[r]
(1)1 giáo dục đào tạo
-kỳ thi tuyển sinh đh, cđ năm 2002 đáp án thang điểm đề thức
m«n Thi: vËt lý
Chú ý: Các điểm 1/4* phần điểm chấm thêm cho thí sinh thi h cao ng.
Câu 1: (1điểm)
- Máy quang phổ hoạt động dựa vào t−ợng tán sắc ánh sáng ……… - Bộ phận thực tán sắc lăng kính ……… - Nguyên nhân t−ợng tán sắc ánh sáng là: Chiết suất môi tr−ờng suốt ánh sáng đơn sắc khác khác phụ thuộc vào b−ớc sóng (hoặc màu) ánh sáng ………
1/4 1/4
1/2 Câu 2: (1điểm)
a) Khi ng−ời nhạc cụ phát âm có tần số f1 đồng thời phát hoạ âm có tần số f2 = 2f1 , f3 = 3f1 , f4 = 4f1 v.v… ……… Nhạc âm thực tế phát tổng hợp âm hoạ âm, khơng thể biểu diễn đ−ợc đ−ờng hình sin theo thời gian ………
b) Ng−ỡng nghe giá trị nhỏ c−ờng độ âm gây nên cảm giác âm.
Ng−ỡng đau giá trị lớn c−ờng độ âm mà tai cịn có cảm giác âm bình th−ờng ch−a gây cảm giác đau cho tai ………
MiỊn n»m gi÷a ngỡng nghe ngỡng đau miền nghe đợc tai
Vì ngỡng nghe ngỡng đau phụ thuộc vào tần số âm nên miền nghe đợc phụ
thuộc vào tần số
1/4 1/4
1/4
1/4 Câu 3: (1điểm)
W toàn mạch = W® max =
2 12 , 10 2
CU2 −10
= = 1,44.10-12 J ……… Máy thu thu đ−ợc sóng mạch chọn sóng xảy cộng h−ởng: tần số sóng tới tần số riêng mạch dao động: ………
L c C LC
1 f
c f
2
2
π λ = ⇒ π
= = λ
= ………
- Víi λ = λ1 = 18.π m th× C1 = 2 8 2 6
10 ) 10 (
) 18 (
−
π
π
= 0,45.10-9 F.
- Víi λ = λ2 = 240.π m th× C2 =
6
8
2
10 ) 10 (
) 240 (
−
π
π
= 80.10-9F
VËy: 0,45.10-9 F ≤ C ≤ 80.10-9F. ………
1/4 1/4 1/4
1/4 Câu 4: (1điểm)
Giả sử có k1 lần phân rà k2 lần phân rà , ta có phơng trình chuỗi ph©n r·:
( ) ( )k Pb k
Th 1 42 2 0Z 20882
232
90 → α + β + ………
víi z lµ điện tích , có giá trị +1 phóng xạ +, -1 -.
Theo định luật bảo toàn số khối bảo toàn ngun tử số ta có hệ ph−ơng trình:
+ + =
+ + =
82 zk k 90
208 k
k 232
2
2
Giải hệ, đợc:
208 232
k1 = − = vµ z.k2 = - Do k2 ≥ 0, nªn z < Vậy: - hạt
có lần phóng xạ lần phóng x¹ β- ………
1/4
1/4 1/4
1/4
(2)2 Câu 5: (1điểm)
1) Khoảng cách từ mắt đến điểm cực viễn: OCV = 12,5 + 37,5 = 50cm Kính đặt sát mắt nên tiêu cự kính: f = - OCV = - 50cm = - 0,5 m ⇒ Độ tụ kính: D =
5 , f
−
= = -2 ®i èp ………
- Nếu kính thấu kính hội tụ ảnh ảo nằm tr−ớc kính từ sát kính đến xa vơ nghĩa ln có vị trí đặt vật cho ảnh ảo nằm giới hạn nhìn rõ mắt mắt ln nhìn rõ đ−ợc vật Đối với thấu kính phân kì ảnh vật ảo nằm khoảng từ kính đến tiêu điểm ảnh F ⇒ F nằm bên điểm cực cận mắt khơng thể nhìn rõ đ−ợc vật nào:
OF < OCC ⇒ - f < 12,5cm ⇒ f > - 12,5cm = - 0,125m ⇒ D =
125 ,
1 f
1 −
< = -8 ®i èp
Vậy đeo kính có độ tụ D < - ốp ng−ời khơng thể nhìn thấy rõ
vật trớc mắt
2) Khi gng lựi đến vị trí mà ảnh mắt g−ơng lên điểm cực cận CC mắt phải điều tiết tối đa, tiêu cự thuỷ tinh thể nhỏ Khi đ−a xa, khoảng cách mắt ảnh tăng lên tiêu cự thuỷ tinh thể tăng dần để ảnh rõ nét võng mạc Khi ảnh lên điểm cực viễn CV mắt khơng phải điều tiết, thuỷ tinh thể có tiêu cự lớn ……… ảnh qua g−ơng phẳng có độ cao vật, đối xứng với vật qua g−ơng không phụ thuộc vào khoảng cách từ vật đến g−ơng Tuy nhiên góc trơng ảnh giảm khoảng cách từ ảnh đến mắt tăng lên ………
1/4
1/4
1/4
1/4 Câu 6: (1điểm)
Vt m chịu lực tác dụng: trọng lực P lực đàn hồi lị xo vị trí cân (VTCB) lị xo giãn ∆l, ta có ph−ơng trình:
P = F0 ⇒ mg = k∆l ⇒ ∆l = 0,025m 2,5cm
100 10 25 , k mg
= =
= ……… ………
Ph−ơng trình dao động có dạng: x = Asin(ωt + ϕ)
TÇn sè gãc: 20 25 , 100 m
k
= =
=
ω rad/s
ở thời điểm thả vật lị xo giãn 7,5cm tức cách VTCB đoạn 7,5 - 2,5 = 5cm nằm phía âm trục toạ độ, thời điểm t = vật có:
li độ: x = Asinϕ = -5cm vận tốc: v = ωAcosϕ = ⇒ A = 5cm ϕ = - π/2
Do ph−ơng trình dao động x = 5sin(20t - π/2) (cm) ……… Các thời điểm vật qua vị trí lị xo khơng biến dạng (vật có li độ x = 2,5 cm) nghiệm ph−ơng trình 5sin(20t - π/2) = 2,5 ………
⇒ sin(20t - π/2) = 0,5
) s ( 10 / k /15 t
) s ( 10 / k /30 t
2k /6 /2 -20t
2k /6 /2 -20t
2
1
2
1
π + π =
π + π = ⇒ π + π = π
π + π = π ⇒
víi k1, k2 = 0, 1, 2, (do t 0)
Lần vật qua vị trí lò xo không biến dạng ứng với giá trị nhỏ t, tức là:
tmin = (π/30) s ………
1/4
1/4 1/4
1/4
m k
O F0
+
P
(3)3 Câu 7: (1điểm)
Theo công thức Anhxtanh tợng quang điện:
−
λ =
⇒ +
=
λ A
hc m
2 v
v m A hc
e max
0
max
e ………
Thay sè: 3.10 4.10 m/s 10
533 ,
10 10 625 , 10 ,
2
v 19
6 34 31
max
0 =
−
= −
− −
− ………
Khi êlectrôn chuyển động từ tr−ờng có Br h−ớng vng góc với vr chịu tác dụng lực Lorenxơ FL có độ lớn khơng đổi ln vng góc với vr, nên êlectrơn chuyển động theo quỹ đạo trịn lực FL đóng vai trị lực h−ớng tâm:
eB v m r r
v m F Bve
F e
2 e ht
L = = = ⇒ = ………
Nh− êlectrôn có vận tốc v0max có bán kính quỹ đạo cực đại: r = R
C¶m øng tõ: 10 T
10 75 , 22 10 ,
10 10 , eR
v m
B
3 19
5 31 max
0
e −
− −
−
= =
= ………
1/4
1/4
1/4
1/4 Câu 8: (1điểm)
1) ảnh vật sáng AB qua gơng cầu lồi ảo, nằm sau gơng, cïng chiỊu vËt Nh− vËy: d' < vµ k > Vậy khoảng cách ảnh vật: L = 60cm = d + |d'| = d - d' Cßn k =
d ' d
− = 0,5 ……… ⇒ d = 40cm, d' = - 20cm ⇒ fg = 40cm
) 20 ( 40
) 20 ( 40 ' d d
'
dd =−
− +
− =
+ ………
VÏ ¶nh: ………
2) Sơ đồ tạo ảnh:
Khi dịch chuyển vật AB, điểm B dịch chuyển đ−ờng thẳng song song với trục chính, tia tới từ B song song với trục khơng đổi, nên tia ló qua hệ không đổi qua ảnh B3 Mà ảnh có độ cao khơng đổi tức B3 dịch chuyển đ−ờng thẳng song song với trục Vậy hệ thấu kính g−ơng có tính chất: chùm tia tới song song với trục (t−ơng đ−ơng với vật xa vơ cùng) cho chùm tia ló song song với trục (t−ơng đ−ơng với ảnh cuối xa vô cùng) ……… ⇒
− = =
− = = ⇒
∞ =
∞ =
' k
3
2 k
' '
3
d a f d
d a f d d
d
⇒
40 d
d 40 f
d f d d d
2 g
2 g '
2
2 +
− = − =
= ⇒
− =
= cm 80 d
0 d
2
- Víi d2 = th×: fk = a - d2 = 20cm
- Víi d2 = -80cm th×: fk = a - d2 = 20 - (-80) = 100cm ………
1/4* 1/4* 1/4 1/4
1/4
1/4 AB O A1B1 G A2B2
O
A3B3 d1 d1' d2 d2' d3 d3' A
B
A ' B '
F O
(4)4 Câu 9: (1điểm)
1) Khi mắc ampe kế vào M N đoạn mạch gồm C R2 bị nối tắt, mạch R1 nối tiếp với L, dòng điện trễ pha so với hiệu điện thÕ ⇒ ϕ = 600
P = UIcosϕ ⇒ U = 120V
, ,
18 cos
I P
= =
ϕ ………
R1 = P/I
= 18/0,32 = 200Ω ………
3 200 R Z R Z
tg L 1
1
L = ⇒ = = Ω
=
ϕ ………
⇒ L = 3H 0,55H f
2 ZL
≈ π =
π ………
2) Kí hiệu UAM = U1, UMN = U2 = 60V Vẽ giản đồ véc tơ Theo định lý hàm số cosin:
V 60 , 60 120 60 120 60
cos UU U U
U 2
2 2
1 = + − = + − = ……
I2 = U1cos600/R
1 = 60 3.0,5/200=0,15 3A
C¸c tỉng trë:
ZPQ = + = = Ω 400 I
U Z R
2 2 C
2 (1)
Z =
3 800 I
U ) Z Z ( ) R R (
2 C L 2
1 + + − = = Ω
3 800 )
Z 200 ( ) R 200
( + 2 + − C = (2) Giải hệ phơng trình (1) (2) thu đợc:
R2 = 200Ω; ZC = 200/ 3Ω
⇒ F 1,38.10 F
10 fZ
2
C
4
C
− −
≈ π = π
= ………
1/4* 1/4 1/4*
1/4
1/4
1/4 Câu 10: (1điểm)
1) So sánh phóng xạ phân hạch: Có điểm giống quan trọng:
+ Đều phản ứng hạt nhân + Đều phản ứng toả lợng Có điểm khác quan trọng:
+ Phúng xạ xảy tự động không phụ thuộc vào điều kiện khách quan bên ngồi khơng điều khiển đ−ợc, cịn phân hạch xảy khơng xảy phụ thuộc vào việc hạt nhân nặng có hấp thụ đ−ợc nơtrơn hay khơng Phân hạch xảy phản ứng dây chuyền, cịn phóng xạ không xảy dây chuyền đ−ợc ……… + Các hạt tạo phóng xạ xác định, cịn sản phẩm phân hạch khác đồng vị lại khác khơng xác định ……… 2) Năng l−ợng toả phóng xạ 23492 U→42He+23090Thlà:
E = (M0 - M)c2 = (mU - mTh - mα)c2 Từ định nghĩa độ hụt khối:
∆mU = 92mp + (234 - 92)mn - mU ⇒ mU = 92mp + 142mn - ∆mU T−¬ng tù: mTh = 90mp + 140mn - ∆mTh; mα = 2mp + 2mn - ∆mα
⇒ E = ∆mαc2 + ∆mThc2- ∆mU c2 = Aαεα + AThεTh - AUεU ……… Trong đó: εα, εTh,εU Aα, ATh,AU t−ơng ứng l−ợng liên kết riêng số khối hạt α, Th230 U234
Thay sè: E = 4.7,1 + 230.7,7 - 234.7,63 = 13,98 ≈ 14MeV ………
HÕt
-1/4* 1/4
1/4* 1/4
1/4
1/4
I UL
U
UR2 UR1 U1
U2 UC
600
600
O
dethivn.com