Nghiên cứu tối ưu điện cực điểm mặt sau của pin năng lượng mặt trời dựa trên đế silic đa tinh thể

Danh mục các chữ viết tắt

Danh mục các ký hiệu

Lời mở đầu

TỔNG QUAN

MÔ HÌNH GIẢI TÍCH VÀ PHƯƠNG PHÁP TỐI ƯU HÓA ĐIỆN CỰC ĐIỂM MẶT SAU CỦA PIN NĂNG LƯỢNG MẶT TRỜI

Mô hình hai diode của pin năng lượng mặt trời
Mô hình giải tích vận tốc tái hợp bề mặt hiệu dụng
- Mô hình giải tích vận tốc tái hợp bề mặt
- Mô hình điện trở nối tiếp trong vùng đế
Phương pháp tối ưu mô hình điện cực điểm mặt sau
- Mô hình mô phỏng
- Phương pháp tối ưu mô hình điện cực điểm mặt sau

TỐI ƯU ĐIỆN CỰC ĐIỂM MẶT SAU CỦA PIN NĂNG LƯỢNG MẶT TRỜI

Điện trở nối tiếp vùng đế
So sánh phương pháp sử dụng mô hình giải tích và phương pháp phần tử hữu hạn
Áp dụng mô hình điện cực điểm vào pin năng lượng mặt trời dựa trên đế UMG-Si
- Mật độ dòng bão hòa diode
- Đường đặc trưng mật độ dòng thế
Mật độ dòng ngắn mạch và thế hở mạch
Hệ số lấp đầy và hiệu suất chuyển đổi của pin
- Sự phụ thuộc của hệ số lấp đầy và hệ số chuyển đổi vào kích thước của điện cực
- Sự thay đổi của hiệu suất vào vật liệu được sử dụng làm điện môi
Quy trình chế tạo điện cực điểm mặt sau bằng phương pháp khắc chọn lọc
- Quy trình chế tạo pin năng lượng mặt trời
- Quy trình chế tạo điện cực điểm mặt sau bằng phương pháp khắc chọn lọc

Kết luận và hướng phát triển đề tài

Tài liệu tham khảo

Phụ lục