Nghiên cứuchếtạo và khảosátcácđặc trng Củacảmbiếnvicơđolực Vũ Ngọc Hùng, Nguyễn Đức Chiến, Trịnh Quang Thông Trung tâm Quốc tế Đào tạo về Khoa học Vật liệu (ITIMS) Đinh Văn Dũng Khoa Vật lý, Trờng ĐHSP Hà nội 2 Tóm tắt Cáccảmbiếnđolực kích thớc nhỏ chếtạo bằng công nghệ vicơ đã đợc thiết kế vàchếtạo lần đầu tiên tại Việt nam bởi nhóm MEMS tại Trung tâm ITIMS. Cấu trúc cảmbiến này gồm một màng silic chiều dày cỡ 45 micron, ở tâm có thiết kế thêm một tâm cứng làm điểm đặt lực. Tín hiệu cơ đợc chuyển đổi qua một cầu điện trở hoặc điện trở 4 điện cực thành tín hiệu điện lối ra. Trong bài báo này chúng tôi trình bày sơ đồ nguyên lý, qui trình chế tạo, vàcáckhảosátđặc trng củacảm biến. Fabrication and characterization of michromachined force sensors Abstract Silicon micromachined force sensors have been designed and fabricated successfully for the first time in Vietnam by the MEMS group at ITIMS. The structure of the sensors consists of a membrane with a stiff center: the membrane thickness is about 45 microns, the stiff center serves as a forced point. The mechanical signal is converted into output voltage signal by a Wheastone resistor bridge or 4 terminal gage diffused on the membrane. In this paper, the sensor configuration, fabrication process and characteristics have been presented. 1. Mở đầu Các cấu trúc đo tín hiệu cơ tiêu biểu thờng có dạng các màng hoặc các thanh dầm đợc chế tác 3 chiều từ các vật liệu khối. Chỉ có thể chếtạocác cấu trúc này với độ chính xác cao nhờ công nghệ vicơ (micromachining technology). Do tính đặc thù cũng nh khả năng đặc biệt của công nghệ vi cơ, công nghệ này đã đợc ứng dụng để chếtạocác cấu trúc vàcác bộ cảmbiến ứng dụng trong nhiều lĩnh vực khác nhau nh trong công nghiệp, kỹ thuật, y tế, quân sự, . Trong những năm gần đây, với sự hỗ trợ đắclựccủa công nghệ vi điện tử và công nghệ tin học, công nghệ vicơ đã phát triển mạnh mẽ và rộng khắp trên thế giới. Nhóm MEMS ở Trung tâm Quốc tế Đào tạo về Khoa học Vật liệu (ITIMS) là nhóm đầu tiên ở Việt nam triển khai và thành công trong một số loại cảmbiến nhờ công nghệ này. Trên cơ sở chếtạo thành công cảmbiến áp suất với cấu trúc cơ bản là một màng phẳng, một mẫu cảmbiến mới với một tâm cứng đợc thiết kế thêm ở tâm màng đã đợc phát triển để đolựcvàđo khối lợng. Nhờ tâm cứng này, các tác dụng tập trung vào một điểm nh tác dụng lựccó thể đặt trực tiếp lên màng cảm biến. Sự uốn cong của màng dới tác dụng củalực sẽ đợc chuyển đổi thành tín hiệu điện lối ra nhờ một cầu điện trở hoặc điện trở 4 điện cực đã khuếch tán trên màng tơng tự nh trong cáccảmbiến áp suất [1,2]. Tuỳ theo yêu cầu về phạm viđolực hay đo khối lợng, bề dày màng và kích thớc cạnh màng đợc lựa chọn một cách thích hợp khác nhau. Trong khảosátcủa chúng tôi, cáccảmbiếnlực với màng vuông 5 x 5mm 2 , 7 x 7 mm 2 , 9 x 9 mm 2 , và 10 x 10 mm 2 , bề dày màng cỡ 45 àm đã đợc thực hiện. Trong vùng làm việc tuyến tính, cáclực lớn nhất có thể đo đợc là 0.686 N (tơng ứng với khối lợng là 70 g), lực nhỏ nhất đo đợc là 0.013 N (tơng ứng với khối lợng là 13 mg). Độ nhạy lực đạt tới 78.63 mV/V.N (hay 0.77 mV/V.g). 2. Sơ đồvà nguyên lý hoạt động củacảmbiến Khác với cảmbiến áp suất ở đó tác dụng cơ học đợc phân bố gần nh đồng đều trên một màng diện tích nhỏ, cảmbiếnlực cần đo tác dụng lựccó tính tập trung vào một điểm (do vậy phân bố không đều trên màng). Vì vậy, một tâm cứng ở giữa màng là cần thiết đợc thiết kế thêm trên một màng phẳng làm điểm đặt củalực (hình 1). Tâm cứng này ngoài tác dụng làm điểm đặt cho lực, còn có khả năng làm mở rộng vùng tuyến tính củacảm biến. Khi màng uốn cong do tác dụng của lực, trên màng sẽ xuất hiện các ứng suất với phân bố khác nhau trên màng. Cáckhảosát cho thấy, vùng lân cận với trung điểm các cạnh màng có phân bố ứng suất lớn nhất [3]. Điều này gợi ý rằng cácvị trí tốt nhất để đặt các áp điện trở là gần với trung điểm các cạnh màng. Có thể sử dụng hai loại áp điện trở là các áp điện trở kiểu cầu điện trở Wheastone nh trong hình 1b và áp điện trở kiểu điện trở 4 điện cực nh trong hình 1c. a) b) c) Hình 1. Sơ đồcảmbiếnvicơđolựcvà hoạt động: a) Màng có tâm cứng và sự uốn cong màng khi có tác dụng lực b) Chuyển đổi tín hiệu qua một cầu điện trở Wheastone c) Chuyển đổi tín hiệu nhờ điện trở 4 điện cực 1 2 3 4 4 3 2 1 Trong cả hai sơ đồ, điện áp nuôi đều đợc đặt vào các cực 1 và 3, điện áp ra đợc lấy trên các cực 2 và 4. Hoạt động củacảmbiếnvicơ silic đolực dựa trên hiệu ứng áp điện trở trong vật liệu bán dẫn. Khi màng silic bị uốn cong, các áp điện trở đợc khuếch tán trên đó sẽ thay đổi giá trị. Đối với cầu điện trở, nếu hai điện trở song song với cạnh màng tăng giá trị, thì hai điện trở vuông góc với cạnh màng giảm giá trị, làm cầu điện trở mất cân bằng [4]. Đối với điện trở 4 điện cực, đợc đặt nghiêng một góc 45 0 so với cạnh màng [110], nên sự uốn cong màng làm sự thay đổi điện trở suất trên các vùng khác nhau của điện trở là rất khác nhau. Theo hớng vuông góc với dòng điện đặt vào, sẽ xuất hiện một thế hiệu khác 0 [5]. Sự thay đổi giá trị của điện trở phụ thuộc một cách định lợng vào độ lệch màng (tức là vào lực tác dụng), nên độ lệch điện áp lối ra cũng phụ thuộc định lợng vào lực. Bằng cách đođộ lệch điện áp lối ra, hoàn toàn có thể xác định độ lớn củalực tác dụng. Trong trờng hợp lực tác dụng là trọng lợng của vật đặt vuông góc với bề mặt màng cảm biến, có thể suy ra khối lợng vật khi đã xác định đợc trong lực P nhờ công thức: g P m = Vì vậy, loại cảmbiến này còn có thể sử dụng để đo khối lợng. Giá trị của gia tốc trọng trờng g phụ thuộc vào vị trí đo trên Trái đất, nhng khác nhau không nhiều lắm, nên trong các chỉ thị về độ nhạy cũng nh về vùng làm việc tuyến tính, có thể chỉ thị theo đơn vịlực (N), hoặc tơng đơng theo đơn vị khối lợng (g). 3. Qui trình chếtạo Trên hình 2 mô tả qui trình chếtạocảmbiếnvicơ silic đo lực. Các phiến silic loại n, có định hớng bề mặt (100), bề dày 380 à m, điện trở suất khoảng 5 - 10 .cm đợc sử dụng. Sau quá trình làm sạch mẫu (SC), phiến silic đợc ô xi hoá nhiệt để tạo ra lớp ô xít silic SiO 2 làm vật liệu bảo vệ mẫu trong quá trình ăn mòn. Bề dày lớp ô xít yêu cầu khoảng 1,5 à m. Tiếp theo, kỹ thuật quang khắc đợc sử dụng để mở cáccửa sổ ăn mòn tạo màng (mask1). Ăn mòn tích cực trong dung dịch KOH đợc thực hiện để tạo ra các màng cảm biến. Trong thiết kế mask 1, một diện tích SiO 2 thích Hình 2. Qui trình chếtạocảmbiếnvicơđo l ực vàđo khối lợng Phiến silic loại n, đ ịnh hớng (100) Ô xi hoá Quan g khắc mặt sau Ăn mòn tạo màn g Hàn dâ y và đóng gói Quan g khắc tạo điện cực Bốc ba y Al Phủ tạ p SOD và khuếch tán Quang khắc tạo điện trở Mở cửa sổ điện cực hợp ở tâm màng đợc giữ lại, vì vậy cấu trúc màng có tâm cứng đợc tạo ra. Sau bớc xử lý ăn mòn, cấu trúc cơcủacảmbiến đã hoàn thành. Các bớc tiếp theo nhằm chếtạo cấu trúc điện trên cảm biến, bao gồm: quang khắc mask 2 để tạocửa sổ điện trở, khuếch tán để tạocác điện trở, quang khắc mask 3 để mở của sổ các tiếp xúc cho điện trở, bốc bay Al đế tạocác tiếp xúc, quang khắc mask 4 để tạocác điện cực, và cuối cùng là hàn dây dẫn và đóng gói linh kiện. Kích thớc cạnh màng đợc xác định trong quá trình thiết kế mask. Trong khảosátcủa chúng tôi, các màng vuông với các kích thớc 5 x 5 mm 2 , 7 x 7 mm 2 , 9 x 9 mm 2 ,10 x 10 mm 2 đã đợc lựa chọn. Các tâm cứng đợc lựa chọn là 1 x 1 mm 2 . Bề dày màng đợc xác định nhờ khống chế thời gian ăn mòn và đợc lựa chọn là 45 à m với độ chính xác đạt tới 2 à m. 4. Khảosátcácđặc trng củacảmbiến Để xác định đáp tuyến củacảmbiến theo lực tác dụng, một bộ gia trọng chuẩn tới gam (tơng ứng với lực chính xác tới 10 -2 N) đợc sử dụng. Bằng cách thay đổi khối lợng gia trọng đặt lên tâm cứng, ta đã thay đổi độ lớn củalực tác dụng. Màng củacảmbiến sẽ uốn cong khác nhau ứng với lực tác dụng khác nhau, nên điện áp ra thu đợc cũng khác nhau và phụ thuộc vào lực tác dụng. Trên hình 3 và 4 biểu diễn một số kết quả củacác phép đo này. Dáng điệu củacác đờng đặc trng cho thấy, trong phạm vi nhỏ củalực tác dụng, điện áp ra là tỉ lệ thuận với lực tác dụng. Đây là vùng làm việc tuyến tính củacảm biến. Với cáclực lớn hơn, tốc độ thay đổi điện áp ra là thấp dần, độ dốc của đờng đặc trng giảm dần. Kết quả này đúng cho tất cả cáccảmbiến đã chế tạo. Với cùng một bề dày màng và kích thớc tâm cứng, các màng có diện tích lớn sẽ nhạy tín hiệu lực hơn các màng diện tích nhỏ. Nếu coi độ nhạy lựccủacảmbiếnđo bằng tỉ số giữa điện áp ra tơng 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 0 10 20 30 40 50 Tín hiệu ra V out .1000/V in Lực tác dụng (N) a 0.00.51.01.52.0 0 10 20 30 40 50 60 Tín hiệu ra V out .1000/V in Lực tác dụng (N) b Hình 3. Đáp tuyến tín hiệu ra theo lực tác dụng đối với cảmbiến kiểu cầu điện trở: a) Cảmbiếncó kích thớc màng 7x7mm 2 b) Cảmbiếncó kích thớc màng 9x9mm 2 đối trên cảmbiến (điện áp ra /điện áp nuôi), với lực tác dụng, thì độ nhạy cảmbiến bằng hệ số góc của đờng đặc trng trong vùng làm việc tuyến tính. Từ các đáp tuyến củacảmbiến theo lực tác dụng, độ nhạy của cáccảmbiến với các diện tích màng khác nhau đã đợc xác định. Các kết quả này đợc trình bày trong bảng 1. Cảmbiếncóđộ nhạy cao sẽ thích hợp trong các phép đolực nhỏ vàđộ chính xác cao. Ngợc lại, cáccảmbiếnđộ nhạy thấp lại thích hợp trong các trờng hợp cần xác định lựccó cờng độ lớn, khi đó rõ ràng các sai lệch nhỏ về kết quả đo là không quan trọng. Docó giới hạn về độ chính xác củacác thiết bị chỉ thị, chẳng hạn các vôn kế đợc sử dụng là loại LEADER, chính xác tới 10 -2 mV, cũng nh docác nhiễu gây ra, cáccảmbiến chỉ cho phép chỉ thị tới một độ chính xác nào đó. Đó chính là giới hạn lực nhỏ nhất có thể xác định đợc. Trong cáckhảosátcủa chúng tôi, với độ chính xác không nhiễu của điện áp ra là 10 -2 mV, các giá trị nhỏ nhất củalựcđo đợc là 0.013 N cho loại màng 9 x 9 mm 2 (tơng ứng với khối lợng 13 mg), và lớn nhất là 0.686 N cho loại màng 5 x 5 mm 2 (tơng ứng với khối lợng 70 mg), nh trình bày trong bảng 1. Bảng 1. Độ nhạy, vùng làm việc tuyến tính, giới hạn đolựcvà khối lợng của cáccảm biến. Loại cảmbiếnĐộ nhạy Vùng làm việc tuyến tính Lực nhỏ nhất đo đợc (N) Khối lợng nhỏ nhất đo đợc (mg) Màng 5 x 5 mm 2 cầu điện trở 51.06 mV/V.N 0.50 mV/V.g 0 - 0.686 N 0 - 70 g 0.019 20 Màng 7 x 7 mm 2 cầu điện trở 70.46 mV/V.N 0.69 mV/V.g 0 - 0.294 N 0 - 30 g 0.014 14 Màng 9 x 9 mm 2 cầu điện trở 78.63 mV/V.N 0.77 mV/V.g 0 - 0.147 N 0 - 15 g 0.013 13 Màng 10 x 10 mm 2 điện trở 4 điện cực 14.30 mV/V.N 0.14 mV/V.g 0 - 0.392 N 0 - 40 g 0.070 71 5. Kết Luận Với điều kiện công nghệ hiện có ở các phòng thí nghiệm ITIMS, loại cảmbiếnvicơ kiểu áp trở đolựcvàđo khối lợng đã đợc thiết kế vàchếtạo thành công. Trong công nghệ này, chúng tôi chỉ sử dụng thiết bị quang khắc một mặt, vật liệu bảo vệ trong xử lí ăn mòn là ô-xít silic SiO 2 chếtạo theo phơng pháp ô xi hoá nhiệt. Cáckhảosátđặc trng củacảmbiến đã đợc thực 0 20406080100 0 5 10 15 20 25 Tín hiệu ra V out .1000/V in Lực tác dụng (N) 10 x10, gage Hình 4. Đáp tuyến tín hiệu ra theo lực tác dụng đối với cảmbiến kiểu điện trở 4 điệ n cực có kích thớc màng 10x10mm 2 hiện. Kết quả cho thấy, cáccảmbiến này đáp ứng tốt yêu cầu củacác phép đolực với độ chính xác từ 0.013 N trở nên (tơng ứng với đocác khối lợng lớn hơn 13 mg). Nhờ độ nhạy cao và chất lợng tơng đối đồng đều trong chế tạo, loại cảmbiến này có nhiều triển vọng trong ứng dụng. Lời cảm ơn Công trình này đợc hoàn thành dới sự tài trợ của Đề tài cấp Bộ mã số B2001-59-02. Tài liệu tham khảo [1] Min Hang Bao, Wei-Jia Qi and Yan Wang, Sensors and Actuators, 12(1989) 149-156. [2] S. K. Clark and K. D. wise, IEEE transaction on electron device, ED.26(1979) 1887- 1896. [3] D.V. Dung, T. Q. Thong, V. N. Hung, N. D. Chien. Proceedings of the Third International Workshop on Materials Science (IWOMS'99), Hanoi, November 2-4, 1999. [4] V.N.Hung, N.D.Chien, D.V.Dung, T.Q.Thong, T.D.Hien, Phyics and Engineering in Evolution, Proceeding of the third Vietnamese-German Seminar on Physics and Engineering, Ho Chi Minh City, Vietnam, April 3-8, 2000, p.29-34. [5] D.V.Dung, T.Q.Thong, V.N.Hung and N.D.Chien, Communications in Physics, ISSN 0868-3166, Vol.11, N. 3, September 2001, pp. 169-174. . Nghiên cứu chế tạo và khảo sát các đặc trng Của cảm biến vi cơ đo lực Vũ Ngọc Hùng, Nguyễn Đức Chiến, Trịnh Quang Thông Trung tâm Quốc tế Đào tạo về. ĐHSP Hà nội 2 Tóm tắt Các cảm biến đo lực kích thớc nhỏ chế tạo bằng công nghệ vi cơ đã đợc thiết kế và chế tạo lần đầu tiên tại Vi t nam bởi nhóm MEMS