Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 28 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
28
Dung lượng
319,09 KB
Nội dung
Chương 8Chương 8 Phâncực BJTPhân cực BJT Từ Vựng (1)Từ Vựng (1) • Collector-feedback bias = phâncực hồi tiế thtiếp cực thu • Emitter-feedback bias = phâncực hồi tiếp hátcực phát • Firm voltage divider = cầu chia áp • PNP transistor • Prototype = [sản phẩm] mẫu • Q point = điểm [tĩnh] Q • Self-bias = t ự phân cựcự p ự • Stage = tầng Từ Vựng (2)Từ Vựng (2) • Stiff voltage divider = mạch chia áp hằngStiff voltage divider = mạch chia áp hằng • Two-supply emitter bias (TSEB) = phâncực phát với 2 nguồncấp điệncực phát với 2 nguồn cấp điện • Voltage-divider bias = phâncực bằng mạch chia ápmạch chia áp Nội dung chương 8Nội dung chương 8 1. Phân cựcbằng mạch chia áp (VDB)1. Phâncực bằng mạch chia áp (VDB) 2. Phân tích VDB chính xác 3 Đường tảiVDBvàđiểmQ3. Đường tải VDB và điểm Q 4. Phâncực dòng phát hằng với 2 nguồncấp điệnnguồn cấp điện 5. Các kiểu phâncực khác 6 Troubleshooting6. Troubleshooting 7. Transistor PNP 8-1 Phâncực bằng mạch chia áp (VDB) +V CC Phâncực bằng mạch chia áp (VDB) RR C R 1 R 1 and R 2 tạo thành m ạch chia áp R E R 2 ạ p R E H.8-1 a) Mạch phâncực VDB +V CC Phân tích mạch chia ápạ p R 1 +V BB V BB = R 2 R 1 + R 2 V CC R 2 GIẢ THIẾT: Dòng nền g nhỏ hơn nhiều dòng qua mạch chia áp Mạch VDB đơn giản hóa +V CC Hoàn tất phân tích: I E = V BB -V BE R C E R E I C ≅ I E V C = V CC -I C R C C E V CE = V C -V E R E V BB Quá trình 6 bước 1. Tính điện áp nền ằ 4. Xác định sụt áp trên V B bằng phương trình mạch chia áp. ể điện trở ở cực thu R C . 2. Trừ 0.7 V để có điện áp phát V E . 3 Chi h điệ t ở 5. Trừ vào V CC có được điện áp thu V 3. Chia cho điện trở phát R E để có được dòng phát I V C . 6. Tính sụt áp C-E: V V V được dòng phát I E . V CE = V C – V E . 8 2 Phân tích VDB chính xác8-2 Phân tích VDB chính xác [...]... tế +VCC RC Phâncực hồi tiếp [ ự ] p ự p [cực] phát (Emitter-feedback bias) RB • Tốt hơn phâncực nền • Điểm Q vẫn di chuyển • Không phổ biến +VCC RC RE Phâncực hồi tiếp [ ự ] thu ự p [cực] (Collector-feedback bias) RB • Tốt hơn hồi tiếp phát y • Điểm Q vẫn di chuyển • Ứng dụng hạn chế +VCC RC Phâncực hồi tiếp thu và phát (Collector(Collector and emitter -feedback bias) RB • Tốt hơn phâncực phát •... điện trở phát RE 8-4 Phân 8 4 Phâ cực [dò ] phát [hằ ] [dòng] há [hằng] với 2 nguồn cấp điện ( g p ệ (TSEB) ) Mạch TSEB ạ IE = VEE - 0.7 V 10 V 3.6 kΩ RE Giả sử VB=0 V 2.7 kΩ IE = 2 V - 0.7 V 1 kΩ = 1.3 mA 1 kΩ 2V Tìm các điện áp: 10 V 3.6 kΩ VC = 10 V - (1 3 mA)(3 6 kΩ) = 5.32 V (1.3 mA)(3.6 5 32 VCE = 5.32 V - (-0.7 V) = 6.02 V 2.7 kΩ 1 kΩ 2V 8-5 Các kiểu phâncực khác Phâncực [dòng] nền [hằng]... RE Mô hình Thevenin của mạch phân cực: +VCC RC RTH VBB RE Áp dụng qui tắc 100:1 vào mạch phân cực: RTH < 0.01 RIN +VCC RC RTH RIN VBB Khi đạt quy tắc này, này mạch chia áp không đổi RE Đôi khi mạch chia áp không đổi được chọn theo: R1 R2 < 0.1 βdcRE 01 +VCC R1 RC Xấp xỉ gần hơn: IE = VBB - VBE RE + R1 R2 βdc R2 RE 83 8-3 Đường tải VDB và điểm Q • Vì VDB xuất phát từ phân cực phát nên Q không bị ảnh... tốt bằng VBD • Ứng dụng hạn chế +VCC RC RE Phân cực phát 2 nguồn (Two-supply emitter bias) (T l itt bi ) • Rất ổn định • Cần 2 nguồn cấp điện +VCC Phân cực mạch chia áp ự ạ p (Voltage divider bias) R1 • Rất ổn định • Cần 1 nguôn cấp điện • Phổ biến nhất R2 RC RE 8-7 Transistor PNP PNP Transistors T it IB IC IE Electron flow IB IC IE Conventional flow Phân cực PNP +VEE V R2 R1 RE RC (A) Với nguồn dương . 8Chương 8 Phân cực BJTPhân cực BJT Từ Vựng (1)Từ Vựng (1) • Collector-feedback bias = phân cực hồi tiế thtiếp cực thu • Emitter-feedback bias = phân cực hồi. hình Thevenin củamạch phân cực: +V CC của mạch phân cực: R C R TH R E V BB Áp dụng qui tắc 100:1 vào mạch phân cực: +V CC vào mạch phân cực: R C R TH <