A FGT-NAND memory array was successfully designed and demonstrated using only ferroelectric- gate thin film transistors with solution-processed channel and gate insulator. A wide memory [r]
Đang tải... (xem toàn văn)
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
| Định dạng | |
|---|---|
| Số trang | 7 |
| Dung lượng | 800,16 KB |
Nội dung
A FGT-NAND memory array was successfully designed and demonstrated using only ferroelectric- gate thin film transistors with solution-processed channel and gate insulator. A wide memory [r]
Ngày đăng: 27/01/2021, 02:41
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG
TÀI LIỆU LIÊN QUAN