1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Áp dụng chương trình egsnrc để tính tham số liều cho nguồn xạ trị áp sát model 9011 thinseedtm

70 20 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Cấu trúc

  • BÌA

  • MỤC LỤC

  • DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU

  • DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ ĐỒ THỊ

  • TỔNG QUAN

  • CHƯƠNG 1: XẠ TRỊ ÁP SÁT VÀ PHƯƠNG PHÁP TÍNH LIỀU QUANH NGUỒN XẠ

    • 1.1 Giới thiệu về xạ trị áp sát:

      • 1.1.1 .Phân loại

      • 1.1.2 Về kỹ thuật xạ trị áp sát:

    • 1.2 Phương pháp tính suất liều của nguồn xạ dùng trong xạ trị áp sát:

      • 1.2.1 Liều hấp thụ D

      • 1.2.2 Suất liều hấp thụ

  • CHƯƠNG 2: PHƯƠNG PHÁP MONTE CARLO VÀ CHƯƠNG TRÌNH TÍNH LIỀU EGSnrc

    • 2.1 Phương pháp mô phỏng Monte Carlo:

    • 2.2 Mô phỏng Monte Carlo trong vận chuyển photon

      • 2.2.1 Quá trình tương tác photon[12]:

      • 2.2.2 Vận chuyển photon:

    • 2.3 Giới thiệu chương trình EGSnrc :

      • 2.3.1 Giới thiệu chung[3]:

      • 2.3.2 Nhập dữ liệu cấu trúc hình học và vật liệu

        • 2.3.2.1 Nhập dữ liệu đối với cấu trúc hình học:

        • 2.3.2.2 Nhập dữ liệu cho vật chất:

      • 2.3.3 Điều khiển các thông số vận chuyển Monte Carlo

      • 2.3.4 Vùng ghi liều:

  • CHƯƠNG 3: ÁP DỤNG CHƯƠNG TRÌNH EGSnrc ĐỂ KHẢO SÁT SỰ PHÂN BỐ LIỀU QUANH NGUỒN XẠ MODEL 9011 THINSEEDTM.

    • 3.1 Thiết lập các thông số và cấu trúc hình học cho nguồn dùng trong EGSnrc

      • 3.1.1 Giới thiệu về nguồn Model 9011 THINSeedTM:

      • 3.1.2 Thành phần cấu tạo và cấu trúc của nguồn[16]:

      • 3.1.3 Khai báo các thông số cho chương trình EGSnrc:

    • 3.2 Tính các giá trị g ( r ) và F ( r, ) của nguồn :

      • 3.2.1 Kết quả của hàm g (r)

      • 3.2.2 Kết quả hàm F(r, )

  • KẾT LUẬN CHUNG

  • HƯỚNG PHÁT TRIỂN

  • NGUỒN TÀI LIỆU THAM KHẢO

  • PHỤ LỤC

Nội dung

Ngày đăng: 01/01/2021, 14:00

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w