Nghiên cứu xác định đồng thời các chất hoạt động bề mặt ankyl sunfat trong nước bằng phương pháp điện di mao quản sử dụng detector độ dẫn không tiếp xúc(CE CD)

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - NGUYỄN THỊ TUYẾT NHUNG NGHIÊN CỨU XÁC ĐỊNH ĐỒNG THỜI CÁC CHẤT HOẠT ĐỘNG BỀ MẶT ANKYL SUNFAT TRONG NƢỚC BẰNG PHƢƠNG PHÁP ĐIỆN DI MAO QUẢN SỬ DỤNG DETECTOR ĐỘ DẪN KHÔNG TIẾP XÚC (CE-C4D) LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC Hà Nội - 2019 ĐẠI HỌC QUỐC GIA H NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - NGUYỄN THỊ TUYẾT NHUNG NGHIÊN CỨU XÁC ĐỊNH ĐỒNG THỜI CÁC CHẤT HOẠT ĐỘNG BỀ MẶT ANKYL SUNFAT TRONG NƢỚC BẰNG PHƢƠNG PHÁP ĐIỆN DI MAO QUẢN SỬ DỤNG DETECTOR ĐỘ DẪN KHÔNG TIẾP XÚC (CE-C4D) Chun ngành: Hóa phân tích Mã số: 8440112.03 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC NGƢỜI HƢỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS TS Nguyễn Thị Ánh Hƣờng PGS TS Phạm Thị Ngọc Mai Hà Nội - 2019 LỜI CẢM ƠN Em xin gửi lời cảm ơn đến PGS.TS Nguyễn Thị Ánh Hƣờng, PGS.TS Phạm Thị Ngọc Mai, giao đề tài tận tình hƣớng dẫn em trình nghiên cứu, tạo điều kiện tốt để em hoàn thành luận văn Em xin chân thành cảm ơn thầy giáo mơn Hóa Phân Tích, Trƣờng Đại Học Khoa Học Tự Nhiên, Đại Học Quốc Gia Hà Nội truyền đạt kiến thức để em hoàn thành mơn học khóa học Đặc biệt em cảm ơn NCS Phạm Huy Đông CN Đặng Thị Huyền My Trƣờng Đại Học Khoa Học Tự Nhiên, ĐHQG Hà Nội hƣớng dẫn, giúp đỡ phối hợp với em trình nghiên cứu để em có kết nhƣ ngày hơm Em xin cảm ơn công ty 3Sanalysis (http: //www 3sanalysis.vn/) cung cấp thiết bị để em thực nghiên cứu Em xin cám ơn Ban lãnh đạo, anh chị trung tâm Phân tích Cơng nghệ mơi trƣờng, Viện Nghiên cứu Da Giày tạo điều kiện, giúp đỡ em suốt thời gian học tập vừa qua Cuối em xin cảm ơn gia đình, bạn bè quan tâm, động viên giúp em hoàn thành luận văn Hà Nội, ngày tháng năm 2019 Học viên Nguyễn Thị Tuyết Nhung MỤC LỤC MỞ ĐẦU CHƢƠNG TỔNG QUAN 1.1 Giới thiệu chung chất hoạt động bề mặt 1.1.1 Định nghĩa 1.1.2 Tính chất 1.1.3 Phân loại 1.1.4 Ứng dụng 1.1.5 Ảnh hƣởng CHĐBM môi trƣờng 1.2 Giới thiệu CHĐBM ankyl sunfat 1.3 Các phƣơng pháp phân tích CHĐBM 1.3.1 Phƣơng pháp quang phổ hấp thụ phân tử UV-Vis 1.3.2 Phƣơng pháp sắc ký 1.4 Các kỹ thuật làm giàu chất hoạt động bề mặt 14 1.4.1 Chiết lỏng - lỏng 14 1.4.2 Chiết pha rắn (SPE) 14 1.4.3 Kỹ thuật làm giàu sử dụng vật liệu hấp phụ 14 CHƢƠNG THỰC NGHIỆM 17 2.1 Mục tiêu nghiên cứu 17 2.2 Nội dung nghiên cứu 17 2.3 Hóa chất, dụng cụ, thiết bị 17 2.3.1 Hóa chất 17 2.3.2 Dụng cụ 18 2.3.3 Thiết bị 18 2.3.4 Chuẩn bị dung dịch hóa chất 19 2.4 Chuẩn bị trình hấp phụ 19 2.4.1 Hoạt hóa -Al2O3 19 2.4.2 Quy trình hấp phụ -Al2O3 19 2.4.3 Quy trình khảo sát hấp phụ động 20 2.5 Chuẩn bị mẫu 20 2.5.1 Lấy mẫu bảo quản mẫu 20 2.5.2 Xử lý mẫu 20 2.6 Quy trình phân tích LC-MS/MS 20 2.6.1 Điều kiện LC 21 2.6.2 Điều kiện MS 21 3.1 Khảo sát điều kiện tối ƣu tách chất hoạt động bề mặt ankyl sunfat CEC4D 23 3.1.1 Ảnh hƣởng pH thành phần đệm 23 3.1.2 Ảnh hƣởng tách 25 3.1.3 Ảnh hƣởng thời gian bơm mẫu 26 3.1.4 Ảnh hƣởng chiều cao bơm mẫu 27 3.2 Xây dựng đƣờng chuẩn 28 3.3 Đánh giá phƣơng pháp 31 3.3.1 Giới hạn phát giới hạn định lƣợng phƣơng pháp 31 3.3.2 Đánh giá độ lặp lại thu hồi phƣơng pháp 31 3.4 Ảnh hƣởng cúa ion mẫu 32 3.5 Nghiên cứu đồng thời trình hấp phụ giải hấp ankyl sunfat nhôm oxit 34 3.5.1 Hấp phụ đồng thời chất hoạt động bề mặt ankyl sunfat nhôm oxit 34 3.5.2 Giải hấp đồng thời chất hoạt động bề mặt ankyl sunfat nhôm oxit 37 3.6 Khảo sát tối ƣu điều kiện hấp phụ động làm giàu chất hoạt động bề mặt ankyl sunfat nhôm oxit 39 3.6.1 Khảo sát pH 40 3.6.2 Khảo sát nồng độ muối 41 3.6.3 Khảo sát tốc độ nạp 42 3.6.4 Khảo sát tốc độ rửa giải 42 3.6.5 Khảo sát dung môi rửa giải 43 3.6.6 Khảo sát tỉ lệ dung môi rửa giải 44 3.7 Xác định ankyl sunfat nƣớc thải sau trình làm giàu nhơm oxit 46 3.7.1 Xác định hiệu suất làm giàu ankyl sunfat nƣớc thải 46 3.7.2 Kết phân tích nồng độ chất hoạt động bề mặt mẫu nƣớc thải 48 3.7.3 Phân tích đối chứng 51 KẾT LUẬN 53 TÀI LIỆU THAM KHẢO 54 PHỤ LỤC 58 KÝ HIỆU, CHỮ VIẾT TẮT Tên viết tắt Tên tiếng anh Tên tiếng việt His Histidine – Amino – - (hydroxymethyl) propan – 1,3 – diol Histidin Tris Tristidin C4D Conductivity detection Detector độ dẫn không tiếp xúc CE Capillary electrophoresis Phƣơng pháp điện di mao quản CHĐBM Surfactant Chất hoạt động bề mặt H(%) Recovery (%) Hiệu suất thu hồi LOD Limit of Detection Giới hạn phát LOQ Quantitation Limit Giới hạn định lƣợng LC Liquid chromatography Sắc kí lỏng LC-MS/MS Liquid chromatography tandem mass spectrometry Sắc kí lỏng khối phổ hai lần S/N Signal/ Noise Tỷ lệ tín hiệu chia cho nhiễu SD Standard deviation Độ lệch chuẩn SPE Solid phase extraction Chiết pha rắn RSD Relative standard deviation Độ lệch chuẩn tƣơng đối DANH MỤC HÌNH Hình 1 Cấu tạo phân tử chất hoạt động bề mặt Error! Bookmark not defined Hình Cấu tạo mixen Error! Bookmark not defined Hình Mơ tả thiết bị điện di mao quản Error! Bookmark not defined Hình Hình ảnh thiết bị CE-C4D sử dụng nghiên cứuError! Bookmark not defined Hình Khảo sát pH đệm Arginin/Axit Acetic Error! Bookmark not defined Hình Khảo sát pH đệm Tris/Axit acetic Error! Bookmark not defined Hình 3 Khảo sát thành phần đệm Tris/His Error! Bookmark not defined Hình Khảo sát ảnh hƣởng tách Error! Bookmark not defined Hình Khảo sát ảnh hƣởng thời gian bơm mẫuError! Bookmark not defined Hình Khảo sát ảnh hƣởng chiều cao bơm mẫu Error! Bookmark not defined Hình Đƣờng chuẩn biểu diễn phụ thuộc diện tích pic vào nồng độ C14Error! Bookmark not defined Hình Đƣờng chuẩn biểu diễn phụ thuộc diện tích pic vào nồng độ C12Error! Bookmark not defined Hình Đƣờng chuẩn biểu diễn phụ thuộc diện tích pic vào nồng độ C10Error! Bookmark not defined Hình 10 Đƣờng chuẩn biểu diễn phụ thuộc diện tích pic vào nồng độ C8Error! Bookmark not defined Hình 11 Khảo sát ảnh hƣởng ion mẫu Error! Bookmark not defined Hình 12 Khảo sát trình hấp phụ pH=3 Error! Bookmark not defined Hình 13 Khảo sát trình hấp phụ pH=4 Error! Bookmark not defined Hình 14 Khảo sát trình giải hấp pH=3 Error! Bookmark not defined Hình 15 Khảo sát trình giải hấp pH=4 Error! Bookmark not defined Hình 16 Khảo sát pH hấp phụ động Error! Bookmark not defined Hình 17 Khảo sát nồng độ muối Error! Bookmark not defined Hình 18 Khảo sát tốc độ nạp Error! Bookmark not defined Hình 19 Khảo sát tốc độ rửa giải Error! Bookmark not defined Hình 20 Khảo sát dung mơi rửa giải Error! Bookmark not defined Hình 21 Khảo sát tỉ lệ dung môi rửa giải Error! Bookmark not defined Hình 22 Điện di đồ mẫu M10 Error! Bookmark not defined Hình 23 Điện di đồ mẫu M11 Error! Bookmark not defined Hình 24 Biểu đồ tƣơng quan kết phân tích LC-MS/MS CE-C4DError! Bookmark not defined DANH MỤC BẢNG Bảng 1 Một số chất hoạt động bề mặt phổ biến Error! Bookmark not defined Bảng Ứng dụng chất hoạt động bề mặt Error! Bookmark not defined Bảng Độc tính chất hoạt động bề mặt với sinh vật Error! Bookmark not defined Bảng Đặc điểm bốn chất hoạt động bề mặt ankyl sunfat.Error! Bookmark not defined Bảng Tóm tắt số nghiên cứu xác định CHĐBM UV-Vis Error! Bookmark not defined Bảng Tóm tắt số nghiên cứu xác định CHĐBM sắc ký lỏng Error! Bookmark not defined Bảng Tóm tắt số nghiên cứu xác định CHĐBM phƣơng pháp CEError! Bookmark not defined Bảng Tóm tắt số nghiên cứu kỹ thuật làm giàu chất hoạt động bề mặt Error! Bookmark not defined Bảng Điều kiện gradient cho hệ thống LC Error! Bookmark not defined Bảng 2 Điều kiện phân mảnh MS/MS Error! Bookmark not defined Bảng Điều kiện tối ƣu xác định đồng thời ankyl sunfat CE-C4D Error! Bookmark not defined Bảng Giới hạn phát giới hạn định lƣợng phƣơng pháp Error! Bookmark not defined Bảng 3 Độ lặp lại độ thu hồi phƣơng phápError! Bookmark not defined Bảng Khảo sát ảnh hƣởng ion mẫu Error! Bookmark not defined Bảng Khảo sát trình hấp phụ pH=3 Error! Bookmark not defined Bảng Khảo sát trình hấp phụ pH=4 Error! Bookmark not defined Bảng Khảo sát trình giải hấp pH=3 Error! Bookmark not defined Bảng Khảo sát trình giải hấp pH=4 Error! Bookmark not defined Bảng Khảo sát pH hấp phụ động Error! Bookmark not defined Bảng 10 Khảo sát nồng độ muối Error! Bookmark not defined Bảng 11 Khảo sát tốc độ nạp Error! Bookmark not defined Bảng 12 Khảo sát tốc độ rửa giải Error! Bookmark not defined Bảng 13 Khảo sát dung môi rửa giải Error! Bookmark not defined Bảng 14 Khảo sát tỉ lệ dung môi rửa giải Error! Bookmark not defined Bảng 15 Điều kiện tối ƣu trình hấp phụ động làm giàu CHĐBM Error! Bookmark not defined Bảng 16 Hiệu suất làm giàu ankyl sunfat 10 lần Error! Bookmark not defined Bảng 17 Hiệu suất làm giàu ankyl sunfat 25 lần Error! Bookmark not defined Bảng 18 Hiệu suất làm giàu ankyl sunfat 50 lần Error! Bookmark not defined Bảng 19 Kết phân tích CHĐBM ankyl sunfat mẫu nƣớc thải Error! Bookmark not defined Bảng 20 Độ thu hồi ankyl sunfat mẫu nƣớc thải Error! Bookmark not defined Bảng 21 Kết phân tích ankylsunfat nƣớc CE LC-MS/MSError! Bookmark not defined MỞ ĐẦU Trong năm gần đây, chất hoạt động bề mặt (CHĐBM) với đặc tính đặc biệt có khả tạo bọt, ổn định huyền phù, tạo nhũ tƣơng,… đƣợc sử dụng rộng rãi ngành công nghiệp (dệt nhuộm, khai thác dầu, mỹ phẩm,…), ngành nông nghiệp (tạo nhũ tƣơng, chất bảo vệ thực vật,…) sản phẩm gia đình, chất tẩy rửa tổng hợp Các chất hoạt động bề mặt không đƣợc xử lý trƣớc thải mơi trƣờng dẫn đến hậu ngộ độc sinh vật, ô nhiễm nguồn nƣớc gây kích ứng da, chí dẫn đến ung thƣ Trong số nhiều loại chất hoạt động bề mặt, nhóm ankyl sunfat bao gồm: natri octyl sunfat (C8), natri decyl sunfat (C10), natri dodecyl sunfat (C12), natri tetradecyl sunfat (C14) đƣợc sử dụng rộng rãi có độ bền cao khả hoạt động bề mặt tốt Tuy nhiên, hàm lƣợng CHĐBM nƣớc mức nồng độ siêu vết (cỡ ppb) nên sử dụng phƣơng pháp phân tích thông thƣờng phát hay định lƣợng trực tiếp Vì làm giàu CHĐBM trƣớc phân tích cần thiết Trong số phƣơng pháp làm giàu, hấp phụ vật liệu rắn hƣớng nghiên cứu tƣơng đối phù hợp áp dụng cho CHĐBM Phân tích chất hoạt động bề mặt mẫu môi trƣờng đƣợc thực số phƣơng pháp nhƣ phổ hấp thụ phân tử UV-Vis, sắc ký khí (GC), sắc ký lỏng ghép khối phổ (LC-MS), điện di mao quản (CE) Trong đó, CE phƣơng pháp hiệu với thời gian phân tích ngắn, hiệu tách cao, chi phí thấp, sử dụng hóa chất, phù hợp với hóa học xanh Detector độ dẫn không tiếp xúc (C4D) đƣợc giới thiệu vào năm 1998 nhƣ detector vạn cho CE hữu ích để xác định nhiều chất mang điện Tuy nhiên, xác định CHĐBM ankyl sunfat mang điện âm phƣơng pháp CE-C4D sau làm giàu hấp phụ hầu nhƣ chƣa đƣợc nghiên cứu ngồi nƣớc Do đó, đề tài “Nghiên cứu xác định đồng thời bốn chất hoạt động bề mặt ankyl sunfat phương pháp điện di mao quản sử dụng detector độ dẫn không tiếp xúc CE-C4D” đƣợc lựa chọn với mục tiêu nghiên cứu phát triển quy trình phân tích chất hoạt động bề mặt ankyl sunfat mẫu môi trƣờng 33 S A Shamsi, N D Danielson (1996), “CE of cationic surfactants with tetrazolium violet and anionic surfactants with adenosine monophosphate and indirect photometric detection”, Journal of Chromatogr A, 739, pp 405-412 34 S Chen and D J Pietrzyk (1993), “Separation of Sulfonate and Sulfate Surfactants by Capillary Electrophoresis: Effect of Buffer Cation”, Anal Chem, 65, pp 27702775 35 S H Im, Y H Jeong, J J Ryoo (2008), “Simultaneous analysis of anionic, amphoteric, nonionic and cationic surfactant mixtures in shampoo and hair conditioner by RP-HPLC/ELSD and LC/MS”, Analytica chimica acta , 619(1), pp 129-36 36 S Shital , P Sunita, S T Neeam (2015), “Application of Surfactant in various Fields”, International Journal of Scientific & Engineering Research, Vol 6, Issue 12, pp 30-32 37 Xiaodong, A Christopher (2006), “New polar-embedded stationary phase for surfactant analysis”, Journal of Chromatography A, 1118, pp 29–34 57 PHỤ LỤC Phụ lục Điện di đồ mẫu thực thêm chuẩn Điều iện CE: Dung dịch đệm Tris/His 50/20mM; bơm mẫu iểu xiphông 20cm, thời gian bơm 20s, mao quản 50cm, l/L = 44/50cm, ID = 50µm, U = +15kV Hình PL1 Điện di đồ mẫu nước thải M7 thêm chuẩn (1):Mẫu, (2):Mẫu thêm chuẩn 58 Hình PL2 Điện di đồ mẫu nước thải M9 thêm chuẩn (1):Mẫu, (2):Mẫu thêm chuẩn Phụ lục Đánh giá đƣờng chuẩn Regression Analysis: Diện tích pic (mV.s) C14 The regression equation is Diện tích pic C14 = 0,104 + 0,174 Nồng độ C14 Predictor Coef SE Coef T P Constant 0,1041 0,1602 0,65 0,551 C 0,173983 0,002820 61,71 0,000 S = 0,253781 R-Sq = 99,9% R-Sq(adj) = 99,9% Analysis of Variance Source DF SS MS F P Regression 245,23 245,23 3807,60 0,000 Residual Error 0,26 0,06 Total 245,49 Regression Analysis: Diện tích pic (mV.s) C12 The regression equation is Diện tích pic C12 = 0,210 + 0,345 Nồng độ C12 Predictor Coef SE Coef T P Constant 0,2103 0,3879 0,54 0,616 C 0,344531 0,006827 50,46 0,000 S = 0,614495 R-Sq = 99,8% R-Sq(adj) = 99,8% Analysis of Variance Source DF SS MS F P Regression 961,64 961,64 2546,69 0,000 59 Residual Error 1,51 0,38 Total 963,15 Regression Analysis: Diện tích pic (mV.s) C10 The regression equation is Diện tích pic C10 = 0,879 + 0,380 Nồng độ C10 Predictor Coef SE Coef T P Constant 0,8791 0,4667 1,88 0,133 C 0,379906 0,008214 46,25 0,000 S = 0,739304 R-Sq = 99,8% R-Sq(adj) = 99,8% Analysis of Variance Source DF SS MS F P Regression 1169,3 1169,3 2139,26 0,000 Residual Error 2,2 0,5 Total 1171,4 Regression Analysis: Diện tích pic (mV.s) C8 The regression equation is Diện tích pic C8 = 1,69 + 0,483 Nồng độ C8 Predictor Coef SE Coef T P Constant 1,6885 0,3879 4,35 0,120 C 0,482726 0,006826 70,71 0,000 S = 0,614434 R-Sq = 99,9% R-Sq(adj) = 99,9% Analysis of Variance Source DF SS MS F P Regression 1887,8 1887,8 5000,43 0,000 Residual Error 1,5 0,4 Total 1889,3 Phụ lục Đánh giá phù hợp phƣơng pháp CE-C4D phƣơng pháp phân tích đối chứng LC-MS/MS Minitab Paired T-Test and CI: CE, LCMSMS Paired T for CE - LCMSMS N Mean StDev SE Mean CE 10 1,212 0,769 0,243 LCMSMS 10 1,283 0,824 0,261 Difference 10 -0,0709 0,1326 0,0419 95% CI for mean difference: (-0,1658, 0,0240) T-Test of mean difference = (vs not = 0): T-Value = -1,69 P-Value = 0,125 Phụ lục Kết khảo sát điều kiện tối ƣu CE 60 Thế tách (kV) 15 18 20 Thời gian bơm mẫu (giây) 15 20 30 Chiều cao bơm mẫu (cm) 25 Chất C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 Bảng PL1 Khảo sát ảnh hưởng tách Diện tích pic(mV.s) Trung bình (mV.s) 10,84 10,96 11,02 10,94 19,74 19,77 19,86 19,79 21,57 20,63 20,59 20,93 27,93 28,01 27,98 27,97 7,32 7,37 7,41 7,37 14,98 14,88 14,95 14,94 15,78 15,83 15,76 15,79 20,5 19,89 20,33 20,24 5,83 5,76 5,88 5,82 11,86 11,95 12,13 11,98 13,47 13,58 13,27 13,44 17,24 17,17 17,50 17,30 Bảng PL2 Khảo sát ảnh hưởng thời gian bơm mẫu Diện tích pic(mV.s) Trung bình Chất (mV.s) C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 6,55 15,28 17,14 20,94 10,94 19,74 21,57 27,93 12,98 28,44 30,31 40,11 6,75 14,97 16,87 21,6 10,88 19,82 21,84 27,88 12,76 28,18 31,34 40,35 6,87 14,72 16,53 21,36 11,04 19,89 21,62 28,11 12,84 28,22 30,84 40,26 6,72 14,99 16,85 21,30 10,95 19,82 21,68 27,97 12,86 28,28 30,83 40,24 Bảng PL3 Khảo sát ảnh hưởng chiều cao bơm mẫu Diện tích pic(mV.s) Trung bình Chất (mV.s) C14 C12 C10 C8 15,23 21,42 24,72 31,32 15,04 21,22 24,68 31,27 61 14,92 21,29 24,84 31,32 15,06 21,31 24,75 31,30 SD 0,09 0,06 0,55 0,04 0,05 0,05 0,04 0,31 0,06 0,14 0,16 0,17 SD 0,16 0,28 0,31 0,33 0,08 0,08 0,14 0,12 0,11 0,14 0,52 0,12 SD 0,16 0,10 0,08 0,03 Chiều cao bơm mẫu (cm) Diện tích pic(mV.s) Chất C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 20 15 Trung bình (mV.s) 10,55 19,74 21,57 29,22 6,34 16,55 18,07 22,79 10,43 19,86 21,63 28,77 6,52 16,84 17,66 23,03 10,62 19,97 21,44 28,67 6,67 16,78 17,82 22,85 10,53 19,86 21,55 28,89 6,51 16,72 17,85 22,89 SD 0,10 0,12 0,10 0,29 0,17 0,15 0,21 0,12 Phụ lục Kết khảo sát hấp phụ động Các kết khảo sát hấp phụ động làm giàu CHĐBM ankyl sunfat nhôm oxit đƣợc thể bảng từ PL1-15 Bảng PL4 Kết khảo sát pH=2 Lần Chất Diện tích pic chuẩn 2,5.10-5M (mV.s) C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 1,16 2,62 2,75 3,03 1,16 2,62 2,75 3,03 1,16 2,62 2,75 3,03 Diện tích pic sau làm giàu (mV.s) 0,92 1,89 0,63 0,42 0,81 1,82 0,81 0,51 0,82 1,52 0,82 0,39 Hiệu suất (%) Trung bình(%) RSD % 79,31 72,14 22,91 13,86 69,83 69,47 29,45 16,83 70,69 58,02 29,82 12,87 73,28 66,54 27,39 14,52 7,16 11,27 14,19 14,19 Hiệu suất (%) Trung bình(%) RSD % 92,24 84,73 34,91 28,71 91,95 84,35 36,73 27,06 1,43 2,07 4,54 5,59 Bảng PL5 Kết khảo sát pH=3 Lần Chất Diện tích pic chuẩn 2,5.10-5M (mV.s) C14 C12 C10 C8 1,16 2,62 2,75 3,03 Diện tích pic sau làm giàu (mV.s) 1,07 2,22 0,96 0,87 62 Lần Chất Diện tích pic chuẩn 2,5.10-5M (mV.s) C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 1,16 2,62 2,75 3,03 1,16 2,62 2,75 3,03 Diện tích pic sau làm giàu (mV.s) 1,08 2,16 1,02 0,78 1,05 2,25 1,05 0,81 Hiệu suất (%) Trung bình(%) RSD % 93,10 82,44 37,09 25,74 90,52 85,88 38,18 26,73 Bảng PL6 Kết khảo sát pH=4 Lần Lần Chất Diện tích pic chuẩn 2,5.10-5M (mV.s) C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 1,16 2,62 2,75 3,03 1,16 2,62 2,75 3,03 1,16 2,62 2,75 3,03 Chất C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 Diện tích pic sau làm giàu (mV.s) 0,96 1,32 0,68 0,55 0,99 1,24 0,67 0,42 1,02 1,27 0,63 0,48 Hiệu suất (%) Trung bình(%) RSD% 82,76 50,38 24,73 18,15 85,34 47,33 24,36 13,86 87,93 48,47 22,91 15,84 85,34 48,73 24,00 15,95 3,03 3,17 4,01 13,46 Trung bình(%) RSD% 44,02 24,05 15,27 7,59 1,77 1,59 9,52 11,50 Bảng PL7 Kết khảo sát pH=5 Diện tích pic Diện tích pic chuẩn Hiệu suất sau làm giàu -5 2,5.10 M (mV.s) (%) (mV.s) 1,16 0,51 43,97 2,62 0,62 23,66 2,75 0,38 13,82 3,03 0,21 6,93 1,16 0,50 43,28 2,62 0,63 24,05 2,75 0,42 15,27 3,03 0,26 8,58 63 Lần Lần Chất C14 C12 C10 C8 Diện tích pic Hiệu suất Trung sau làm giàu (%) bình(%) (mV.s) 1,16 0,52 44,83 2,62 0,64 24,43 2,75 0,46 16,73 3,03 0,22 7,26 Bảng PL8 Kết khảo sát nồng độ NaCl 0,1mM Diện tích pic chuẩn 2,5.10-5M (mV.s) Chất Diện tích pic chuẩn 2,5.10-5M (mV.s) C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 1,16 2,62 2,75 3,03 1,16 2,62 2,75 3,03 1,14 2,62 2,75 3,03 Diện tích pic sau làm giàu (mV.s) 1,05 1,96 0,83 0,64 1,00 2,08 0,79 0,75 1,02 2,01 0,77 0,72 RSD% Hiệu suất (%) Trung bình(%) RSD% 90,52 74,81 30,18 21,12 86,55 79,39 28,73 24,75 89,47 76,72 28,00 23,76 88,85 76,97 28,97 23,21 2,31 2,99 3,83 8,08 Hiệu suất (%) Trung bình(%) RSD% 82,76 74,43 22,91 17,82 87,93 70,61 21,09 19,47 87,07 75,95 20,00 19,14 85,92 73,66 21,33 18,81 3,23 3,74 6,89 4,64 Bảng PL9 Kết khảo sát nồng độ NaCl 10mM Lần Chất Diện tích pic chuẩn 2,5.10-5M (mV.s) C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 1,16 2,62 2,75 3,03 1,16 2,62 2,75 3,03 1,16 2,62 2,75 3,03 Diện tích pic sau làm giàu (mV.s) 0,96 1,95 0,63 0,54 1,02 1,85 0,58 0,59 1,01 1,99 0,55 0,58 64 Bảng PL10 Kết khảo sát tốc độ nạp 5ml/phút Lần Chất Diện tích pic chuẩn 2,5.10-5M (mV.s) C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 1,16 2,62 2,75 3,03 1,16 2,62 2,75 3,03 1,16 2,62 2,75 3,03 Diện tích pic sau làm giàu (mV.s) 1,11 2,28 0,89 0,74 1,09 2,31 0,98 0,85 1,05 2,21 0,95 0,76 Hiệu suất (%) Trung bình(%) RSD% 95,69 87,02 32,22 24,42 93,97 87,98 35,64 28,05 90,52 84,35 34,55 25,08 93,39 86,45 34,13 25,85 2,82 2,17 5,12 7,48 Hiệu suất (%) Trung bình(%) RSD% 87,93 70,23 26,91 18,48 83,62 69,47 22,18 16,83 89,66 64,50 22,18 20,79 87,07 68,07 23,76 18,70 3,57 4,57 11,49 10,64 Bảng PL11 Kết khảo sát tốc độ nạp 20ml/phút Lần Chất Diện tích pic chuẩn 2,5.10-5M (mV.s) C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 1,16 2,62 2,75 3,03 1,16 2,62 2,75 3,03 1,16 2,62 2,75 3,03 Diện tích pic sau làm giàu (mV.s) 1,02 1,84 0,74 0,56 0,97 1,82 0,61 0,51 1,04 1,69 0,61 0,63 65 Bảng PL12 Kết khảo sát tốc độ rửa giải 1ml/phút Lần Chất C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 Diện tích pic chuẩn 2,5.10-5M (mV.s) 1,14 2,33 2,42 2,85 1,14 2,33 2,42 2,85 1,14 2,33 2,42 2,85 Diện tích pic sau làm giàu (mV.s) 1,02 2,05 0,86 0,72 1,06 1,98 0,77 0,64 1,01 1,99 0,81 0,69 Hiệu suất (%) Trung bình(%) RSD% 89,47 87,98 35,54 25,26 92,98 84,98 31,82 22,46 88,60 85,41 33,47 24,21 90,35 86,12 33,61 23,98 2,57 1,89 5,54 5,91 Bảng PL13 Kết khảo sát tốc độ rửa giải 2ml/phút Lần Chất Diện tích pic chuẩn 2,5.10-5M (mV.s) C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 1,14 2,33 2,42 2,85 1,14 2,33 2,42 2,85 1,14 2,33 2,42 2,85 Diện tích pic sau làm giàu (mV.s) 0,96 1,74 0,54 0,47 0,91 1,66 0,58 0,45 0,92 1,68 0,63 0,54 66 Hiệu suất (%) Trung bình(%) RSD% 84,21 74,68 22,31 16,49 79,82 71,24 23,97 15,79 80,70 72,10 26,03 18,95 81,58 72,68 24,10 17,08 2,84 2,46 7,73 9,71 Bảng PL14 Kết khảo sát tốc độ rửa giải 5ml/phút Lần Lần Chất C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 Diện tích pic Diện tích pic chuẩn Hiệu suất Trung sau làm giàu -5 2,5.10 M (mV.s) (%) bình(%) (mV.s) 1,16 1,11 95,69 93,39 86,45 2,62 2,28 87,02 37,33 2,75 0,99 36,00 26,62 3,03 0,78 25,74 1,16 1,09 93,97 2,62 2,31 87,98 2,75 1,05 38,18 3,03 0,83 27,39 1,16 1,05 90,52 2,62 2,21 84,35 2,75 1,04 37,82 3,03 0,81 26,73 Bảng PL15 Kết khảo sát dung môi EtOH Chất Diện tích pic chuẩn 2,5.10-5M (mV.s) C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 1,14 2,33 2,42 2,85 1,14 2,33 2,42 2,85 1,14 2,33 2,42 2,85 Diện tích pic sau làm giàu (mV.s) 0,96 1,88 0,75 0,52 0,95 1,91 0,68 0,59 0,91 1,80 0,72 0,47 67 RSD% 2,82 2,17 3,13 3,12 Hiệu suất (%) Trung bình(%) RSD% 84,21 80,69 30,99 18,25 83,33 81,97 28,10 20,70 79,82 77,25 29,75 16,49 82,46 79,97 29,61 18,48 2,81 3,05 4,90 11,45 Bảng PL16 Kết khảo sát dung môi ACN Lần Chất Diện tích pic chuẩn 2,5.10-5M (mV.s) C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 1,14 2,33 2,42 2,85 1,14 2,33 2,42 2,85 1,14 2,33 2,42 2,85 Diện tích pic sau làm giàu (mV.s) 0,94 1,62 0,63 0,41 0,91 1,71 0,61 0,44 0,91 1,73 0,58 0,49 Hiệu suất (%) Trung bình(%) RSD% 82,46 69,53 26,03 14,39 79,39 73,39 25,21 15,44 79,54 74,25 23,97 17,19 80,46 72,39 25,07 15,67 2,15 3,47 4,15 9,05 Hiệu suất (%) Trung bình(%) RSD% 94,74 81,97 35,95 23,16 89,47 87,12 38,02 19,65 93,86 80,69 32,64 21,40 92,69 83,26 35,54 21,40 3,04 4,09 7,62 8,20 Bảng PL17 Kết khảo sát tỷ lệ 8:2 Lần Chất C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 Diện tích pic Diện tích pic chuẩn sau làm giàu 2,5.10-5M (mV.s) (mV.s) 1,14 2,33 2,42 2,85 1,14 2,33 2,42 2,85 1,14 2,33 2,42 2,85 1,08 1,91 0,87 0,66 1,02 2,03 0,92 0,56 1,07 1,88 0,79 0,61 68 Lần Chất C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 C14 C12 C10 C8 Bảng PL18 Kết khảo sát tỷ lệ 6:4 Diện tích pic Diện tích pic chuẩn Hiệu suất sau làm giàu -5 2,5.10 M (mV.s) (%) (mV.s) 1,14 0,96 84,21 2,33 1,84 78,97 2,42 0,64 26,45 2,85 0,54 18,95 1,14 0,99 86,84 2,33 1,81 77,68 2,42 0,68 28,10 2,85 0,49 17,19 1,14 0,98 85,96 2,33 1,86 79,83 2,42 0,65 26,86 2,85 0,52 18,25 Trung bình(%) RSD% 85,67 78,83 27,13 18,13 1,56 1,37 3,17 4,87 Phụ lục Quy trình xử lý mẫu phân tích mẫu Hình PL3 Quy trình xử lý mẫu Bảng PL19 Điều kiện phân tích mẫu CE-C4D Các yếu tố Detector Mao quản Kỹ thuật bơm mẫu Thời gian bơm mẫu Dung dịch đệm điện di Thế tách Điều kiện C4D Mao quản silica đƣờng kính 50µm, tổng chiều dài 53cm (chiều dài hiệu dụng 44cm) Thủy động học kiểu xiphông:20cm 20 giây Tris/His 50/20mM +15kV 69 Phụ lục Sắc ký đồ phân tích mẫu phƣơng pháp LC-MS/MS Hình PL4 Sắc ý đồ mẫu M11 Hình PL5 Sắc ý đồ mẫu M7 thêm chuẩn 70 Hình PL6 Sắc ý đồ mẫu M9 thêm chuẩn 71 ... hoạt động bề mặt là: chất hoạt động bề mặt anion, chất hoạt động bề mặt cation, chất hoạt động bề mặt không ion chất hoạt động bề mặt lƣỡng tính [4] a) CHĐBM anion Chất hoạt động bề mặt mà hòa... đề tài ? ?Nghiên cứu xác định đồng thời bốn chất hoạt động bề mặt ankyl sunfat phương pháp điện di mao quản sử dụng detector độ dẫn không tiếp xúc CE-C4D” đƣợc lựa chọn với mục tiêu nghiên cứu phát... NGUYỄN THỊ TUYẾT NHUNG NGHIÊN CỨU XÁC ĐỊNH ĐỒNG THỜI CÁC CHẤT HOẠT ĐỘNG BỀ MẶT ANKYL SUNFAT TRONG NƢỚC BẰNG PHƢƠNG PHÁP ĐIỆN DI MAO QUẢN SỬ DỤNG DETECTOR ĐỘ DẪN KHÔNG TIẾP XÚC (CE-C4D) Chun ngành: