Bài giảng Cấu kiện điện tử: Chương 5 - ĐH Nha trang

25 78 0
Bài giảng Cấu kiện điện tử: Chương 5 - ĐH Nha trang

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

Bài giảng Cấu kiện điện tử - Chương 5: Transistor hiệu ứng trường (FET) trình bày các nội dung: Cấu tạo, nguyên lý hoạt động của FET (Field-Effect Transistor), các tham số và đặc tính của FET, phân cực cho FET, sơ đồ tương đương của FET ở chế độ tín hiệu nhỏ, tần số thấp. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.

NHATRANG UNIVERSITY Chương Transistor hiệu ứng trường (FET) • Cấu tạo, nguyên lý hoạt động FET (Field-Effect Transistor) • Các tham số đặc tính FET • Phân cực cho FET • Sơ đồ tương đương FET chế độ tín hiệu nhỏ, tần số thấp NHATRANG UNIVERSITY Transistor trường (Field-Effect Transistor) • Là loại linh kiện hoạt động dựa hiệu ứng trường để điều khiển độ dẫn điện bán dẫn đơn tinh thể • Dòng điện loại hạt mang điện sinh nên gọi linh kiện đơn cực (unipolar device) • Transistor trường gồm có hai loại: – Nếu cực cửa cách ly với kênh tiếp giáp p-n transistor trường cực cửa tiếp giáp JFET – Nếu cực cửa cách ly với kênh lớp oxit kim loại transistor trường cực cửa cách ly oxit kim loại (MOSFET); MOSFET lại có hai loại MOSFET kênh đặt sẵn MOSFET kênh cảm ứng • Ưu điểm transistor trường là: mức độ tiêu hao lượng thấp, hoạt động tin cậy, nhiễu, trở kháng vào lớn, trở kháng nhỏ,… Transistor trường có cực cửa tiếp giáp (JFET) NHATRANG UNIVERSITY • Cấu tạo – Trên đế bán dẫn loại n (hoặc p) ta pha tạp hai lớp bán dẫn loại p (hoặc n) có nồng độ cao; lớp bán dẫn loại n (hoặc p) gọi kênh dẫn – Hai đầu kênh dẫn đưa hai chân cực Máng D (Drain) cực Nguồn S (Source); thường JFET có cấu trúc đối xứng, nên cực D cực S đổi lẫn cho – Hai miếng bán dẫn hai bên nối với đưa chân cực cửa G (Gate) NHATRANG UNIVERSITY Nguyên lý hoạt động JFET • Để JFET hoạt động chế độ khuếch đại phải phân cực cho theo ngun tắc tiếp giáp p-n ln phân cực ngược • Xét nguyên lý làm việc JFET kênh n: – Để tiếp giáp p-n phân cực ngược UGS0 có tác dụng tạo dòng điện qua kênh – Dòng điện qua kênh (dòng cực máng ID) phụ thuộc vào UGS UDS Nguyên lý hoạt động JFET NHATRANG UNIVERSITY • Nếu giữ UGS giá trị cố định, xét phụ thuộc dòng cực máng ID vào UDS, ta có đặc tuyến ra: ID=f(UDS)|Ugs=const Nguyên lý hoạt động JFET NHATRANG UNIVERSITY • Khi UGS=0 – Nếu UDS=0, chưa có điện trường electron từ S→D, nên ID=0 – Tăng dần UDS>0, tiếp giáp p-n bị phân cực ngược mạnh dần, khơng đồng đều: phân cực mạnh phía D giảm dần phía S Nếu chưa có “thắt” kênh, điện trở kênh khơng đổi dòng ID tăng dần – Tiếp tục tăng UDS, đến hai lơp tiếp giáp p-n gặp điểm, “thắt” kênh→UDS=UDSS (pinch off) – Tiếp tục tăng UDS điểm “thắt” dịch chuyển phía S, điện trở kênh tăng dần, nên ID=IDSS≈const – Tiếp tục tăng UDS tiếp giáp p-n bị đánh thủng, JFET không hoạt động • Khi UGS0 – Nếu UGS=0, lúc tiếp giáp p-n bị phân cực ngược yếu nhất, nên độ rộng kênh lớn nhất, dòng ID lớn – Nếu giảm UGS0, kênh dẫn hình thành điện trường UGS gây kéo electron từ đế kênh; điện áp UGS bắt đầu hình thành kênh gọi điện áp ngưỡng UGSth – Người ta tính dòng ID: I D  K U GS  U GSth  K: số, đơn vị A/V2; thường xác định nhờ thông số datasheet nhà sản xuất NHATRANG UNIVERSITY Nguyên lý hoạt động EMOSFET ... tụ tiếp xúc cực r’gs: điện trở hai cực G-S r’ds: điện trở hai cực D-S r’gs r’ds lớn nên coi hở mạch Transistor trường có cực cửa cách ly (MOS-FET) NHATRANG UNIVERSITY • Cấu tạo: – Trên đế bán... cho JFET điện trở phân áp Tính dòng điện điện áp chiều cực JFET? Biết UD=7V Các tham số JFET chế độ tín hiệu nhỏ Độ hỗ dẫn: Biểu thị khả điều khiển dòng điện cực NHATRANG UNIVERSITY máng điện áp...NHATRANG UNIVERSITY Transistor trường (Field-Effect Transistor) • Là loại linh kiện hoạt động dựa hiệu ứng trường để điều khiển độ dẫn điện bán dẫn đơn tinh thể • Dòng điện loại hạt mang điện

Ngày đăng: 12/02/2020, 20:03

Từ khóa liên quan

Tài liệu cùng người dùng

Tài liệu liên quan