Nghiên cứu đặc điểm phát quang của vật liệu Sm3+ đồng pha tạp Tb3+ trong nền Zn2SiO4

LỜI CẢM ƠN MỤC LỤC LỜI CẢM ƠN DANH MỤC HÌNH ẢNH DANH MỤC BẢNG BIỂU DANH MỤC BIỂU ĐỒ PHẦN I: MỞ ĐẦU Lý chọn đề tài Mục đích nghiên cứu Nhiệm vụ nghiên cứu Đối tượng phạm vi nghiên cứu Phương pháp nghiên cứu PHẦN 2: CƠ SỞ LÝ THUYẾT CHƯƠNG 1: THẾ NÀO LÀ SỰ PHÁT QUANG 1.1 Chất phát quang [1] 1.2 Hiện tượng phát quang 1.3 Cơ chế phát quang[6] 1.4 Phân loại dạng phát quang CHƯƠNG 2: TỔNG QUAN VỀ ION ĐẤT HIẾM Sm3+ VÀ Tb3+ 10 CHƯƠNG 3: SỰ TRUYỀN NĂNG LƯỢNG 13 3.1 Lý thuyết truyền lượng 13 3.2 Sự truyền lượng tâm không giống 15 CHƯƠNG 4: CẤU TRÚC TINH THỂ VÀ NHIỄU XẠ TIA X 18 4.1 Các hệ tinh thể: 18 4.2 Mối liên hệ khoảng cách mặt mạng với thông số tế bào mạng[2] 19 4.3 Nhiễu xạ tia X 20 PHẦN 3: THỰC NGHIỆM 22 Chế tạo mẫu 22 1.1 Phương pháp chế tạo 22 1.2 Dụng cụ thí nghiệm 22 1.3 Quy trình chế tạo mẫu 24 1.4 Tiền chất sử dụng mẫu tạo thành 24 1.5 Thiết bị đo mẫu: 25 Kết thảo luận: 26 2.1 Kết nhiễu xạ tia X: 26 2.2 Phổ kích thích Tb3+ Sm3+ 27 2.3 Phổ phát quang mẫu CaSiO3 Tb3+ 1% ,Sm3+ x% 29 2.4 Sự phụ thuộc cường độ phát quang vào nồng độ Sm3+ 30 Kết luận 30 TÀI LIỆU THAM KHẢO : 31 DANH MỤC HÌNH ẢNH Hình 1: Các chuyển dời lượng trình huỳnh quang (a) lân quang (b) Hình 2: Giản đồ mức lượng Dieke 12 Hình 3: Tâm kích hoạt A mạng chủ 14 Hình 4: Sự truyền lượng từ tâm S (tăng nhạy) tới A 14 Hình 5: Quá trình truyền lượng 14 Hình 6: Sự chồng phủ phổ 15 Hình 7: Nhiễu xạ mặt tinh thể 21 Hình 8: Mơ máy nhiễu xạ tia X 21 DANH MỤC BẢNG BIỂU Bảng 1: Cấu trúc tinh thể thông số tế bào mạng 18 Bảng 2: Dụng cụ thí nghiệm 22 Bảng 3: Danh sách tiền chất dùng chế tạo mẫu 24 Bảng 4: Danh sách mẫu chế tạo 25 Bảng 5: Các thiết bị đo mẫu vật 25 Bảng 6: Các số mạng 27 Bảng 7: Hằng số mạng mẫu chuẩn 27 DANH MỤC BIỂU ĐỒ Biểu đồ 1: Phổ nhiễu xạ hệ mẫu 26 Biểu đồ 2: Phổ nhiễu xạ mẫu H1 26 Biểu đồ 3: Phổ PLE Tb3+ 27 Biểu đồ 4: Phổ PLE Sm3+ 28 Biểu đồ 5: Phổ PL Zn2SiO4 Tb3+ 1% ,Sm3+ x% (λEx=375nm) 29 Biểu đồ 6: Sự phụ thuộc nồng độ phát quang vào nồng độ Sm3+ 30 PHẦN I: MỞ ĐẦU Lý chọn đề tài Vật liệu phát quang ứng dụng rộng rãi khoa học đời sống: kĩ thuật chiếu sáng, kĩ thuật hiển thị cảnh báo, đo xạ ion…Vì việc tìm vật liệu phát quang có phổ phát quang thích hợp với mục đích sử dụng vấn đề nhà khoa học nhóm nghiên cứu tồn giới quan tâm Trong ngành công nghiệp chế tạo đèn led người ta đặt yêu cầu khắc khe loại led trắng với nhiều ưu điểm tuổi thọ cao hơn, sử dụng lượng thấp Để làm điều cần có nghiên cứu cụ thể phát quang chất khác Vào tháng 3/2018, em có thực đề tài nghiên cứu Sm3+ đồng pha tạp Tb3+ khác, kết xác định tâm màu khả quan để chế tạo LED trắng Hiện nay, với Kẽm silicat, người ta thường pha tạp kim loại chuyển tiếp Mn, mà có nghiên cứu sử dụng chung với đất Trên tảng có, kết hợp với điều kiện phòng thí nghiệm chun đề Khoa Vật lý trường Đại học Sư phạm – Đại học Đà Nẵng nên chọn đề tài “Nghiên cứu đặc điểm phát quang vật liệu Sm3+ đồng pha tạp Tb3+ Zn2SiO4” Đối với vật liệu Zn2SiO4 đồng pha tạp Sm3+ Tb3+ trước hết chúng tơi tìm hiểu phổ kích thích phù hợp, phụ thuộc cường độ phát vào nồng độ Sm3+ kiểm tra ảnh hưởng nồng độ pha tạp tới số mạng Đồng thời mở hướng đề tài có truyền lượng tâm kích hoạt Mục đích nghiên cứu - Chế tạo vật liệu đồng pha tạp ion đất Sm3+ Tb3+ Zn2SiO4 - Xác định cấu trúc mạng mẫu vật vô định hình hay tinh thể để tính số mạng - Tính số mạng tinh thể, nhận xét ảnh hưởng nồng độ pha tạp đến số mạng - Tìm phổ kích thích phù hợp với Sm3+ Tb3+ - Xét phụ thuộc cường độ phát quang vào nồng độ Sm3+ Nhiệm vụ nghiên cứu - Nhiệm vụ 1: Nghiên cứu kiến thức phát quang vật liệu phát quang - Nhiệm vụ 2: Nghiên cứu ion đất Sm3+ Tb3+ - Nhiệm vụ 3: Nghiên cứu truyền lượng - Nhiệm vụ 4: Nghiên cứu cấu trúc tinh thể nhiếu xạ tia X - Nhiệm vụ 4: Nghiên cứu chế tạo vật liệu huỳnh quang đồng pha tạp Sm3+ Tb3+ vật liệu Zn2SiO4 Đối tượng phạm vi nghiên cứu a Đối tượng nghiên cứu - Tính chất phát quang vật liệu pha tạp nguyên tố đất Zn2SiO4 - Nồng độ ion Sm3+ ảnh hưởng đến đặc điểm phát quang vật liệu phát quang - Nồng độ pha tạp ảnh hưởng đến số mạng b Phạm vi nghiên cứu - Giới hạn đối tượng nghiên cứu: Các tài liệu mẫu vật liệu Zn2SiO4 pha tạp ion Sm3+ ion Tb3+ - Thời gian nghiên cứu: tháng 11/2018 đến 4/2019 Phương pháp nghiên cứu a Nghiên cứu lí thuyết - Đọc tài liệu, khóa luận, báo khoa học có liên quan đến đề tài b Nghiên cứu thực nghiệm - Nghiên cứu phương pháp chế tạo mẫu chế tạo mẫu - Thực phép đo quang phổ đo nhiễu xạ tia X - Nghiên cứu sử dụng phần mềm Origin để xử lí số liệu PHẦN 2: CƠ SỞ LÝ THUYẾT CHƯƠNG 1: THẾ NÀO LÀ SỰ PHÁT QUANG Chất phát quang [1] Các chất có khả biến dạng lượng khác thành quang gọi chất phát quang Các chất phát quang hấp thụ lượng từ bên (quang năng, điện năng, nhiệt năng…) dùng lượng hấp thụ để đưa phân tử, nguyên tử lên trạng thái kích thích Từ trạng thái kích thích phân tử, nguyên tử chuyển trạng thái xạ ánh sáng 1.1 Vật liệu phát quang hệ gồm có mạng chủ tâm kích hoạt (tâm đơn kích hoạt hay đồng kích hoạt) Q trình phát quang hệ xảy sau: Bức xạ kích thích hấp thụ tâm kích hoạt, tâm nâng lên tới trạng thái kích thích từ trạng thái chúng quay trở trạng thái đồng thời phát xạ xạ Hoặc hấp thụ ion khác ion tăng nhạy hay mạng chủ xảy trình truyền lượng đến ion kích hoạt kích thích ion xạ quang học 1.2 Hiện tượng phát quang Bức xạ quang học chất phát quang sau kích thích gọi tượng phát quang Sự phát quang kích thích nhiều loại lượng nằm vùng quang học nghĩa từ tử ngoại đến hồng ngoại Nếu dùng xạ hạt để kích thích phát quang xạ nằm vùng tử ngoại Tuy nhiên bên cạnh xạ phát quang có xạ khác xạ nhiệt, ánh sáng phản xạ khuếch tán chiếu vật nguồn sáng bên ngoài…Các loại xạ nằm vùng quang học xạ phát quang Vì việc nhận xạ phát quang gặp nhiều khó khăn Theo Vavilơp, tượng phát quang tượng chất phát quang phát xạ dư xạ nhiệt trường hợp mà xạ dư kéo dài khoảng thời gian 10-16(s) lớn Định nghĩa giúp phân biệt xạ phát quang với dạng xạ khác Nếu nhiệt độ phòng mà vật xạ ánh sáng thấy chắn nguồn gốc xạ xạ nhiệt Mặc khác, ánh sáng phản xạ hay khuếch tán hồn tồn tắt sau thơi kích thích trái lại phát quang kéo dài sau tắt ánh sáng kích thích tối thiểu 10-16(s) 1.3 Cơ chế phát quang[6] Sự phát quang giải thích truyền lượng từ xạ kích thích đến điện tử, kích thích điện tử làm cho chuyển từ trạng thái g lên trạng thái kích e (dịch chuyển (i)) (Hình 1.1.a) Từ trạng thái kích thích điện tử trở trạng thái (dịch chuyển (ii)), lúc phát quang Đối với trình huỳnh quang trễ hai trình (i) (ii) bé (  10-8s) R.Chen Kirch (1981) đưa giải thích phụ thuộc vào nhiệt độ trình lân quang Khi có mặt mức bán bền m vùng cấm (Hình 1.1.b) e g, điện tử kích thích từ trạng thái g lên trạng thái e chiếu xạ bị bắt bẫy m Tại đây, điện tử tiếp tục nhận lượng E thích hợp để trở vùng dẫn e từ trở trạng thái g chuyển dời thông thường kèm theo trình xạ Như vậy, trễ q trình lân quang thời gian điện tử bị bắt bẫy m Theo lí thuyết nhiệt động học, thời gian điện tử bị bắt bẫy m nhiệt độ T E 1 KT  s e là: Với (1.1) s : Hằng số, gọi tần số thoát K: Hằng số Boltzman E: Độ chênh lệch lượng mức m mức e, gọi độ sâu bẫy hay lượng kích hoạt Hình 1: Các chuyển dời lượng trình huỳnh quang (a) lân quang (b) 1.4 Phân loại dạng phát quang Phát quang Phát quang tâm bất liên tục Phát quang Phát quang tự phát cưỡng Phát quang tái hợp Phát quang tái hợp phức tạp qua khâu trung gian Phát quang tái hợp trực tiếp Phát quang Phát quang tự phát cưỡng Phát quang Phát quang tự phát cưỡng Sơ đồ 1: Phân loại dạng phát quang CHƯƠNG 2: TỔNG QUAN VỀ ION ĐẤT HIẾM Sm3+ VÀ Tb3+ Các nguyên tố đất RE (Rare Earth) tập hợp nguyên tố họ lanthanide thuộc bảng tuần hồn Menđêlêép có kí hiệu là: Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb Lu Các ion đất đặc trưng lớp vỏ 4f chưa lấp đầy Các lớp quỹ đạo 4f nằm bên ion che chắn khỏi môi trường xung quanh quỹ đạo lấp đầy 5s2 5p6 Do ảnh hưởng trường tinh thể mạng chủ lên dịch chuyển quang học bên cấu hình 4fn nhỏ Dựa vào cấu hình phân lớp 4f người ta phân họ nguyên tố đất làm hai nhóm : Nhóm đất nhẹ Nhóm Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gb Xeri 4f2 4f3 4f4 4f5 4f6 4f7 Tm Yb 4f7+6 4f7+7 4f7 5d1 Nhóm đất nặng Nhóm Tb Dy Ho Er Lu Tecbi 4f7+2 4f7+3 4f7+4 4f7+5 4f7+5d1 Ví dụ 1: Nguyên tố Tb nằm vị trí 65 bảng hệ thống tuần hồn Menđêlêép, có cấu hình điện tử : 10 CHƯƠNG 4: CẤU TRÚC TINH THỂ VÀ NHIỄU XẠ TIA X 4.1 Các hệ tinh thể: Tùy theo giá trị a, b, c, α, β, γ, người ta phân thành hệ tinh thể với kiểu ô mạng sở khác nhau, ô mạng sở lại phân thành kiểu mạng lưới khác ký hiệu sau:  Kí hiệu P: Ơ mạng sở đơn giản  Kí hiệu F: Tâm mặt mạng sở có chứa tiểu phân gọi mạng lưới tâm mặt  Kí hiệu C: tâm hai đáy có chứa thêm tiểu phân gọi mạng lưới tâm đáy  Kí hiệu I: Tại tâm điểm mạng sở có chứa tiểu phân gọi mạng lưới tâm khối Bảng 1: Cấu trúc tinh thể thông số tế bào mạng Hệ tinh thể Minh họa Lập phương (cubic) a=b=c α = β = γ = 90o Bốn phương (tetragonal) a = b ≠ c, α = β = γ = 90o Trực thoi (orthorhombic) a≠b≠c α = β = γ = 90o 18 Lục phương (hexagonal, trigonal) a=b≠c α = β = 90o, γ = 120o Mặt thoi (Rhombohedral) a = b = c, α = β = γ ≠ 90o Đơn tà (monoclinic) a≠b ≠ c, α = β = 90o, γ ≠ 90o Tam tà (triclinic) a≠b≠c α ≠ β ≠ γ ≠ 90o 4.2 Mối liên hệ khoảng cách mặt mạng với thông số tế bào mạng[2] Với hệ lập phương: dhkl = h2 +k2 +𝑙 a2 19 (1) Hệ tứ phương: h2 +k2 = dhkl a2 l2 + (2) c2 Hệ trưc thoi: dhkl = h2 k2 l2 a 𝑏 c2 + + (3) Hệ lục phương: dhkl h2 +hk+k2 = ( a2 )+ l2 c2 (4) Hệ đơn tà: dhkl = h2 ( 𝑠𝑖𝑛2 𝛽 a2 + k2 𝑠𝑖𝑛2 𝛽 a2 + l2 2ℎ𝑙𝑐𝑜𝑠𝛽 c2 𝑎𝑐 ) (5) Hệ tam tà có : dhkl = 𝑉2 (ℎ2 𝑏 𝑐 𝑠𝑖𝑛2 𝛼 + 𝑘 𝑎2 𝑐 𝑠𝑖𝑛2 𝛽 + 𝑙 𝑎2 𝑏 𝑠𝑖𝑛2 𝛾 + 2ℎ𝑘𝑎𝑏𝑐 (cos 𝛼 cos 𝛽 cos 𝛾) + 2ℎ𝑘𝑎2 𝑏𝑐(cos 𝛽 cos 𝛾 cos 𝛼) + 2ℎ𝑘𝑎𝑏 𝑐(cos 𝛼 cos 𝛾 cos 𝛽)) (6) 4.3 Nhiễu xạ tia X Do có cấu trúc tuần hồn nên tinh thể đóng vai trò cách tử nhiễu xạ xạ có bước sóng cỡ số mạng Khi chiếu chùm tia X lên tinh thể tượng nhiễu xạ, ta thu hình ảnh tranh nhiễu xạ mà dựa vào ta biết đặc trưng mạng tinh thể Trước hết ta chưa xét đến ảnh hưởng chất nguyên tử mà vào đặc trưng hình học cấu trúc tinh thể Giả sử ta chiếu chùm tia X đơn sắc song song lên bề mặt tinh thể, tia X bị phản xạ mặt phẳng nguyên tử song song Theo phương phản xạ có cực đại nhiễu xạ hiệu quang trình chúng thoả mãn hệ thức Bragg: 20 2d.sin=n Hình 7: Nhiễu xạ mặt tinh thể Hình 8: Mô máy nhiễu xạ tia X Dùng chùm tia X song song đơn sắc chiếu vào ống đựng bột mịn đa tinh thể Các tia nhiễu xạ xuất phát từ mặt phẳng nguyên tử tinh thể nhỏ thỏa mãn góc θ λ xác định, phổ nhiễu xạ số h,k,l hiển thị đồng thời với đỉnh tương ứng, từ việc xác định số tính dhkl ta thu giá trị số mạng 21 PHẦN 3: THỰC NGHIỆM Chế tạo mẫu 1.1 Phương pháp chế tạo Các mẫu vật liệu chế tạo phương pháp pha rắn, phương pháp truyền thống sử dụng phổ biến chế tạo vật liệu 1.2 Dụng cụ thí nghiệm Bảng 2: Dụng cụ thí nghiệm TÊN DỤNG CỤ CẦN THIẾT HÌNH MINH HỌA CƠNG DỤNG Cối chày sứ Đựng hóa chất để nghiền Cốc sứ Đựng hóa chất để nung 22 Cân điện tử có độ xác đến 0,001g Cân khối lượng hóa chất Lò nung Nung mẫu vật Sấy khơ dụng cụ Tủ sấy 23 Làm dụng cụ Cồn 1.3 Quy trình chế tạo mẫu Bước Chuẩn bị dung cụ: Cối, chày cốc sứ làm sấy khơ, sau tráng lại cồn Bước Xử lý tiền chất: Cân hóa chất theo tỉ lệ tính tốn cân điện tử cho vào cối sứ, sau dùng chày sứ nghiền mịn trộn 3h Bước Sấy hóa chất: Mang hóa chất nghiền mịn trộn cho vào cốc sứ, sấy khô nhiệt độ 50ºC Bước Tạo mẫu vật liệu: Nung hóa chất sấy nhiệt độ 1200ºC 2h, gia tốc nhiệt 10ºC/phút, sau để nguội tự nhiên 1.4 Tiền chất sử dụng mẫu tạo thành 1.4.1 Danh sách tiền chất dùng chế tạo mẫu Bảng 3: Danh sách tiền chất dùng chế tạo mẫu Tên tiền chất Khối lượng mol (g/mol) Zn0 81,408 SiO2 60,0835 Sm2O3 348,72 Tb2O3 365,85 H3BO3 61,83 1.4.2 Danh sách mẫu chế tạo 24 Bảng 4: Danh sách mẫu chế tạo SiO2.1% Tên mẫu ZnO.1% (mol) (mol) Tb3+.1% (mol) Sm3+.1% (mol) H3BO3 H1 1,1 1% 0,25% 5% hỗn hợp H2 1,1 1% 0,5% 5% hỗn hợp H3 1,1 1% 0,75% 5% hỗn hợp H4 1,1 1% 1% 5% hỗn hợp H5 1,1 1% 1,25% 5% hỗn hợp 1.5 Thiết bị đo mẫu: Bảng 5: Các thiết bị đo mẫu vật Máy FL3-22: Thiết bị đo quang phổ Máy D8 ADVANCE: Máy nhiễu xạ tia X 25 Kết thảo luận: 2.1 Kết nhiễu xạ tia X: 2.1.1 Phổ nhiễu xạ hệ mẫu: Biểu đồ 1: Phổ nhiễu xạ hệ mẫu Nhận xét: Phổ nhiễu xạ hệ mẫu đồng dạng Mẫu vật chế tạo tinh thể Biểu đồ 2: Phổ nhiễu xạ mẫu H1 26 Nhận xét: Vật liệu có cấu trúc đơn pha ( pha lục phương ) phù hợp với mẫu chuẩn Ngồi dư tiền chất SiO2 2.1.2 Các số mạng: Bảng 6: Các số mạng Mẫu a(10-10m) c(10-10m) H1 13.88747 9.28583 H2 13.89291 9.28344 H3 13.86616 9.27164 H4 13.88615 9.28231 H5 13.86866 9.27382 Bảng 7: Hằng số mạng mẫu chuẩn Mẫu chuẩn a(10-10m) c(10-10m) 13.9381 9.31 Nhận xét: Các số mạng mẫu vật hoàn toàn phù hợp với mẫu chuẩn 2.2 Phổ kích thích Tb3+ Sm3+ Biểu đồ 3: Phổ PLE Tb3+ 27 Biểu đồ 4: Phổ PLE Sm3+ So sánh phổ kích thích Sm3+ Tb3+, ta nhận thấy dùng bước sóng kích thích 375nm chuyển dời Tb3+, Sm3+ xảy mạnh Từ đó, ta chọn bước sóng 375nm để làm bước sóng kích thích 28 S1 (CPS) 2.3 Phổ phát quang mẫu CaSiO3 Tb3+ 1% ,Sm3+ x% 340000 320000 300000 280000 260000 240000 220000 200000 180000 160000 140000 120000 100000 80000 60000 40000 20000 -20000 Tb 1% Sm 0,25% Tb 1% Sm 0,5% Tb 1% Sm 0,75% Tb 1% Sm 1% Tb 1% Sm 1,25% 400 450 500 550 600 650 700 Wavelength (nm) Biểu đồ 5: Phổ PL Zn2SiO4 Tb3+ 1% ,Sm3+ x% (λEx=375nm) Trên biểu đồ 5, ta nhận thấy kích thích với bước sóng 375nm xuất đỉnh phổ 564nm, 602nm, 647nm tương ứng với cá chuyển dời G5/2→6H5/2, 4G5/2→6H7/2 4G5/2→6H9/2 Sm3+ Trong đỉnh 602nm vượt trội đỉnh khác Các đỉnh phổ lại gồm 435nm, 487nm, 542nm, 582nm Tb3+ tương ứng với chuyển dời 5D3→7F4 , 5D4→7F6 , 5D4→7F5 , 5D4→7F3 [3] 29 2.4 Sự phụ thuộc cường độ phát quang vào nồng độ Sm3+ Biểu đồ 6: Sự phụ thuộc nồng độ phát quang vào nồng độ Sm3+ Ta thấy theo tăng dần nồng độ Sm3+, đỉnh phổ Tb3+ có thay đổi cường độ theo chiều giảm dần, đỉnh phổ Sm3+ tăng dần Điều cho thấy có truyền lượng từ Tb3+ sang Sm3+ Khi nồng độ Sm3+ tăng từ 1% đến 1,25 % có tăng vọt cường độ phát quang đỉnh thuộc chuyển dời Sm3+, giảm mạnh cường độ phát quang Tb3+ Đây nồng độ phù hợp với truyền lượng Kết luận Đã chế tạo thành công vật liệu phát quang Zn2SiO4 đồng pha tạp Tb3+ Sm3+ xuất hầu hết chuyển dời Tb3+ Sm3+ Xác định mẫu vật mạng tinh thể lục phương tính số mạng 30 Qua việc giữ nguyên nồng độ Tb3+ thay đổi nồng độ Sm3+ nghiên cứu đường biểu diễn phụ thuộc cường độ sáng xạ thuộc chuyển dời Sm3+ , Tb3+ vào nồng độ Sm3+ Chứng minh có truyền lượng từ Tb3+ sang Sm3+ tìm nồng độ chất phù hợp cho truyền lượng TÀI LIỆU THAM KHẢO : Tài liệu tiếng Việt: (1) Phan Văn Thích (1973), Hiện tượng huỳnh quang kĩ thuật phân tích huỳnh quang, NXB Đại học tổng hợp Hà Nội (2) Vật liệu vô cơ, Giáo sư Phan Văn Tường, NXB Đại học Quốc gia Hà Nội 2007 (3) Phân tích phổ cấu trúc mạng số thủy tinh chứa DYPROSIUM Tài liệu tiếng Anh: (4) Luminesc ence properties of Tb doped and Tm/ Tb/Sm co-doped glass es for LED applications Chaofeng Zhu, Xiaoluan Liang, Yunxia Yang, Guorong Chen 75-76 (2010) (5) Luminesc ence properties of Tb doped and Tm/ Tb/Sm co-doped glass es for LED applications Chaofeng Zhu, Xiaoluan Liang, Yunxia Yang, Guorong Chen 75-76 (2010) (6) G.Blasse, B.C.Grabmaier, Luminescent Materials (7) Gerhard Heinrich Dieke, Spectra and Energy levels of Rare Earth Ion in Crystals, The Johns Hopkins University Baltimore, Maryland 31 Ý KIẾN CỦA NGƯỜI HƯỚNG DẪN Nhận xét: (Về chất lượng Khóa luận cần) Ý kiến: Đánh dấu (X) vào ô lựa chọn Đồng ý thông qua báo cáo Không đồng ý thông qua báo cáo ., ngày tháng năm NGƯỜI HƯỚNG DẪN (Ký ghi rõ họ tên) 32 ... phạm – Đại học Đà Nẵng nên chọn đề tài Nghiên cứu đặc điểm phát quang vật liệu Sm3+ đồng pha tạp Tb3+ Zn2SiO4 Đối với vật liệu Zn2SiO4 đồng pha tạp Sm3+ Tb3+ trước hết chúng tơi tìm hiểu phổ... phạm vi nghiên cứu a Đối tượng nghiên cứu - Tính chất phát quang vật liệu pha tạp nguyên tố đất Zn2SiO4 - Nồng độ ion Sm3+ ảnh hưởng đến đặc điểm phát quang vật liệu phát quang - Nồng độ pha tạp. .. Sm3+ Tb3+ - Xét phụ thuộc cường độ phát quang vào nồng độ Sm3+ Nhiệm vụ nghiên cứu - Nhiệm vụ 1: Nghiên cứu kiến thức phát quang vật liệu phát quang - Nhiệm vụ 2: Nghiên cứu ion đất Sm3+ Tb3+