA Singleelectron tunnelling transistor in SiGe/Si double-barrier structures; Chomsik Lee, Semicond Sci Technol 13 (1998) A115-A118 Electronic Transport in Mesoscopic Systems, Supriyo Datta, Cambridge University Press 1995, First publíhed 1995, Fifth printing 2003 in the United Kingdom at the University Press, Cambridge [4] P Grünberg, et al., Phys Rev Lett 57 (1986) 2442 [5] M Baibich, et al., Phys Rev Lett., 61 (1988) 2472 [6] T Miyazaki and N Tezuka, J Magn Magn Mater 139, L231 (1995) [7] J S Moodera et al., Phys Rev Lett 74, 3273 (1995) [8] J.G Zhu and C Park, MaterialsToday, 9, 36 (2006) [9] G Malinowski et al., Sens and Act A 144, 263 (2008); H.X Wei et al., Appl Phys Lett 94, 172902 (2009) Vũ Thị Hoài Hương ITIMS 2007 - 67 - Luận văn tốt nghiệp [10] Spin-Dependent Conductance in Nonmagnetic InGaAs Asymmetric Double Barrier Devices; C Moyses Araujo, A Ferreira da Silva, C Persson, R Ahuja, and E A de Andrada e Silva; Brazilian Journal of Physics, vol 34, no 2B, June, 2004, pp 632-634 [11] R Kitawaki, et al., Microelectronic Engineering 47, 413 (1999); J.H Lee, et al., J Magn Magn Mater 240, 137 (2002); X Zhengwei, et al., Sci in China (Series G) 46, 122 (2003); G Rodary, et al., J Magn Magn Mater 290–291, 1097 (2005); S Ladak and R J Hicken, J Appl Phys 97, 104512 (2005) [12] T Nozaki, et al., Phys Rev Lett 96, 027208 (2006); A.C.Cabrera, et al., IEEE Trans Magn 43, 914 (2007); [13] A Iovan, et al., Nano Lett 8, 805 (2008) [14] T Uemura, et al., Appl Phys Lett 95, 012502 (2009) [15] X Zhang, et al., Phys Rev B 56, 5484 (1997); L Sheng, et al., Phys Rev B 59, 480(1999) [16] R Kitawaki, et al., Microelectronic Engineering 47 (1999), 413-415 [17] Triệu Tiến Dũng, Nguyễn Anh Tuấn, Phan Lê Minh, Thân Đức Hiền ; Sự xuyên ngầm cấu trúc MTJ kép Py/Al2O3/Co/Al2O3/Co; Tuyển tập báo cáo Hội nghị Vật lý toàn quốc lần thứ VI, NXB Khoa học Kỹ thuật, Hà nội 2006, Tập - Vật lý chất rắn, tr 1035 [18] Nguyen Anh Tuan, Trieu Tien Dung, Nguyen Thang Long, Nannostructured magnetic thin films for spintronics, Advances in Natural Sciences, Vol 10, No.1 (2009) 95-102 [19] S E Thompsona, and S Parthasarathy, Materials Today; Vol 9, Iss (2006) pp Vũ Thị Hoài Hương ITIMS 2007 - 68 - 20-25 Luận văn tốt nghiệp [20] G Prinz and K Hathaway, Physics Today, 48 (1995) 24 [21] J.M Daughton, J Appl Phys., 81(18) (1997) 3758 Hoặc Nonvolatile Electronics, Inc (1999) in http://www.nve.com/index html [22] A.E Berkowitz, et al., Phys Rev Lett., 68 (1992) 3745 or J.Q Xiao, et al., Phys Rev Lett., 68 (1992) 3749 or J.A Barnard, et al., J Magn Magn Mater., 114 (1992) L230 [23] N Garcıa, et al., Appl Phys Lett., 79 (2001) 4550-4552; or H.D Chopra, et al., PHYSICAL REVIEW B 66 (2002) 020403 (R) [24] K Tsukagoshi, et al., Physica B 323 (2002) 107; or M.S Fuhrer et al, Science, 288 (2000) 494 [25] G.A Prinz, Science 250 (23) (1990) 1092; or J De Boeck, et al., Thin Solid Films 412 (2002) [26] R von Helmolt, et al., Phys Rev Lett., 71 (1993) 2331 [27] Y Ohno, et al., Nature, 402(16) (1999) 790-792 [28] H Fujimori, S Mitani, S Ohnuma, Mater Sci Eng B31 (1995) 219 [29] J I Gittleman, Y Goldstein and S Bozowski, Phys Rev B (1972) 3609 [30] S Barzilai, Y Goldstein, I Balberg and J S Helman, Phys Rev B 23 (1981) 1809 [31] S Mitani, H Fujimori, S Ohnuma J Magn Magn Mater 165 (1997) 141 [32] S Mitani, H Fujimori, S Ohnuma, J Magn Magn Mater 177-181 (1998) 919 [33] S Mitani, H Fujimori, K Takanashi, K Yakushiji, J G Ha, S Takahashi, S Maekawa, S Ohnuma, N Kobayashi, T Masumoto, M Ohnuma, K Hono J Magn Magn Mater 198-199 (1999) 179 Vũ Thị Hoài Hương ITIMS 2007 - 69 - Luận văn tốt nghiệp [34] S Mitani, K Takanashi, K Yakushiji, J Chiba, H Fujimori Mater Sci Eng B84 (2001) 120 [35] S Kaji, G Oomi, S Mitani, K Takanashi J Magn Magn Mater 272-276 (2004) 1829 [36] J C Slonczewski, Phys Rev B 39, 6995 (1989) [37] B Drittler, N Stefanou, S Blugel, R Zeller, and P H Dederich, Phys Rev B 40, 8203 (1989) [38] E Yu Tsymbal and D G Pettifor, J Phys.: Condens Matter 9, L411 (1997) [39] J M De Teresa, A Barthelemy, A Fert, J P Contour, R Lyonnet, F Montaigne, P Seneor, and A Vaures, Phys Rev Lett 82, 4288 (1999), J M De Teresa, A Barthelemy, A Fert, J P Contour, R Lyonnet, F Montaigne, P Seneor, Science 286, 507 (1999) [40] R Wiesendanger, M Bode and M Getzlaff, Appl Phys Lett 75, 124 (1999) [41] S Iwabuchi, T Tanamoto and R Kitawaki, Physica B 249-251 (1998)276 [42] S Iwabuchi and F Wakaya, (submitted) [43] H Higurashi, S Iwabuchi, and Y Nagaoka, Phys Rev B51 (1995)2387 [44] F Wakaya, S Iwabuchi, H Higurashi, Y Nagaoka and K Gamo, Appl Phys Lett (inpress) Vũ Thị Hoài Hương ITIMS 2007 - 70 - ... nghệ số tính chất cấu trúc DBMTJ, luận văn tiến hành nghiên cứu chế tạo hệ màng mỏng lớp Co/Al2O3/Co/Al2O3/Co kỹ thuật phún xạ catốt, khảo sát số tính chất từ, điện xun ngầm khơng có mặt từ trường... dụng để nghiên cứu tính chất từ mẫu Đồng thời, kết khảo sát phổ trở kháng CIS cho ta biết đặc trưng tính chất điện cấu trúc MTJ Co/Al2O3/Co/Al2O3/Co Quá trình thực nghiệm chế tạo cấu trúc MTJ Co/Al2O3/Co/Al2O3/Co... nghiệp Với tính chất vật lý mẻ nghiên cứu ứng dụng vào thực tế đời sống, kỹ thuật màng mỏng cấu trúc MTJ kép linh kiện vật liệu từ, ta thấy tầm quan trọng việc nghiên cứu ảnh hưởng chế tạo màng