Phương pháp CVD là phương pháp mà vật liệu rắn được lắng đọng từ pha hơi thông qua các phản ứng hóa học xảy ra ở gần bề mặt đế được nung nóng tạo thành màng. Để hiểu rõ hơn về vấn đề này mời các bạn tham khảo bài thuyết trình Phương pháp CVD.
MÔN PHƢƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM Đề tài: Báo cáo: Nguyễn Thị Hảo Quang học K21 22/10/2011 What is ….? C V D Lắng đọng hóa học C V D Lắng đọng hóa học phương pháp mà vật liệu rắn lắng đọng từ pha thơng qua phản ứng hóa học xảy gần bề mặt đế nung nóng tạo thành màng C V D Màng Lắng đọng Đế bị nung nóng Hợp chất Ngƣng tụ đế Hơi Cung cấp E (Precusor) + Tác nhân Vật liệu (rắn) C V D SƠ ĐỒ Khí phản ứng (Precursor) Buồng phản ứng (reactor) Khuyếch tán xuống đế Tạo màng Phản ứng hóa học Hấp thụ Khí phản ứng (precursor) Màng (rắn) Sản phẩm khí thừa C V D SƠ ĐỒ Hơi vật liệu (Precursor) Sản phẩm khí thải Khuyếch tán Đế Bộ phận cấp nhiệt t = 900o C, p = 0.1 mbar – 1bar Vùng phản ứng hóa học C V D SƠ ĐỒ Sản phẩm thừa Đế Khuyếch tán bề mặt đế Sự hình Phát triển thành thành màng nguyên tử ốc đảo V D SƠ ĐỒ THIẾT BỊ P>0.01 bar t = 25o C Precursor C Hệ thống xử lí khí thải Tấm lọc Buồng chứa khí phản ứng BUỒNG PHẢN ỨNG Van Khí thải C V D BUỒNG PHẢN ỨNG Bộ phận cấp nhiệt Đế Khí vào Kh Bộ phận cấp nhiệt Precursor Khí C V D BUỒNG PHẢN ỨNG Khí phản ứng (Precursor) Đế Đế Bộ phận cấp nhiệt Khí thải C V D ĐIỀU KIỆN TRONG CVD Nhiệt độ đế Precursor Buồng phản ứng C V D ĐỘ PHỦ MÀNG Tốc độ lắng đọng tỉ lệ với góc tới C V D PHẢN ỨNG HÓA HỌC TRONG CVD Phản ứng phân hủy Phản ứng khử Phản ứng thủy phân Vận chuyển hóa học Phản ứng trùng hợp C V D CƠ CHẾ & QUÁ TRÌNH TRONG CVD Vận chuyển nhiệt Ngưng tụ Hấp phụ Phủ khu vực Phủ đế có cấu hình phức tạp Tốc độ lắng đọng cao C Hệ thiết bị đơn giản V D ƢU ĐIỂM Tạo màng hợp kim nhiều Màng dày, đều, xốp, 15 C V D NHƢỢC ĐIỂM chế phản Cơ chếCơ phản ứng ứng tạp phức tạp phức Nhiệt độ đế cao Đế & thành buồng phản ứng dễ bị ăn mòn Sản phẩm khí độc C V D ỨNG DỤNG Tạo nhiều loại màng mỏng Trong CN vi điện tử Sợi quang Pin mặt trời C Vật liệu siêu dẫn D V Sợi composite C V D PHÂN LOẠI CVD APCVD LPCVD MOCVD PECVD • Thermal CVD • Kích hoạt phản ứng nhiệt (>9000C) • Atmospheric pressure chemical vapor deposition • Lắng đọng hóa học áp suất khí • Low pressure chemical vapor deposition • Lắng đọng hóa học áp suất thấp • Metal organic chemical vapor deposition • CVD nhiệt, precursor hợp chất hữu kim loại • Plasma enhanced chemical vapor deposition • Năng lượng plasma để kích hoạt phản ứng.300500oC 18 Q trình ngưng tụ kim loại Khí vào Sản phẩm khí thải chất phản ứng Vùng phản ứng Đế Dòng nhiệt C V D PRECURSOR CỦA MOCVD Hidro Cacbon Kim loại C V D CÔNG NGHIỆP MOCVD ... Sợi quang Pin mặt trời C Vật liệu siêu dẫn D V Sợi composite C V D PHÂN LOẠI CVD APCVD LPCVD MOCVD PECVD • Thermal CVD • Kích hoạt phản ứng nhiệt (>9000C) • Atmospheric pressure chemical vapor... nhiệt Khí thải C V D ĐIỀU KIỆN TRONG CVD Nhiệt độ đế Precursor Buồng phản ứng C V D ĐỘ PHỦ MÀNG Tốc độ lắng đọng tỉ lệ với góc tới C V D PHẢN ỨNG HÓA HỌC TRONG CVD Phản ứng phân hủy Phản ứng khử... Phản ứng khử Phản ứng thủy phân Vận chuyển hóa học Phản ứng trùng hợp C V D CƠ CHẾ & QUÁ TRÌNH TRONG CVD Vận chuyển nhiệt Ngưng tụ Hấp phụ Phủ khu vực Phủ đế có cấu hình phức tạp Tốc độ lắng