Bài tập mạch điện tử Tài liệu tham khảo Bài tập mạch điện tử dành cho sinh viên khoa Điện - điện tử viễn thông. đây là những bài tập cơ bản giúp sinh viên ngành điện tử viễn thông ứng dụng từ lý thuyết, từ đó cũng cố kiến thức
Trang 1Bài tập mạch
điện tử
Trang 2MỘT SỐ BÀI TẬP MẪU CHO QUYỂN
“Giáo trình mạch điện tử I”
Chương I: DIODE BÁN DẪN
I Diode bán dẫn thông thường:
1) Vẽ dạng sóng chỉnh lưu: (Bài 1-1 trang 29)
Công thức tổng quát tính VL:
L L i
D S
RR
VV
V
+
−
=
VD = 0,7V (Si) và VD = 0,2V (Ge)
a- Vẽ VL(t) với VS(t) dạng sóng vuông có biên độ 10 và 1V
Kết quả với giả thiết: Ri = 1Ω, RL = 9Ω, VD = 0,7V
Vì Diode chỉnh lưu chỉ dẫn điện theo một chiều nên:
7,010
7,01
-D
10
+ +
Trang 3Một số bài tập mẫu 2
b- Vẽ VL(t) với VS(t) dạng sóng sin có biên độ 10 và 1V
∗ Khi VS = 10sinωot nghĩa là VSm = 10V >> VD =0,7V ta có:
9991
10R
RR
V
L i
Sm 1
+
≈+
≈
tsin9
VL1 ≈ ω0(Ta giải thích theo T 0
7,0tsin1
=Tại sinω0t = 1, |VL2| = 0,27V
+ VS < 0,7V, Diode tắt, iD = 0, iL = 0, VL = 0
Với dạng sóng tam giác ta có kết quả tương tự như sóng sin
2) Bài 1-3: Để có các kết quả rõ ràng ta cho thêm các giá trị điện trở: R1 =
7,010R
RR
VV
3 3
L L i
D S 1
+
−
=+
−
=
V27,010.9.10.910
7,01R
RR
VV
3 3
L L i
D S 2
+
−
=+
Trang 4RRR
V
3 4
3 L L b i
S 1
++
=+
+
=
V45,010.9.10.91010
1R
RRR
V
3 4
3 L L b i
S 1
++
=+
+
=
b- Vẽ VL(t) với dạng sóng sin có biên độ 10V và 1 V
∗ Để đơn giản khi VSm = 10V (>>VD = 0,7V) ta bỏ qua VD Khi đó:
tsin10R
RR
S 1
+
ω
=+
tsin10R
RRR
V
3 4
3
0 L
L b i
S 1
++
ω
=+
7,0tsin1RRR
7,0tsin1
3 3
0 L
L i
0 2
+
−ω
=+
−ω
=Tại
Trang 5Một số bài tập mẫu 4
tsin315,010.9.10.91010
tsin7,0R
RRR
tsin7,0
3 4
L L b i
0 2
++
ω
=+
tsin1R
RRR
tsin1
3 4
3
0 L
L b i
0 2
++
ω
=+
+
ω
=
2) Dạng mạch Thevenin áp dụng nguyên lý chồng chập:
Bài 1-20 với Vi(t) = 10sinω0t
a- Vẽ mạch Thevenin:
Áp dụng nguyên lý xếp chồng đối với hai nguồn điện áp VDC và Vi:
∗ Khi chỉ có VDC, còn Vi = 0 thì điện áp giữa hai điểm A-K:
V310.5,110
10.5,15rR
rV
i i
i DC
+
=+
=
∗ Khi chỉ có Vi, còn VDC = 0 thì điện áp giữa hai điểm A-K là:
)V(tsin410.5,110
10t
sin.10rR
RV
i i
i i
+ω
=+
Trang 6∗ Vậy khi tác động đồng thời cả VDC và Vi thì sức điện động tương đương Thevenin giữa hai điểm A-K là:
)V(tsin43rR
RVrR
rV
i i
i i i i
i DC
+
++
+
=++
10.5,110
10.5,1.10R
rR
r
R
3 3
3 3
L i i
i i T
3
,2
,3,0t
D T
R
VV.R
1R
VV
10.2
37,0.10.2
1i
46,67,0.10.2
1i
2,88 1,15
-1
VT
t
Trang 7Một số bài tập mẫu 6
10.2
77,0.10.2
1i
46,07,0.10.2
1i
17,0.10.2
1i
2
ωc- Vẽ
( ) (3 4sin t) 2,1 2,8sin t(V)7
,0V7,0
10.2
V10.4,1Rr//
R
VR
R
V.Ri
R)t(V
0 0
T
3 T 3 L
i i
T L
T
T L D L L
ω+
=ω+
=
=
=+
=
=
=
II Diode Zenner:
1) Dạng dòng IL = const (bài 1-40); 200mA ≤ IZ ≤ 2A, rZ = 0
42,1
1822I
VVR
min Z
Z min i i
18
28I
VV
R
max Z
Z max i i
t
RL=18Ω
VZ=18v 22v<VDC<28v
Ri IZ
VL
IL
Trang 82) Dạng dòng IL ≠ const: (bài 1-41), 10mA ≤ IL ≤ 85mA
IZmin = 15mA
a- Tính giá trị lớn nhất của Ri
max L min Z
Z i i
min L max Z
Z i
II
VVR
II
VV
+
−
≤
≤+
−
∗ Khi VDC = 13V ta có
Ω
=+
−
085,0015,0
1013
Rimax
∗ Khi VDC = 16V ta có
Ω
=+
−
085,0015,0
1016
RimaxVậy ta lấy Rimax = 30Ω
b- Tìm công suất tiêu thụ lớn nhất của Diode Zenner
VV
I
i
Z max i
⇒ Izmax =Imax −ILmin = 0,2−0,01=0,19=190mA
⇒ Pzmax =0,19×10=1,9W
3) Dạng IZ ≠ const; IL ≠ const (Bài 1-42)
30 ≤ IL ≤ 50mA, IZmin = 10mA
rZ = 10Ω khi IZ = 30mA; Pzmax =800mW
a- Tìm Ri để Diode ổn định liên tục:
mA8010
8,0V
PI
Z
max Z max
Vậy 10mA ≤ IZ ≤ 80mA
Ta có: Imin = IZmin + ILmax = 60mA
Imax = IZmax + ILmin = 110mA
RL
VZ=10v 20v<VDC<25v
Ri IZ
VL
IR
IL
Trang 9Một số bài tập mẫu 8
Mặt khác: Vimin = Imin.Ri + VZ = 20V
06,0
1020
Rimax
Vimax = Imax.Ri + VZ = 25V
11,0
1025
RiminSuy ra: 136,4Ω ≤ Ri ≤ 166,7Ω
mA50IkhiV5,1215005,020
mA30IkhiV5,1515003,020150IV
L
L Z
mA50IkhiV5,1715005,025
mA30IkhiV5,2015003,025150IV
L
L Z
Z
Tương ứng ta tính được các dòng IZ:
mA7,36150
105,15
150
105,12
mA70150
105,20
150
105,17
IZ(mA)
VZ
36,75030
8070
10
rZ =10Ω
16,712,5
Trang 10Chương II: TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP
I Bộ khuếch đại R-C không có CC và không có CE (E.C)
1) Bài 2-10: 20 ≤ β ≤ 60, suy ra ICQ không thay đổi quá 10%
∗ Phương trình tải một chiều:
VCC = VCEQ + ICQ(RC + RE)
mA81010.5,1
525R
R
VV
E C
CEQ CC
+
−
=+
−
=
⇒Nếu coi đây là dòng điện ban đầu khi β = 60 sao cho sau một thời gian
β chỉ còn β = 20 thì yêu cầu ICQ ≥ 7,2mA
∗ Ta giải bài toán bài toán một cách tổng quát coi β1 = 20; β2 = 60
E 2 2
b E 1
10
1RRR10
=
10
1RRK210.20.10
1
2 b
3 1
Vậy 2KΩ ≤ Rb ≤ 6KΩ
∗ Mặt khác
β+
−
=
b E
BB
R
7,0V
I , nếu coi VBB ≈ const thì ta có:
9,0RR
RRI
I
1
b E 2
b E 2 CQ
1 CQ
≥β+
≥β
+
1 2 b E 1
b E 2
b
R9,0
RR
Ω
=
=+
−
=β
+β
10020
9,0601
10.1,09,01
R1,0
1 2
E b
Trang 11Một số bài tập mẫu 10
10.5,325
7,81
110.5,3V
V1
1R
CC BB b
1
Ω
≈Ω
=
=
7,8
2510.5,3V
VR
BB
CC b 2
∗ Ta có thể tính tổng quát: Chọn Rb = 4KΩ thay vào (1):
%9,881200106720
10.410
60
10.410I
I
3 3
3 3
2 CQ
1 CQ
=
=+
+
1150105020
10.310
60
10.310I
I
3 3
3 3
2 CQ
1 CQ
=
=+
+
mãn bất phương trình (1), ta tính tiếp như trên
2) Bài 2-11: Với hình vẽ bài (2-10) tìm giá trị cho R1, R2 sao cho dòng iC xoay chiều có giá trị cực đại
∗ Điểm Q tối ưu được xác định như sau:
AC Ư CQT TƯ CEQ
AC DC
CC TƯ
CQ max Cm
R.IV
RR
VI
1ACLL
DCLL
QTƯ
0
Trang 12≈Ω
7,51
110.10V
V1
1R
CC BB b
1
Ω
≈Ω
=
=
7,5
2510V
VR
BB
CC b 2
Vì RDC = RAC nên phương trìng tải DC và AC trùng nhau
3) Bài 2-14: Điểm Qbất kỳ vì biết VBB = 1,2V; β = 20 Tìm giá trị tối đa của dao động có thể có được ở C và tính η
Biết β = 20, VBEQ = 0,7V
50100
7,02,1RR
VVI
b E
BEQ BB
+
−
=β+
∗ Vậy giá trị tối đa của dao động là:
ICmmax = iCmax – ICQ = 5,45 – 3,3 = 2,15mA Suy ra VLmax = ICmmax.RC = 2,15.103.10-3 = 2,15V
Trang 13Một số bài tập mẫu 12
( ) (2,15.10 ) 10 2,31mW
2
1R.I
10.8,19
10.31,2P
P
3 3 CC
=
−
II Bộ KĐRC không có CC, CE (tụ bypass Emitter) (EC)
1) Bài 2-15: Điểm Q bất kỳ
a- Tìm R1, R2 để ICQ = 01mA (Rb << βRE)
Vì Rb << βRE nên ta có:
A10mA10R
7,0V
10
1R10
7,11
10V
V1
1R
CC BB b
1010V
VR
BB
CC b 2
b- Để tìm ICmmax với R1, R2 như trên ta phải vẽ DCLL và ACLL:
Trang 141I
150
5,710R
VI
C
CEQ CQ
max
Cho iC = 0 ⇒ V I R V 10 1.150 7,5 9V
CEQ C CQ max
2) Bài 2-16: Điểm Q tối ưu (hình vẽ như hình 2-15)
Để có dao động Collector cực đại ta có:
AC DC
CC Ư
CQT max
VI
10
1R10
2,31
10V
V1
1R
CC BB b
V
E C
Trang 15Một số bài tập mẫu 14
Ω
≈Ω
=
=
2,3
1010V
VR
BB
CC b 2
Để vẽ ACLL, rất đơn giản ta chỉ cần xác định:
iCmax = 2ICQTƯ và VCemax = 2VCEQTƯ
III Bộ KĐ R-C có CC và CE (E.C)
1) Bài 2-20: Điểm Q tối ưu
RDC = RC + RE = 900 + 100 =1KΩ
Ω
=+
=+
900900
900.900R
R
RRR
L C
L C AC
mA9,6RR
VI
I
DC AC
CC Ư
CQT max
10
1R10
V
E C
Trang 164,11
10V
V1
1R
CC BB b
1010V
VR
BB
CC b 2
Ta có dòng xoay chiều:
V1,3V
mA45,39,6900900
900I
RR
RI
Lm
Cm L C
C Lm
=
⇒
=+
=+
=++
900900
900.900100R
R
RRRR
L C
L C E AC
mA45,655010
10R
R
VI
AC DC
CC max
Cm Ư
+
=+
10
1R10
1010
345,11
10V
V1
1R
CC BB b
1010V
VR
BB
CC b 2
mA225,310.45,6.900900
900I
RR
R
Cm L C
C
+
=+
VLm = RL.ILm = 900.3,225.10-3 = 2,9V
IV Bộ KĐ R.C mắc theo kiểu C.C
1) Bài 2-22: Mạch có thiên áp Base
* Đây là dạng bài điểm Q bất kỳ vì đã biết R1, R2
V525.10.2010.5
10.5V
RR
R
2 1
1
+
=+
=
mA1,260
10.410.2
7,05R
R
7,0V
3 b
Trang 17Một số bài tập mẫu 16
VCEQ = VCC – ICQ(RC + RE) = 25 – 2,1.10-3.3.103 = 18,7V
Từ hình vẽ ta thấy: ICQ < ICQTƯ nên ICm = ICQ = 2,1mA
mA05,110.1,2.10.210.2
10.2I
RR
R
3 3
3 Cm
L E
L
+
=+
R
1I
++
RR
RRRR
L E
L E C AC
10.2
7,1810
.1,2R
VI
AC
CEQ CQ
1ACLL
100
1DCLL
Trang 18iC = 0 suy ra V V R I 18,7 2.103.2,1.10 3 22,9V
CQ AC CEQ max
25R
R
V
AC DC
CC Ư
+
=+
=
VCEQTƯ = ICQTƯ.RAC = 10V
2) Bài 2-24: Mạch được định dòng Emitter
Theo định luật K.II: ΣVkín = 0 ta có
RbIBQ + VBEQ + RE.IEQ –VEE = 0
100
7,0
10RR
7,0VI
b E
BB
β+
100I
RR
R
Em L E
E
+
=+
R
1I
R
VIi
AC
CEQ CQ
max
+ Cho iC = 0 suy ra
V675,1050.10.9305,6RIV
AC CQ CEQ
Trang 19Một số bài tập mẫu 18
∗ Nếu bài này được tính ở chế độ tối ưu thì:
RDC = RC + RE = 150Ω
Ω
=+
RR
RRR
L E
L E
mA100A1,050150
20R
R
VI
DC AC
CC Ư
+
=+
R
VV
E C
Trang 20Chương IV:
THIẾT KẾ VÀ PHÂN TÍCH TÍN HIỆU NHỎ TẦN SỐ THẤP
I Sơ đồ mắc Emitter chung E.C:
1) Bài 4-7: Q bất kỳ
a- Chế độ DC
K3205,3
20.5,3RR
RRR
2 1
2 1
+
=+
=
V320.205,3
5,3V
RR
R
2 1
1
+
=+
=
mA6,4100
10.3500
7,03
.6,4
10.25h.4,1
Trang 21Một số bài tập mẫu 20
i
b b
L i
L
ii
ii
i
50100.10.5,110.5,1
10.5,1h
.RR
Ri
ii
ii
i
3 3
3 fe
L C
C b
C C
L b
+
−
=+
R//
R
R//
Ri
i
3 3 ie
b i
b i i
b
=+
=+
=Thay vào (1) ta có: Ai = -50.0,61 = -30,6
1
mA8350
10010
7,07,1RR
7,0VI
1
b E
BB 1
+
−
=β+
−
=
mA10010
7,07,
1R
7,0VI
E
BB 2
.83
10.25.50.4,1
10.25.150.4,1
Trang 22b- Chế độ AC:
ie b
b fe L C
C i
b b
L i
L i
hR
R.h.RR
Ri
ii
ii
iA
++
100.50.100100
100
++
−
=
1,495,52100
100.150.100100
100
++
−
=
Zi = Rb//hie suy ra Zi1 = 100//21 = 17,36Ω
Zi2 = 100//52,5 = 34,43Ω Vậy 20,66 ≤ Ai ≤ 49,18
17,36Ω ≤ Zi ≤ 34,43Ω
3) Bài 4-12: Dạng không có tụ CE
a- Chế độ DC:
mA5,4100
1010
7,07,5h
RR
7,0V
3 fe
b E
.5,4
10.25.100.4,1
Trang 23Một số bài tập mẫu 22
b- Chế độ AC:
i
b b
L i
L
ii
ii
i
24,95h
.RR
Ri
ii
i
i
i
fe L C
C b
C C
10R
hhR
Ri
i
5 4
4 E
fe ie b
b i
++
=+
II Sơ đồ mắc B.C: Bài 4-21, hoe = 10 4
1) Chế độ DC:
91,011
10h1
hh
−
3210
10.25.10.4,1.11
1h1
h
fe
ie ib
5 4 fe
oe
11
10h1
Trang 242) Chế độ AC:
i
e e
L i
L
ii
VV
V
82791
,0.1010
10.10h
.h
1Rh
1Ri
i.i
Ri
i
V
5 4
5 4 fb
ob L ob L e
C C
L L e
+
−
=+
−
=
=
012,03250
1h
R
1h
R
V.V
1
V
i
ib i ib
i
i i
−
=+
−
=
Thay vào (1) ta được AV = (-827).(-0,012) = 10,085 ≈ 10
III Sơ đồ mắc C.C: Bài 4-23
1) Chế độ DC
VCC = IBQRb + VBEQ + REIEQ
mA65,4100
1010
7,0
10R
R
7,0V
3 b E
Trang 25Một số bài tập mẫu 24
.65,4
10.25h,
1
i
b b
L i
L
VV
VV
V
( ) ( )
985,0000.50753
500.100
R//
Rhhi
R//
Rh.iV
V
L E fe ie b
L E fe b b
L
=+
K3,33R
r
RR
r
V.R.V
1
V
V
3 '
b i
' b '
b i
i ' b i i
+
Ω
=+
=+
h
R//
rh//
R
fe
b i ib E o
iL’
ri 500Ω
Vi
+-
Zo
Trang 26Chương VI: MẠCH TRANSISTOR GHÉP LIÊN TẦNG
I Transistor ghép Cascading:
=+
10
1RK1,210.710.3
10.7.10.3RR
R.R
21 11
21 11 1
suy ra, không được bỏ qua IBQ1;
V310.10.710.3
10.3V
.RR
R
21 11
11 1
+
=+
=
mA2,1650
2100100
7,03h
RR
7,0VI
1 fe
b E
1 BB 1 EQ
1 1
=+
−
=+
.2,16
10.25.50.4,1I
10.25.h,1
1 EQ
3 1
fe 1
=+
10
1RK9,010.910
10.9.10R
R
R.R
22 12
22 12 2
suy ra, được bỏ qua IBQ2;
V110.10.910
10V
.RR
R
22 12
12 2
+
=+
=
mA2,1250
3,050
900250
7,012
RR
7,0VI
2 2 E
2 BB 2
+
−
=+
.2,1
10.25.50.4,1I
10.25.h,1
2 EQ
3 2
fe 2
ie
b - Chế độ AC
i
1 1
2 2
L
i.i
i.i
Trang 27Một số bài tập mẫu 26
50h
.1i
i.i
ii
i
2 fe 2
2 C 2 C
L 2
( )
06,550.1458164164
h.hR//
R
R//
Ri
i.i
ii
i
1 fe 2 ie 2 1 C
2 1 C 1
1 C 1 C
2 1
2
−
≈+
2100h
R
Ri
i
1 ie b
b i
+
=+
R
1I
a- Chế độ DC:
RDC2 = RC2 + RE2 = 2250Ω; RAC2 = RC = 2KΩ
mA35,220002250
10R
R
VI
2 AC 2 DC
CC Ư
T 2
+
=+
1ACLL
9,710
ICQ = 1,2
ICmmax
Trang 2810.25.50.4,1I
10.25.h4,1
2 EQ
3 2
fe 2
ie
RDC1 = RC1 + RE1 = 200 + 100 = 300Ω;
RAC1 = RC1//Rb2//hie2 = 200//900//745 ≈ 134,4Ω
mA234,134300
10R
R
VI
1 AC 1 DC
CC Ư
T 1
+
=+
.23
10.25.50.4,1I
10.25.h,1
1 EQ
3 1
fe 1
ie
b- Chế độ AC: Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ như trên chỉ có hie1 và hie2
có giá trị khác Ta áp dụng luôn công thức (1) ở trên:
( ) 2100 76 434
2100
745164
164.2500h
R
R.hR//
R
R//
Rh
.hA
1 ie b
b 2
ie 2 1 C
2 1 C 2
fe 1 fe
++
=++
10R
R
V
2 AC 2 DC
CC Ư
T 2
+
=+
.7,6
10.25.100.4,1I
10.25.h,1
2 EQ
3 2
fe 2
ie
Ω
=Ω
1
2 E 2 fe 2
4,71
10V
V1
R
CC
2 BB
b 12
1010V
VR
2 BB
CC b 22
10R
R
VI
1 AC 1 DC
CC Ư
T 1
+
=+
=
VCEQ1TƯ = ICQ1TƯ.RAC1 = 11,34.10-3.382 = 4,33V
Trang 29Một số bài tập mẫu 28
,11
10.25.100.4,1I
10.25.h,1
2 EQ
3 1
fe 1
834,11
10V
V1
R
CC
1 BB
1 11
1010V
VR
1 BB
CC 1 21
b- Chế độ AC:
i
1 1
2 2
L
i.i
i.i
V
( )( ) 3
L E fe 2
i
V
=+
( ) ( )
75,051407
10.385100
.50500522
385
385
h.R//
Rh1hR//
R
R//
Ri
i.i
iii
2
1 fe L E fe 2
ie 2 1 C
2 1 C 1
1 C 1 C
2 1 2
−
≈
−
=+
+
−
=
+++
10h
R
Ri
1 ie 1
1 i
+
=+
h
R//
Rh//
R
2 fe
2 1 C 2 ib E o
Trang 303) Dạng bài hỗn hợp E.C – C.C: Bài 6-4
Tìm R để
i
02 i
01
i
Vi
2 2
01 i
01
i
i.i
i.i
Vi
V
i
1 1
2 2 E 2 fe i
02
i
i.i
i.R)h1(i
3 3
01 2
01
i
i.i
i.i
Vi
V
Từ (5) suy ra
2 E 2 fe 2
fe 3 E 3 fe 3
ie 2
C
2 C 3
E 3 fe 2
R)h1(hRR
R
R)h1(i
V
+
−
=+
++++
=
5050100
.505010
R10
10
+++
50505050
1010.9310
10.10.5050
R)h1(hRR
h.R.R)h1(i
ii
ii
ViV
3 3 3
2 3
3 E 3 fe 3
ie 2
C
2 fe 2 C 3 E 3 fe 2
2 C 2 C
3 3
01 2 01
−
≈+
++
−
=
++++
63,76550
10.550501000
500
100.500
h.R)h1(hR//
R
R//
Ri
i.i
iii
4
1 fe 2 E 2 fe 2
ie 2 1 C
2 1 C 1
1 C 1 C
2 1 2
−
=
−
=+
+
−
=
+++
10h
R//
R
R//
Ri
i
3 3 3 1
ie 1 i
1 i i
+
=+
Trang 31Một số bài tập mẫu 30
( )( )
mA
V27,195,0.63,7.5050i
h
Rh
Rh
//
RZ
3 fe
2 C 3 fe 3 ib 3 E o
II Transistor mắc vi sai và Darlingtơn
1) Bài 6-23: E.C – E.C
a- Chế độ DC
V25,29.10.310
10V
.RR
RV
21 11
11 2
BB 1
+
=+
=
=
mA55,142,710
7,025,2h
RR2
7,0VI
fe
b E
1 BB 2 EQ 1
+
−
=+
Trang 32RV
VR 4 = CC − C2 CQ2− BE3 − BE4 = − − =
mA6260
725,3R
VI
I
4 E
R 4 EQ 4
mA62,010
10.62h
III
fe
4 CQ 4 BQ 3 EQ 3
.55,1
10.25.100.4,1I
10.25.h4,1
1 EQ
3 1
fe 1
.62,0
10.25.100.4,1I
10.25.h4,1
1 EQ
3 3
fe 3
.62
10.25.100.4,1I
10.25.h,1
1 EQ
3 4
fe 4
ie
b- Chế độ AC
(1 h ) 500.101 50500R
i
1 1
2 c 2 c
3 3
L i
L
i.i
i.i
i.i
ii
i
(1 h )(1 h ) 101.101 10201i
i
4 fe 3
fe 3
( )
3
3 3
3
' 4 E 4 ie fe 3
ie 2 C
2 C 2
c 3
10,4605,631
5,2
10.76,6175700564510
.5,2
10.5,2
Rhh1hR
Ri
−
=
++
++
−
=
( )1 100
hi
ii
ii
i
2 fe 1
2 2
2 c 1
2
(Vì R’E rất lớn nên coi ib2 ≈ ib1)
3 ''
E 1 ie b
b i
28322258750
750R
hR
Ri
=+
+
=++
Trang 33Một số bài tập mẫu 32
với R =R' //[hie2 +Rb]=5050//3008≈2832Ω
E
'' E
Thay (2), (3), (4), (5) vào (1) ta có:
7,03R
VV
3 E
3 BE EE 3
mA15,12
II
2 EQ 1
VCE1 = VCE2 = 6 – 103.1,15 10-3 – 0,185 = 4,665V ≈ 4,67V
Suy ra VCE3 = VEE + VE1 – RE3IEQ3
= 3 + 0,185 – 103.2,3.10-3 = 0,885V
VRE6 = VCC – RC2ICQ2 – VBE4 - VBE5 - VBE6
= 6 – 103.1,15.10-3 – 2,1 = 2,75V
mA27510
75,2R
VI
6 E
6 RE 6
Trang 34VCE4 = VCE5 – VBE5 = 2,55 – 0,7 = 1,85V
.15,1
10.25.100.4,110.15,1
10.25.h,1
mA75,2h
II
6 fe
6 EQ 5
5 EQ 4
10.25.100.4,1I
10.25.h,1
6 EQ
3 6
fe 6
ie
hie5 = 1272Ω; hie4 = 127.200Ω b- Chế độ AC
( + ) ≈ ≈ Ω
' 6
R
i
2 2
4 4
L i
L
i.i
i.i
Vi
2 7
3 3
2 3
' 6 E 4 ie 2 C
2 fe 2 C 2
2 C 2 C
4 2 4
10.3,9610
6,3811
1010
10.6,38110
10.10
RhR
h.Ri
i.i
iii
−
−
=++
−
=++
−
=
++
10
RhR
Ri
iii
4 3 4
4 2 1 ie 1
1 i
1 i
2
−
=
−+
−
=
++
h
hh
R//
R
fe
4 ie 3
fe
2 C 6 E o
hie5.hfe4.hfe5
Trang 35Một số bài tập mẫu 34
Chương VII: MẠCH KHUẾCH ĐẠI HỒI TIẾP
I Hồi tiếp áp, sai lệch dòng
K1hGT
iA
?TKL
i
L i
Đây là dạng hồi tiếp áp, sai lệch dòng
a- Tính độ lợi dòng T: cho ii = 0
' 1
1 1
2 2
1 i
' 1
1
V
i.i
i.i
V0iV
fe 22 E 2
i
V
=+
( ) ( )
941,085
8010
.4110.411010.2
40.10.2
h1Rh1RhR
h.Ri
i.i
iii
3 3
3 3
3
2 fe 22 E 2 fe 21 E 2 ie 1 C
1 fe 1 C 1
1 C 1 C
2 1 2
−
=
−
=+
++
−
=
++
++
4 1 ie f 1 ie f
' 1 ' 1
' 1
1010
1h
R
1h
R
V.V
1V
=+
=+
=+
Trang 36Thay (2), (3), (4) vào (1) ta có:
T = 41.103.(-0,941).91.10-6 = -3,51
b- Tính
i
L i
2 2
L i
L
i.i
i.i
ii
i
6,3940.1010.2
10.2h
.RR
Ri
i.i
ii
i
3
3 2
fe L 2 C
2 C 2
2 C 2 C
L 2
+
−
=+
−
=
941,0i
i
1
2 3
4 4 1
ie f
f i
1010
10h
R
Ri
=+
=+
34T
=
−
51,31
910T
=
−
51,31
10.2T1
10h
100h
Z
;Z
?i
iA
L i
Trang 37Một số bài tập mẫu 36
hie = hib.hfe = 10.100 = 1KΩ
a- Độ lợi vòng T: cho ii = 0
' L
b b
L i
' L
L
V
i.i
V0iV
3
2 3 3 fe
L C
C L b
C C
L b
1010
10.10.10h
.RR
R.Ri
i.i
Vi
V
−
=+
−
=+
−
=
6 3
4 ie f ie f
' L ' L
' L
1010
1h
R
1h
R
V.V
1V
=+
=+
=+
L '
L i
L
i.i
i0Vi
10h
.RR
Ri
i.i
ii
i
3
3 fe
L C
C b
C C
L b
+
−
=+
−
=
2 3
4 4 ie
f
f i
1010
10h
R
Ri
=+
=+
2,855,41
50T
=
−
55,41
910T
=
−
55,41
10T1
Trang 38II Hồi tiếp áp, sai lệch áp:
50h
50h
Z
;Z
?i
iA
L i
a- Tính độ lợi vòng T (cho ii = 0)
' L
1 1
2 2
L i
' L
L
V
i.i
i.i
V0iV
3 4
3 4
2 fe 2 C f
2 C f 2
2 C 2 C
L 2 L
10.5,8350.10.67,150.10.210
10.2.10
h.RR
R.Ri
i.i
ViV
−
=
−
=+
.5,210.83,0
50.10.83,0
hhR//
R
R//
Ri
i.i
iii
3 3
3
1 fe 2 ie 2 1 C
2 1 C 1
1 C 1 C
2 1 2
−
=+
5 3 3
3
1 fe f 1 E 1 fe 1 ie 1
1 fe 1 E '
L 1
10.2,110.210.5
1
10.510.5,2890
10.5
'Rh.R
1.R.hhR
h.RV
i
−
−
=+
++
−
=
++
Rb1
890