Nghiên cứu quy trình phân hủy policlobiphenyl bằng xúc tác ở nhiệt độ thấp, hạn chế hình thành và phát thải các chất ô nhiễm thứ cấp

DAI HQC QUOC GIA HANQT a/a BAO CAO TONG KET rnr TGn tI6 euA rHUc HIEN on rar KH&cN cAr o4t Hec euoc crA tii: NcmtN clru euy rRiNH rnAN nUv PoLIcLoBIPHENYL BANG xuc rAc O NnIpr De rHAp, nAN cnt niNn tHANn vA pnArrnArcAccnArONnrrurnrJcAp ua tii: QG - 12 - ss Chri nhiQm aii tei: pcs.ts D6 Quang Huy s6 ad pnAN r rn0xc rrN crrtrNc 1.1 TAn ala tdri: NcnrtN crru euv rnixn pnAN nirv por.rcr,osrpnrr\ryl nANc xfc rAc oNrnT,T De rnAr, n4N cuf sirurnAxu vA rnAr rnar cAc cnAr xsrEm rlrrJ cAp 1.2 Mi s6: QG - 12 - 55 1.3 Danh s6ch chr& TT tri, thhnh vi6n tham gia thgc hiQn dA tni Chfc danh, hgc vi, Don v! cdng hg vir tOn Vai trd thuc hi6n de tzr tic cht hi D6 Quang Huy Khoa M6i truhng, Truhng Dai hqc Khoa hec Tu nhiOn, EHQGHN Nghi€m Xu0n Trudng Nghi6n criu sinh, Trung tdm NhiQt d6i ViQtNga, BQ Qu6c phdng Thdnh vi6n J D6 Thi ViCt Hucmg Khoa H6a hgc, Truong D4i hoc Khoa hoc Tgnhi6n, EHQGHN Thdnh vi6n Biri Tnrng Thdnh Hgc vi6n cao hgc, Trung tdm C6ng nghQ vd xrl li MOi truong, BQ Qu5c phdng Thdnh vi6n Ng6 Thi MinhHi6n Hoc vi6n cao hec Thdnh vi0n Nguy6n KiAu HLmg C36 - Cuc c6nh s6t M6i trtrong, BQ C6ng an Thdnh vi6n vi cht tri: 1.5 Thdi gian thqc hiQn: 1.4 Don d6ng: tu th6ng 10 ndm 2012 tttin th6ng 10 nim 2014 I 5.2 Cia h4n (ntiu c6): d6n thring nam 1.5.3 Thuc hiQn thgc t6: ft th6ng 10 n5m 2012 d6n th6ng 10 ndm 2014 1.5.1 Theo hqp 1.6 Nhirng thay tl6i so vfi thuy6t minh ban tIAu (n{iu c6): Kh6ng c6 (Vi *ug ti€u, nQi dung, phuong phdp, kdt qud nghiAn cnu vir i chric thtc hiQn; NgltyAn nhdn; Y ki€n aia Co quan qudn lj,) 1.7 T6ng kinh phi tlugc ph6 duyQt cfra dd thi: 200 tri6u d6ng (hai trdm triQu) PHAN II T6NG QUAN XET QUA NGHION C(IU Viiit theo cAu trfc mQt bdi b6o khoa hgc t6ng quan tt 6-15 trang tap chi khoa hgc DHQGHN sau d6 tii (b6o ctio ndy sE du-o c ildng trdn n6i dung g6m c6c phin: tluo c nghiQm thu), l D4t v{n dd Policlobiphenyl (PCBs) h mQt h6n hqp gdm 209 chdt dugc sir dsng dAu bi6n th6, ddu thty lgc, ch6t d6o h6a, vd ch6t cho vdo muc in, Anh hu&ng c6 hai cria PCBs iltin ngudi vir dQng vft, chirng c6 khdL ndng gay ung thu, gay 6nh hu0ng d6n hQ thAn kinh, he mi6n d!ch, h6 n6i ti6t, hQ sinh duc tr€n ngudi vd d6ng vft [1] pcBs ld ch6t r6t b€n vd kh6 phAn hriy bing cdc duong sinh hoc vd h6a hoc Khi phdn huy pCBs kh6ng ilung quy c6ch c6 th6 ldm phrit sinh c6c hqp chdt c6 d6c tinh cao hon, nhu dioxin vd furan Do cric dac tinh n6u tr6n, PCBs rtd bi c6m sri drlng vd aan titin tdi lo4i b6 chring kh6i cric v{t dung theo quy dinh cta Nghi dinh Stockholm ndm 2001 c6c phuong ph6p xir lli c6c hqp chat pcBs thudng ld ch6n 6p ho{c thi6u d5t nhiet d6 caovbi2budngd6t,bu6ngd6tsoc6pT00"cvdbudngd6trhtc6ptrOnl000oc [2,!.cac phuong ph6p xri lj niy kh6ng an todn; ddc biet voi phuong ph6p thi€u d6t ti6u thu nang lugng l6n, c6 th6 tao thdnh c6c san ph6m thir c6p dQc hai phuong phrip oxy h6a nhiOt xric t6c, vdi vi6c sir dung ciic oxit kim loai chuydn ti6p du-o c c6c nhi khoa hoc lua chon nghiOn crru d6 ph0n hriy PCBs nhim h4 th6p nhiQt dQ ph6n hty ch6t, vd han ch6 tao cac san ptrAm dQc hai, ' Do bentonit c6 nhidu *ng dung kh6c t4, 5, 6, j\, n6n c6c nhd khoa hoc d6 nghi€n cr?u kilt hqp bentonit v6i m6t s6 loai v6t IiQu d6 t4o circ ch6t xtc t6c kh6c Bentonit kot hqp vdi c6c oxit kim loai c6 th6 sir dung d6 phan huy pcBs [g] cric oxit kim lo4i thuong ding c6c nghidn cuu tr6n ld CuO, NiO, Cr2O3, Ce2O3, TiO2, [g, 9, 10] Mgc tiOu - Nghi6n cuu tim ki6m xric tric d6 phan huy policlobiphenyl nhiot d6 thAp khodng 500-600oc, han chc hinh va phat rhai chdt nhiarpthir c6p vdo m6i trudng - DO xu6t m6 hinh d6 phan hiry policlobiphenyl d nhier dO th6p Phuong fhip nghiOn crtu - Phuong phdp chd uo vdt ri€u xtic tdc; Bentonit Di Linh bi6n finh bnng dung dich NaHCo3 3% (BA) ttuo c dimg trao d6i ion voi Ni2*, cu2*, cr3* vdL ce3* di! tao cilc v6t li6u xirc t6c khric (XT) Tao vat li6u xric tdc: Nh6m xirc t6c thu nhat voi thdnh phan cr2o3-cuo-ceo2 c6 ti lQ luqng c6c ion kim loai kh6c nhau; ti 16 ciic ion Cr3*, Cu2* vd Ce4* ld 1:l:0,5; 1:1:l vd 1:1:1,5 Luong ion trao d6i hap phu tr6n BA theo c6c ti 16 sau: mg m6i ion cr3o, cu2* vd2 mg cea* tr6n 39 BA (XT1); mg mdi ion Cr3*, Cu2*, Ce4* tr€n 39 BA (XT2);4 mg m6i ion cr3*, cu2* vir mg cea* trcn 39 BA (xr3) Nh6m xric t6c thri hai v6i m6t thnnh phAn ceo2 c6 lucrng ion kim loai cea* kh6c ld 6; 10 vi 14 mg Lubng ion ndy duoc trao d6i hap phu trOn 39 BA duoc cric xric tac tuong rmg h XT4, XT5 vi XT6 Nh6m xric tric thri ba v6i thanr phAn Nio-cuo-ceo2 c6 ti lc luong c6c ion kim loai khiic nhau; ti 16 c6c ion Ni2*, cu2t vd cea* xic t6c ld 1:l:0,5; 1:i:1,5 vd l:1:1 Luong ion trao d6i h6p phir tr6n BA theo cdc ti l0 sau: mg m6i ion Ni2r, cu2* vd mg cea* (i16 1:1:0,5)tr6n39BA(XT7);amgm6iion Ni2*,Cu2*vd6mgCe1-1ti 19 l:l:1,5)tr6n 39 BA (XT8); 2,4vd6 mg m6i ion Ni2*, Cu2*, Ce4* (ti lC 1:1:1) tr6n 39 BA (tuong rmg ld XT9-1, XT9-2 vd XT9-3) Dinh luqng c6c ion kim lo4i dung dlch trudc vd sau trao d6i bing phuong ph6p kich hopt hqt ph6t x4 tia X CAc vat liQu drinh gi6 b6ng ph6 nhi6u xa tia X du-o c li6u sr) dltng di pfu)n hily PCBs: Tro than bay ttd bitin tinh kiAm c6 hdm lucrng SiO2, A12O3 vd cacbon tuong img lil 55,8,24,5 vd 18,4 % du-o.c dung ph6i trQn v6i BA theo ti le tuong img ld 3:7 d€ tao vat liQu st dtmg hdLp phu PCBs (BD LAy 29 dau biOn th6 c6 chria PCBs ndng dQ 418 ppm pha lodng bing n-hexan thdnh - Phreong phdp tqo hdn hqp vdt 20 mL Dung dich dugc sir dgng d6 tAm l6n h6n hqp BT; 6y 1, vd mL dung dich ndy - tuong ung v6i 41,8, 83,6 vir 125,4 pg PCBs t6m l6n 39 h6n hqp BT d6 tao thdnh h6n hqp x' MAu rluo c d6 kh6 tg nhien thdi gian ngdy ngnlen cuu rmg vor mol toar' XT " r - Phuong phdp phdn ht)y nhiQt xtic tdc PCBs: Tr6n co sd c6c ktit quA nghiOn cuu phin hriy PCBs dd c6ng b6, nghi6n ciru ndy chqn ctiAu kiQn thi nghiQm nhu sau: hQ thii5t bi nghi€n cfu nhu n6u cric tdi liqul 6ng ddng phan ring bing th6p kh6ng ri ddi 50 cm, dulng kinh 2,5 cm duoc ntrdi v4t liQu theo thr? tg sau: b6ng thriy tinh, gam BT c6 tarn PCBs, 39 XT c6lhodc kh6ng c6 CaO, gam BT trQn/ho4c kh6ng trQn v6i 2,0 gCaO, b6ng thiry tinh Cho ddng kh6ng ndn di qua hQ thitit bi vcri t6c dQ ml,/phrit vdng 15 phrit d6 au6i trtlt c6c chAt vd c6c chria v4t'1i0u tru6c titin hdnh phdn hiy tri nhiQt d6 chon nghi€n cuu phAn hiry nhiQt xuc tAc ild,i vdi PCBs n6u chAt; nAng nhiQt d0 ld d6n nhiet dO lua chgn nghi6n criu vdng 30 phut; ney gid b6ng Nhift d6 1ua Bdng Nhipt dOn 400, 450, 500, sso, 600 XT9 Khi tho6t tir qu6 trinh nhiQt phAn tich sin phAm thu duqc tron h0 sic diOn phdn hrty nhiet xfic tdc PCBI NhiQt d0 nghiOn cuu phdn hriy PCBs ("C) Xric t6c XTl ilQ ki xtc t6c PCBs duo c h6p phu vdo n-hexan; phdn kh6i ph6 (GC/MS) vd sic ky detecto cong k6t tit (GC/ECD) - Phuong phdp'xac dink thdnh phdn nhiQt xuc tdc PCBs vd PCBs cdn lqi tAn x sirn phdm sinh ti qua trinh phdn huy c tac; Sin phAm sinh phdn hiry nhiQt xric t6c PCBs vd lunng PCBs l4i tr€n ciic xric tdc XT du-o c phin tich ren GC/ECD vd GCA,{S Thi6t bi phdn tich sin phAm h hQ sic ki kh6i ph6 Simadzu 2100 cira Nhdt BAn vd Agilent 6890 cria'M! (GCA4S) vd sEc hi detecto cQng k6t diQn tu HP5890 cira M! (GC/ECD) voi cQt mao quin HP5, kich thu6c 30 mm x 0,25 mm x 0,25 pm Chuong trinh nhiet dO cot dung d6 phdn tich sin phAm 2600C, D h 500C, 10 phirt, 50c/phrit, 1200C, 150c/ph[t, phrit Chuong trinh nhiQt d0 cot dung d6 phan tich PCBs la 700C, phnt, 15oc/phrir, 1200c, 5oc/phft, 2600 c, 19 phirt - Phuong ph6p phdn tich: Phdn tich dinh lucrng c6c ion kim lo4i dung dlch tru6c vd sau trao d6i bing phucrng ph6p kich thich h4t ph6t x4 tia X (PIXE) tr6n hQ m6y gia tric Tandem pelleton 5sDH-2, M! C6c vat tOu XT vi BA dugc phdn tich cAu tnic bnng k! thuQt khir theo chucrng trinh nhiet dO TPR vd nhi6u xa k6 tia X D5005 ctra hdng Bruker (Drlc) T6ng t