Gallium arsenide (GaAs) Aluminium gallium arsenide (AlGaAs) Đỏ 610 < λ < 760 1.63 < ΔV < 2.03 Aluminium gallium arsenide (AlGaAs) Gallium arsenide phosphide (GaAsP) Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP) Gallium(III) phosphideGallium arsenide (GaAs) Aluminium gallium arsenide (AlGaAs) Đỏ 610 < λ < 760 1.63 < ΔV < 2.03 Aluminium gallium arsenide (AlGaAs) Gallium arsenide phosphide (GaAsP) Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP) Gallium(III) phosphideGallium arsenide (GaAs) Aluminium gallium arsenide (AlGaAs) Đỏ 610 < λ < 760 1.63 < ΔV < 2.03 Aluminium gallium arsenide (AlGaAs) Gallium arsenide phosphide (GaAsP) Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP) Gallium(III) phosphide
Trang 1Thuyết trình
Kỹ thuật chiếu sáng
GVHD: Cô Dương Lan Hương
Nhóm thực hiện: Nhóm 5
LED & OLED
Trang 2I LED
1 Cấu tạo:
LED (viết tắt của Light Emitting Diode, có nghĩa là điốt phát
quang) là các điốt có khả năng phát ra ánh sáng hay tia hồng
ngoại, tử ngoại Cũng giống như điốt, LED được cấu tạo từ một khối bán dẫn loại p ghép với một khối bán dẫn loại n
Trang 32 Đặc tính kĩ thuật
LED có điện áp phân cực thuận cao hơn diode thông thường trong khoảng 1.5-3 V
Dễ bị hư do dòng ngược.
Màu sắc Bước sóng [nm] Điện áp [ΔV] Vật liệu
Hồng ngoại λ > 760 ΔV < 1.63 Gallium arsenide (GaAs)Aluminium gallium arsenide (AlGaAs)
Đỏ 610 < λ < 760 1.63 < ΔV < 2.03
Aluminium gallium arsenide (AlGaAs) Gallium arsenide phosphide (GaAsP) Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP)
Gallium(III) phosphide (GaP)
Trang 4Cam 590 < λ < 610 2.03 < ΔV < 2.10
Gallium arsenide phosphide (GaAsP) Aluminium gallium indium
phosphide (AlGaInP) Gallium(III) phosphide (GaP)
Vàng 570 < λ < 590 2.10 < ΔV < 2.18
Gallium arsenide phosphide (GaAsP) Aluminium gallium indium
phosphide (AlGaInP) Gallium(III) phosphide (GaP)
Xanh lá 500 < λ < 570 1.9 < ΔV < 4.0
Indium gallium nitride (InGaN) / Gallium(III) nitride (GaN) Gallium(III) phosphide (GaP)
Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP)
Aluminium gallium phosphide (AlGaP)
Trang 5Xanh da trời 450 < λ < 500 2.48 < ΔV < 3.7
Zinc selenide (ZnSe) Indium gallium nitride (InGaN) Silicon carbide (SiC) as substrate Silicon (Si) as substrate — under development
Tím 400 < λ < 450 2.76 < ΔV < 4.0 Indium gallium nitride (InGaN)
Đỏ tía multiple types 2.48 < ΔV < 3.7 Dual blue/red LEDs, blue with red phosphor, or white with purple plastic
Color Wavelength range (nm) Typical efficacy (lm/W) Typical efficiency (W/W) Red 620 < λ < 645 72 0.39
Red-orange 610 < λ < 620 98 0.29
Cyan 490 < λ < 520 75 0.26
Blue 460 < λ < 490 37 0.35
Trang 6Ưu điểm:
-Hiệu suất phát sáng cao, tiết
kiệm năng lượng.
-Tuổi thọ từ 50.000-100.000 h
-Cấu tạo chắc chắn
-Phát ra anh sáng mong muốn
-Chỉ số màu không thay đổi
theo thời gian, phản ánh màu
sắc trung thực trong đêm.
-Không hơi thủy ngân, không
phát tia hồng ngoại và cực tím
-Phát sáng rất nhanh.
-Có thể điều chỉnh công suất
LED
Nhược:
-Giá thành ban đầu cao -Phụ thuộc và nhiệt độ môi trường
-Nhạy cảm với điện áp -Phải chon màu đúng với lĩnh vực sử dụng
3 Ưu nhược điểm của đèn LED
Trang 95 Lĩnh vực sử dụng
Dùng làm cảm biến
Dùng trong các thiết bị hiển thị
Dùng để chiếu sáng
Trong lĩnh
vực truyền
thông
Trang 106 Giá cả
Cao hơn gấp 3 hoặc 5 lần so với đèn huỳnh quang hay đèn compact