Nghiên cứu phương pháp mới xác định các thông số kỹ thuật của đầu dò nai (t1)

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM TP HỒ CHÍ MINH KHOA VẬT LÍ TRƯƠNG THÀNH SANG KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP NGHIÊN CỨU PHƯƠNG PHÁP MỚI XÁC ĐỊNH CÁC THƠNG SỐ KỸ THUẬT CỦA ĐẦU DỊ NaI(Tl) Chuyên ngành: Vật lí Hạt nhân TP Hồ Chí Minh –năm 2019 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM TP HỒ CHÍ MINH KHOA VẬT LÍ NGHIÊN CỨU PHƯƠNG PHÁP MỚI XÁC ĐỊNH CÁC THƠNG SỐ KỸ THUẬT CỦA ĐẦU DÒ NaI(Tl) Người hướng dẫn khoa học: TS HOÀNG ĐỨC TÂM Người thực hiện: TRƯƠNG THÀNH SANG TP Hồ Chí Minh –năm 2019 LỜI CẢM ƠN Trong trình học tập nghiên cứu khoa Vật lý trường Đại học Sư phạm thành phố Hồ Chí Minh để hồn thành chương trình Cử nhân Vật lý khóa 41, tơi xin chân thành cảm ơn thầy hướng dẫn Ts Hoàng Đức Tâm tận tâm bảo giúp đỡ nhiều trình làm khóa luận Bên cạnh đó, ngày làm việc nhóm nghiên cứu hướng dẫn Thầy Hồng Đức Tâm phịng thí nghiệm Vật lý Hạt nhân mang lại cho nhiều kiến thức phương pháp làm việc khoa học, điều tạo cho niềm đam mê u thích lĩnh vực mà tơi đào tạo trường Tôi xin chân thành cảm ơn ThS Huỳnh Đình Chương hỗ trợ tơi nhiều q trình thực mơ thực nghiệm luận văn Tôi xin cảm ơn quý Thầy, Cô khoa Vật lý trường Đại học Sư phạm thành phố Hồ Chí Minh truyền đạt cho tơi kiến thức chun mơn q trình học tập nghiên cứu trường Tơi xin cảm ơn gia đình, bạn bè thành viên nhóm nghiên cứu ủng hộ giúp đỡ tơi lúc khó khăn trình học tập DANH MỤC KÝ HIỆU VÀ CHỮ CÁI VIẾT TẮT Chữ viết tắt FEPE NaI(Tl) ENIAC MCNP MCS MCN MCNG ANSI DANH MỤC BẢNG Bảng 2.1 Các loại mặt định nghĩa MCNP5 12 Bảng 2.2 Các định nghĩa tham số MCNP5 13 Bảng 3.1 Các thơng số đầu dị NaI(Tl) 21 Bảng 3.2 Thông số nguồn phóng xạ 23 Bảng 3.3 Dữ liệu hệ số suy giảm khối từ Nist thông số lớp phản xạ từ nhà sản xuất 26 Bảng 4.1 Dữ liệu mô hiệu suất đỉnh lượng 31 keV theo mật độ lớp phản xạ phía trước đầu dị NaI(Tl) 31 Bảng 4.2 Dữ liệu mô hiệu suất đỉnh lượng 31 keV theo mật độ lớp phản xạ phía trước đầu dị NaI(Tl) 32 Bảng 4.3 Dữ liệu thực nghiệm mật độ tối ưu lớp phản xạ nội suy từ liệu hàm khớp 33 Bảng 4.4 Dữ liệu mô hiệu suất đỉnh lượng 31 keV, 81 keV theo bán kính tinh thể NaI(Tl) 34 Bảng 4.5 Dữ liệu mô hiệu suất đỉnh lượng 32 keV, 59 keV theo bán kính tinh thể NaI(Tl) 35 Bảng 4.6 Dữ liệu mô hiệu suất đỉnh lượng 121 keV theo bán kính tinh thể NaI(Tl) 36 Bảng 4.7 Dữ liệu so sánh mô hiệu suất đỉnh lượng theo mô thực nghiệm 38 Bảng 4.8 Dữ liệu mô hiệu suất đỉnh lượng 662 keV 964 keV theo chiều tinh thể NaI(Tl) 39 Bảng 4.9 Dữ liệu mô hiệu suất đỉnh lượng 1173 keV 1274 keV theo chiều tinh thể NaI(Tl) 40 Bảng 4.10 Dữ liệu mô hiệu suất đỉnh lượng 1332 keV 1408 keV theo chiều tinh thể NaI(Tl) 41 Bảng 4.11 Dữ liệu mô hiệu suất đỉnh lượng hiệu suất thực nghiệm 43 Bảng 4.12 Dữ liệu mô hiệu suất đỉnh lượng hiệu suất thực nghiệm mơ hình ban đầu mơ hình tối ưu ba thơng số 44 DANH MỤC HÌNH Hình 1.1 Đường cong lượng electron bề mặt kim loại, electron lớp vỏ hấp thụ photon lượng bật khỏi kim loại Hình 1.2 Hiệu ứng Compton Hình 1.3 Hiệu ứng tạo cặp Hình 1.4 Các hiệu ứng xảy xạ truyền từ nguồn tới đầu dị Hình 1.5 Phổ đo xạ gamma lượng 1408 keV Hình 3.1 Cơ chế phát ánh sáng tinh thể NaI(Tl) 17 Hình 3.2: Hình mơ tả góc khối nguồn phóng xạ đầu dị NaI(Tl) 19 Hình 3.3 Hình học đầu dị NaI(Tl) mơ phần mềm MCNP5 .20 Hình 3.4 Mơ thí nghiệm chương trình MCNP5 22 Hình 3.5 Nguồn đặt cách đầu dò 40 cm, sử dụng hệ thống điều khiển để điều chỉnh khoảng cách với sai số 0,01 mm 23 Hình 3.6 Ảnh chụp mô đường chùm tia gamma chương trình MCNP5 24 Hình 3.7 Ảnh chụp mơ nguồn phát photon để lại lượng bề mặt đầu dị 27 Hình 3.8 Đường biểu diễn hiệu suất nội đầu dò NaI(Tl) theo tỉ số d/R .28 Hình 3.9 Ảnh chụp mơ nguồn phát photon để lại lượng tinh thể NaI(Tl) 29 Hình 4.1 Đồ thị biểu diễn hiệu suất đỉnh lượng theo mật độ lớp phản xạ hai đỉnh 31 keV(a) nguồn mặt trước đầu dò, 31 keV(b) nguồn đặt bên cạnh đầu dị 33 Hình 4.2 Đồ thị biểu diễn hiệu suất đỉnh lượng theo bán kính tinh thể NaI(Tl) 37 Hình 4.3 Đồ thị biểu diễn hiệu suất đỉnh lượng theo chiều dài tinh thể NaI(Tl) 42 MỤC LỤC Mở đầu CHƯƠNG TƯƠNG TÁC BỨC XẠ GAMMA VỚI VẬT CHẤT 1.1 Sự truyền xạ gamma qua vật chất 1.1.1 Hiệu ứng quang điện 1.1.2 Hiệu ứng Compton .5 1.1.3 Hiệu ứng tạo cặp CHƯƠNG PHƯƠNG PHÁP MONTE CARLO VÀ CHƯƠNG TRÌNH MCNP5 2.1 Phương pháp Monte Carlo 2.2 Chương Trình MCNP5 2.2.1 Cấu trúc tập tin đầu vào (file input) chương trình MCNP5 2.2.2 Tiêu đề tập tin đầu vào (file input) 10 2.2.3 Cell cards 10 2.2.4 Surface Cards 11 2.2.5 Data Cards 13 CHƯƠNG 3: ĐẦU DÒ NAI(TL) VÀ PHƯƠNG PHÁP XÁC ĐỊNH CÁC THƠNG SỐ TỐI ƯU CỦA ĐẦU DỊ NAI(TL) 16 3.1 Đầu dò NaI(Tl) 16 3.1.1 Hiệu suất đầu dò NaI(Tl) 17 3.1.2 Cấu hình thơng số kỹ thuật Detector NaI(Tl) 20 3.1.3 Mơ hình hóa hệ đo thực nghiệm mô MCNP5 .22 3.2 Phương pháp xác định thông số tối ưu đầu dò NaI(Tl) .24 3.2.1 Phương pháp xác định mật độ tối ưu lớp phản xạ 24 3.2.2 Phương pháp xác định bán kính tối ưu tinh thể NaI(Tl) .27 3.2.3 Phương pháp xác định chiều dài tối ưu tinh thể NaI(Tl) 29 CHƯƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 30 4.1 Kết xác định mật độ lớp phản xạ 31 4.2 Kết xác định bán kính tối ưu tinh thể NaI(Tl) 34 4.3 Kết xác định chiều dài tối ưu tinh thể NaI(Tl) 39 KẾT LUẬN 45 Bảng 4.11 Dữ liệu mô hiệu suất đỉnh lượng hiệu suất thực nghiệm Đỉnh lượng ( keV) 31 32 59 81 121 662 964 1173 1274 1332 1408  Độ lệch (***) độ lệch hiệu suất đỉnh lượng toàn phần thực nghiệm với mô sau tối ưu tất thông số R = 3, 76 cm chiều dài d=7,54 cm Từ liệu hệ số β hàm khớp cho thấy hệ số β nguồn tăng Đối với photon lượng cao 662 keV khả để lại toàn lượng thấp bên tinh thể, ảnh hưởng thông số chiều dài lên hiệu 43 suất đỉnh lượng cao giảm dần theo lượng Do vậy, độ lệch ban đầu đỉnh so với mơ nằm ngồi khoảng thay đổi bán kính dùng để nội suy chiều dài tối ưu Nên phải nội suy lại chiều dài tối ưu từ liệu đỉnh lượng 662 keV để đưa vào mô tính lại hiệu suất cho tất đỉnh lượng Bảng 4.12 Dữ liệu mô hiệu suất đỉnh lượng hiệu suất thực nghiệm mơ hình ban đầu mơ hình tối ưu ba thông số Đỉnh lượng ( keV) 31 32 59 81 121 662 964 1173 1274 1332 1408 4 KẾT LUẬN Đề tài nghiên cứu phương pháp xác định thơng số tối ưu đầu dị bán dẫn NaI(Tl) hiệu suất đỉnh lượng hấp thụ toàn phần cho vùng lượng từ 31 keV-1408 keV Từ liệu mơ cho đầu dị NaI(Tl) thông số cung cấp nhà sản xuất, chúng tơi tính tốn hiệu suất đỉnh lượng toàn phần đỉnh lượng từ 31 keV-1408 keV Việc lựa chọn mức lượng để xây dựng mơ hình phù hợp với phương pháp, chúng tơi lựa chọn mơ hình thực nghiệm cho tách rời ảnh hưởng thông số với Phương pháp Mote Carlo sử dụng mô chương trình MCNP5 để tính tốn hiệu suất đỉnh lượng hấp thụ toàn phần cho vùng lượng 31 keV1408 keV, kết ban đầu tính tốn cho thấy có chênh lệch nhiều so với hiệu suất đỉnh lượng hấp thụ toàn phần từ thực nghiệm Sau sử dụng phương pháp để tìm thơng số tối ưu từ vật liệu bên đầu dò NaI(Tl), kết thu dựa so sánh hiệu suất tính từ thực nghiệm mơ Ba thơng số tối ưu tính mật độ lớp phản xạ, bán kính tinh thể chiều dài tinh thể mơ hình khác Kết tính thơng số mật độ tối ưu lớp phản xạ lớp phản xạ hiệu suất đỉnh lượng 31 keV mơ hình nguồn chuẩn trực Kết tính bán kính tối ưu tinh thể NaI(Tl) 3,755 cm, ảnh hưởng bán kính tinh thể hiệu suất vùng lượng thấp từ 31 keV121 keV mô hình nguồn đặt cách xa đầu dị khoảng cách 40 cm Kết tính chiều dài tối ưu tinh thể NaI(Tl) 7,54 cm dựa ảnh hưởng chiều dài tinh thể vùng lượng cao 662 keV-1408 keV Từ thông số tối ưu mới, thay đổi liệu đầu vào mơ từ chương trình MCNP5 để tính lại hiệu suất đỉnh lượng hấp thụ toàn phần, sau tiến hành so sánh với liệu thực nghiệm Kết cho thấy độ chênh lệch hiệu suất mô từ độ lệch hiệu suất đỉnh lượng từ 31 keV45 1274 keV mô so với thực nghiệm giảm đáng kể sau tối ưu ba thông số mật độ lớp phản xạ, bán kính chiều dài tinh thể 2,3%, mức lượng lớn 1332 keV 1408 keV độ lệch mô so với thực nghiệm 4,34% 7,99% TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Briesmeister J F., (2000), MCNP A General Monte Carlo N-Particle Transport code version 4C, Los Alamos Natl Lab, pp 14, 57-58 [2] Landsberger S., Tsoulfanidis N., (2015), Measurement and Detection Of Radiation, pp-142-143 [3] Mowlavi A A., Najafabadi R z., Faygh R K., (2005), “Calculation of Intrinsic Efficiency of NaI(Tl) Detector Using MCNP Code”, International Journal of Pure and Applied, pp 129-136 [4] Spieler H., (1999), Scintillation Detectors Introduction to Radiation Detectors and Electronics,Lecture Notes, pp 14 [5] Tam H D., Chuong H D., Thanh T T., Tao C V., (2016), “A sudy of the effect of Al O3 reflector on response function of NaI(Tl) detector”, [6] Tipler P A., Llewellyn R a., (2008), Modern Physics - Vol.2, Fifth Edition, pp 129-130 [7] Nguyễn quý Hỷ, (2008), Phương pháp mô số Monte Carlo, NXB Đại học Quốc Gia Hà Nội, trang 11 [8] Đặng nguyên Phương (2012), hướng dẫn sử dụng MCNP cho hệ điều hành windows, trang 47 Phụ lục Phụ lục A: file input thí nghiệm C THE INPUT FILE TO SIMULATE THE MEASUREMENT OF SCAN DETECTOR, Density Al2O3 0.4-3,6 g/cm^3, 31 keV Peak C ********** BLOCK 1: CELL CARDS ********** C CELL CARDS OF DETECTOR -3.67 (5 -3 -8) IMP:P=1 $ CRYSTAL NaI OF DETECTOR -0.4 (5 -4 -12) (3:8) IMP:P=1 $ ALUMINIUM OXIDE REFLECTOR -2.648 (6 -5 -9) IMP:P=1 -2.699 (7 -6 -11) IMP:P=1 -2.699 (6 -1 -10) (2:9) IMP:P=1 $ ALUMINIUM BODY WALL -0.001205 (6 -1 -11 10) IMP:P=1 17 -0.001205 (5 -2 -9) (12:4) IMP:P=1 C CELL CARDS OF COLLIMATOR AND RADIOACTIVE SOURCE 10 -1.032 (21 -22 -24) IMP:P=1 $ ACTIVE VOLUME OF SOURCE 10 -1.032 (31 -23 -25) (-21:22:24) IMP:P=1 10 -0.001205 (31 -32 -34 25) IMP:P=1 11 -0.001205 (35 -36 37 -38 32 -23 25) IMP:P=1 12 -0.001205 (30 -31 -33) IMP:P=1 13 -8.960 (35 -36 37 -38 30 -31 33) IMP:P=1 14 -8.960 (35 -36 37 -38 31 -32 34) IMP:P=1 C OTHERS 15 -0.001205 (-40) (1:-7:11) (-30:23:-35:36:-37:38) IMP:P=1 16 (40) IMP:P=0 C ********** BLOCK 2: SURFACE CARDS ********** C SURFACE CARDS OF DETECTOR PZ 0.0 48 PZ -0.05 PZ -0.22 PZ -0.06 PZ -7.84 PZ -8.14 PZ -11.14 CZ 3.81 12 CZ 3.97 CZ 4.0 10 CZ 4.05 11 CZ 4.13 C SURFACE CARDS OF COLLIMATOR AND RADIOACTIVE SOURCE 21 PZ 1.767 22 PZ 1.767001 23 PZ 2.125 24 CZ 0.25 25 CZ 1.27 30 PZ 0.0 31 PZ 1.49 32 PZ 1.99 33 CZ 0.145 34 CZ 1.30 35 PX -4.135 36 PX 4.135 37 PY -3.945 38 PY 3.945 C OTHERS 40 SO 30.0 49 C ********** BLOCK 3: DATA CARDS ********** MODE P *TR1000.00909090090909001 SDEF ERG=D1 PAR=2 POS=0 1.767 AXS=0 RAD=D2 EXT=D3 CEL=8 SI1 L 0.030973 0.0531622 0.0796142 0.0809979 & 0.1606121 0.2232368 0.2763989 0.3028508 0.3560129 0.3838485 SP1 0.469256996 0.008396404 0.010397417 0.12908491 0.002503227 & 0.00177737 0.028092643 0.071957971 0.243456494 0.035076568 SI2 0.25 SP2 -21 SI3 0.000001 SP3 -21 E0 1E-5 2.148E-5 2029I 0.24378388 FT8 GEB -0.001038 0.061384 0.220071 F8:P RAND GEN=2 SEED=9219741426499971445 STRIDE=152917 HIST=1 NPS 3000000000 M2 29065 -0.3083 29063 -0.6917 $ COPPER MATERIAL M3 13027 -1.000 $ ALUMINIUM M4 6012 -0.000124 7014 -0.755268 8016 -0.231781 18040 -0.012827 $ DRY AIR M5 11023 0.499 53127 0.500 81205 0.001 $ NaI(Tl) M6 13027 -0.529411 8016 -0.470589 $ ALUMINIUM OXIDE M8 8016 -0.532565 14028 -0.467435 $ SILICA SIO2 M10 1001 -0.085 6012 -0.915 $ PLASTIC SCINTILLATOR 50 Phụ lục B: file input thí nghiệm C THE INPUT FILE TO SIMULATE THE MEASUREMENT OF SCAN DETECTOR NaI(Tl), Radius of NaI(Tl) Crytal 3.72cm, Source Ba-133 31 keV Peak C ********** BLOCK 1: CELL CARDS ********** C CELL CARDS OF DETECTOR -3.67 (5 -3 -8) IMP:P=1 $ CRYSTAL NaI OF DETECTOR -2.02 (5 -4 -9) (3:8) IMP:P=1 $ ALUMINIUM OXIDE REFLECTOR -2.648 (6 -5 -12) IMP:P=1 -2.699 (7 -6 -11) IMP:P=1 -2.699 (6 -1 -10) (2:12) IMP:P=1 $ ALUMINIUM BODY WALL -0.001205 (6 -1 -11 10) IMP:P=1 17 -0.001205 (5 -2 -12) (12:4) IMP:P=1 C CELL CARDS OF COLLIMATOR AND RADIOACTIVE SOURCE 10 -1.032 (21 -22 -24) IMP:P=1 $ ACTIVE VOLUME OF SOURCE 10 -1.032 (31 -23 -25) (-21:22:24) IMP:P=1 C OTHERS 15 -0.001205 (-40)#1#2#4#5#6#7#17#8#9 IMP:P=1 16 (40) IMP:P=0 C ********** BLOCK 2: SURFACE CARDS ********** C SURFACE CARDS OF DETECTOR 1 PZ -0.0 PZ -0.05 PZ -0.22 PZ -0.06 PZ -7.84 PZ -8.14 47 PZ -11.14 CZ 3.72 CZ 3.88 12 CZ 3.91 10 CZ 3.96 11 CZ 3.97 C SURFACE CARDS OF COLLIMATOR AND RADIOACTIVE SOURCE 21 PZ 1.767 22 PZ 1.767001 23 PZ 2.125 24 CZ 0.25 25 CZ 1.27 31 PZ 1.49 C OTHERS 40 SO 70.0 C ********** BLOCK 3: DATA CARDS ********** MODE P *TR1 0 -38.51 90 90 90 90 90 90 SDEF ERG=0.0309731 PAR=2 POS=0 1.767 AXS=0 RAD=D2 EXT=D3 CEL=8 SI2 0.25 SP2 -21 SI3 0.000001 SP3 -21 E0 1E-5 7.5435E-4 2023I 1.78561875 FT8 GEB -0.001761 0.067682 0.099273 F8:P RAND GEN=2 SEED=9219741426499971445 STRIDE=152917 HIST=1 48 NPS 3000000000 M3 13027 -1.000 $ ALUMINIUM M4 6012 -0.000124 7014 -0.755268 8016 -0.231781 18040 -0.012827 $ DRY AIR M5 11023 0.499 53127 0.500 81205 0.001 $ NaI(Tl) M6 13027 -0.529411 8016 -0.470589 $ ALUMINIUM OXIDE M8 8016 -0.532565 14028 -0.467435 $ SILICA SIO2 M10 1001 -0.085 6012 -0.915 $ PLASTIC SCINTILLATOR Phụ lục C: file input thí nghiệm C THE INPUT FILE TO SIMULATE THE MEASUREMENT OF SCAN DETECTOR NaI(Tl), Length of NaI(Tl) Crytal 7.48-7.78 cm, Source Na-22, 511 keV Peak C ********** BLOCK 1: CELL CARDS ********** C CELL CARDS OF DETECTOR -3.67 (5 -3 -8) IMP:P=1 $ CRYSTAL NaI OF DETECTOR -2.02 (5 -4 -9) (3:8) IMP:P=1 $ ALUMINIUM OXIDE REFLECTOR -2.648 (6 -5 -12) IMP:P=1 -2.699 (7 -6 -11) IMP:P=1 -2.699 (6 -1 -10) (2:12) IMP:P=1 $ ALUMINIUM BODY WALL -0.001205 (6 -1 -11 10) IMP:P=1 17 -0.001205 (5 -2 -12) (12:4) IMP:P=1 C CELL CARDS OF COLLIMATOR AND RADIOACTIVE SOURCE 10 -1.032 (21 -22 -24) IMP:P=1 $ ACTIVE VOLUME OF SOURCE 10 -1.032 (31 -23 -25) (-21:22:24) IMP:P=1 C OTHERS 15 -0.001205 (-40)#1#2#4#5#6#7#17#8#9 IMP:P=1 16 (40) IMP:P=0 49 C ********** BLOCK 2: SURFACE CARDS ********** C SURFACE CARDS OF DETECTOR 1 PZ -0.0 PZ -0.05 PZ -0.22 PZ -0.06 PZ -7.70 PZ -8.00 PZ -11.00 CZ 3.76 CZ 3.92 12 CZ 3.95 10 CZ 4.00 11 CZ 4.01 C SURFACE CARDS OF COLLIMATOR AND RADIOACTIVE SOURCE 21 PZ 1.767 22 PZ 1.767001 23 PZ 2.125 24 CZ 0.25 25 CZ 1.27 31 PZ 1.49 C OTHERS 40 SO 70.0 C ********** BLOCK 3: DATA CARDS ********** MODE P *TR1 0 -38.51 90 90 90 90 90 90 SDEF ERG=0.511 PAR=2 POS=0 1.767 AXS=0 RAD=D2 EXT=D3 CEL=8 50 SI2 0.25 SP2 -21 SI3 0.000001 SP3 -21 E0 1E-5 7.5435E-4 2023I 1.78561875 FT8 GEB -0.001761 0.067682 0.099273 F8:P RAND GEN=2 SEED=9219741426499971445 STRIDE=152917 HIST=1 NPS 3000000000 M3 13027 -1.000 $ ALUMINIUM M4 6012 -0.000124 7014 -0.755268 8016 -0.231781 18040 -0.012827 $ DRY AIR M5 11023 0.499 53127 0.500 81205 0.001 $ NaI(Tl) M6 13027 -0.529411 8016 -0.470589 $ ALUMINIUM OXIDE M8 8016 -0.532565 14028 -0.467435 $ SILICA SIO2 M10 1001 -0.085 6012 -0.915 $ PLASTIC SCINTILLATOR 51 ... CHƯƠNG 3: ĐẦU DỊ NAI( TL) VÀ PHƯƠNG PHÁP XÁC ĐỊNH CÁC THƠNG SỐ TỐI ƯU CỦA ĐẦU DỊ NAI( TL) 3.1 Đầu dị NaI( Tl) Đầu dò nhấp nháy loại đầu dò lâu đời lĩnh vực đo xạ hạt nhân Khoảng thời gian đầu hạt... ĐỊNH CÁC THÔNG SỐ TỐI ƯU CỦA ĐẦU DÒ NAI( TL) 16 3.1 Đầu dò NaI( Tl) 16 3.1.1 Hiệu suất đầu dò NaI( Tl) 17 3.1.2 Cấu hình thơng số kỹ thuật Detector NaI( Tl)... 3.2 Phương pháp xác định thơng số tối ưu đầu dị NaI( Tl) .24 3.2.1 Phương pháp xác định mật độ tối ưu lớp phản xạ 24 3.2.2 Phương pháp xác định bán kính tối ưu tinh thể NaI( Tl)