Phuluc7 i QUY PHAM TRANG BI DIEN TAP 1

Phần I: Quy định chung Phụ lục I.7.1 Các sơ đồ nối trung tính thiết bị Sơ đồ có dây trung tính bảo vệ dây trung tính làm việc chung: Sơ đồ có dây trung tính bảo vệ tách phần: Sơ đồ có dây trung tính làm việc dây trung tính bảo vệ riêng: Quy phạm trang bị điện Trang 116 Phần I: Quy định chung Phụ lục I.7.2 Cách tính điện áp tiếp xúc điện áp bước cho phép (Chi tiết tham khảo tiêu chuẩn IEEE Std 80-2000) Trị số điện áp tiếp xúc điện áp bước cho phép tính sau: Etouch (1000  1,5Cs  s ) Estep (1000  6Cs  s ) 0,116 ts 0,116 ts Trong Etouch: điện áp tiếp xúc cho phép, V Estep : điện áp bước cho phép, V  )  s hệ số suy giảm bề mặt C s 1  2hs  0,09  s : điện trở suất lớp vật liệu bề mặt, m  : điện trở suất đất, m 0,09(1  hs : chiều dày lớp vật liệu bề mặt ts: thời gian dòng điện qua người (lấy tổng thời gian tác động bảo vệ thời gian cắt tồn phần máy cắt), giây Nếu khơng có lớp bề mặt  =  s Cs = Quy phạm trang bị điện Trang 117 ... s : i n trở suất lớp vật liệu bề mặt, m  : i n trở suất đất, m 0,09 (1  hs : chiều dày lớp vật liệu bề mặt ts: th i gian dòng i n qua ngư i (lấy tổng th i gian tác động bảo vệ th i gian...Phần I: Quy định chung Phụ lục I. 7.2 Cách tính i n áp tiếp xúc i n áp bước cho phép (Chi tiết tham khảo tiêu chuẩn IEEE Std 80-2000) Trị số i n áp tiếp xúc i n áp bước cho phép... Etouch  (10 00  1, 5Cs  s ) Estep  (10 00  6Cs  s ) 0 ,11 6 ts 0 ,11 6 ts Trong Etouch: i n áp tiếp xúc cho phép, V Estep : i n áp bước cho phép, V  )  s hệ số suy giảm bề mặt C s 1  2hs 