Nghiên cứu lý thuyết về hiệu ứng Hall trong các hệ bán dẫn một chiều

Nghiên cứu lý thuyết về hiệu ứng Hall trong các hệ bán dẫn một chiều Nghiên cứu lý thuyết về hiệu ứng Hall trong các hệ bán dẫn một chiều Nghiên cứu lý thuyết về hiệu ứng Hall trong các hệ bán dẫn một chiều luận văn tốt nghiệp,luận văn thạc sĩ, luận văn cao học, luận văn đại học, luận án tiến sĩ, đồ án tốt nghiệp luận văn tốt nghiệp,luận văn thạc sĩ, luận văn cao học, luận văn đại học, luận án tiến sĩ, đồ án tốt nghiệp

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN Hoàng Văn Ngọc NGHIÊN CỨU LÝ THUYẾT VỀ HIỆU ỨNG QUANG KÍCH THÍCH CỦA SĨNG ĐIỆN TỪ CAO TẦN TRONG HỆ BÁN DẪN MỘT CHIỀU LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ Hà Nội – 2018 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN Hoàng Văn Ngọc NGHIÊN CỨU LÝ THUYẾT VỀ HIỆU ỨNG QUANG KÍCH THÍCH CỦA SĨNG ĐIỆN TỪ CAO TẦN TRONG HỆ BÁN DẪN MỘT CHIỀU Chuyên ngành : Vật lý lý thuyết Vật lý toán Mã số : 62.44.01.03 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC PGS.TS Nguyễn Vũ Nhân TS Đinh Quốc Vương Hà Nội - 2018 LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu riêng Các kết nghiên cứu nêu luận án trung thực chưa công bố cơng trình khác Hà Nội, tháng 08 năm 2018 Tác giả luận án Hoàng Văn Ngọc LỜI CẢM ƠN Tơi xin bày tỏ lịng biết ơn sâu sắc đến PGS.TS Nguyễn Vũ Nhân, TS Đinh Quốc Vương GS.TS Nguyễn Quang Báu người thầy hết lòng giúp đỡ, bảo tận tình tơi q trình học tập, nghiên cứu hồn thành luận án Tơi xin chân thành cảm ơn giúp đỡ thầy cô giáo Bộ môn Vật lý lý thuyết, khoa Vật lý Phòng Sau đại học, trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội Tôi xin chân thành cảm ơn giúp đỡ, động viên thầy cô, đồng nghiệp khoa Khoa học – Trường Cao đẳng Kinh tế - Kỹ thuật – Đại học Thái Nguyên giúp đỡ nhiều Tôi xin gửi lời cảm ơn đến Quỹ Phát triển Khoa học Công nghệ Quốc gia (NAFOSTED, Mã số 103.01-2015.22) Trường Cao đẳng Kinh tế - Kỹ thuật tài trợ cho việc nghiên cứu báo cáo kết Hội nghị khoa học nước quốc tế làm sở để hoàn thành luận án Xin chân thành cảm ơn tất người thân, bạn bè đồng nghiệp giúp đỡ tơi suốt q trình học tập, nghiên cứu Tác giả luận án MỤC LỤC Mục lục Danh mục bảng Danh mục hình vẽ đồ thị Mở đầu Chương Tổng quan hiệu ứng quang kích thích 13 1.1 Lý thuyết lượng tử hiệu ứng quang kích thích 13 1.1.1 Phương trình động lượng tử cho electron 14 1.1.2 Biểu thức giải tích mật độ dịng điện 16 1.2 Hàm sóng phổ lượng điện tử dây lượng tử 20 Chương Hiệu ứng quang kích thích dây lượng tử hình chữ nhật với hố cao vô hạn 26 2.1 Phương trình động lượng tử 26 2.2 Mật độ dịng điện khơng đổi 29 2.2.1 Trường hợp tán xạ điện tử - phonon âm 33 2.2.2 Trường hợp tán xạ điện tử - phonon quang 35 2.2.3 Kết tính tốn thảo luận 37 2.3 Kết luận chương 46 Chương Hiệu ứng quan kích thích dây lượng tử hình trụ với hố cao vô hạn 48 3.1 Phương trình động lượng tử 48 3.2 Mật độ dịng điện khơng đổi 50 3.2.1 Trường hợp tán xạ điện tử - phonon âm 51 3.2.2 Trường hợp tán xạ điện tử - phonon quang 53 3.2.3 Kết tính tốn số thảo luận 55 3.3 Kết luận chương 62 Chương Hiệu ứng quang kích thích dây lượng tử hình trụ với hố thề parabol 63 4.1 Phương trình động lượng tử 63 4.2 Mật độ dịng điện khơng đổi 65 4.2.1 Trượng hợp tán xạ điện tử - phonon âm 66 4.2.2 Trường hợp tán xạ điện tử - phonon quang 68 4.2.3 Kết tính tốn số thảo luận 70 4.3 Kết luận chương 77 Kết luận 79 Các công trình liên quan đến luận án cơng bố 81 Tài liệu tham khảo 82 DANH MỤC CÁC BẢNG Stt Bảng Dây Bảng Các tham số dây lượng tử hình chữ nhật với 2.1 hố cao vô hạn GaAs/GaAsAl Bảng Các tham số dây lượng tử hình trụ với hố 3.1 cao vô hạn GaAs/GaAsAl Bảng Các tham số dây lượng tử hình trụ với hố 4.1 parabol GaAs/GaAsAl Trang 38 56 70 DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ Stt Hình Nội dung Trang Hình 1.1 Mơ hình xuất hiệu ứng quang kích thích 13 có mặt sóng điện từ phân cực phẳng Hình 1.2 Mơ hình cấu trúc hệ bán dẫn: (3D) Bán dẫn khối; 20 (2D) Hệ hai chiều; (1D) hệ chiều; (0D) Hệ khơng chiều Hình 2.1 Sự phụ thuộc mật độ dịng điện khơng đổi vào tần 39 số trường laser với giá trị khác nhiệt độ cho trường hợp tán xạ điện tử - phonon âm Hình 2.2 Sự phụ thuộc mật độ dịng điện khơng đổi vào tần 40 số trường sóng điện từ với giá trị khác nhiệt độ cho trường hợp tán xạ điện tử - phonon âm Hình 2.3 Sự phụ thuộc mật độ dịng điện khơng đổi vào 41 kích thước dây cho trường hợp tán xạ điện tử phonon âm Hình 2.4 Sự phụ thuộc mật độ dịng điện khơng đổi vào 42 biên độ trường lực laser cho trường hợp tán xạ điện tử - phonon âm Hình 2.5 Sự phụ thuộc mật độ dịng điện khơng đổi vào tần 43 số trường laser cho trường hợp tán xạ điện tử phonon quang ứng với giá trị khác tần số sóng điện từ Hình 2.6 Sự phụ thuộc mật độ dịng điện khơng đổi vào tần 44 số trường sóng điện từ cho trường hợp tán xạ điện tử - phonon quang với giá trị khác nhiệt độ Hình 2.7 Sự phụ thuộc mật độ dịng điện khơng đổi vào 45 kích thước dây lượng tử hình chữ nhật với hố cao vô hạn cho trường hợp tán xạ điện tử - phonon quang 10 Hình 2.8 Sự phụ thuộc mật độ dịng điện khơng đổi vào 46 nhiệt độ hệ dây lượng tử hình chữ nhật với hố cao vô hạn cho trường hợp tán xạ điện tử phonon quang với giá trị khác tần số sóng điện từ 11 Hình 3.1 Sự phụ thuộc mật độ dịng điện khơng đổi 57 dây lượng tử hình trụ cao vơ hạn vào tần số sóng điện từ trường hợp tán xạ điện tử - phonon âm với giá trị khác nhiệt độ 12 Hình 3.2 Sự phụ thuộc mật độ dịng điện khơng đổi dây lượng tử hình trụ cao vơ hạn vào bán kính dây trường hợp tán xạ điện tử - phonon âm với giá trị khác tần số sóng điện từ 57 13 Hình 3.3 Sự phụ thuộc mật độ dịng điện khơng đổi 58 dây lượng tử hình trụ cao vô hạn vào tần số trường laser trường hợp tán xạ điện tử - phonon âm với giá trị khác tần số sóng điện từ 14 Hình 3.4 Sự phụ thuộc mật độ dịng điện khơng đổi 59 dây lượng tử hình trụ cao vơ hạn vào tần số trường sóng điện từ trường hợp tán xạ điện tử phonon quang với giá trị khác nhiệt độ 15 Hình 3.5 Sự phụ thuộc mật độ dịng điện khơng đổi 60 dây lượng tử hình trụ cao vơ hạn vào tần số trường laser trường hợp tán xạ điện tử - phonon quang với giá trị khác tần số sóng điện từ 16 Hình 3.6 Sự phụ thuộc mật độ dịng điện khơng đổi 61 dây lượng tử hình trụ cao vơ hạn vào nhiệt độ hệ trường hợp tán xạ điện tử - phonon quang với giá trị khác tần số sóng điện từ 17 Hình 4.1 Sự phụ thuộc mật độ dịng điện khơng đổi 72 dây lượng tử hình trụ parabol vào tần số sóng điện từ trường hợp tán xạ điện tử - phonon âm với giá trị khác tần số trường laser 18 Hình 4.2 Sự phụ thuộc mật độ dịng điện khơng đổi dây lượng tử hình trụ parabol vào tần số trường laser trường hợp tán xạ điện tử - phonon 72 ứng quang kích thích dây lượng tử hình trụ với hố parabol Trong dây lượng tử đặt trường sóng điện từ phân cực phẳng, trường laser tần số cao trường điện khơng đổi Mật độ dịng điện khơng đổi tính tốn cho hai trường hợp tán xạ điện tử - phonon âm điện tử - phonon quang Bên cạnh việc khảo sát phụ thuộc mật độ dòng điện vào tần số sóng điện từ, tần số trường laser, nhiệt độ hệ, khảo sát ảnh hưởng tham số cấu trúc đặc trưng dây lượng tử hình trụ với hố parabol 78 KẾT LUẬN Bằng phương pháp phương trình động lượng tử, chúng tơi nghiên cứu hiệu ứng quang kích thích dây lượng tử hình trụ với hố cao vơ hạn, dây lượng tử hình trụ với hố parabol dây lượng tử hình chữ nhật với hố cao vô hạn tác dụng trường điện từ phân cực phẳng, trường xạ laser trường điện không đổi Các kết luận án tóm tắt sau: Xây dựng phương trình động lượng tử cho hệ điện tử - phonon bán dẫn chiều (dây lượng tử hình trụ với hố cao vơ hạn, dây lượng tử hình trụ với hố parabol, dây lượng tử hình chữ nhật với hố cao vơ hạn) Từ thu biểu thức giải tích cho mật độ dịng điện khơng đổi xuất hiệu ứng quang kích thích ba trường hợp: Dây lượng tử hình trụ với cao vơ hạn, dây lượng tử hình trụ với parabol dây lượng tử hình chữ nhật với hố cao vơ hạn Các kết thu cho thấy lượng tử hóa giảm kích thước dây lượng tử ảnh hưởng mạnh lên mật độ dòng điện dây lượng tử Sự phụ thuộc mật độ dòng điện khơng đổi vào tần số trường sóng điện từ, tần số trường laser, tham số nhiệt độ hệ, cấu trúc dây lượng tử có nhiều khác biệt so với toán tương tự bán dẫn khối, siêu mạng hố lượng tử Sự khác biệt phổ lượng hạt tải thay đổi, dẫn đến thay đổi hàm sóng, thừa số dạng đại lượng đặc trưng cho hệ lượng tử Các kết giải tích cho mật độ dịng điện khơng đổi xuất hiệu ứng quang kích thích ba trường hợp hồn tồn khác chúng tính tốn cấu trúc lượng tử khác nhau: Hàm sóng, phổ lượng, rào thừa số dạng ba loại dây khác Các kết 79 tính tốn cho hai loại tương tác tương tác điện tử - phonon âm tương tác điện tử - phonon quang Kết tính tốn số cho mật độ dòng điện dây lượng tử hình trụ với hố cao vơ hạn, dây lượng tử hình trụ với parabol dây lượng tử hình chữ nhật với vơ hạn GaAs/GaAsAl phụ thuộc mật độ dịng điện khơng đổi vào tần số trường sóng điện từ, trường laser, thơng số hệ lượng tử kích thước dây hay nhiệt độ hệ Luận án góp phần khẳng định khả năng, tính hiệu đắn phương pháp phương trình động lượng tử nghiên cứu tính chuyển tải hệ electron – phonon lý thuyết lượng tử Các kết thu luận án đóng góp vào hồn thiện lý thuyết lượng tử hiệu ứng quang kích thích hệ bán dẫn chiều nói riêng Vật lý bán dẫn thấp chiều nói chung; góp phần nhỏ bé vào phát triển lý thuyết Vật lý nanô, cung cấp thông tin bán dẫn thấp chiều Những thơng tin xem sở cho công nghệ chế tạo linh kiện vật liệu nanô 80 DANH MỤC CÁC CƠNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN ÁN [1] Hoang Van Ngoc, Nguyen Vu Nhan, and Nguyen Quang Bau, (2014) “ Photostimulated quantum effects in quanum wire with parabolic potential”, Progress in electromagnetics research symposium proceedings, Guangzhou, China, pp 1945-1948 (ISSN 1559-9450) [2] Hoang Van Ngoc, Nguyen Thu Huong, Nguyen Quang Bau, (2016) “The photon – drag effect in cylindrical quantum wire with a parabolic potential”, World Academy of Science, Engineering and Technology - International Journal of Physical and Mathematical Sciences, 10 (12), pp 542-545 (ISSN 1307-6892), (ISI/SCOPUS) [3] Hoang Van Ngoc, Nguyen Vu Nhan, Nguyen Quang Bau, (2017) “The light – effect in cylindrical quantum wire with an infinite potential for the case of electrons - optical phonon scattering ”, World Academy of Science, Engineering and Technology - International Journal of Physical and Mathematical Sciences, 11 (8), pp 349-352 (ISSN 1307-6892), (ISI/SCOPUS) [4] Hoang Van Ngoc, Nguyen Vu Nhan, Dinh Quoc Vương (2017) “The photon – drag effect in retangular quantum wire with an infinite potential”, VNU Journal of Science, Mathematics – Physics, 33 (No.1), pp 53-59 (ISSN 0866-8612) [5] Nguyen Vu Nhan, Hoang Dinh Trien, and Hoang Van Ngoc (2017) “The photostimulated quantum effect in rectangular quantum wire with an infinite potential for the case of electron – acoustic phonon scattering”, Tạp chí khoa học – Khoa học tự nhiên cơng nghệ, Đại học Thủ đô Hà Nội, số 20, pp 6875 (ISSN 2354-1512) [6] Hoang Van Ngoc, Nguyen Vu Nhan, Dinh Quoc Vuong (2017) “The photon – drag effect in cylindrical quantum wire with an infinite potential for the case of electrons – acoustic phonon scattering”, VNU Journal of Science, Mathematics – Physics, 33 (4), pp 80-86 (ISSN 0866-8612) 81 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt [1] Nguyễn Quang Báu, Hà Huy Bằng (2002), Lý thuyết trường lượng tử cho hệ nhiều hạt, Nhà xuất Đại học Quốc gia Hà Nội [2] Nguyễn Quang Báu, Đỗ Quốc Hùng, Vũ Văn Hùng, Lê Tuấn (2004), Lý thuyết bán dẫn, Nhà xuất Đại học Quốc gia Hà Nội [3] Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Vũ Nhân, Phạm Văn Bền (2007), Vật lý bán dẫn thấp chiều, Nhà xuất Đại học Quốc gia Hà Nội [4] Nguyễn Xuân Hãn (1998), Cơ học lượng tử, Nhà xuất Đại học Quốc gia Hà Nội [5] Bùi Đình Hợi (2014), Lý thuyết lượng tử hiệu ứng Hall Hố Lượng tử siêu mạng, Luận án tiến sĩ Vật lý, Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội [6] Nguyễn Văn Nghĩa (2016), Hiệu ứng âm - điện - từ hệ bán dẫn chiều, Luận án tiến sĩ Vật lý, Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội [7] Hồng Đình Triển (2012), Nghiên cứu hấp thụ phi tuyến sóng điện từ điện tử giam cầm dây lượng tử, Luận án tiến sĩ Vật lý, Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội [8] Nguyễn Thu Hương (2016), "Nghiên cứu lý thuyết hiệu ứng Hall hệ bán dẫn chiều", Luận án tiến sĩ Vật lý, Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội Tiếng Anh [9] G M Shmelev, G I Tsurkan, and E M Epshtein (1982), “Photostimulated radioelectrical transverse effect in semiconductors”, Phys.stat sol (b) 109, K53 82 [10] S.V.Kryuchkov, E I Kukhar’, and E S Sivashova (2008), “Radioelectric effect in superlattice under the action of an elliptically polarized electromagnetic wave”, Physics of the solid state, Vol 50, No 6, , pp 1150-1156 [11] B D Hung, N D Nam, and D Q Vuong (2014), “Calculating the current density of the radio electrical effect in parabolic quantum wells”, Progress in electromagnetics research symposium proceedings, Guangzhou, China, pp 1261-1266 [12] Antonyuk V B, MalŠ S A G, Larsson M and Chao K A (2004), “Effect of electron-phonon interaction on electron conductance in onedimensional systems”, Phys Rev B 69, pp 155308-155314 [13] Ando T, Fowler A B and Stern F (1982), “Electronic properties of two-dimensional systems”, Rev Mod Phys 54, pp 437-672 [14] Alexander Balandin and Kang L Wang (1998), “Effect of phonon confinement on the thermoelectric figure of merit of quantum wells”, J Appl Phys 84, pp 6149-6153 [15] Akera H, Ando T (1991), “Magnetoresistance in quantum wires: Boundary – roughness scattering”, Int J Mod Phys B, 43, pp.11676-11685 [16] Bau N Q, Hieu N V., Nhan N V (2012), “The quantum acoustomagnetoelectric field in a quantum well with a parabolic potential”, Superlattices and Microstructure 52, pp 921–930 [17] Bau N Q, Hieu N V (2013), “The quantum acoustoelectric current in doped superlattice GaAs:Si/GaAs:Be”, Superlattices and Microstructure 63, pp 121–130 [18] Bau N Q, Nhan N V., Phong T C (2002), “Calculations of the 83 absorption coefficient of a weak electromagnetic wave by free carriers in doped superlattices by using the Kubo-Mori method”, J Korean Phys Soc., 41, pp 149-154 [19] Bau N Q, Dinh L and Phong T C (2007), “Absorption coefficient of weak electromagnetic waves caused by confined electrons in quantum wires”, J Korean Phys Soc, 51, pp 1325-1330 [20] Bau N Q, Hung D M., Ngoc N B (2009), “The nonlinear absorption coefficient of a strong electromagnetic wave caused by confined electrons in quantum wells”, J Korean Phys Soc, 54, pp 765-773 [21] Bau N Q, Hung L T., and Nam N D (2010), “The nonlinear absorption coefficient of a strong electromagnetic wave by confined electrons in quantum wells under the influences of confined phonons”, JEMWA, J of Electromagnetic Waves and Appl 24, pp 1751-1761 [22] Bau N Q., Hung D M., and Hung L T (2010), “The influences of confined phonons on the nonlinear absorption coefficient of a strong electromagnetic wave by confined electrons in doping superlattices”, PIER Letter 15, pp 175-185 [23] Bau N Q and Hung D M (2010), “Calculation of the nonlinear absorption coefficient of a strong electromagnetic wave by confined electrons in doping superlattices”, PIER B25, pp 39-52 [24] Bau N Q and Trien H D (2010), “The nonlinear absorption coefficient of strong electromagnetic waves caused by electrons confined in quantum wires”, J Korean Phys Soc, 56, pp 120-127 [25] Bau N Q and Trien H D (2010), “The nonlinear absorption of a strong electromagnetic wave by confined electrons in rectangular 84 quantum wires”, PIERS Proceedings, Xi’an, China, pp 336-341 [26] Bau N Q and Trien H D (2011), “The nonlinear absorption of a strong electromagnetic wave in low-dimensional systems”, Wave propagation INTECH, Croatia, pp 461-482 [27] Bau N Q, Hieu N V., Nhan N V (2012), “Calculations of the Acoustoelectric Current in a Quantum Well by Using a Quantum Kinetic Equation”, J Korean Phys Soc, 61, pp 2026-2031 [28] Bau N Q, Hieu N V (2010), “Theory of acoustomagnetoelectric effect in a superlattice”, PIERS Proceedings, XianChina, pp 342-347 [29] Bau N Q, Nhan N V., and Nghia N V (2011), “The Dependence of the Acoustomagnetoelectric Current on the Parameters of a Cylindrical Quantum Wire with an Infinite Potential in the Presence of an External Magnetic Field”, PIERS Proceedings, Suzhou, China, pp 1452-1456 [30] Bau N Q, Dinh L and Phong T C (2007), “Absorption coefficient of weak electromagnetic waves caused by confined electrons in quantum wires”, J Korean Phys Soc 51, pp 1325-1330 [31] Bau N Q and Hoi B D (2014), “ Investigation of the Hall effect in rectangular quantum wells with a perpendicular magnetic field in the presence of high frequence electromagnetic wave”, Int J Mod Phys B, 28, pp 1450001-1450007 [32] Bau N Q and Hoi B D (2012), “Influence of a strong electromagnetic wave (laser radiation) on the hall effect in quantum wells with a parabolic potential”, J Korean Phys Soc, 60, pp 59 – 64 85 [33] Bau N Q et al (2013), “Influence of a strong electromagnetic Wave (Laser Radiation) on the Hall Coefficient in Doped Semiconductor Superlattices with an In – plane Magnetic field”, PIER Proceedings, March 25 -28, Taipei, pp 416-421 [34] Bau N Q and Hoi B D (2015), “Dependence of the Hall Coefficient on Doping Concentration in Doped Semiconductor Superlattices with a Perpendicular Magnetic Field under the Influence of a Laser Radiation”, Integrated Ferroelectrics: An International Journal, 155, Iss 1, pp 39 – 44 [35] Bau N Q and Huong N T (2015) “Influence of a strong electromagnetic wave (laser radiation) on the Hall effect in a cylindrical quantum wires with infinitely high potential”, Journal of physics: Conference Series 627, pp 012023-012029 [36] Bau N Q, Hung L T., and Nam N D (2010), “The nonlinear absorption coefficient of a strong electromagnetic wave by confined electrons in quantum wells under the influences of confined phonons", JEMWA, J of Electromagnetic Waves and Appl 24, pp 1751-1761 [37] Bau N Q, Hung D M., and Hung L T (2010), “The influences of confined phonons on the nonlinear absorption coefficient of a strong electromagnetic wave by confined electrons in doping superlattice”, PIER Letter 15, pp 175-185 [38] Bau N Q, Huong N T (2004), “Parametric interactions of acoustic and optical phonons in cylindrical quantum wires”, VNU Journal of science, Mathematics – physics, T.XX, No3AP [39] Bau N Q and Trien H D (2010), “The nonlinear absorption coefficient of strong electromagnetic waves caused by electrons confined in 86 quantum wires”, J Korean Phys Soc., 56, pp 120-127 [40] Bastin A, Lewiner C, Betbeder-Matibet O and Nozieres P (1971), “Quantum oscillations of the hall effect of a fermion gas with random impurity scattering”, Phys Chem Solids 32, pp 1811-1824 [41] Bennett R, Guven K, and Tanatar B (1998), “Confined-phonon effects in the band-gap renormalization of semiconductor quantum wires”, Phys Rev B 57, pp 3994-3999 [42] Brandes T and Kawabata A (1996), “Conductance increase by electron- phonon interaction in quantum wires”, Phys Rev B 54, pp 4444-4447 [43] Borisenko S I (2004), “The effect of acoustic phonon confinement on electron scattering in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices” Semiconductors 38, pp 824-829 [44] Butscher S and Knorr A (2006), “Occurrence of Intersubband Polaronic Repellons in a Two-Dimensional Electron Gas”, Phys Rev Lett 97, pp 197401-197404 [45] Charbonneau M, Van Vliet K M, and Vasilopoulos P (1982) “Linear and nonlinear theory revisited III: one-body response formulas and generalized Boltz-mann equations”, J Math Phys 23, pp 318-336 [46] Chaubey M P and Van Vliet K M, (1986), “Transverse magnetoconductivity of quasi-two-dimensional semiconductor layers in the presence of phonon scattering”, Phys Rev B33, pp 5617-5622 [47] Epshtein E M (1976), “Odd magnetophotoresistance effect in semiconductors”, Sov Phys Semicond 10, pp 1414-1415 [48] Epshtein E M (1976), “Odd magnetoresistance of Nonlinear Conductor in time-dependent electric fields”, Sov Lett J Theor Phys 2, pp 87 234-237 [49] Frederikse H P R and Hosler W R (1958), “Oscillatory galvanomagnetic effects in n-type indium antimonide”, Phys, Rev 110, pp 880 [50] Frank A M and Y Galperin (1997), “Acoustoelectric effects in quantum constrictions”, Phys Rev B 7, pp 4028-4036 [51] Gaggero S M L., Moreno M N., Rodriguez V I., Perez A R., Grimalsks V V and Mora R M E (2007), “Electronic structure in funtion of the temperature by Si Delta-doped Quantum Wells in GaAs” PIERS 3, pp 851-854 [52] Hashimzade F M, Babayev M M, Mehdiyev B H, and Kh A Hasanov (2010), “Magnetothermoelectric Effects of 2D Electron Gas in Quantum Well with Parabolic Confinement Potential in-plane Magnetic Field”, J Phys: Conf Ser 245, pp 012015-012019 [53] Heon H and Harold N S (2000), “Exciton linewidth due to scattering by polar optical phonons in semiconducting cylindrical quantum wire structures”, Phys Rev B 62, pp 13599-13603 [54] Hieu N V, N Q Bau, N V Nhan (2012), “The Influence of the lectromagnetic Wave on the Nonlinear Acoustoelectric Effect in a Superlattice”, PIERS Proceedings, Kuala Lumpur-Malaysia, pp 1048-1053 [55] Hieu N V, Bau N Q and Nghia N V (2013), “The Influence of the Electromagnetic Wave on the Nonlinear Quantum Acoustoelectric Current in a Quantum Well”, PIERS Proceedings, Taipei, Taiwan, pp 566-572 [56] Hieu N V, Nam N D., Bau N Q (2012), “Acoustoelectric effect in a doped superlattice” VNU Journal of Science and Technology 28, pp 63-68 88 [57] Ikai Lo and Y L Chen (2009), “Spin splitting in AlxGa1-xN/GaN quasiballistic quantum wires”, Journal of applied physics, 105, pp 093716-1093716-5 [58] Ibragimov G.B (2004), “Optical intersubband transitions in quantum wires with an applied magnetic field”, Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics 7, pp 283-286 [59] Jangil K and Bongsoo K (2002), “Optical transition for a quasitwo- dimensional system with an electron-phonon interaction”, Phys Rev B 66, pp 073107-073110 [60] Kahn A H and Frederikse P R (1959), “Oscillatory Behavior of Magnetic Susceptibility and Electronic Conductivity”, Advances in Solid State Physics, 9, pp 257-91 [61] Kim K.W, Stroscio M A, Bhatt A, Mickevicius R and Mitin V V (1991),“Electron-optical-phonon scattering rates in a rectangular semiconductor quantum wire", J Appl Phys 70, pp 319-327 [62] Kim K.W, Stroscio M A, Bhatt A, Mickevicius R and Mitin V V (1991),"Electron-optical-phonon scattering rates in a rectangular semiconductor quantum wire", J Appl Phys 70, pp 319-327 [63] Klitzin K, Dorda G, Pepper (1980), “New Method for HighAccuracy Determination of the Fine-Structure Constant Based on Quantized Hall Resistance”, Phys Rev Lett 45, pp 494-496 [64] N V Nghia, N V Nhan, N Q Bau (2011), “The acoustomagnetoelectric effect in quantum wires”, VNU Journal of Science, Mathematics-Physics, 27, pp 174-179 [65] N V Nghia, T T T Huong, N Q Bau (2010), “The nonlinear acoustoelectric effect in a cylindrical quantum wire with an infinite potential”, 89 Proc Natl Conf Theor Phys 35, pp 183-188 [66] N V Nghia, D Q Vuong, N Q Bau, (2011), “The acoustomagnetoelectric current of a rectangular quantum wire with an infinite potential in the presence of an external magnetic field”, Proc Natl Conf Theor Phys 36, pp 114-120 [67] Lee J and Vassell M O (1984), “Low-field electron transport in quasi-one-dimensional semiconducting structures”, J Phys C: Sol Stat Phys 17, pp 2525-2530 [68] Malevich V L, Epshtein E M (1976), “Photostimulated odd magnetoresistance in semiconductor”, Sov Phys Solid State 18 1286-1289 [69] Malevich V L, Epshtein E M (1974), “Nonlinear optical properties of conduction electrons in semiconductor”, Sov Quantum Electronic 1, pp 1468-1470 [70] Pavlovich V V and Epshtein E M (1977), “Nonlinear optical properties of conduction electron in semiconductors”, Sov Phys Semicond 11, pp 809-811 [71] Pavlov S T, Parfen’ev R V, Firsov Yu A, and Shalyt S S (1965), Zh Eksp Teor Fiz 48, 1565 [Sov Phys JETP 21, 1049 1(1965)] [72] Peter Hertel, Lectures on Theoretical Physics, Linear Response [73] Ploog K, Doller G H (1983), “Compositional and doping superlattices in III-V semiconductors”, Asv Phys 32, pp 285-290 [74] Rossi F and Elisa M (1996), “Linear and nonlinear optical properties of realistic quantum-wire structures: The dominant role of Coulomb correlation” Phys Rev B 53, pp 16462-16473 [75] Ryu J Y., Hu G Y., and O'Connell R F (1994), “Magnetophonon 90 resonances of quantum wires in tilted magnetic fields”, Phys Rev B 49, pp 10437-10443 [76] Shik A Y, and Challis L J (1993), “Electron-phonon energy relaxation in quasi-one-dimensional electron systems in zero and quantizing magnetic fields”, Phys Rev B 47, pp 2082-2088 [77] Shmelev G M, Chaikovskii L A and N Q Bau (1978), Sov Phys.Tech Semicond 12, pp 1932 [78] Shmelev G M, Tsurkan G I and Nguyen Hong Shon (1981), “ The magnetoresistance and the cyclotron resonance in semiconductors in the presence of strong electromagnetic wave”, Sov Phys Semicond 15, pp 156161 [79] Sinyavskii E P and Khamidullin R A (2002), “Special features of electrical conductivity in a parabolic quantum well in a magnetic field”, Semiconductors, 36, pp 924-928 [80] Stroscio M A (1989), “Interaction between longitudinal-opticalphonon modes of a rectangular quantum wire and charge carriers of a onedimensional electron gas”, Phys Rev B 40, pp 6428-6431 [81] Takaoka S and Kubota H (1990), “Shubnikov-de Haas effect of multi-terminal GaAs/AlGaAs quantum wire in nonlocal geometry”, Solid state Communications, 75, 4, pp 293-296 [82] H D Trien and N V Nhan (2011), “The nonlinear absorption of a strong electromagnetic waves caused by confined electrons in a cylindrical quantum wire”, Journal of USA-PIER Letters 20, pp 87-96 91 [83] Tsui D.C, Stormer H.L, Gossard A.C (1982), “TwoDimensional Magnetotransport in the Extreme Quantum Limit”, Phys Rev Lett 48, pp 1559-1663 [84] Vasilopoulos P and van Vliet C M, (1984), “Linear response theory revisited IV Applications”, J Math Phys 25, pp 1391-1403 [85] Vasilopoulos P (1968), “Magnetophonon oscillat ions in quasitwo-dimensional quantum well”, Phys Rev B33, pp 8587-8594 [86] Vasilopoulos P and Van Vliet K M., (1984), “Linearresponse theory revisted IV Applicaations”, J Math Phys 25, pp 1391-1403 [87] Vasilopoulos P and Van Vliet K M, (1987), “Linear and nonlinear electrical conduction in in quasi-two-dimensional quantum well” Phys Rev B35, pp 1334-1344 [88] Wlodek Zawadzki, Andre Raymond, and Maciej Kubisa (2016), “Conduction electron in acceptor-doped GaAs/GaAlAs heterostructures: a review”, Semiconductor Science and Technology, 31, 5, pp 053001-1053001-38 [89] Bui Dinh Hoi, Hoang Van Ngoc and Nguyen Quang Bau (2014), “Influence of an intense electromagnetic wave on magnetoconductivity and Hall coefficient in compositional semiconductor superlattices: Optical phonon interaction”, Piers proceedings, Guangzhou, China, August 25-28, pp 12561260 92 ... điện, hệ số Hall lượng tử… Một hiệu ứng quan tâm nghiên cứu bán dẫn khối hệ hai chiều hiệu ứng quang kích thích [9-11], nhiên hệ bán dẫn chiều chưa nghiên cứu Dây lượng tử với dạng khác ý, lý chúng... tài nghiên cứu ? ?Nghiên cứu lý thuyết hiệu ứng quang kích thích sóng điện từ cao tần hệ bán dẫn chiều? ?? để phần giải vấn đề cịn bỏ ngỏ nói Mục tiêu nghiên cứu Nghiên cứu lý thuyết lượng tử hiệu ứng. .. Ngọc NGHIÊN CỨU LÝ THUYẾT VỀ HIỆU ỨNG QUANG KÍCH THÍCH CỦA SĨNG ĐIỆN TỪ CAO TẦN TRONG HỆ BÁN DẪN MỘT CHIỀU Chuyên ngành : Vật lý lý thuyết Vật lý toán Mã số : 62.44.01.03 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ