Nghiên cứu điều khiển dải tần số hoạt động của siêu vật liệu trong vùng quang học

ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƢỜNG ĐẠI KHOA HỌC BÙI VĂN CHỈNH NGHIÊN CỨU ĐIỀU KHIỂN DẢI TẦN SỐ HOẠT ĐỘNG CỦA SIÊU VẬT LIỆU TRONG VÙNG QUANG HỌC LUẬN VĂN THẠC SĨ ẬT Sự phụ thuộc (a) Phổ truyền qua mô (b) độ từ thẩm vào chiều dày lớp điện môi cố định = 5µm 48 Mơ phổ truyền qua cấu trúc DPD vào lớp đệm hai lớp cấu trúc (a) TPX, (b) Quart (c) Saphia 50 Mô phụ thuộc (a) Phổ truyền qua chiết suất, (b) Phần thực độ từ thẩm điện thẩm cấu trúc DND vào nhiệt độ (c) Tính tốn vùng có chiết âm kép theo tăng nhiệt độ .52 Mô phụ thuộc (a) phổ truyền qua chiết suất (b) phần thực độ từ thẩm, điện thẩm DND vào chiều dày lớp Polymethylpentene (c) tính tốn vùng có chiết suất âm kép tăng theo giảm chiều dày lớp Polymethylpentene 54 Mô phụ thuộc (a) phổ truyền qua chiết suất (b) phần thực độ từ thẩm, điện thẩm DND vào chiều dày lớp điện mơi Pyrex glass (c) tính tốn vùng có chiết suất âm kép tăng theo tăng độ dày lớp Pyrex 55 Mô phụ thuộc phổ truyền qua vào (a) khoảng cách hai lớp (b) chiều dày lớp điện môi quanh vùng tần số 140 THz 57 vii MỞ ĐẦU Hiện để đạt kết cao công nghệ ứng dụng ngồi kĩ thuật sẵn có, vấn đề quan trọng tìm loại vật liệu có tính Một số vật liệu nghiên cứu chế tạo mà phải nói đến siêu vật liệu Siêu vật liệu vật liệu nhân tạo, loại siêu vật liệu nghiên cứu nhiều vật liệu có chiết suất âm (negative refraction) Dựa ý tưởng ban đầu Veselago, vật liệu chiết suất âm kết hợp hoàn hảo hai thành phần điện từ, tạo nên vật liệu đồng thời có độ từ thẩm âm độ điện thẩm âm ( < 0, < 0) dải tần số Từ dẫn đến tính chất điện từ quang học bất thường, có nghịch đảo định luật Snell, nghịch đảo dịch chuyển Doppler, hay nghịch đảo phát xạ Cherenkov Nhờ vào tính chất kỳ diệu này, siêu vật liệu có chiết suất âm hứa hẹn nhiều tiềm ứng dụng như: siêu thấu kính, antenna, thành phần chế tạo “áo khốc tàng hình”, cảm biến, chậm hay dừng ánh sáng…Tuy nhiên, trước đưa vật liệu vào ứng dụng rộng rãi, tồn đọng nhiều vấn đề cần giải cách thỏa đáng Như cách để chế tạo cách đơn giản, dễ dàng có tính đối xứng cao, giảm tiêu hao, mở rộng vùng tần số hoạt động vật liệu hay tìm kiếm ứng dụng mới… Đối với vấn đề mở rộng vùng tần số hoạt động, phương pháp thơng thường tích hợp nhiều cấu trúc đơn lẻ vào ô sở hay sử dụng phương pháp tối ưu hóa theo cơng thức Gielis Tuy nhiên phương pháp hạn chế cấu trúc phức tạp, hay đòi hỏi điều chỉnh tham số cách khắt khe hay tính đối xứng nên khó khăn việc chế tạo đặc biệt vùng tần số cao…Gần phương pháp lai hóa plasmon sử dụng hiệu để mở rộng vùng tần số hoạt động siêu vật liệu Tuy nhiên hầu hết cơng trình nghiên cứu ảnh hưởng tham số cấu trúc hay tổn hao lên hiệu mở rộng vùng tần số hoạt động dựa lai hóa chưa có cơng trình nghiên cứu ảnh hưởng tác động ngoại vi đến điều Tác động ngoại vi nhiệt, điện, quang… bao gồm tác động mong muốn (tác động vào có chủ đích để thay đổi tính chất vật liệu) hay tác động không mong muốn (tác động yếu tố môi ứu đ ề ản đồ ể ậ ệ ụ ả ệ ả ộ ế ấ ự ấu trúc lƣới đĩa hai lớ Hình 2.2 (d) (e) minh họa sở cấu trúc lưới đĩa hai lớp , cấu trúc mong đợi có khả điều khiển hiệu hiệu mở rộng vùng chiết suất âm dựa giản đồ lai hóa bậc hai thay đổi nhiệt độ thành phần bán dẫn InSb cấu trúc Trong cấu trúc này, hai cặp đĩa có khả tạo vùng từ thẩm âm rộng lai hóa hai lớp hoạt động mạnh nghiên cứu mục 3.2, dây liên tục cung cấp tần số plasma nhân tạo [4] Để thu vùng chiết suất âm rộng cấu trúc DND phải đảm bảo đồng thời hai điều kiện: thứ hiệu lai hóa phải đủ mạnh để tách mode cộng hưởng tạo vùng cộng hưởng từ rộng, thứ hai vùng cộng hưởng từ tách phải nằm tần số plasma Một thuận lợi siêu vật liệu hưởng ứng điện từ điều chỉnh 50 độc lập tham số cấu trúc Trong cấu trúc DND, vùng cộng hưởng từ điều chỉnh khoảng cách hai lớp mà không ảnh hưởng đến tần số plasma [46.], tần số plasma tổng cộng cấu trúc chỉnh độ rộng dây liên tục [50] mà không ảnh hưởng đến vùng cộng hưởng từ Bởi trước tiến hành điều khiển hiệu hiệu mở rộng vùng chiết suất âm dựa giản đồ lai hóa bậc hai nhiệt, luận văn điều chỉnh tham số cấu trúc cho vùng cộng hưởng từ nằm tần số plasma nhiệt độ ban đầu T =300 K Như vậy, nhiệt độ ban đầu vùng chiết suất âm tạo Tuy nhiên vùng cịn hẹp theo kết nghiên cứu mục 3.2, ứng với nhiệt độ 300 K mơ hình lai hóa chưa hoạt động mạnh nên vùng từ thẩm âm thu hẹp Ngoài ra, để thu vùng truyền qua ứng với chiết suất âm có độ truyền qua cao, tơi thực tối ưu hóa tham số cấu trúc cho vùng từ thẩm âm điều kiện phối hợp trở kháng thỏa mãn (ε = µ) Sau đó, dựa vào kết nghiên cứu mục 3.2, thực tăng nhiệt độ chất bán dẫn InSb lên với mong muốn vùng từ thẩm âm mở rộng hiệu tách mức lượng cộng hưởng từ tăng vùng từ thẩm âm nằm tần số plamsma Kết mô phổ truyền qua phần thực chiết suất theo nhiệt độ đưa hình 3.8(a) Kết cho thấy, có đỉnh truyền qua ứng với chiết suất âm nhiệt độ T = 300 K Khi nhiệt độ tăng lên, vùng truyền qua ứng với chiết suất âm ngày mở rộng cuối tách thành hai đỉnh Kết vùng chiết suất âm mở rộng đáng kể Để lý giải cho tượng này, luận văn tính tốn phần thực từ thẩm điện thẩm phụ thuộc vào nhiệt độ hình 8(b) Kết cho thấy hiệu mở rộng vùng từ thẩm âm theo nhiệt độ hoàn toàn giống với nghiên cứu mục 3.2 Khi nhiệt độ thấp, nồng độ hạt tải (T = 300K), lai hóa hai lớp cấu trúc cịn yếu nên vùng cộng hưởng từ ứng với từ thẩm âm hẹp Khi nhiệt độ tăng từ 300K - 450K, nồng độ hạt tải tăng làm cho dòng đối song hoạt động mạnh kích thích lai hóa hai lớp Hệ làm vùng cộng hưởng từ ứng với từ thẩm âm mở rộng quan sát hình 3.8(b) Hơn thế, có điểm đáng lưu ý dịch chuyển bước sóng ngắn vùng cộng hưởng từ tần số plasma tăng nhiệt độ InSb Khi nhiệt độ 51 tăng từ 300K - 450K, vùng từ thẩm âm nằm tần số plasma nên tạo vùng chiết suất âm mở rộng vùng chiết suất âm kép hoàn toàn tương ứng với mở rộng vùng từ thẩm âm Như điều chỉnh nhiệt độ bán dẫn InSb, độ rộng vùng có chiết suất hồn tồn điều chỉnh hệ điều chỉnh hiệu mơ hình lai hóa bậc hai Thú vị vùng có chiết suất âm kép, vùng có ứng dụng thực tế mở rộng đáng kể nhiệt độ tăng từ 300K - 450K Tỉ số vùng có chiết suất âm kép tần số trung tâm tăng từ 3,4% đến 6,0% (vùng chiết suất âm đơn tăng từ 24,3% đến 29,2%) hình 3.8(c) Ngồi giải thích tượng mở rộng vùng chiết suất âm kép phương trình định lượng nhiệt độ tăng thơng qua mơ hình mạch điện LC trình bày chương Thứ mở rộng vùng từ thẩm âm giải thích sau: nhiệt độ tăng, nồng độ hạt tải tăng làm cho theo công thức (2.5) (2.13) dẫn đến , , giảm tổng cộng giảm k tăng theo công thức 52 (2.8) Tương tự DPD, tăng làm khoảng cách hai mode tách tăng hay nói khác hiệu lai hóa theo cơng thức (2.10) (  |    |   0 ) Hơn dịch vùng cộng hưởng từ phía bước sóng ngắn giải thích kỹ lưỡng mục 3.2 dịch tần số cộng hưởng từ tăng nồng độ hạt tải Thứ hai dịch số plasma phía bước sóng ngắn nồng độ hạt tải tăng để đảm bảo hai vùng từ thẩm âm chồng chập với điện thẩm âm tăng nhiệt độ giải thích chương Như vậy, qua nghiên cứu luận văn điều khiển hiệu hiệu mở rộng vùng chiết suất âm dựa giản đồ lai hóa bậc hai sử dụng cấu trúc lưới đĩa hai lớp thông qua tác động nhiệt với thay đổi nồng độ hạt tải bán dẫn InSb Hầu hết kết nghiên cứu hiệu lai hóa để mở rộng vùng từ thẩm âm hay chiết suất âm tập trung nghiên cứu thay đổi tham số cấu trúc , kết nghiên cứu luận văn nghiên cứu dùng tác động ngoại vi Tiếp theo với mục đích để tối ưu hóa tham số cấu trúc cho vùng chiết suất âm rộng nhất, luận văn tiếp tục điều chỉnh khoảng cách hai lớp chiều dày lớp điện môi nhiệt độ mẫu 450K Phổ truyền qua phần thực chiết suất phụ thuộc vào khoảng cách hai lớp d với td cố định 10 μm đưa hình 3.9(a) Bằng cách giảm khoảng cách hai lớp từ 20 đến μm, vùng truyền qua ứng với chiết suất âm kép ngày mở rộng Phần thực từ thẩm điện thẩm hình 3.9 (b) cho thấy mở rộng vùng từ thẩm âm hoàn tồn phù hợp với mơ hình lai hóa bậc hai giảm khoảng cách Có thể thấy rõ ràng cộng hưởng từ bị tách thành hai cộng hưởng từ mạnh giảm Cuối cùng, nghiên cứu luận văn vùng từ thẩm âm rộng thu = 5μm Mặt khác hình 3.9(b) cịn cho thấy tần số plasma khơng đổi thay đổi lớn vùng tần số có từ thẩm âm Vì mở rộng vùng có từ thẩm âm đồng nghĩa với việc mở rộng vùng có chiết suất âm kép nên vùng truyền qua ứng với chiết suất âm mở rộng giảm d quan sát hình 9(a) Tỉ số vùng có chiết suất âm kép tần số trung tâm tăng từ 4,6% đến 8,3% (vùng chiết suất âm đơn tăng từ 23% to 33,9%) hình 3.9(c) 53 Tiếp theo, cơng việc tối ưu hóa tham số cấu trúc tiếp tục thực điều chỉnh chiều dày lớp điện môi td giữ nguyên khoảng cách hai lớp =5 μm Phổ truyền qua phần thực chiết suất phụ thuộc vào td đưa hình 3.10(a) Phần thực từ thẩm điện thẩm phụ thuộc vào td đưa hình 10(b) Có thể thấy vùng truyền qua có từ thẩm âm kép dịch chuyển phái tần số cao td tăng Điều giải thích tăng tần số công hưởng từ giải thích mục 3.2 quan sát dịch vùng từ thẩm âm hình 3.10(b) Trong nghiên cứu lai hóa hoạt động mạnh vùng khảo sát từ μm đến 12 μm 54 Vùng có từ thẩm âm ngày mở rộng khi tăng tần số plasma dịch mạnh phía tần số thấp Đối với khoảng giá trị khảo sát theo tăng tăng Tuy nhiên, ý tần số plasma vùng có từ thẩm âm, tiếp tục tần số plasma lấn sâu chí nhỏ vào vùng có từ thẩm âm Điều làm cho vùng có chiết suất âm kép bị thu hẹp lại biến kể hiệu lai hóa cịn mạnh Kết cho thấy có giá trị giới hạn để tồn vùng chiết suất âm kép Trong nghiên cứu này, Tỉ số vùng có chiết suất âm kép tần số trung tâm tăng từ 7,0 % đến 10,4 % (nhưng vùng chiết suất âm đơn lại giảm 42,8 % đến 19,9 % hình 3.10 (a) dịch tần số plasma vùng tần số thấp) 55 ứu đ ề ụ ấ ể ệ ả lai hóa để ặ đĩa hai lớ ầ ả ộ ẩ ế Trong phần tiếp theo, luận văn nghiên cứu điều khiển hiệu lai hóa để mở rộng vùng từ thẩm âm sử dụng cấu trúc cặp đĩa hai lớp vùng hồng ngoại gần (cỡ 140 THz) Bằng cách giảm giá trị tham số cấu trúc cấu trúc cặp đĩa hai lớp theo hệ số tỷ lệ 0,01; dải tần số cộng hưởng siêu vật liệu tăng từ 1,4 THz lên 140 THz Nghĩa tham số hình học hoạt động khoảng 140THz có giá trị = 0,62 µm, = 0,25 µm, = 0,10µm, = 0,02 µm, = 0,1 µm Về mặt vật liệu, Theo [35], thấy phụ thuộc bán dẫn InSn vào nhiệt độ vùng tần số khơng cịn tn theo cơng thức (3.1) hoạt động vùng tần số nồng độ hạt tải gần bị bão hịa kích thích quang học Vì việc điều khiển tác động ngoại vi nhiệt độ giống phần nghiên cứu trước không thực Hơn lên vùng tần số vùng khả kiến, tính chất vật liệu hoàn toàn khác với vùng tần số thấp việc nghiên cứu sử dụng vật liệu để tạo hiệu ứng lai hóa vùng vấn đề cần nghiên cứu Theo tài liệu [52], mô chế tạo thành công vật liệu chiết suất vùng này, luận văn sử dụng tham số vật liệu tài liệu để mô cho cấu trúc cặp đĩa hai lớp Cụ thể: sử dụng kim loại Ag với mơ hình Drude có tần số plasma ωpl =1.37x10-16 s-1 hệ số dập tắt (  13 -1 =ωcol/2π) với ωcol = 9x10 s Điện mơi sử dụng MgF2 có chiết suất nMgF2 =1,38; lớp vật liệu hai lớp cấu trúc cặp đĩa thủy tinh có chiết suất 1.5 Các thông số đưa vào mô kết mô phổ truyền qua cấu trúc tương tác với sóng điện từ trình bày hình 3.11 Kết cho thấy quanh vùng 140THz thu hai đỉnh không truyền qua ứng với độ từ thẩm âm Độ rộng vùng hoàn toàn điều khiển tham số khoảng cách dày lớp điện mơi chiều hình 3.11 (a) (b) Kết cho thấy mở rộng vùng từ thẩm âm hoàn toàn giải thích theo giản đồ lai hóa bậc hai nghiên cứu Như vậy, nói mô luận văn nghiên cứu tạo vùng có từ thẩm âm rộng quanh tần số 140THz điều khiển độ rộng vùng tham số cấu trúc 56 57 Ế Ậ Qua trình nghiên cứu, luận văn đạt số kết sau: Bằng mô tính tốn chứng minh điều khiển hiệu mở rộng vùng từ thẩm âm dựa giản đồ lai hóa bậc hai sử dụng cấu trúc cặp đĩa hai lớp Khi thay đổi nhiệt độ bán dẫn InSb từ 300K – 450K vùng có từ thẩm âm mở rộng dần lai hóa kích hoạt nhờ tăng nồng độ tải giải thích chi tiết thơng qua mơ hình mạch điện LC cho giản đồ lai hóa bậc hai Ngồi q trình tối ưu hóa cấu trúc để hiệu lai hóa mạnh cho vùng từ thẩm âm rộng thực thay đổi khoảng cách hai lớp chiều dày lớp điện môi Kết vùng từ thẩm âm lớn đạt 20,1% Bằng mô tính tốn chứng minh điều khiển hiệu mở rộng vùng chiết suất âm dựa giản đồ lai hóa bậc hai sử dụng cấu trúc lưới đĩa hai lớp Khi thay đổi nhiệt độ bán dẫn InSb từ 300K – 450K vùng có chiết suất âm mở rộng dần vùng từ thẩm âm mở rộng nằm tần số plasma Sự điều khiển giải thích chi tiết thơng qua mơ hình mạch điện LC cho giản đồ lai hóa bậc hai thay đổi tần số plasma vào nhiệt độ Ngồi q trình tối ưu hóa cấu trúc vùng chiết suất âm rộng thực thay đổi khoảng cách hai lớp chiều dày lớp điện môi Kết vùng chiết suất âm lớn đạt 10,4% Bước đầu tạo vùng từ thẩm âm rộng vùng tần số 140 THz điều khiển độ rộng hai tham số cấu trúc 58 HƢỚ Ứ Ế Nghiên cứu chế tạo thực nghiệm điều khiển hiệu mở rộng vùng từ thẩm âm chiết suất âm dựa giản đồ lai hóa bậc hai 59 Ố Nguyễn Thị Hiền, Phạm Thị Mai Hiên, Nguyễn Thị Hương, Bùi Văn Chỉnh, Nguyễn Xuân Ca “ Tạp chí KHOA HỌC & CƠNG NGHỆ ĐẠI HỌC THÁI NGUN, TẬP 190, SỐ , 2018 60 Ệ Ả [1] D Smith, W J Padilla, D Vier, S C Nemat-Nasser, and S Schultz, , Phys Rev Lett , 4184 (2000) [2] V G Veselago, , Sov Phys Usp , 509 (1968) [3] J B Pendry, D Schurig, D R Smith, “ Science ”, , 1780 (2006) [4] J B Pendry, A J Holden, W J Steward, and I Youngs, " ", Phys Rev Lett , 4773 (1996) [5] J Pendry, A Holden, D Robbins, and W Stewart, “ ,” GHz Theory and Techniques, IEEE Transactions on, , 2075 (1999) [6] J Pendry, A Holden, D Robbins, W Stewart, IEEE Trans Microw Theory Tech , 2075 (1999) [7] Nguyễn Thị Hiền, “ ”, luận án tiến sĩ, (2016) [8] Fang Ling, Zheqiang Zhong, Renshuai Huang & Bin Zhang, , Scientific Reports , 9843 (2018) [9] B Kanté, S N Burokur, A Sellier, A Lustrac de, and J M Lourtioz, " ", Phys Rev B , 075121 (2009) [10] F Ling, Z Zhong, Y Zhang, R Huang, and B Zhang, , Optics Express , 30085-30099 (2018) [11] E Prodan, C Radloff, N J Halas, P Nordlander, Science , 419 (2003) [12] N T Tung, D T Viet, B S Tung, N Van Hieu, P Lievens, V D Lam, App Phys Express , 112001 (2012) 61 [13] N T Tung, B S Tung, E Janssens, P Lievens, V D Lam, J Appl Phys , 083104 (2014) [14] B S Tung, N V Dung, B X Khuyen, N T Tung, P Lievens, Y P Lee, V D Lam, Opt J , 075101 (2013) [15] N T Hien, L N Le, P T Trang, B S Tung, N D Viet, P T Duyen, N M Thang, D T Viet, Y P Lee, V D Lam, N T Tung, “ Comput Mater Sci , 189 (2015) [16] N T Hien, B S Tung, N T Tuan, N T Tung, Y P Lee, N M An and V D Lam, " ", Adv Nat Sci.: Nanosci Nanotech ,025013 (2014) [17] J G Rivas, C Janke, P H Bolivar, H Kurz, Opt Express [18] W Espe, , 847 (2005) , Pergamon Press, London, 1968 [19] PT Iwakiglass Indonesia, Manufactured laboratory glassware, www.iwakiglassindonesia [20] N T Tung, V D Lam, J W Park, V T Thuy, Y P Lee, Eur Phys J B , 47 (2010) [21] V D Lam, J B Kim, S J Lee, Y P Lee, J Appl Phys [22] T Deng, R Huang, M.-C Tang, P K Tan, Opt Express [23] O P Pishnyak, O D Lavrentovich, Appl Phys Lett , 033107 (2008) , 6287 (2014) , 251103 (2006) [24] V G Shvedov, Y V Izdebskaya, Y Sheng, W Krolikowski, Appl Phys Lett , 091107 (2017) [25] Q Zhao, L Kang, B Du, B Li, J Zhou, H Tang, X Liang, B Zhang, Appl Phys Lett , 011112 (2007) [26] L Kang, Q Zhao, H Zhao, J Zhou, Opt Express (12), 8825 (2008) [27] X Wang, D.-H Kwon, D H Werner, I.-C Khoo, App Phys Lett (2007) 62 , 143122 [28] P.-Y Chen, M Farhat, A Alu, Phys Rev Lett , 105503 (2011) [29] I V Shadrivov, P V Kapitanova, S I Maslovski, Y.S Kivshar, Phys Rev Lett , 083902 (2012) [30] P.-Y Chen, M Farhat, A Alu, Phys Rev Lett , 105503 (2011) [31] X Zhao, K Fan, J Zhang, H R Seren, G D Metcalfe, M Wraback, R D Averitt, X Zhang, , Sensors and Actuators A: Physical [32] Maria Maragkou, , 74 (2015) , Nature Materials , 463(2015) [33] H.T Chen, W.J Padilla, J.M.O Zide, A.C Gossard, A.J Taylor, R.D Averitt, ”, Nature 597 (2006) [34] Tianwei Deng, Ruifeng Huang, Ming-Chun Tang, and Peng Khiang Tan, Opt Express , 6287 (2014) [35] M Oszwaldowski and M Zimpel, , J Phys Chem Solids , 1179-1185 (1988) [36] R W Cunninghamand J B Gruber, JAP , 1804 (1970) [37] A Ourir and H H Ouslimani, , Appl Phys Lett , 113505 (2011) [38] Lei Lei, Shun Li, Haixuan Huang, Keyu Tao, and Ping Xu, “ Optics Express , 5686 (2018) [39] L.Solymarand E.Shamonina (Oxford University, 2009) [40] J.D Jackson, third ed., Wiley, New York, 1999 [41] K Guven, M D Caliskan, and E Ozbay, , Optics Express , 8685(2006) 63 [42] Yuan Zhang, Fang Ling, Renshuai Huang, and Bin Zhang, Optical Materials Express, Vol , 3729-3737 (2018) [43] N V Dung, Y J Yoo, Y P Lee, N T Tung, B S Tung and V D Lam, J Korean Phys Soc , 70 (2014) [44] C Hu, L Liu, X N Chen, and X G Luo, Opt Express , 21544 (2008) [45] Z Wei, Y Cao, J Han, C Wu, Y Fan, and H Li, , Appl Phys Lett , 141901 (2010) [46] N T Hien, B S Tung, Y Sen, A E V Guy, P Lievens, V D Lam, E Janssens, App Phys Lett , 221902 (2016) [47] Di Bao, Qiang Cheng, Wei Xiang Jiang, Jing Jing Zhang, Zhen Liao, Jun Wei Wu, Jin Yang, Xuan Ru Zhang, and Tie Jun Cui, Appl Phys Lett , 121103 (2019) [48] K B Alici, E Ozbay, Photon Nanostruct.: Fund Appl , 102 (2008) [49]https://www.janis.com/Products/AccessoriesandAncillaryEquipment/WindowT ransmissionCurves.aspx; https://www.mitsuichemicals.com/tpx_cha.htm [50] J.W Park , N.T Tung , V.T.T Thuy , V.D Lam , Y.P Lee, , Optics Communications , 919–924 (2011) [51] X Chen, T M Grzegorczyk, B I Wu, J Pacheco, Jr., and J A Kong, Phys Rev E , 016608 (2004) [52] G Dolling, M Wegener, C M Soukoulis, and S Linden, , Optics Letters 64 , 53 (2007) ... quan trọng tìm loại vật liệu có tính Một số vật liệu nghiên cứu chế tạo mà phải nói đến siêu vật liệu Siêu vật liệu vật liệu nhân tạo, loại siêu vật liệu nghiên cứu nhiều vật liệu có chiết suất... nhiên nghiên cứu chủ yếu thực vùng tần số thấp vùng GHz, chưa tập trung nghiên cứu vùng tần số cao chế vật lý vùng tần số hoạt động thường phức tạp vùng tần số thấp Đặc biệt chưa công trình nghiên. .. điều khiển tính chất điện từ siêu vật liệu dùng tác động ngoại vi (như nhiệt, điện, quang, từ ) thu hút nhiều quan tâm nhà nghiên cứu Do đó, phương pháp điều khiển vùng tần số siêu vật liệu hoạt