Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 76 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
76
Dung lượng
3,52 MB
Nội dung
ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - BÙI THỊ HỒNG NGHIÊNCỨUPHẢNỨNGQUANGHẠTNHÂNTRÊNBIA209BiGÂYBỞICHÙMBỨCXẠHÃMNĂNGLƯỢNGCỰCĐẠI2,5GeV LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC Hà Nội Năm 2017 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - BÙI THỊ HỒNG NGHIÊNCỨUPHẢNỨNGQUANGHẠTNHÂNTRÊNBIA209BiGÂYBỞICHÙMBỨCXẠHÃMNĂNGLƯỢNGCỰCĐẠI2,5GeV Chuyên ngành: Vật lý nguyên tử Mã số: 60440106 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS.TS PHẠM ĐỨC KHUÊ Hà Nội 2017 LỜI CẢM ƠN Để hồn thành nghiêncứu khoa học khơng thể thiếu hỗ trợ Trong suốt trình hồn thành luận văn mình, em nhận nhiều quan tâm, giúp đỡ quý thầy cơ, gia đình bạn bè Đầu tiên, em xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới PGS.TS Phạm Đức Khuê, người thầy tận tình hướng dẫn, động viên em q trình hồn thành luận văn Em xin bày tỏ lòng biết ơn vơ hạn tới PGS TS Bùi Văn Loát, người thầy đặc biệt giúp đỡ, động viên em suốt trình học cao học hồn thành luận văn Em xin gửi lời cảm ơn chân thành tới tập thể giảng viên Khoa Vật lý, cán phòng Sau đại học học viên lớp cao học Vật lý 2015 - 2017 hỗ trợ giúp đỡ em trình thực luận văn Nhân dịp em xin gửi lời cảm ơn chân thành tới gia đình, bạn bè ln bên em, cổ vũ, động viên, giúp đỡ em suốt trình học tập thực luận văn Hà Nội, tháng 10 năm 2017 Học viên Bùi Thị Hồng Mục lục Danh mục ký hiệu, chữ viết tắt từ khoá iii Danh sách hình vẽ v Danh sách bảng vi Mở đầu Chương Phảnứngquanghạtnhân với chùm photon hãmlượng cao 1.1.Phản ứngquanghạtnhân 1.1.1 Khái niệm phảnứngquanghạtnhân 1.1.2 Sự hấp thụ photon hạtnhân 1.1.3 Sự khử kích thích hạtnhân sau hấp thụ photon 1.1.4 Phảnứng photospallation 1.1.5 Phảnứngquangphân hạch 1.2.Tổng quan số kết nghiêncứuphảnứngquangphân hạch 209 Bi 11 1.3.Nguồn xạhãm máy gia tốc linac 16 1.3.1 Máy gia tốc electron tuyến tính 2,5GeV 16 1.3.2 Cơ chế tạo chùmxạhãm máy gia tốc 18 Chương Phương pháp thực nghiệm 22 2.1.Xác định suất lượngphảnứng thực nghiệm 22 2.2.Phổ kế gamma với đêtector bán dẫn siêu tinh khiết HPGe dùng ghi nhậnxạ i 26 2.3.Thí nghiệm 29 2.4.Một số hiệu chỉnh nâng cao độ xác 33 2.4.1 Hiệu ứng thời gian chết chồng chập xung 33 2.4.2 Hiệu ứng tự hấp thụ tia gamma mẫu 34 2.4.3 Hiệu chỉnh can nhiễu phóng xạ 35 2.4.4 Hiệu ứng cộng đỉnh 36 Chương Kết thực nghiệm thảo luận 39 3.1.Nhận diện đồng vị phóng xạ tạo thành từ phảnứngquang 209 Bi 39 3.2.Xác định suất lượngphảnứng sinh nhiều nơtron 50 hạtnhânbia 3.3.Xác định suất lượngphảnứngquangphân hạch 209 Bi(γ ,f) 53 3.4.Thảo luận 57 Kết luận 59 Phụ lục ii I Danh mục ký hiệu, chữ viết tắt từ khoá Eγ : Nănglượng tia gamma Eth : Nănglượng ngưỡng phảnứnghạtnhân T1/2 : Thời gian bán rã đồng vị phóng xạ Iγ : Cường độ tia gamma hay xác suất phát xạ λ: Hằng số phân rã HPGe: Đêtectơ bán dẫn Gecmani siêu tinh khiết Reaction yield: Suất lượngphảnứng Linac: Máy gia tốc tuyến tính Quasi-deutron: Giả đơtron ti , td ,tm : Thời gian kích hoạt, thời gian phân rã, thời gian đo Pulse heigh: Biên độ xung ADC: Bộ chuyển đổi tương tự số MCA: Bộ phân tích biên độ đa kênh Dead time: Thời gian chết Pile up: Chồng chập xung Summing effect: Hiệu ứng cộng đỉnh Photofission: Phảnứngquangphân hạch iii Danh sách hình vẽ 1.1 Tiết diện tồn phần cuả q trình hấp thụ photon hạtnhân 1.2 Sự phụ thuộc khả phân hạch vào lượng photon bia W, Pt, Au, Pb Bi 10 1.3 Phân bố suất lượngquangphân hạch bia 197 Au với chùm photon lượng từ 300 MeV – 1100 MeV 11 209 Bi 1.4 Tiết diện quangphân hạch 12 1.5 Phân bố suất lượngphảnứngquangphân hạch hạtnhân theo số khối.12 1.6 Phân bố suất lượngphảnứngquangphân hạch hạtnhân theo số khối.13 1.7 (a).Tiết diện phảnứng theo số khối hạtnhân sản phẩm (b).Tiết diện phảnứng theo điện tích hạtnhân sản phẩm 14 1.8 Suất lượngphảnứngquanghạtnhânbiabia 1.9 209 Bi 197 Au với lượngchùmxạhãmGeV 15 Phân bố suất lượngphảnứngquanghạtnhânbia 209 Bi gâychùmxạhãmlượngcựcđại2,5GeV 16 1.10 Hình ảnh máy gia tốc electron tuyến tính 2,5GeV PAL, Hàn Quốc.17 1.11 Phổ xạhãm phát từ bia W bắn phá chùm electron lượng2,5GeV mô phần mềm Geant4 19 1.12 Sự phụ thuộc hiệu suất chùmxạhãm vào bề dày bia W 21 2.1 Sự phụ thuộc hoạt độ phóng xạ vào thời gian kích hoạt (ti ), thời gian phân rã (td ) thời gian đo (tm )[4] 25 2.2 Minh họa phổ gamma thực tế (bên trái) phổ gamma lý tưởng (bên phải) ghi nhận đêtector 27 iv 2.3 Hệ sơ đồ khối thiết bị ghi nhận phổ gamma 28 2.4 Sơ đồ thí nghiệm chiếu xạbia Bi chùmxạhãm2,5GeV 29 2.5 Phổ BiP5T3 31 2.6 Phổ BiP5T13 32 2.7 Sơ đồ phân rã 3.1 Phân bố suất lượngphảnứng 207 Bi 38 209 Bi(γ ,xn)209−x Bi theo số nơtron phát 52 3.2 So sánh kết luận văn thực với kết tác giả A.N Ermakov đồng nghiệp 53 3.3 Phân bố suất lượngquangphân hạch 209 Bi(γ ,f) theo điện tích hạtnhân sản phẩm 56 3.4 So sánh số liệu luận văn thực với kết tác giả H Naik đồng nghiệp 57 v Danh sách bảng 1.1 Các thơng số Linac PAL 18 2.1 Thời gian phơi thời gian đo mẫu Bi kích hoạt 30 2.2 Kết tính hệ số tự hấp thụ tia gamma mẫu Bi 35 2.3 Các đỉnh gamma can nhiễu cần xử lý 36 3.1 Kết nhận diện hạtnhân sản phẩm từ phảnứngquanghạtnhânbia Bi gâychùm photon hãm2,5GeV 40 3.2 Nhận diện đồng vị tạo thành từ phảnứngquangphân hạch mẫu 3.3 209 Bi(γ ,xn)209−x Bi 50 Kết xác định suất lượngphảnứng sinh nhiều nơtron 209 Bi(γ ,xn)209−x Bi 3.5 48 Các yếu tố cần thiết việc xác định suất lượngphảnứng sinh nhiều nơtron 3.4 209 Bi 51 Các yếu tố cần thiết việc xác định suất lượngphảnứng sinh nhiều nơtron 209 Bi(γ ,f) 54 209 Bi(γ ,f) 3.6 Kết xác định suất lượngquangphân hạch 3.7 Đánh giá sai số kết thực nghiệm xác định suất lượngphảnứng 58 vi 55 Mở đầu Cùng với phát triển công nghệ, kỹ thuật, người khám phá nhiều điều bí ẩn tự nhiên Một số nghiêncứuphảnứnghạtnhân Nhờ phảnứnghạtnhân mà nhân loại ngày hiểu sâu sắc cấu trúc vi mô giới vật chất mn hình mn vẻ Từ ứng dụng vào hàng loạt lĩnh vực thực tiễn đời sống tìm nguồn lượng – lượnghạt nhân, chế tạo đồng vị phóng xạ, phục vụ y học, ứng dụng vật lý thiên văn, chuyển đổi chất thải hạtnhân Bên cạnh loại phảnứnghạtnhân với chùmhạt tích điện với nơtron, phảnứngquanghạtnhân đóng phần vơ quan trọng Phảnứngquanghạtnhânphảnứnghạtnhân xảy có tương tác xạ gamma hay gọi photon với hạt nhân, sau tương tác hạtnhân phát xạ nơtron, proton loại hạt khác tùy thuộc vào lượngchùm photon tới số khối hạtnhânbia Các phảnứngquanghạtnhân thường xảy là: phảnứng sinh nhiều nơtron (γ, xn), phảnứng photospallation (γ, xnyp), phảnứng tạo pion (γ ,π xn), phảnứngphân hạch hạtnhân (γ, f ), tượng phân mảnh (γ, f r) Một thơng số quan trọng phảnứnghạtnhân nói chung, phảnứngquanghạtnhân nói riêng tiết diện phảnứng Tiết diện phảnứng phụ thuộc vào lượnghạt tới Với lượng xác định, kênh phảnứng khác cho tiết diện phảnứng khác Đối với phảnứnghạtnhân xảy với chùm photon hãmlượng liên tục thay xác định xác tiết diện ta xác định suất lượngphảnứng Việc xác định suất lượngphảnứng cho ta nhìn đắn chế phản ứng, phản ánh tiết diện phảnứng Luận văn Thạc s Bùi Thị Hồng Hình 3.2: So sánh kết luận văn thực với kết tác giả A.N Ermakov đồng nghiệp Qua so sánh phân bố suất lượngphảnứng kết luận văn kết tác giả A.N Ermakov cho thấy dù với lượng photon tới khác phân bố suất lượngphảnứng sinh nhiều nơtron hai thí nghiệm giống mô tả công thức bán thực nghiệm cho lượng photon tới khác 3.3 Xác định suất lượngphảnứngquangphân hạch 209 Bi(γ ,f) Bảng 3.5 3.6 trình bày yếu tố cần thiết để xác định suất lượngquangphân hạch209 Bi(γ ,f) kết xác định suất lượng 53 Luận văn Thạc s Bùi Thị Hồng Bảng 3.5: Các yếu tố cần thiết việc xác định suất lượngphảnứng sinh nhiều nơtron 209 Bi(γ ,f) STT Đồng vị Nănglượng (keV) Chu kỳ bán rã Tên phổ gamma cường độ (%) 74 As 595,847 (59) 17,77 ngày BiP5T13 82 Br 619,11 (43,4) 35,3 BiP5T3 83 Rb 529,63 (29,3) 86,2 ngày BiP5T13 84 Rb 881,610 (69) 32,77 ngày BiP5T13 86 Rb 1076,64 (9) 18,631 ngày BiP5T12 87 Y 484,81 (89,7) 79,8 BiP5T6 88 Y 1836,06 (99,2) 106,65 ngày BiP5T13 90m Y 202,51 (97,3) 3,19 BiP20T1 89 Zr 908,96 (100) 78,41 BiP5T5 10 95 Zr 724,199 (44,17) 64,02 ngày BiP5T13 11 97 Zr 743,36 (93) 16,91 BiP5T2 12 95 Nb 765,794 (100) 34,975 ngày BiP5T13 13 96 Nb 568,80 (58) 23,35 BiP5T3 14 96 Tc 778,224 (100) 4,28 ngày BiP5T6 15 99 Mo 140,511 (89,43) 65,94 BiP5T5 16 103 Ru 497,080 (90,9) 39,26 ngày BiP5T13 17 105 Ru 469,37 (17,5) 4,44 BiP20T1 18 110m Ag 657,7622 (94,0) 249,79 ngày BiP5T4 19 115 Cd 336,240 (45,9) 53,46 BiP5T5 20 111 In 245,395 (94) 2,8047 ngày BiP5T13 21 105 Rh 319,14 (19) 35,36 BiP5T6 22 122 Sb 564,119 (71) 2,7238 ngày BIP5T8 23 126 I 388,63 (34,1) 13,11 ngày BiP5T11 24 131 Ba 496,326 (47) 11,5 ngày BiP5T11 54 Luận văn Thạc s Bùi Thị Hồng Bảng 3.6: Kết xác định suất lượngquangphân hạch STT Đồng vị Số khối Điện tích 209 Bi(γ ,f) Suất lượng ×10−21 (/giây/hạt nhân) 74 As 74 33 0,173 ± 0,021 82 Br 82 35 0,226 ± 0,027 83 Rb 83 37 0,139 ± 0,016 84 Rb 84 37 0,404 ± 0,048 86 Rb 86 37 0,504 ± 0,060 87 Y 87 39 0,412 ± 0,049 88 Y 88 39 0,429 ± 0,051 90m Y 90 40 0,678 ± 0,081 89 Zr 89 39 0,255 ± 0,030 10 95 Zr 95 40 0,559 ± 0,067 11 97 Zr 97 41 0,543 ± 0,065 12 95 Nb 95 41 0,642 ± 0,077 13 96 Nb 96 43 0,773 ± 0,092 14 96 Tc 97 40 0,736 ± 0,088 15 99 Mo 99 42 0,751 ± 0,090 16 103 Ru 103 44 0,819 ± 0,098 17 105 Ru 105 45 0,820 ± 0,098 18 110m Ag 110 44 0,929 ± 0,111 19 115 Cd 115 47 0,726 ± 0,087 20 111 In 111 49 0,719 ± 0,086 21 105 Rh 105 48 0,600 ± 0,072 22 122 Sb 122 49 0,363 ± 0,043 23 126 I 126 51 0,412 ± 0,049 24 131 Ba 131 53 0,269 ± 0,032 Từ kết tính tốn thực nghiệm suất lượngquangphân hạch, vẽ đồ thị 55 Luận văn Thạc s Bùi Thị Hồng mô tả phụ thuộc phân bố suất lượngquangphân hạch vào số khối sản phẩm tạo thành Hình 3.3 mô tả suất lượngquangphân hạch 209 Bi (γ ,f) theo điện tích hạtnhân sản phẩm Hình 3.3: Phân bố suất lượngquangphân hạch 209 Bi(γ ,f) theo điện tích hạtnhân sản phẩm Các số liệu suất lượngquangphân hạch 209 Bi(γ ,f) mô tả hàm sau: y = 8, 29 × 10−22 × e− (Z−45)2 85,569 (3.3) đó: Z điện tích hạtnhân sản phẩm, y(Zp ) = 8,29×10−22 suất lượngphảnứng lớn Zp = 45 điện tích có xác suất suất lượng lớn phân bố suất lượngphảnứng theo điện tích Hình 3.4 so sánh kết thực nghiệm luận văn với kết thực nghiệm báo cáo khác Từ đồ thị phân bố cho thấy có giống phân bố 56 Luận văn Thạc s Bùi Thị Hồng thí nghiệm với số liệu nhóm tác giả H.Naik đồng nghiệp thực thí nghiệm phảnứngquanghạtnhânbia 209 Bi gâychùmxạhãmlượng2,5GeV Điều nói lên độ tin cậy kết luận văn Hình 3.4: So sánh số liệu luận văn thực với kết tác giả H Naik đồng nghiệp 3.4 Thảo luận Từ việc phân tích số liệu, nhận diện 76 đồng vị phóng xạ từ phảnứng sinh nhiều nơtron 209 Bi(γ ,xnyp), phảnứng photospalation phảnứng tạo pion 209 Bi(,π xn) Đồng vị tạo thành có thời gian bán rã lớn 31,55 năm 31 phút 209 Bi(γ ,xn)209−x Bi, 200m Bi lượngphảnứng 207 Bi, đồng vị có thời gian bán rã nhỏ Kết thực nghiệm hình 3.1 cho thấy phân bố suất 209 Bi(γ ,xn)209− Bi có dạng hàm e mũ theo cơng thức bán thực nghiệm Kết thu đem so sánh với kết thí nghiệm khác thấy 57 Luận văn Thạc s Bùi Thị Hồng giống mặt phân bố suất lượngphảnứng Đặc biệt luận văn nhận diện 24 đồng vị từ phảnứngquangphân hạch 209 Bi(γ ,f) đồng vị 74 As 131 Ba Kết xác định suất lượngphân hạch luận văn so sánh với kết thí nghiệm H Naik đồng nghiệp phân tích, qua so sánh nhận thấy phù hợp mặt phân bố suất lượngphảnứng Việc tìm hàm mơ tả suất lượngphảnứng theo công thức bán thực nghiệm hai phảnứng sinh nhiều nơtron phảnứngquangphân hạch hạtnhân có ý nghĩa lớn nghiêncứuphảnứngquanghạtnhân Từ hàm bán thực nghiệm ta ngoại suy giá trị suất lượngphảnứng theo số nơtron phát ra, theo điện tích số khối hạtnhân sản phẩm tạo thành Sai số kết thực nghiệm đánh giá từ % đến 20 % chủ yếu nguồn sai số sai số thống kê số đếm đỉnh gamma, sai số hiệu suất ghi đêtector, sai số xử lý phổ gamma, hiệu ứng cộng đỉnh, hấp thụ tia gamma mẫu, sai số từ số liệu hạtnhân chu kỳ bán rã, xác suất phát xạ, Kết đánh giá nguồn sai số liệt kê bảng 3.7 Sai số tổng cộng tính từ cơng thức truyền sai số Bảng 3.7: Đánh giá sai số kết thực nghiệm xác định suất lượngphảnứng Các nguồn sai số Sai số (%) Sai số thống kê ÷ 16 Hiệu suất ghi đêtector 4÷5 Chu kỳ bán rã 0,1 ÷ Xác suất phát tia gamma (%) 0,2 ÷ Khớp diện tích đỉnh 2÷7 Hiệu ứng cộng đỉnh 2÷5 Tự hấp thụ tia gamma mẫu 0,5 ÷ Các nguồn sai số khác 5÷6 Sai số tổng cộng ÷ 20 58 Luận văn Thạc s Bùi Thị Hồng KẾT LUẬN Bản luận văn trình bày kết nghiêncứu thực nghiệm xác định số đặc trưng phảnứngquanghạtnhânquangphân hạch bia Bi gâychùmxạhãmlượngcựcđại2,5GeV máy gia tốc electron tuyến tính Trung tâm gia tốc Pohang Hàn Quốc Các kết thu bao gồm: • Nhận diện 76 đồng vị phóng xạ tạo thành từ phảnứngquanghạtnhân 209 Bi(γ ,xn)209−x Bi, 209 Bi(γ ,xnyp), 209 Bi(γ ,π xn) Đặc biệt hận diện 24 đồng vị phân hạch từ phảnứngquangphân hạch 209 Bi(γ ,f) • Xác định suất lượng tạo thành hạtnhân sản phẩm từ phảnứngquanghạtnhân sinh nhiều nơtron 24 mảnh phân hạch từ phảnứngquangphân hạch • Xác định phân bố suất lượnghạtnhân sản phẩm theo số nơtron sinh theo điện tích hạtnhân sản phẩm tạo thành, có so sánh đánh giá kết thu Thí nghiệm sử dụng phương pháp kích hoạt phóng xạ photon phương pháp ghi nhận phổ gamma sử dụng đêtector bán dẫn siêu tinh khiết HPGe có độ phân giải lượng 1,8 keV đỉnh 1332 keV 60 Co Các đồng vị tạo thành sau phảnứngnhận diện vào lượng tia gamma đặc trưng va chu kỳ bán rã chúng Suất lượngphảnứng dược xác định dựa việc xác định hoạt độ phóng xạhạtnhân sản phẩm, sử dụng phần mềm GammaVision, FitzPeaks để phân tích phổ, phần mềm Mathematica Origin để tính tốn phân tích số liệu Kết thí nghiệm thu có tương đồng với số liệu báo cáo khác Thông qua việc xác định suất lượngphảnứnghạtnhân sinh nhiều nơtron quangphân hạch góp phần làm sáng tỏ chế phức tạp phảnứngquanghạtnhân vùng lượng cao, đặc biệt trình phân hạch hạtnhân tiền actinide Bên cạnh kết nghiêncứu có đóng góp 59 Luận văn Thạc s Bùi Thị Hồng mặt số liệu hạtnhân Từ kết suất lượnghạtnhân tạo thành sau phản ứng, ta suy thơng lượng, tiết diện phảnứng Từ ứng dụng loạt lĩnh vực thực tiễn chế tạo đồng vị, che chắn phóng xạ, nghiêncứu chế tạo bia, đóng góp vào thư viện liệu hạtnhân Trong trình thực luận văn, học viên học hỏi thêm nhiều kinh nghiệm phân tích xử lý số liệu, tìm hiểu biết cách sử dụng phần mềm chuyên dụng phân tích GammaVision, Origin, Mathematica, Peakfit, đồng thời trau dồi thêm kỹ viết trình bày kết nghiêncứu 60 Tài liệu tham khảo Tiếng việt [1] Nguyễn Văn Đỗ (2004), Các phương pháp phân tích hạt nhân, NXB Đại học Quốc Gia Hà Nội, Hà Nội [2] Ngô Quang Huy (2004), Cơ sở Vật lý hạt nhân, NXB Khoa Học Kỹ Thuật, Hà Nội [3] Lê Hồng Khiêm (2008), Phân tích số liệu ghi nhận xạ, NXB Đại học Quốc Gia Hà Nội, Hà Nội [4] Phạm Đức Khuê (2013), Tập giảng: Phảnứnghạt nhân, Hà Nội 2013 [5] Đặng Huy Uyên (2005), Vật lý hạtnhânđại cương, NXB Đại học Quốc Gia Hà Nội, Hà Nội Tiếng anh [6] C.Segebade, H.-P Weise, G.J.Lutz (1988), "Photon Activation Analysis",Walter de Gruyter, Berlin, New York [7] Gary J Russell (1990), "Spallation physics – an overview", International Collaboration on Advance neutron sources, Los Alams, New Mexico [8] G A Vartapetyan, N.A Demekhina, V.I Kasilov, Yu N Ranyuk, P.V Sorokin, A G Hudaverdyan (1971), “Nuclear photofission cross sections for 61 Luận văn Thạc s Bùi Thị Hồng the photon energies up to GeV Supergiant resonance in the photonuclear reactions”, Yademaya Fizika, vol.14, pp-65 [9] A.P.Komar, B.A.Bochagov, A.A.Kotov, Yu.N.Ranyuk, G.G.Semenchuk, G.E.Solyakin, P.V.Sorokin (1970), " Mass and energy distributions of fragments from photofission of U238, Bi209 and Au197", Soviet Journal of Nuclear Physics, vol.10, pp-30 [10] H Naik, S Singh, A.V.R.Reddy, V.K.Manchanda, G.N.Kim,K.S.Kim, M.W.Lee, S.Ganesan, D.Raj, H.S.Lee, Y.D.Oh, M.H.Cho, I.S.Ko, W.Namkung (2009), “Product yields for the photo-fission of 209Bi with 2.5 GeV bremsstrahlung”, Methods in Physics, Vol 267, pp.1891 [11] H Haba, M Igarashi, K Washiyama, H Matsumura, M Yamashita, K Sakamoto, Y Oura, S Shibata, M Furukawa, and I Fujiwara (2000), “Photofission of 197Au at Intermediate Energies”, Journal of Nuclear and Radiochemical Sciences, Vol 1, No 2, pp.53-61 [12] Hiromitsu Haba (2002), "Recoil Studies of Photonuclear Reactions at Intermediate Energies" Journal of Nuclear and Radiochemical Sciences, Vol 3, No.2, pp A11-A20 [13] K Debertin and R.G.Heimer (1988), “Gamma and X – ray spectrometry with semiconductor detectors”,North – Holland Elseiver, New York [14] K.N.Mukhin (1987), “Experimental nuclear physics”, Mir Publishers, Vol.1, Moscow [15] L Kroon and B Forkman (1972), “Photon-induced nuclear reactions above GeV (III) Fission in gold and lead”, Nuclear Physics A197, pp 81-87 [16] M Areskoug, B Schroder and K Lindren (1975), “Photofission in bismuth at intermediate energy”, Nuclear physics A251, pp.418-432 [17] M L Terranovay, G Ya Kezerashviliz, A M Milovz, S I Mishnevz, N Yu Muchnoiz, A I Naumenkovz, I Ya Protopopovz, E A Simo (1998)," 62 Luận văn Thạc s Bùi Thị Hồng Photofission cross section and fissility of pre-actinide and intermediate-mass nuclei by 120 and 145 MeV Compton backscattered photons" J Phys G: Nucl Part Phys 24, pp 205–216 [18] M L Terranova and O A P Tavares (1994), “Total Nuclear Photoabsorption Cross Section in the Range 0.2 – 1.0 GeV for Nuclei Throughout the Periodic Table”, Phys Scri 49, pp 267 [19] N Ermakov, B S Ishkhanov, I M Kapitonov, I V Makarenko, and V N Orlin (2010), “Photodisintegration of Heavy Nuclei in the Energy Region above the Giant Dipole Resonance”, Physics of Atomic Nuclei, Vol 73, No 5, pp 737–745 [20] Nguyen Van Do, Pham Duc Khue, Pham Duc Khue, Kim Tien Thanh and Nguyen Thi Hien (2013), “Studies of multiparticle photonuclear reactions in natural Iron induced by 2.5 geV bremsstrahlung”, Nuclear Science and Technology, Vol 3, No.2, pp.1-6 [21] Nguyen Van Do, Pham Duc Khue (2004), “Energy-dependent reaction yields of the 197 Au(γ ,xn) processes with high energy bremsstrahlung”, Communi- cations in Physics, Vol.14, No.3 (2004), pp.1-5 [22] R Serber (1947), “Nuclear Reaction in High Energies”, Phys Rev 72, pp 1114 [23] Richard B Firestone (1996), “Table of Isotopes”, version 1.0 [24] http://ie.lbl.gov/toi/ [25] http://cdfe.sinp.msu.ru/ [26] http://nucleardata.nuclear.lu.se/ 63 Phụ lục Hình P1: Đêtector bán dẫn siêu tinh khiết HPGe, Canbera sử dụng để ghi nhận phổ gamm, trung tâm gia tốc Pohang Hàn Quốc I Luận văn Thạc s Bùi Thị Hồng Hình P2: Thí nghiệm chiếu chùmxạhãm vào bia, (phần cuối máy gia tốc PAL) Hình P3: Đường cong hiệu suất ghi đêtector HPGe II Luận văn Thạc s Bùi Thị Hồng Hình P4: Giao diện phần mềm GammaVision dùng phân tích phổ gamma Hình P5: Đồ thị phụ thuộc hệ số hấp thụ vào lượng tia gamma mẫu Bi III Luận văn Thạc s Bùi Thị Hồng Hình P6: Phân bố suất lượngphảnứng 209 Bi (γ ,xn)209−x Bi theo số khối Hình P7: Phân bố suất lượngphảnứng IV 209 Bi (γ ,f) theo số khối ... Suất lượng phản ứng quang hạt nhân bia 209 Bi 197 Au bia với lượng chùm xạ hãm GeV Gần vào năm 2009, tác giả H Naik đồng nghiệp nghiên cứu phản ứng quang hạt nhân gây chùm xạ hãm lượng cao 2,5 GeV. ..ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - BÙI THỊ HỒNG NGHIÊN CỨU PHẢN ỨNG QUANG HẠT NHÂN TRÊN BIA 209Bi GÂY BỞI CHÙM BỨC XẠ HÃM NĂNG LƯỢNG CỰC ĐẠI 2,5 GeV. .. loại phản ứng hạt nhân với chùm hạt tích điện với nơtron, phản ứng quang hạt nhân đóng phần vô quan trọng Phản ứng quang hạt nhân phản ứng hạt nhân xảy có tương tác xạ gamma hay gọi photon với hạt