1. Trang chủ
  2. » Kỹ Thuật - Công Nghệ

Tài liệu Nghiên cứu chế tạo và khảo sát các đặc trưng của cảm biến vi cơ đo lực pdf

6 688 0

Đang tải... (xem toàn văn)

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 6
Dung lượng 141,64 KB

Nội dung

Nghiên cứu chế tạokhảo sát các đặc trng Của cảm biến vi đo lực Vũ Ngọc Hùng, Nguyễn Đức Chiến, Trịnh Quang Thông Trung tâm Quốc tế Đào tạo về Khoa học Vật liệu (ITIMS) Đinh Văn Dũng Khoa Vật lý, Trờng ĐHSP Hà nội 2 Tóm tắt Các cảm biến đo lực kích thớc nhỏ chế tạo bằng công nghệ vi đã đợc thiết kế và chế tạo lần đầu tiên tại Việt nam bởi nhóm MEMS tại Trung tâm ITIMS. Cấu trúc cảm biến này gồm một màng silic chiều dày cỡ 45 micron, ở tâm thiết kế thêm một tâm cứng làm điểm đặt lực. Tín hiệu đợc chuyển đổi qua một cầu điện trở hoặc điện trở 4 điện cực thành tín hiệu điện lối ra. Trong bài báo này chúng tôi trình bày sơ đồ nguyên lý, qui trình chế tạo, các khảo sát đặc trng của cảm biến. Fabrication and characterization of michromachined force sensors Abstract Silicon micromachined force sensors have been designed and fabricated successfully for the first time in Vietnam by the MEMS group at ITIMS. The structure of the sensors consists of a membrane with a stiff center: the membrane thickness is about 45 microns, the stiff center serves as a forced point. The mechanical signal is converted into output voltage signal by a Wheastone resistor bridge or 4 terminal gage diffused on the membrane. In this paper, the sensor configuration, fabrication process and characteristics have been presented. 1. Mở đầu Các cấu trúc đo tín hiệu tiêu biểu thờng dạng các màng hoặc các thanh dầm đợc chế tác 3 chiều từ các vật liệu khối. Chỉ thể chế tạo các cấu trúc này với độ chính xác cao nhờ công nghệ vi (micromachining technology). Do tính đặc thù cũng nh khả năng đặc biệt của công nghệ vi cơ, công nghệ này đã đợc ứng dụng để chế tạo các cấu trúc các bộ cảm biến ứng dụng trong nhiều lĩnh vực khác nhau nh trong công nghiệp, kỹ thuật, y tế, quân sự, Trong những năm gần đây, với sự hỗ trợ đắc lực của công nghệ vi điện tử công nghệ tin học, công nghệ vi đã phát triển mạnh mẽ rộng khắp trên thế giới. Nhóm MEMS ở Trung tâm Quốc tế Đào tạo về Khoa học Vật liệu (ITIMS) là nhóm đầu tiên ở Việt nam triển khai thành công trong một số loại cảm biến nhờ công nghệ này. Trên sở chế tạo thành công cảm biến áp suất với cấu trúc bản là một màng phẳng, một mẫu cảm biến mới với một tâm cứng đợc thiết kế thêm ở tâm màng đã đợc phát triển để đo lực đo khối lợng. Nhờ tâm cứng này, các tác dụng tập trung vào một điểm nh tác dụng lực thể đặt trực tiếp lên màng cảm biến. Sự uốn cong của màng dới tác dụng của lực sẽ đợc chuyển đổi thành tín hiệu điện lối ra nhờ một cầu điện trở hoặc điện trở 4 điện cực đã khuếch tán trên màng tơng tự nh trong các cảm biến áp suất [1,2]. Tuỳ theo yêu cầu về phạm vi đo lực hay đo khối lợng, bề dày màng kích thớc cạnh màng đợc lựa chọn một cách thích hợp khác nhau. Trong khảo sát của chúng tôi, các cảm biến lực với màng vuông 5 x 5mm 2 , 7 x 7 mm 2 , 9 x 9 mm 2 , 10 x 10 mm 2 , bề dày màng cỡ 45 àm đã đợc thực hiện. Trong vùng làm việc tuyến tính, các lực lớn nhất thể đo đợc là 0.686 N (tơng ứng với khối lợng là 70 g), lực nhỏ nhất đo đợc là 0.013 N (tơng ứng với khối lợng là 13 mg). Độ nhạy lực đạt tới 78.63 mV/V.N (hay 0.77 mV/V.g). 2. Sơ đồ nguyên lý hoạt động của cảm biến Khác với cảm biến áp suất ở đó tác dụng học đợc phân bố gần nh đồng đều trên một màng diện tích nhỏ, cảm biến lực cần đo tác dụng lực tính tập trung vào một điểm (do vậy phân bố không đều trên màng). vậy, một tâm cứng ở giữa màng là cần thiết đợc thiết kế thêm trên một màng phẳng làm điểm đặt của lực (hình 1). Tâm cứng này ngoài tác dụng làm điểm đặt cho lực, còn khả năng làm mở rộng vùng tuyến tính của cảm biến. Khi màng uốn cong do tác dụng của lực, trên màng sẽ xuất hiện các ứng suất với phân bố khác nhau trên màng. Các khảo sát cho thấy, vùng lân cận với trung điểm các cạnh màng phân bố ứng suất lớn nhất [3]. Điều này gợi ý rằng các vị trí tốt nhất để đặt các áp điện trở là gần với trung điểm các cạnh màng. thể sử dụng hai loại áp điện trở là các áp điện trở kiểu cầu điện trở Wheastone nh trong hình 1b áp điện trở kiểu điện trở 4 điện cực nh trong hình 1c. a) b) c) Hình 1. Sơ đồ cảm biến vi đo lực hoạt động: a) Màng tâm cứng sự uốn cong màng khi tác dụng lực b) Chuyển đổi tín hiệu qua một cầu điện trở Wheastone c) Chuyển đổi tín hiệu nhờ điện trở 4 điện cực 1 2 3 4 4 3 2 1 Trong cả hai sơ đồ, điện áp nuôi đều đợc đặt vào các cực 1 3, điện áp ra đợc lấy trên các cực 2 4. Hoạt động của cảm biến vi silic đo lực dựa trên hiệu ứng áp điện trở trong vật liệu bán dẫn. Khi màng silic bị uốn cong, các áp điện trở đợc khuếch tán trên đó sẽ thay đổi giá trị. Đối với cầu điện trở, nếu hai điện trở song song với cạnh màng tăng giá trị, thì hai điện trở vuông góc với cạnh màng giảm giá trị, làm cầu điện trở mất cân bằng [4]. Đối với điện trở 4 điện cực, đợc đặt nghiêng một góc 45 0 so với cạnh màng [110], nên sự uốn cong màng làm sự thay đổi điện trở suất trên các vùng khác nhau của điện trở là rất khác nhau. Theo hớng vuông góc với dòng điện đặt vào, sẽ xuất hiện một thế hiệu khác 0 [5]. Sự thay đổi giá trị của điện trở phụ thuộc một cách định lợng vào độ lệch màng (tức là vào lực tác dụng), nên độ lệch điện áp lối ra cũng phụ thuộc định lợng vào lực. Bằng cách đo độ lệch điện áp lối ra, hoàn toàn có thể xác định độ lớn của lực tác dụng. Trong trờng hợp lực tác dụng là trọng lợng của vật đặt vuông góc với bề mặt màng cảm biến, thể suy ra khối lợng vật khi đã xác định đợc trong lực P nhờ công thức: g P m = Vì vậy, loại cảm biến này còn thể sử dụng để đo khối lợng. Giá trị của gia tốc trọng trờng g phụ thuộc vào vị trí đo trên Trái đất, nhng khác nhau không nhiều lắm, nên trong các chỉ thị về độ nhạy cũng nh về vùng làm việc tuyến tính, thể chỉ thị theo đơn vị lực (N), hoặc tơng đơng theo đơn vị khối lợng (g). 3. Qui trình chế tạo Trên hình 2 mô tả qui trình chế tạo cảm biến vi silic đo lực. Các phiến silic loại n, định hớng bề mặt (100), bề dày 380 àm, điện trở suất khoảng 5 - 10 .cm đợc sử dụng. Sau quá trình làm sạch mẫu (SC), phiến silic đợc ô xi hoá nhiệt để tạo ra lớp ô xít silic SiO 2 làm vật liệu bảo vệ mẫu trong quá trình ăn mòn. Bề dày lớp ô xít yêu cầu khoảng 1,5 à m. Tiếp theo, kỹ thuật quang khắc đợc sử dụng để mở các cửa sổ ăn mòn tạo màng (mask1). Ăn mòn tích cực trong dung dịch KOH đợc thực hiện để tạo ra các màng cảm biến. Trong thiết kế mask 1, một diện tích SiO 2 thích Hình 2. Qui trình chế tạo cảm biến vi đo l ự c đo khối l ợ n g Phiến silic loại n, đ ị nh hớn g ( 100 ) Ô xi hoá Quan g khắc mặt sau Ăn mòn tạo màn g Hàn dâ y đón g g ói Quan g khắc tạo điện cực Bốc ba y Al Phủ tạ p SOD và khuếch tán Quang khắc tạo điện trở Mở cửa sổ điện cực hợp ở tâm màng đợc giữ lại, vậy cấu trúc màng tâm cứng đợc tạo ra. Sau bớc xử lý ăn mòn, cấu trúc của cảm biến đã hoàn thành. Các bớc tiếp theo nhằm chế tạo cấu trúc điện trên cảm biến, bao gồm: quang khắc mask 2 để tạo cửa sổ điện trở, khuếch tán để tạo các điện trở, quang khắc mask 3 để mở của sổ các tiếp xúc cho điện trở, bốc bay Al đế tạo các tiếp xúc, quang khắc mask 4 để tạo các điện cực, cuối cùng là hàn dây dẫn đóng gói linh kiện. Kích thớc cạnh màng đợc xác định trong quá trình thiết kế mask. Trong khảo sát của chúng tôi, các màng vuông với các kích thớc 5 x 5 mm 2 , 7 x 7 mm 2 , 9 x 9 mm 2 ,10 x 10 mm 2 đã đợc lựa chọn. Các tâm cứng đợc lựa chọn là 1 x 1 mm 2 . Bề dày màng đợc xác định nhờ khống chế thời gian ăn mòn đợc lựa chọn là 45 à m với độ chính xác đạt tới 2 à m. 4. Khảo sát các đặc trng của cảm biến Để xác định đáp tuyến của cảm biến theo lực tác dụng, một bộ gia trọng chuẩn tới gam (tơng ứng với lực chính xác tới 10 -2 N) đợc sử dụng. Bằng cách thay đổi khối lợng gia trọng đặt lên tâm cứng, ta đã thay đổi độ lớn của lực tác dụng. Màng của cảm biến sẽ uốn cong khác nhau ứng với lực tác dụng khác nhau, nên điện áp ra thu đợc cũng khác nhau phụ thuộc vào lực tác dụng. Trên hình 3 4 biểu diễn một số kết quả của các phép đo này. Dáng điệu của các đờng đặc trng cho thấy, trong phạm vi nhỏ của lực tác dụng, điện áp ra là tỉ lệ thuận với lực tác dụng. Đây là vùng làm việc tuyến tính của cảm biến. Với các lực lớn hơn, tốc độ thay đổi điện áp ra là thấp dần, độ dốc của đờng đặc trng giảm dần. Kết quả này đúng cho tất cả các cảm biến đã chế tạo. Với cùng một bề dày màng và kích thớc tâm cứng, các màng có diện tích lớn sẽ nhạy tín hiệu lực hơn các màng diện tích nhỏ. Nếu coi độ nhạy lực của cảm biến đo bằng tỉ số giữa điện áp ra tơng 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 0 10 20 30 40 50 Tín hiệu ra V out .1000/V in Lực tác dụng (N) a 0.00.51.01.52.0 0 10 20 30 40 50 60 Tín hiệu ra V out .1000/V in Lực tác dụng (N) b Hình 3. Đáp tuyến tín hiệu ra theo lực tác dụng đối với cảm biến kiểu cầu điện trở: a) Cảm biến kích thớc màng 7x7mm 2 b) Cảm biến kích thớc màng 9x9mm 2 đối trên cảm biến (điện áp ra /điện áp nuôi), với lực tác dụng, thì độ nhạy cảm biến bằng hệ số góc của đờng đặc trng trong vùng làm việc tuyến tính. Từ các đáp tuyến của cảm biến theo lực tác dụng, độ nhạy của các cảm biến với các diện tích màng khác nhau đã đợc xác định. Các kết quả này đợc trình bày trong bảng 1. Cảm biến độ nhạy cao sẽ thích hợp trong các phép đo lực nhỏ và độ chính xác cao. Ngợc lại, các cảm biến độ nhạy thấp lại thích hợp trong các trờng hợp cần xác định lực cờng độ lớn, khi đó rõ ràng các sai lệch nhỏ về kết quả đo là không quan trọng. Do giới hạn về độ chính xác của các thiết bị chỉ thị, chẳng hạn các vôn kế đợc sử dụng là loại LEADER, chính xác tới 10 -2 mV, cũng nh do các nhiễu gây ra, các cảm biến chỉ cho phép chỉ thị tới một độ chính xác nào đó. Đó chính là giới hạn lực nhỏ nhất thể xác định đợc. Trong các khảo sát của chúng tôi, với độ chính xác không nhiễu của điện áp ra là 10 -2 mV, các giá trị nhỏ nhất của lực đo đợc là 0.013 N cho loại màng 9 x 9 mm 2 (tơng ứng với khối lợng 13 mg), lớn nhất là 0.686 N cho loại màng 5 x 5 mm 2 (tơng ứng với khối lợng 70 mg), nh trình bày trong bảng 1. Bảng 1. Độ nhạy, vùng làm việc tuyến tính, giới hạn đo lực khối lợng của các cảm biến. Loại cảm biến Độ nhạy Vùng làm việc tuyến tính Lực nhỏ nhất đo đợc (N) Khối lợng nhỏ nhất đo đợc (mg) Màng 5 x 5 mm 2 cầu điện trở 51.06 mV/V.N 0.50 mV/V.g 0 - 0.686 N 0 - 70 g 0.019 20 Màng 7 x 7 mm 2 cầu điện trở 70.46 mV/V.N 0.69 mV/V.g 0 - 0.294 N 0 - 30 g 0.014 14 Màng 9 x 9 mm 2 cầu điện trở 78.63 mV/V.N 0.77 mV/V.g 0 - 0.147 N 0 - 15 g 0.013 13 Màng 10 x 10 mm 2 điện trở 4 điện cực 14.30 mV/V.N 0.14 mV/V.g 0 - 0.392 N 0 - 40 g 0.070 71 5. Kết Luận Với điều kiện công nghệ hiện các phòng thí nghiệm ITIMS, loại cảm biến vi kiểu áp trở đo lực đo khối lợng đã đợc thiết kế chế tạo thành công. Trong công nghệ này, chúng tôi chỉ sử dụng thiết bị quang khắc một mặt, vật liệu bảo vệ trong xử lí ăn mòn là ô-xít silic SiO 2 chế tạo theo phơng pháp ô xi hoá nhiệt. Các khảo sát đặc trng của cảm biến đã đợc thực 0 20406080100 0 5 10 15 20 25 Tín hiệu ra V out .1000/V in Lực tác dụng (N) 10 x10, gage Hình 4. Đáp tuyến tín hiệu ra theo lực tác dụng đối với cảm biến kiểu điện trở 4 điệ n cực kích thớc màng 10x10mm 2 hiện. Kết quả cho thấy, các cảm biến này đáp ứng tốt yêu cầu của các phép đo lực với độ chính xác từ 0.013 N trở nên (tơng ứng với đo các khối lợng lớn hơn 13 mg). Nhờ độ nhạy cao chất lợng tơng đối đồng đều trong chế tạo, loại cảm biến này nhiều triển vọng trong ứng dụng. Lời cảm ơn Công trình này đợc hoàn thành dới sự tài trợ của Đề tài cấp Bộ mã số B2001-59-02. Tài liệu tham khảo [1] Min Hang Bao, Wei-Jia Qi and Yan Wang, Sensors and Actuators, 12(1989) 149-156. [2] S. K. Clark and K. D. wise, IEEE transaction on electron device, ED.26(1979) 1887- 1896. [3] D.V. Dung, T. Q. Thong, V. N. Hung, N. D. Chien. Proceedings of the Third International Workshop on Materials Science (IWOMS'99), Hanoi, November 2-4, 1999. [4] V.N.Hung, N.D.Chien, D.V.Dung, T.Q.Thong, T.D.Hien, Phyics and Engineering in Evolution, Proceeding of the third Vietnamese-German Seminar on Physics and Engineering, Ho Chi Minh City, Vietnam, April 3-8, 2000, p.29-34. [5] D.V.Dung, T.Q.Thong, V.N.Hung and N.D.Chien, Communications in Physics, ISSN 0868-3166, Vol.11, N. 3, September 2001, pp. 169-174. . Nghiên cứu chế tạo và khảo sát các đặc trng Của cảm biến vi cơ đo lực Vũ Ngọc Hùng, Nguyễn Đức Chiến, Trịnh Quang Thông Trung tâm Quốc tế Đào tạo. đặt vào các cực 1 và 3, điện áp ra đợc lấy trên các cực 2 và 4. Hoạt động của cảm biến vi cơ silic đo lực dựa trên hiệu ứng áp điện trở trong vật liệu

Ngày đăng: 20/01/2014, 03:20

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w