Bài giảng Cấu kiện điện tử do GV. Hoàng Quang Huy biên soạn, trong bài 5 trình bày nội dung khái niệm, phân loại Tranzito trường, phân cực cho Tranzito trường, mô hình tương đương của Tranzito trường, chế độ chuyển mạch của Tranzito trường,... Để biết rõ hơn về nội dung chi tiết, mời các bạn cùng tham khảo.
Tranzito tr−êng Field Effect Transistor - FET http://hqhuy.wordpress.com Néi dung Khái niệm, phân loại JFET MOSFET Phân cực cho JFET MOSFET Mụ hình tương đương FET Chế độ chuyển mạch FET http://hqhuy.wordpress.com FET • Tranzito tr−êng - FET (Field Effect Transistor) cấu kiện điện tử gồm cực, có cực điều khiển ã Khác với BJT sử dụng hai loại hạt dẫn đồng thời (n p) điều khiển dòng FET dùng loại hạt dẫn (hoặc n p) điều khiển điện áp ã FET đặc biệt có nhiều u điểm nh tiêu thụ lợng, trở kháng vào lớn, thuận tiện công nghệ chÕ t¹o http://hqhuy.wordpress.com http://hqhuy.wordpress.com Tranzito tr−êng dïng chun tiếp pn (JFET) http://hqhuy.wordpress.com http://hqhuy.wordpress.com Nguyên lý làm viÖc http://hqhuy.wordpress.com UGS = 0, UDS = Var > http://hqhuy.wordpress.com http://hqhuy.wordpress.com Đặc tuyến http://hqhuy.wordpress.com 10 Tranzito tr−êng MOSFET • Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor • IGFET (Isolated Gate FET) ã MOSFET kênh đặt sẵn: Còn đợc gọi loại D-MOSFET (viết tắt từ tiếng Anh: Depletion type MOSFET - tức MOSFET loại nghèo) - Đây loại có kênh đợc hình thành sẵn trình chế tạo - Nó làm việc đợc chế độ làm nghèo chế độ làm giầu hạt dẫn ã MOSFET kênh cảm ứng: Còn đợc gọi E-MOSFET (viết tắt từ tiếng Anh: Enhancement type MOSFET - tức MOSFET loại giầu loại tăng cờng) - Trong E-MOSFET kênh không đợc chế tạo trớc mà hình thành đặt điện áp định lên cực G Quá trình hình thành kênh trình làm giầu hạt dẫn nhờ tợng cảm ứng tĩnh điện từ cực G - Loại làm việc đợc chế độ làm giầu (E-mode) http://hqhuy.wordpress.com 23 D-MOSFET http://hqhuy.wordpress.com 24 D-MOSFET http://hqhuy.wordpress.com 25 Nguyên lý hoạt động D-MOSFET http://hqhuy.wordpress.com 26 Đặc tuyến http://hqhuy.wordpress.com 27 E-MOSFET http://hqhuy.wordpress.com 28 http://hqhuy.wordpress.com 29 Đặc tuyến E-MOSFET http://hqhuy.wordpress.com 30 Đặc tuyến E-MOSFET (2) http://hqhuy.wordpress.com 31 Đặc tuyến E-MOSFET (3) ã ã ã ã VGSsat : điện áp thắt kênh VT : điện áp mở k : hệ số tỉ lệ ID(on), VGS(on) : giá trị tơng ứng ®iĨm lµm viƯc (on) http://hqhuy.wordpress.com 32 http://hqhuy.wordpress.com 33 Tham sè MOSFET Tham số giới hạn 25Vdc ã UDS max (điện áp UDS cực đại): 30Vdc ã UGS max (điện áp UGS cực đại): 30Vdc ã UDG max (điện áp máng - cửa cực đại): 30mAdc ã ID max (dòng điện ID cực đại): ã PD max (công suất tiêu tán cực đại cực D 25oC): 300mW ã PD max (hệ số giảm công suất tiêu tán cực đại cực D > 25oC): 1,7mW/oC http://hqhuy.wordpress.com 34 Tham số MOSFET (2) Tham số cắt dòng: ã UDS thủng (điện áp đánh thủng D-S ID= 10A, UGS = 10V): 25Vdc ã IGSS (dòng điện cực cöa UGS = ± 15V, UDS = 0V): ±10pAdc ã IDSS (dòng điện cực máng UGS = 0V, UDS = 10V, t = 25oC): 10nAdc Tham sè lµm việc: ã UT (điện áp ngỡng G-S UDS = 10V, ID = 10A): 5Vdc ã ID (on) (dòng cực máng điểm ON, UDS = 10V, UGS = 10V): 3mAdc ã UDS(on) (Điện áp D-S điểm ON, UGS = 10V, ID = 2mA): 1Vdc http://hqhuy.wordpress.com 35 Tham sè MOSFET (3) ã MOSFET có cực cửa cách ly với kênh lớp cách điện SiO2 nên có trở kháng vào lớn cỡ 1010 (lớn JFET) ã MOSFET tiêu thụ lợng nhỏ, thời gian chuyển mạch nhanh, nên phù hợp với công nghệ chế tạo vi mạch số cỡ lớn ã MOSFET có tính chÊt cđa mét ®iƯn trë tun tÝnh ®iỊu khiĨn b»ng điện áp nh JFET vùng tuyến tính (UDS < 1Vữ 1,5V) ã MOSFET nhạy với tác động điện tích, đặc biệt loại E-MOSFET Vì việc vận chuyển hay cất giữ tránh cầm tay trực tiếp để không làm hỏng MOSFET phóng điện hạt tĩnh điện http://hqhuy.wordpress.com 36 http://hqhuy.wordpress.com 37 ... tĩnh điện từ cực G - Loại làm việc đợc chế độ làm giầu (E-mode) http://hqhuy.wordpress.com 23 D-MOSFET http://hqhuy.wordpress.com 24 D-MOSFET http://hqhuy.wordpress.com 25 Nguyên lý hoạt động D-MOSFET... http://hqhuy.wordpress.com 26 Đặc tuyến http://hqhuy.wordpress.com 27 E-MOSFET http://hqhuy.wordpress.com 28 http://hqhuy.wordpress.com 29 Đặc tuyến E-MOSFET http://hqhuy.wordpress.com 30 Đặc tuyến E-MOSFET... dòng: ã UDS thủng (điện áp đánh thủng D-S ID= 10A, UGS = 10V): 25Vdc ã IGSS (dòng điện cực cửa UGS = ± 15V, UDS = 0V): ±10pAdc • IDSS (dòng điện cực máng UGS = 0V, UDS = 10V, t = 25oC): 10nAdc Tham