1. Trang chủ
  2. » Thể loại khác

Hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử : Luận văn ThS. Vật lý : 60 44 01

47 32 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 47
Dung lượng 1,11 MB

Nội dung

t độ hệ tăng, đỉnh cực đại hệ số hấp thụ dịch phía bề rộng hố lượng tử giảm - Hệ số hấp thụ phụ thuộc phi tuyến vào tần số sóng điện từ Khi tần số sóng điện từ vào khoảng 4.7x1013 Hz hệ số hấp thụ đạt giá trị cực đại - Đặc biệt, trường hợp sóng điện từ mạnh biến điệu, hệ số hấp thụ phụ thuộc vào thời gian t Sự phụ thuộc vào thời gian hệ số hấp thụ trường hợp sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ cho phép 36 Luận văn tốt nghiệp Đỗ Tuấn Long sóng điện từ xâm nhập sâu vào vật liệu hố lượng tử Đây tượng khác biệt so với hấp thụ sóng điện từ không biến điệu Các kết thu luận văn mẻ có giá trị khoa học Một phần kết thu luận văn công bố dạng báo cáo khoa học “Calculation of the nonlinear absorption coefficient of a strong electromagnetic wave modulated by amplitude in doped superlattices” Hội nghị khoa học khoa Vật lý, trường Đại học Khoa Học Tự Nhiên, tháng 10 năm 2012 37 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt Nguyễn Quang Báu, Đỗ Quốc Hùng, Vũ Văn Hùng, Lê Tuấn (2004), Lý thuyết bán dẫn đại, Nhà xuất Đại học Quốc Gia Hà Nội Nguyễn Xuân Hãn (1998), Cơ sở lý thuyết trường lượng tử, Nhà xuất Đại học Quốc Gia Hà Nội Nguyễn Thu Hương, Đỗ Tuấn Long, Nguyễn Vũ Nhân (2012), "Ảnh hưởng Lazer biến điệu lên hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu điện tử giam cầm hố lượng tử với chế tán xạ điện tử - phonon quang", Tạp chí NCKH & KTQS Tiếng Anh N.Q.Bau, N.V.Nhan and T.C.Phong (2003), "Parametric resonance of acoustic and optical phonons in a quantum well", J Kor Phys Soc., Vol 42, No 5, pp 647651 N.Q.Bau, D.M.Hung and N.B.Ngoc (2009), "The nonlinear absorption coefficent of a strong electromagnetic wave caused by confinded eletrons in quantum wells", J.Korean.Phys.Soc, Vol.42, No 2, pp 765-773 N.Q.Bau and H.D.Trien (2011), "The nonlinear absorption of a strong electromagnetic wave in low-dimensional systems", Wave propagation, Ch.22, pp 461-482 N.Q.Bau, D.M.Hung (2010), "The influences phonons on the non-linear absorption coefficient of a strong electromagnetic wave by confined electrons in doping superlattices", PIER Letters, Vol 15, pp 175-185 N.Q Bau, L.T.Hung, and N.D.Nam (2010), "The nonlinear absorption coefficient of strong electromagnetic wave by confined electrons in quantum wells under the infuences of confined phonons", Journal of Electromagnetic Waves and Application, Vol.24, No.13, pp 1751-1761 Nguyen Quang Bau, Tran Cong Phong (1998), "Calculation of the Absorption Coefficient of a weak EMW by free carries in quantum wells by the Kubo-Mori method", J.Phys Soc Japan, 67, pp 3875 10 Nguyen Quang Bau, Nguyen Vu Nhan, Nguyen Manh Trinh (1999), "On the Amplification of Acoustic phonon by Laser Wave in Quantum Wells ", Proccedings of the Third International Workshop on Materials Science (IWOMS’99), Hanoi, pp 869 11 Nguyen Quang Bau, Tran Cong Phong (2002), "Calculation of the Absorption Coefficient of a weak Electromagnetic Wave by free carries in Doping Superlattices by using the Kubo-Mori method", J.Korean Physical Sociey, 41 (1), pp 149 12 Esaki L (1984), "Semiconductor superlattices and quantum wells ", Proc 17th Int Conf Phys Semiconductors, San Francisco, CA, pp 473 13 Malevich V.L and E.M.Epstein (1974), "Nonlinear optical properties of conduction electrons, in semiconductors", Sov.Quantum Electronic, Vol 1, pp 1468-1470 14 Rucker H., Molinary E and Lugli P (1992), "Microscopic calculation of the electron-phonon interaction in quantum wells", Phys Rev, B45, pp 6447 15 Ridley B K (1982), "The electron-phonon interaction in quasi-two-dimensional semiconductor quantum well structure", J.Phys C, 15, pp 5899 16 Vasilopoulos, P., M.Charbonneau, and C.M.Van Vliet (1987), "Linear and nonlinear electrical conduction in quasi-two-dimensional quantum well", Phys.Rev.B, Vol.35, pp 1334 17 Zhao, P (1994), "Phonon amplification by absorption of an intense laser field in a quantum well of polar material", Phys Rev B, Vol 49, No 19, pp 13589-13599 PHỤ LỤC Dưới chương trình tính tốn số: khảo sát phụ thuộc hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ điện tử giam cầm hố lượng tử vào thơng số trường ngồi tham số cấu trúc hố lượng tử Chương trình viết ngơn ngữ lập trình Matlab Hàm con: function Dv=Dv(v,n1,n2,l,E,ome,dome,tau,T,L) m0=9.1*10^(-31); m=0.067*m0; e0=1.60219e-19; e=2.07*e0; h=1.05459e-34; kb=1.3807e-23; ome0=(36.25e-3)*1.60219e-19/h; Xinf=10.9; X0=12.9; n0=1e23; V0=1; Dv=0; for x=1:n1 for y=1:n2 a=e*E.*cos(dome*tau)/m./ome.^2; na=n0*(e*pi)^(3/2)*h^3/V0./(m*kb*T).^(3/2); ksi=((h*pi./L).^2)*(y^2-x^2)/(2*m)+h*ome0-l*h.*ome; if x==y z=1; else z=0; end; if v==2 Dv=Dv+na.*sqrt(2*m*kb.*T*pi)*m*a.^v/32/h^3/pi^3*(2+z)./L.* (4*m^2*ksi.^2/h^4).^((v-1)/4).*besselk((v-1)/2,abs(ksi)/2/kb./T).* (exp(-1/kb./T.*(h^2*pi^2*x^2/2/m./L.^2-ksi/2))- exp(-1/kb./T.*(h^2*pi^2*y^2/2/m./L.^2+ksi/2))); elseif v==4 Dv=Dv+na.*sqrt(2*m*kb.*T*pi)*m*a.^v*3/128/h^3/pi^3*(2+z)./L.* (4*m^2*ksi.^2/h^4).^((v-1)/4).*besselk((v-1)/2,abs(ksi)/2/kb./T).* (exp(-1/kb./T.*(h^2*pi^2*x^2/2/m./L.^2-ksi/2))- exp(-1/kb./T.*(h^2*pi^2*y^2/2/m./L.^2+ksi/2))); else Dv=0; end; end; end; end function alp=alp(n1,n2,E,ome,dome,tau,T,L); m0=9.1*10^(-31); m=0.067*m0; Xinf=10.9;X0=12.9; e0=1.60219e-19;e=2.07*e0; epxilon0=8.854e-12;k=1e4;c=3e8; h=1.05459e-34;kb=1.3807e-23; D21=Dv(2,n1,n2,1,E,ome,dome,tau,T,L); D201=Dv(2,n1,n2,-1,E,ome,dome,tau,T,L); D41=Dv(4,n1,n2,1,E,ome,dome,tau,T,L); D401=Dv(4,n1,n2,-1,E,ome,dome,tau,T,L); D42=Dv(4,n1,n2,2,E,ome,dome,tau,T,L); D402=Dv(4,n1,n2,-2,E,ome,dome,tau,T,L); alp=pi^3*e^2*kb*T.*ome*k/c/h/epxilon0/sqrt(Xinf)./E.^2*(1/Xinf-1/X0).* (8*(D21-D201)-2*(D41-D401)+D42-D402); End Chương trình khảo sát phụ thuộc hệ số hấp thụ vào tần số sóng điện từ: close all; clear all; clc; n1=1;n2=1; T=295; L=25e-9; E=20e6; dome=5e11; [ome tau]=meshgrid(linspace(4e13,8e13,100),linspace(1e-12,30e-12,100)); alpha=alp(n1,n2,E,ome,dome,tau,T,L); mesh(ome,tau,alpha);grid on; xlabel('Tan so SDT manh'); ylabel('Thoi gian t') zlabel('He so hap thu \alpha'); close all; clear all; clc; n1=1;n2=1; T=290; L=25e-9; E=20e6; dome=5e11;tau=6e-12; ome=linspace(4e13,8e13,100); alpha=alp(n1,n2,E,ome,dome,tau,T,L); plot(ome,alpha,'-k','linewidth',2.5);grid on; hold on; T=295; alpha=alp(n1,n2,E,ome,dome,tau,T,L); plot(ome,alpha,' k','linewidth',2.5); T=300; alpha=alp(n1,n2,E,ome,dome,tau,T,L); plot(ome,alpha,':k','linewidth',2.5); xlabel('Tan so SDT'); ylabel('He so hap thu \alpha'); legend('T=290K','T=295K','T=300K'); Chương trình khảo sát phụ thuộc hệ số hấp thụ vào cường độ sóng điện từ: close all; clear all; clc; n1=1;n2=1; T=290; L=30e-9; ome=4.5e13; dome=5e11; [E tau]=meshgrid(linspace(20e6,40e6,100),linspace(1e-12,30e-12,100)); alpha=alp(n1,n2,E,ome,dome,tau,T,L); mesh(E,tau,alpha);grid on; xlabel('Cuong SDT'); ylabel('Thoi gian t'); zlabel('He so hap thu \alpha'); close all; clear all; clc; n1=1;n2=1; T=270; L=25e-9; E=linspace(15e6,40e6,100); dome=5e11;tau=1e-12; ome=5e13; alpha=alp(n1,n2,E,ome,dome,tau,T,L); plot(E,alpha,'-k','linewidth',2.5);grid on; hold on; T=285; alpha=alp(n1,n2,E,ome,dome,tau,T,L); plot(E,alpha,' k','linewidth',2.5); T=300; alpha=alp(n1,n2,E,ome,dome,tau,T,L); plot(E,alpha,':k','linewidth',2.5); xlabel('Cuong SDT'); ylabel('He so hap thu \alpha'); legend('T=270K','T=285K','T=300K'); Chương trình khảo sát phụ thuộc hệ số hấp thụ vào nhiệt độ: close all; clear all; clc; n1=1;n2=5; T=linspace(100,300,100); L=15e-9; E=25e6; dome=3e11;tau=1e-12;ome=7.5e13; alpha=alp(n1,n2,E,ome,dome,tau,T,L); plot(T,alpha,'-k','linewidth',2.5);grid on; hold on; ome=7.8e13; alpha=alp(n1,n2,E,ome,dome,tau,T,L); plot(T,alpha,' k','linewidth',2.5); ome=8.0e13; alpha=alp(n1,n2,E,ome,dome,tau,T,L); plot(T,alpha,':k','linewidth',2.5); xlabel('Nhiet T'); ylabel('He so hap thu \alpha'); legend('omega=7.5e13','omega=7.8e13','omega=8.0e13'); Chương trình khảo sát phụ thuộc hệ số hấp thụ vào bề rộng hố lượng tử: close all; clear all; clc; n1=1;n2=1;T=295; E=15e6; dome=5e11;ome=5e13; [L tau]=meshgrid(linspace(10e-9,100e-9,100),linspace(5e-12,40e-12,100)); alpha=alp(n1,n2,E,ome,dome,tau,T,L); mesh(L,tau,alpha);grid on; hold on; xlabel('Be rong ho luong tu L'); ylabel('Thoi gian t'); zlabel('He so hap thu \alpha'); close all; clear all; clc; n1=1;n2=1; T=290; E=15e6; dome=5e11;tau=6e-12;ome=5e13; L=linspace(10e-9,100e-9,100); alpha=alp(n1,n2,E,ome,dome,tau,T,L); plot(L,alpha,'-k','linewidth',2.5);grid on; hold on; T=295; alpha=alp(n1,n2,E,ome,dome,tau,T,L); plot(L,alpha,' k','linewidth',2.5); T=300; alpha=alp(n1,n2,E,ome,dome,tau,T,L); plot(L,alpha,':k','linewidth',2.5); xlabel('Be rong ho luong tu L'); ylabel('He so hap thu \alpha'); legend('T=290K','T=295K','T=300K');

Ngày đăng: 15/09/2020, 14:52

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 3.1 Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào tần số sóng điện từ và thời gia nt - Hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử : Luận văn ThS. Vật lý : 60 44 01
Hình 3.1 Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào tần số sóng điện từ và thời gia nt (Trang 35)
Hình 3.2 Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào tần số sóng điện từ - Hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử : Luận văn ThS. Vật lý : 60 44 01
Hình 3.2 Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào tần số sóng điện từ (Trang 36)
Hình 3.3 Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào cường độ sóng điện từ - Hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử : Luận văn ThS. Vật lý : 60 44 01
Hình 3.3 Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào cường độ sóng điện từ (Trang 36)
Hình 3.4 Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào cường độ SĐT và thời gia nt - Hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử : Luận văn ThS. Vật lý : 60 44 01
Hình 3.4 Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào cường độ SĐT và thời gia nt (Trang 37)
Hình 3.5 Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào nhiệt độ T của hệ và thời gia nt - Hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử : Luận văn ThS. Vật lý : 60 44 01
Hình 3.5 Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào nhiệt độ T của hệ và thời gia nt (Trang 37)
Hình 3.6 Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào nhiệt độ T của hệ - Hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử : Luận văn ThS. Vật lý : 60 44 01
Hình 3.6 Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào nhiệt độ T của hệ (Trang 38)
Hình 3.7 Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào bề rộng hố lượng tử và thời gia nt - Hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử : Luận văn ThS. Vật lý : 60 44 01
Hình 3.7 Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào bề rộng hố lượng tử và thời gia nt (Trang 38)
Hình 3.8 Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào bề rộng hố lượng tử - Hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử : Luận văn ThS. Vật lý : 60 44 01
Hình 3.8 Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào bề rộng hố lượng tử (Trang 39)

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w