| Tài liệu tham khảo |
Loại |
Chi tiết |
| [1]. Lý Hòa (1975), Cấu trúc phổ phân tử, nhà xuất bản ĐH và TH chuyên nghiệp, Hà Nội.TIEÁNG ANH |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Cấu trúc phổ phân tử |
| Tác giả: |
Lý Hòa |
| Nhà XB: |
nhà xuấtbản ĐH và TH chuyên nghiệp |
| Năm: |
1975 |
|
| [2]. A.Kolodziel (2004), “Staebler-Swronski effect in amorphous silcon and its alloys”, Institute of electronics rewiew 12(1), 21 – 32 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Staebler-Swronski effect in amorphoussilcon and its alloys”, "Institute of electronics rewiew |
| Tác giả: |
A.Kolodziel |
| Năm: |
2004 |
|
| [3]. Chris G. Van de Walle (1994), “Energies of various configuration of hydrogen in silicon”, The American Physical Society, vol 49, no 7 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Energies of variousconfiguration of hydrogen in silicon”, "The American PhysicalSociety |
| Tác giả: |
Chris G. Van de Walle |
| Năm: |
1994 |
|
| [4]. G. Lucovsky and W. B. Pollard (1984), in “The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II” ed. by J. D. Joannopoulos and G. Lucovsky, Spinger, chapter 7 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
The Physics ofHydrogenated Amorphous Silicon II |
| Tác giả: |
G. Lucovsky and W. B. Pollard |
| Năm: |
1984 |
|
| [5]. G. Muller (1988), “On the generation and annealing of dangling bond defects in hydrogenated amorphous silicon”, Applied physics A |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
On the generation and annealing ofdangling bond defects in hydrogenated amorphous silicon” |
| Tác giả: |
G. Muller |
| Năm: |
1988 |
|
| [6]. H. Chen, M.H. Gullarna, W.Z. Shen (2004), “Effect of high hydrogen dilution on the optical and electrical properties in B - doped nc – Si:H thin films”, Journal of Crystal Crowth, 260 (91 – 101) |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Effect of highhydrogen dilution on the optical and electrical properties in B -doped nc – Si:H thin films”, "Journal of Crystal Crowth |
| Tác giả: |
H. Chen, M.H. Gullarna, W.Z. Shen |
| Năm: |
2004 |
|
| [7]. Hari Singh Nalwa (2002), Handbook of Thin Film Materials, United States of America, vol 1 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Handbook of Thin Film Materials |
| Tác giả: |
Hari Singh Nalwa |
| Năm: |
2002 |
|
| [8]. H.L Hartnagel, A L. Dawar, A K.Jain, C. Jagadish (1995),“Semiconducting Transparent thin films”, Institute of Physics Publishing Bristol and Philadelphia |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Semiconducting Transparent thin films |
| Tác giả: |
H.L Hartnagel, A L. Dawar, A K.Jain, C. Jagadish |
| Năm: |
1995 |
|
| [9]. J. Yang, S. Guha, A.H. Mahan, and D.L. Williamson (2000),“Structural changes in a-Si:H film crystallinity with high H dilution”, Physical review B, vol 61(3) |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Structural changes in a-Si:H film crystallinity with high Hdilution |
| Tác giả: |
J. Yang, S. Guha, A.H. Mahan, and D.L. Williamson |
| Năm: |
2000 |
|
| [10]. J.Kocka and J.Stuchlik, L.Chen and J Tauc, M.Sstutmann (1992), “Microscopic origin and energy levels of the states produced in a – Si:H by phosporus doping”, The American Physical Society Review, vol 47(20) |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Microscopic origin and energy levels of the statesproduced in a – Si:H by phosporus doping”, "The AmericanPhysical Society Review |
| Tác giả: |
J.Kocka and J.Stuchlik, L.Chen and J Tauc, M.Sstutmann |
| Năm: |
1992 |
|
| [11]. M.H.Brodsky, Manuel Cardona and J.J.Coumo (1977),“Infared and Raman spectra of the silicon-hydrogen bonds in amorphous silicon prepared by glow discharge and sputtering”, Physical review B, vol 16(8) |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Infared and Raman spectra of the silicon-hydrogen bonds inamorphous silicon prepared by glow discharge and sputtering”,"Physical review B |
| Tác giả: |
M.H.Brodsky, Manuel Cardona and J.J.Coumo |
| Năm: |
1977 |
|
| [12]. Mullerova (2005), Characterization of the amorpous to polycrytallline stransition with nano size grains in PECVD growth of Si:H, University of West Bohemiathe Czech Republic |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Characterization of the amorpous topolycrytallline stransition with nano size grains in PECVDgrowth of Si:H |
| Tác giả: |
Mullerova |
| Năm: |
2005 |
|
| [13]. Mark Fox (2001), Optical properties of solids, Oxford University Press Inc., New York, London |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Optical properties of solids |
| Tác giả: |
Mark Fox |
| Năm: |
2001 |
|
| [15]. Thomas Kruger and Alexander F.Sax (2001),“Microstructure of local defects in amorpous Si:H : A quantum chemical study”, The American Physical Society Review, vol 64 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Microstructure of local defects in amorpous Si:H : A quantumchemical study”, "The American Physical Society Review |
| Tác giả: |
Thomas Kruger and Alexander F.Sax |
| Năm: |
2001 |
|
| [16]. Thorsten Tylla (2004), Electron spin resonance and transient photocurrent measurements on microcrystalline silicon, Zulich Reseach Center – Physical Deparment, Berlin Open University |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Electron spin resonance andtransient photocurrent measurements on microcrystallinesilicon |
| Tác giả: |
Thorsten Tylla |
| Năm: |
2004 |
|
| [17]. U.Kroll, J.Meier, A.Shah, S.Mikhailov and J.Weber (1996),“Hydrogen in amorphous and microcrytalline silicon films |
Khác |
|