Nghiên cứu thực nghiệm động cơ cháy do nén hỗn hợp đồng nhất HCCI trên băng thử

Nghiên cứu thực nghiệm động cơ cháy do nén hỗn hợp đồng nhất HCCI trên băng thử Nghiên cứu thực nghiệm động cơ cháy do nén hỗn hợp đồng nhất HCCI trên băng thử Nghiên cứu thực nghiệm động cơ cháy do nén hỗn hợp đồng nhất HCCI trên băng thử luận văn tốt nghiệp,luận văn thạc sĩ, luận văn cao học, luận văn đại học, luận án tiến sĩ, đồ án tốt nghiệp luận văn tốt nghiệp,luận văn thạc sĩ, luận văn cao học, luận văn đại học, luận án tiến sĩ, đồ án tốt nghiệp

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI PHẠM VŨ NAM PHẠM VŨ NAM KỸ THUẬT CƠ KHÍ ĐỘNG LỰC NGHIÊN CỨU THỰC NGHIỆM ĐỘNG CƠ CHÁY DO NÉN HỖN HỢP ĐỒNG NHẤT (HCCI) TRÊN BĂNG THỬ LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC KỸ THUẬT CƠ KHÍ ĐỘNG LỰC KHỐ 2015B Hà Nội – 2017 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI PHẠM VŨ NAM NGHIÊN CỨU THỰC NGHIỆM ĐỘNG CƠ CHÁY DO NÉN HỖN HỢP ĐỒNG NHẤT (HCCI) TRÊN BĂNG THỬ Chuyên ngành : Kỹ thuật khí động lực LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC KỸ THUẬT CƠ KHÍ ĐỘNG LỰC NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS.TS LÊ ANH TUẤN Hà Nội – 2017 LỜI CẢM ƠN Luận văn kết trình học tập suốt hai năm trường Đại học Bách khoa Hà nội trình làm luận văn thân Viện Cơ khí động lực Lời đầu tiên, em xin gửi lời cảm ơn chân thành đến PGS.TS Lê Anh Tuấn – Viện trưởng Viện Cơ khí Động lực tận tình giảng dạy hướng dẫn em hồn thành luận văn Đồng thời, em xin gửi lời cảm ơn đến PGS.TS Nguyễn Thị Thu Hương, nhiệt tình giúp đỡ bảo thêm kiến thức chuyên ngành suốt trình nghiên cứu đề tài Em xin cảm ơn thầy giảng dạy lớp cao học khóa 2015B, đặc biệt thầy cô môn Động đốt - Trường Đại học Bách khoa Hà Nội tận tình dạy dỗ, tạo điều kiện thuận lợi cho em suốt thời gian học tập trường Em gửi lời cảm ơn đến gia đình, bạn bè bên cạnh em, động viên, giúp em vượt qua khó khăn để hồn thành đề tài Mặc dù nỗ lực cố gắng, chắn luận văn khơng tránh khỏi thiếu sót Rất mong nhận ý kiến đóng góp, bổ sung thầy cô bạn bè Hà Nội, tháng 09 năm 2017 Học viên Phạm Vũ Nam LỜI CAM ĐOAN Tơi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu tơi nhóm nghiên cứu, hướng dẫn khoa học PGS.TS Lê Anh Tuấn PGS.TS Nguyễn Thị Thu Hương Các kết nghiên cứu trình bày luận văn trung thực, khách quan tính ứng dụng cao Tơi xin cam đoan giúp đỡ cho việc thực luận văn đồng ý, tự nguyện Các thông tin trích dẫn luận văn rõ nguồn gốc Tôi xin chịu trách nhiệm nghiên cứu Hà Nội, ngày 20 tháng năm 2016 Người hướng dẫn Tác giả luận văn PGS.TS Lê Anh Tuấn Phạm Vũ Nam MỤC LỤC LỜI CẢM ƠN .1 LỜI CAM ĐOAN MỤC LỤC DANH MỤC KÝ HIỆU, THUẬT NGỮ VIẾT TẮT DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU .8 DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ MỞ ĐẦU 10 Chương TỔNG QUAN 13 1.1 Khái niệm chung 13 1.2 Những ưu điểm bật công nghệ HCCI: 16 1.3 Tổng quan nghiên cứu thiết lập trình cháy HCCI động diesel 16 Phương pháp hình thành hỗn hợp cháy HCCI .18 Điều khiển lượng khí sót xylanh 22 Điều khiển hiệu suất nén 22 Điều khiển tỷ số nén .23 Điều khiển tỷ lệ luân hồi khí thải 23 Điều khiển nhiệt độ khí nạp 23 1.4 Kết luận chương .24 Chương CƠ SỞ LÝ THUYẾT 25 2.1 Đặc điểm trình cháy HCCI 25 2.2 Cơ sở lý thuyết trình HCCI 26 2.2.1 Sự hình thành hỗn hợp đồng 27 2.2.2 Đốt cháy hỗn hợp 29 2.3 Các thông số đặc trưng trình cháy 31 2.3.1 Tốc độ tỏa nhiệt xy lanh động 31 2.3.2 Xác định thời điểm bắt đầu cháy 33 2.3.3 Các thông số thị động 35 2.4 Kết luận chương 38 Chương THIẾT KẾ CẢI TIẾN ĐỘNG CƠ DIESEL SANG SỬ DỤNG NHIÊN LIỆU N-HEPTAN HOẠT ĐỘNG THEO NGUYÊN LÝ CHÁY DO NÉN HỖN HỢP ĐỒNG NHẤT 39 3.1 Các phương án chuyển đổi động diesel sang động HCCI .39 3.2 Đặc tính nhiên liệu n-heptan .40 3.3 Thiết kế hệ thống cung cấp n-heptan vào đường nạp 41 3.4 Lựa chọn sấy nóng khơng khí nạp 43 3.5 Kết luận chương .47 Chương NGHIÊN CỨU THỰC NGHIỆM 48 4.1 Động thử nghiệm 48 4.2 Nhiên liệu thử nghiệm 49 4.3 Sơ đồ bố trí thử nghiệm trang thiết bị 50 Sơ đồ bố trí thử nghiệm 50 Trang thiết bị thử nghiệm .51 4.4 Chế độ chạy thử nghiệm .55 4.5 Kết thử nghiệm thảo luận 55 Đặc tính cháy động HCCI 56 Hệ số dư lượng khơng khí thời điểm bắt đầu cháy 64 Các thông số có ích thị động HCCI 64 Phát thải động HCCI 66 KẾT LUẬN CHUNG VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN 69 TÀI LIỆU THAM KHẢO 71 PHỤ LỤC .74 PHỤ LỤC .82 DANH MỤC KÝ HIỆU, THUẬT NGỮ VIẾT TẮT A/F Tỷ lệ khơng khí nhiên liệu ARC Hoạt động cháy triệt để ATAC Hoạt động sấy nóng cho buồng cháy CA Góc quay trục khuỷu CAI Tự cháy có điều khiển CI Động diesel CIHC Nén đốt cháy hỗn hợp nạp đồng ĐCD Điểm chết ĐCĐT Động đốt ĐCT Điểm chết EGR Ln hồi khí xả FTM Kiểm sốt nhanh nhiệt độ khí nạp HCCI PFI Cháy nén hỗn hợp đồng nhất, hình thành hỗn hợp bên ngồi HCCI Cháy nén hỗn hợp đồng HCCI-DI Cháy nén hỗn hợp đồng nhất, phun trực tiếp HCLI Phun muộn hình thành hỗn hợp nạp đồng HiMICS Hệ thống phun thông minh nhiều giai đoạn hỗn hợp đồng HPLI Phun muộn hỗn hợp hòa trộn cao IVC Đóng van nạp MK Điều biến động lực học MULDIC Cháy nén hỗn hợp hình thành nhiều giai đoạn NADI Thu hẹp góc phun nhiên liệu NVO Độ trùng điệp van âm PCCI Cháy nén hỗn hợp hình thành từ trước PCI Cháy nén hỗn hợp hòa trộn PREDIC Cháy nén hỗn hợp nghèo hình thành từ trước SI Động xăng SOI Thời điểm cháy tsn Tỷ số nén UNIBUS Hệ thống cháy đồng vùng lớn λ Hệ số dư lượng khơng khí DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU Bảng Các thơng số động thí nghiệm 48 Bảng Tıń h chấ t của nhiên liê ̣u n-heptan 49 DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ Hình 1 Đặc điểm q trình cháy động diesel, xăng động HCCI .15 Hình Cấu tạo ngồi động HCCI .16 Hình Phương án để đạt trình cháy HCCI 17 Hình Sơ đồ điều khiển thời điểm cháy .17 Hình Các phương pháp hình thành hỗn hợp động HCCI 19 Hình Vùng làm việc động HCCI [4] 26 Hình 2 Ảnh hưởng phun muộn đến tốc độ tỏa nhiệt [17] .29 Hình Đặc tính toả nhiệt q trình cháy loại động [14] 30 Hình Tốc độ tỏa nhiệt xylanh theo góc quay trục khuỷu 34 Hình Đạo hàm tốc độ tỏa nhiệt xylanh theo góc quay trục khuỷu 34 Hình Phương pháp lập điểm cực đại đạo hàm tốc độ tỏa nhiệt xy lanh theo góc quay trục khuỷu .35 Hình Những hạn chế động HCCI 37 Hình Động Kobuta BD178F(E) 39 Hình Đặc tính ngồi thực tế động thử nghiệm .40 Hình 3 Đặc tính bay nhiên liệu n-heptan 41 Hình Phương án cung cấp n-heptane động HCCI 41 Hình Kết cấu đường ống nạp động Kubota BD178F(E) .42 Hình Sấy nóng khí nạp cách sử dụng sấy điện .44 Hình Vỏ sấy nóng khí nạp .46 Hình Vỏ dây sấy sấy điện 47 Hình Đường ống vào, sấy điện 47 Hình Sơ đồ bố trí thử nghiệm 50 Hình PL2 Hình ảnh thật chip cổng chức chip - Trong gồm có chân nguồn cấp cho chip, chân dùng để nạp chương trình cho chip, port pin port pin - 32 chân cấu hình linh hoạt làm đầu vào, ra, analog, pwm, truyền thông - Bộ vi xử lý cấu trúc Harvard:  Tốc độ vi xử lý lên đến 24MHz  Lệnh nhân bit × bit, ghi tích lũy 32 bit  Hoạt động tốc độ cao mà lượng tiêu hao  Dải điện áp hoạt động từ 3.0 đến 5.5V  Điện áp hoạt động giảm xuống 1.0V sử dụng chế độ kích điện áp  Hoạt động dải nhiệt độ -40oC đến 85oC - Các khối ngoại vi sử dụng độc lập kết hợp 85  12 khối ngoại vi tương tự thiết lập để làm nhiệm vụ sau:  Các ADC lên đến 10 bit  Các IDAC lên đến bit  Các khuếch đại lập trình hệ số khuếch đại  Các lọc so sánh lập trình  khối ngoại vi số thiết lập để làm nhiệm vụ:  Các định thời đa chức năng, đếm kiện, đồng hồ thời gian thực, điều chế độ rộng xung có khơng có dải an tồn (deadband)  Các module kiểm tra lỗi (CRC module)  Một truyền thông nối tiếp  Các truyền thông SPI Master Slave cấu hình  Có thể kết nối với tất chân vào - Bộ nhớ linh hoạt chip  Không gian nhớ chương trình Flash từ 4KB đến 32KB, phụ thuộc vào loại chíp với chu kỳ ghi xóa cho nhớ Flash 50.000 lần  Không gian nhớ RAM 4KB  Chíp lập trình thơng qua chuẩn nối tiếp (ISSP)  Bộ nhớ Flash nâng cấp phần  Chế độ bảo mật đa năng, tin cậy  Có thể tạo không gian nhớ Flash chip lên tới 2,034 byte  Có thể lập trình cấu hình cho chân chip  Các chân vào ba trạng thái sử dụng Trigger Schmitt  Đầu logic cung cấp dịng 25mA với điện trở treo cao thấp bên 86  Thay đổi ngắt chân  Đường tương tự cung cấp dòng tới 40mA  Đường đa chức có đến 34 đường  Xung nhịp chip lập trình  Bộ tạo dao động 12/24MHz bên (độ xác 2,5%, khơng cần thiết bị ngồi)  Bộ tạo dao động tốc độ thấp bên sử dụng cho Watchdog Sleep  Ngoại vi thiết lập sẵn  Bộ định thời Watchdog Sleep phục vụ chế độ an toàn chế độ nghỉ  Module phát điện áp thấp cấu hình người sử dụng  Công cụ phát triển  Phầm mềm phát triển miễn phí (PSoCMTM Designer, PSoC Creator)  Bộ lập trình mô với đầy đủ chức  Mô tốc độ cao PSoC khác với vi điều khiển bit thơng thường có khối số khối tương tự lập trình cho phép thực nhiều giao tiếp ngoại vi Khối số gồm có nhiều khối khả trình nhỏ cấu hình cho ứng 87 CN1 5V C8 104 GND P1.0 P1.1 P1.2 P1.3 P1.4 P1.5 P1.6 GND 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 CY1 C10 104 chip10 chip9 S3 S2 OUT6 OUT5 OUT4 OUT3 CN2 OUT2 VSS P2_0 P2_1 P2_2 P2_3 P2_4 P2_5 P2_6 P2_7 VSS P3_0 CY8C4245_AXI VCCD XRES P0_7 P0_6 P0_5 P0_4 P0_3 P0_2 P0_1 P0_0 P4_3 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 C11 104 XRES P0.2 P0.3 CN3 P4_2 22 P4_1 21 P4_0 20 VDDD 19 P3_7 18 P3_6 17 P3_5 16 P3_4 15 P3_3 14 P3_2 13 P3_1 12 5V P1 GND XRES SCLK SDAT SCLK SDAT VDDD VDDA VSSA P1_0 P1_1 P1_2 P1_3 P1_4 P1_5 P1_6 P1_7 10 11 5V GND P4.2 CT2 CT1 OUT1 Nap CPU PSOC CN4 Hình PL2 Sơ đồ nguyên lý khối CPU - Thiết kế mạch hiển thị Nhiệm vụ mạch hiển thị thiết bị hiển thị thông báo trạng thái thiết bị liệu GPS thu thập Đề tài lựa chọn sử dụng hiển thị LCD ưu điểm sau: Dễ quan sát, có đèn Backlight phù hợp với ánh sáng ban đêm Lượng thông tin thể LCD đa dạng, cho phép hiển thị đầy đủ thông tin yêu cầu (loại LCD hiển thị x 40 kí tự) Ghép nối đơn giản, thuận tiện với VXL Tiêu thu lượng nguồn thấp 88 Các thơng tin cần hiển thị hình đồng hồ: Các tham số lựa chọn hiển thị LCD: - Hiển thị nhiệt độ - Các thơng số kỹ thuật cần thiết khác Ngồi theo điều kiện yêu cầu cụ thể, bổ sung thông số hiển thị khác cần thiết Lựa chọn LCD sử dụng loại modun tích hợp TC2004 loại modun LCD thông dụng thị trường, có độ bền độ tin cậy cao LCD TC2004-03 có thơng số kỹ thuật : - Nguồn cấp 5VDC - Dải nhiệt độ làm việc: -20÷700C - Phơng chữ màu đen, ánh sáng màu xanh Điện áp điều khiển: mức TTL Hình PL2 Hình ảnh LCD 2004-03 Do phần mềm lập trình Psoc designer mà đề tài sử dụng để cài đặt cho VXL hỗ trợ thư viện sẵn cho việc giao tiếp LCD, chương trình cần lựa chọn cổng giao tiếp thiết kế mạch đảm bảo kết nối chân thứ tự Trong thiết kế mạch, cổng P2 chíp Psoc lựa chọn làm cổng giao tiếp, sơ đồ nối chân cụ thể mạch giao tiếp chíp Psoc với LCD thể bảng sau: 89 Bảng Sơ đồ đấu nối chân vi xử lý Psoc Chân VXL Psoc Chân LCD Mô tả Port2.0 DB4 Data Bit Port2.1 DB5 Data Bit Port2.2 DB6 Data Bit Port2.3 DB7 Data Bit Port2.4 E LCD Enable Port2.5 RS Register Select Port2.6 R/W Read/ Not Write Do LCD dùng chung nguồn 5VDC với VXL Psoc nên chân LCD chân VXL kết nối trực tiếp mà không cần thêm phần tử IC hay mạch chuyển đổi Trong sơ đồ mạch ghép nối LCD VXL, điện trở R20 dùng để điều chỉnh độ tương phản phơng chữ, có giá trị lựa chọn 1500Ω, điện trở R10 dùng để điều chỉnh độ sáng đèn back light, chọn giá trị 560Ω 90 5V LCD1 R20 1.5k R22 560 P1.5 P1.6 P1.4 RS RW E P1.0 P1.1 P1.2 P1.3 DB4 DB5 DB6 DB7 10 11 12 13 14 15 16 DISPLAY GND Hình PL2 Sơ đồ ghép nối LCD - Thiết kế khối nguồn nuôi 5Vin LM2576_2 24v 2 L3 Inductor Iron * C5 L1 10mH 2200U D1 SS14 Hình PL2 Sơ đồ nguyênlý khối nguồn 5V Trong mạch khối nguồn đóng vai trị biến đổi từ điện áp 24VDC sang điện áp 5VDC cung cấp cho CPU mạch trung tâm mạch điều khiển động thiết bị ngoại vi khác Có nhiều loại IC nguồn chuyên dụng LM7805 cung cấp 91 5V dòng 1A, LM317ADJ, LM2576 5V , nhiên IC LM2576 sử dụng rộng rãi, cung cấp dòng 2A, điện áp dịng điện đầu ổn định, phát nóng Vì tác giả lựa chọn sử dụng LM2576 làm IC nguồn Thiết kế khối công suất 18V D5 5V FR207 U1 P0.2 R6 560 N/C + N/C VCC V0 V0 GND R5 10 C12 10uF TLP250 Q3 60n06 R7 D6 18V 10K D7 GND 5V R6 560 FR207 U2 N/C + N/C VCC V0 V0 GND Q4 60n06 R10 10 R11 24V D8 18V 10K C14 10uF TLP250 P2 GND DONG CO D11 5V R21 560 FR207 U5 N/C + N/C VCC V0 V0 GND R16 10 TLP250 Q5 60n06 R17 C17 10uF D12 18V 10K GND D13 5V P0.3 R21 560 FR207 U6 N/C + N/C TLP250 VCC V0 V0 GND Q6 60n06 R18 10 C19 10uF R19 10K D14 18V GND Hình PL2 Sơ đồ ngun khối cơng suất - Thiết kế khối đầu vào đặt nhiệt độ Trong khối đặt nhiệt độ đầu vào gồm biến trở 1K dùng để phân áp đưa vào Vi điều khiển Khi người cài đặt xoay biến trờ điện điện áp đưa vào vi điều khiển thay đổi theo Vi điều khiển đo điện áp tính tốn giá trị nhiệt độ đặt 92 5V Rx RPot 1K bientro Cx Cap 100pF GND Hình PL2 Sơ đồ khối đặt nhiệt độ Thiết kế khối đầu đo nhiệt độ 5V LM35 Nhietdo Header GND Hình PL2 Sơ đồ nguyên lý khối đo nhiệt độ 93 NGUON 5V NGUON1 24V 100uF * D4 C3 220u R1 330R 2 LM2576 R2 4k7 24V SS34 H10 L1 LM1 D1 C1 220u D3 1N5822 C4 104 C2 104 D2 18V D5 5V GND GND GND FR207 U1 P0.2 5V R6 560 N/C + N/C CN1 VCC V0 V0 GND R5 10 C12 10uF TLP250 Q3 60n06 R7 D6 18V 10K D7 LM35 5V C8 GND Nhietdo 104 5V GND Header P1.0 P1.1 P1.2 P1.3 P1.4 P1.5 P1.6 R6 560 GND FR207 U2 N/C + N/C VCC V0 V0 GND 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 OUT2 P1 LCD1 GND D11 P0.2 P0.3 CN3 5V R21 560 FR207 U5 N/C + N/C VCC V0 V0 GND R16 10 Q5 60n06 R17 C17 10uF TLP250 D12 18V 10K GND D13 5V GND Nap P4.2 DB4 DB5 DB6 DB7 C11 104 XRES P0.3 R21 560 FR207 U6 N/C + N/C TLP250 VCC V0 V0 GND Q6 60n06 R18 10 C19 10uF R19 10K D14 18V P1.0 P1.1 P1.2 P1.3 10 11 12 13 14 15 16 5V CT2 CT1 RS RW E 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 GND XRES SCLK SDAT OUT1 GND P1.5 R20 P1.6 1.5k P1.4 CY8C4245_AXI VCCD XRES P0_7 P0_6 P0_5 P0_4 P0_3 P0_2 P0_1 P0_0 P4_3 SCLK SDAT VSS P2_0 P2_1 P2_2 P2_3 P2_4 P2_5 P2_6 P2_7 VSS P3_0 P4_2 22 P4_1 21 P4_0 20 VDDD 19 P3_7 18 P3_6 17 P3_5 16 P3_4 15 P3_3 14 P3_2 13 P3_1 12 5V 5V VDDD VDDA VSSA P1_0 P1_1 P1_2 P1_3 P1_4 P1_5 P1_6 P1_7 GND 10 11 chip10 chip9 S3 S2 OUT6 OUT5 OUT4 OUT3 CN2 Cx Cap 100pF R22 560 CY1 C10 104 bientro 24V D8 18V 10K GND Rx RPot 1K 10 R11 C14 10uF TLP250 5V Q4 60n06 R10 CPU PSOC CN4 GND DISPLAY Hình PL2 10 Sơ đồ nguyên lý tổng mạch điều khiển sấy nóng khí nạp 2.4.Thiết kế sơ đồ mạch in mạch điều khiển sấy nóng khí nạp 94 Hình PL2 11 Sơ đồ mạch in mạch điều khiển sấy nóng khí nạp Hình PL2 12 Hình ảnh mặt mạch điều khiển sấy nóng khí nạp 2.5 Xây dựng chương trình điều khiển sấy nóng khí nạp Lưu đồ thuật tốn hay sơ đồ khối công cụ trực quan để diễn đạt thuật toán Biểu diễn thuật toán lưu đồ giúp người đọc theo dõi phân cấp trường hợp q trình xử lý thuật tốn Phương pháp lưu đồ thường dùng thuật tốn có tính rắc rối, khó theo dõi q trình xử lý Việc thiết kế chương trình cho vi điều khiển xây dựng lưu đồ thuật tốn để xác định rõ ràng, xác trực quan phương hướng thiết kế (lập trình) chương trình vi điều khiển 2.5.1 Xây dựng cấu trúc điều khiển ysp e - u Bộ điều Đối tượng khiển Đo lường T Hình PL2 13 Sơ đồ khối hệ thống điều khiển 95 y Đa phần mạch phản hồi hệ thống điều khiển mạch phản hồi âm.Khi tiến hành phân tích hệ thống tốt hay xấu hay thiết kế điều khiển cho hệ thống phải xuất phát từ mơ hình tốn học hệ thống hay nói cách khác ta phải tìm quan hệ đầu vào đầu hệ thống Có thể nói lĩnh vực điều khiển, điều khiển PID xem giải pháp đa cho ứng dụng điều khiển tương tự hay điều khiển số Hơn 90% điều khiển công nghiệp sử dụng điều khiển PID có khả điều khiển hệ thống đáp ứng tốt tiêu chất lượng đáp ứng nhanh, thời gian độ ngắn, độ điều chỉnh thấp, triệt tiêu sai lệch tĩnh PKpe(t) Setpoi + Erro ∑ I ∑ Proces Output _ D Hình PL2 14 Bộ điều khiển PID Sử dụng điều khiển PID để điều chỉnh sai lệch giá trị đo hệ thống (process variable) với giá trị đặt (setpoint) cách tính tốn điều chỉnh giá trị điều khiển đầu Một điều khiển PID gồm thành phần: P (proportional) – tạo tín hiệu điều khiển tỉ lệ với sai lệch (error – e), I (integral) – tạo tín hiệu điều khiển tỉ lệ với tích phân theo thời gian sai lệch, D (derivative) – tạo tín hiệu điều khiển tỉ lệ với vi phân theo thời gian sai lệch 2.5.2 Xây dựng lưu đồ thuật toán 96 Trong việc điều khiển ổn định nhiệt độ nhiệm vụ then chốt, việc xác định xác nhiệt độ khí nạp là quan trọng Từ nhiệt độ khí nạp nhiệt độ đặt vi điều khiển tính tốn sai số nhiệt độ đặt nhiệt độ thực tế khí nạp đưa tín hiệu điều khiển cho van cơng suất điều chỉnh điện áp đặt lên điện trở nhiệt cho phù hợp Phân tích lưu đồ thuật tốn: - Bắt đầu : khởi tạo biến đầu vào, đầu ra, tham số cho điều khiển - Tiếp theo đọc giá trị nhiệt độ từ cảm biến nhiệt độ Tđo nhiệt độ đặt Tđặt - Sai số nhiệt độ đo nhiệt độ đặt tính tốn: DeltaT = Tđo – Tđặt DeltaT phản ánh sai số - Tiếp theo tính tốn khâu vi phân nhằm dự đốn tốc độ biến thiên nhiệt độ: Tylecu = Tylemoi Tylemoi = DeltaT ViPhan = Tylecu – Tylemoi - Khâu tích phân tổng hợp sai số khứ: Tichphan += DeltaT - Sai số cần đặt lên điều khiển tính tốn theo cơng thức: Saiso = Kp* DeltaT +Ki*TichPhan + Kd*Viphan Vòng phản hồi thực liên tục trình hoạt động 97 Bắt đầu Khởi tạo giá trị Kp, KI, Kd Đọc tiến hiệu cảm biến nhiệt độ Tđo, đọc tín hiệu đặt nhiệt độ Tđặt Sai lệch nhiệt độ: DeltaT = Tđo – Tđặt Tylecu = Tylemoi Tylemoi = DeltaT ViPhan = Tylecu – Tylemoi Tichphan += DelataT Saiso = Kp*DeltaT +Ki*TichPhan + Kd*Viphan Đưa tín hiệu điều khiển Hiển thị thơng số Hình PL2 15 Sơ đồ thuật tốn điều khiển nhiệt độ sấy điện 98 99 ... khí nạp HCCI PFI Cháy nén hỗn hợp đồng nhất, hình thành hỗn hợp bên ngồi HCCI Cháy nén hỗn hợp đồng HCCI- DI Cháy nén hỗn hợp đồng nhất, phun trực tiếp HCLI Phun muộn hình thành hỗn hợp nạp đồng. .. PHẠM VŨ NAM NGHIÊN CỨU THỰC NGHIỆM ĐỘNG CƠ CHÁY DO NÉN HỖN HỢP ĐỒNG NHẤT (HCCI) TRÊN BĂNG THỬ Chuyên ngành : Kỹ thuật khí động lực LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC KỸ THUẬT CƠ KHÍ ĐỘNG LỰC NGƯỜI... PCCI Cháy nén hỗn hợp hình thành từ trước PCI Cháy nén hỗn hợp hòa trộn PREDIC Cháy nén hỗn hợp nghèo hình thành từ trước SI Động xăng SOI Thời điểm cháy tsn Tỷ số nén UNIBUS Hệ thống cháy đồng