Nghiên cứu phương pháp VonAmpe hòa tan với điện cực paste nanocacbon biến tính bằng oxit bitmut để xác định hàm lượng vết cadimi (Cd), indi (In) và chì (Pb) (Luận án tiến sĩ)

Nghiên cứu phương pháp VonAmpe hòa tan với điện cực paste nanocacbon biến tính bằng oxit bitmut để xác định hàm lượng vết cadimi (Cd), indi (In) và chì (Pb) (Luận án tiến sĩ)Nghiên cứu phương pháp VonAmpe hòa tan với điện cực paste nanocacbon biến tính bằng oxit bitmut để xác định hàm lượng vết cadimi (Cd), indi (In) và chì (Pb) (Luận án tiến sĩ)Nghiên cứu phương pháp VonAmpe hòa tan với điện cực paste nanocacbon biến tính bằng oxit bitmut để xác định hàm lượng vết cadimi (Cd), indi (In) và chì (Pb) (Luận án tiến sĩ)Nghiên cứu phương pháp VonAmpe hòa tan với điện cực paste nanocacbon biến tính bằng oxit bitmut để xác định hàm lượng vết cadimi (Cd), indi (In) và chì (Pb) (Luận án tiến sĩ)Nghiên cứu phương pháp VonAmpe hòa tan với điện cực paste nanocacbon biến tính bằng oxit bitmut để xác định hàm lượng vết cadimi (Cd), indi (In) và chì (Pb) (Luận án tiến sĩ)Nghiên cứu phương pháp VonAmpe hòa tan với điện cực paste nanocacbon biến tính bằng oxit bitmut để xác định hàm lượng vết cadimi (Cd), indi (In) và chì (Pb) (Luận án tiến sĩ)Nghiên cứu phương pháp VonAmpe hòa tan với điện cực paste nanocacbon biến tính bằng oxit bitmut để xác định hàm lượng vết cadimi (Cd), indi (In) và chì (Pb) (Luận án tiến sĩ)Nghiên cứu phương pháp VonAmpe hòa tan với điện cực paste nanocacbon biến tính bằng oxit bitmut để xác định hàm lượng vết cadimi (Cd), indi (In) và chì (Pb) (Luận án tiến sĩ)Nghiên cứu phương pháp VonAmpe hòa tan với điện cực paste nanocacbon biến tính bằng oxit bitmut để xác định hàm lượng vết cadimi (Cd), indi (In) và chì (Pb) (Luận án tiến sĩ)v

MỞ ĐẦU Việt Nam q trình cơng nghiệp hóa, đại hóa đất nƣớc; kinh tế đà phát triển mạnh mẽ Trên đƣờng phát triển, mặt gặt hái đƣợc nhiều thành cơng, nhƣng mặt trái q trình phát triển gây ô nhiễm môi trƣờng, vấn đề nhức nhối khơng Việt Nam mà tồn giới Việc phát tán chất gây ô nhiễm khác vào môi trƣờng tăng lên đáng kể nhƣ hậu q trình cơng nghiệp hóa làm giảm chất lƣợng mơi trƣờng Trong chất ô nhiễm, kim loại nặng đƣợc coi mối nguy hiểm lớn môi trƣờng chúng chất mặt khơng tham gia vào q trình sinh hóa thể mặt khác có tính tích tụ sinh học, xâm nhập vào thể sinh vật gây độc hàm lƣợng thấp [1, 2] Trong kim loại nặng chì gây độc cho hệ tim mạch, sinh sản, tiêu hóa, thần kinh, chức thận, ức chế hoạt động số enzyme tham gia vào sinh tổng hợp hemoglobin rút ngắn tuổi thọ hồng cầu [3]; cadimi hợp chất chứa cadimi gây tổn thƣơng gan, thận, loãng xƣơng, nhuyễn xƣơng gây ung thƣ [4] indi khơng phân tán rộng rãi môi trƣờng nhƣng số hợp chất gây ung thƣ [5] Có nhiều phƣơng pháp đƣợc nghiên cứu sử dụng phân tích vết kim loại nhƣ: quang phổ hấp thụ nguyên tử (AAS), quang phổ phát xạ nguyên tử sử dụng nguồn plasma cao tần cảm ứng (ICP-AES), phổ khối plasma cao tần cảm ứng (ICP– MS) … Nhƣng phƣơng pháp cần có trang thiết bị phức tạp, đắt tiền giá thành phân tích cao Trong phƣơng pháp Von-Ampe hòa tan phƣơng pháp có độ nhạy độ xác cao, cho phép xác định lƣợng vết siêu vết kim loại với trang thiết bị rẻ tiền, dễ sử dụng Trong phƣơng pháp Von -Ampe hòa tan, điện cực thủy ngân nhƣ điện cực giọt thủy ngân treo (HDME) điện cực màng thủy ngân (HgFE) thƣờng đƣợc sử dụng làm điện cực làm việc Nhƣng độc tính cao thủy ngân muối nên có nhiều nghiên cứu tìm kiếm điện cực mới, độc điện cực thủy ngân [6] Năm 1958, thông báo khoa học, Ralph Norman Adams (Đại học Kansas Lawrence) giới thiệu loại điện cực - điện cực paste cacbon (CPE) [7] Năm 2000, Wang lần phủ màng bitmut lên bề mặt điện cực glassy carbon để xác định hàm lƣợng chì, cadimi kẽm phƣơng pháp Von-ampe hòa tan [8] Tiếp sau nghiên cứu kể trên, có nhiều cơng trình nghiên cứu sử dụng loại điện cực màng khác nhƣ điện cực màng bitmut xác định hàm lƣợng Co, Ni [9], điện cực màng Sb xác định hàm lƣợng Pb, Cd [10]; điện cực màng Sn xác định hàm lƣợng Zn, Pb [11]; điện cực màng bitmut xác định hàm lƣợng Pb, Cd vết Cr [13], điện cực màng Hg/nafion xác định hàm lƣợng Pb, Cd [8]…; Điện cực khối bitmut sử dụng Bi2O3 [12], điện cực khối bitmut sử dụng bitmut zirconat [13] đƣợc nghiên cứu, phát triển sử dụng phân tích điện hóa… Ở Việt Nam có nghiên cứu điện cực màng nhƣ: điện cực màng bitmut điện cực than thủy tinh [14, 17, 19], điện cực màng bitmut paste nano cacbon [5], điện cực màng Hg [20, 21, 33]; điện cực màng Au-ex situ [22]; điện cực biến tính HgO [15], điện cực GC biến tính nafion [16] … Theo tài liệu công bố, thấy Việt Nam giới có nhiều cơng trình nghiên cứu điện cực khơng biến tính biến tính bitmut nhƣng chƣa có cơng trình cơng bố loại điện cực paste ống nanocacbon biến tính oxit bitmut (Bi2O3-CNTPE) đƣợc chế tạo từ ống nanocacbon, dầu parafin Bi2O3 Mặt khác, với điện cực bitmut để xác định đồng thời Cd, In, Pb có cơng trình cơng bố: cơng trình Cao Văn Hồng tạo màng bitmut paste nanocabon (điện cực khơng biến tính) xác định đồng thời hàm lƣợng Cd, In Pb với điện ly đệm axetat KBr [5] công trình Andreas Charalambous tạo màng bitmut glassy cacbon (điện cực khơng biến tính) phân tích hàm lƣợng In có mặt Pb, Cd [18] Điều chứng tỏ điện cực biến tính Bi2O3-CNTPE điện cực lần chế tạo đƣợc Việt Nam giới phân tích đồng thời hàm lƣợng vết Cd, In Pb (sử dụng chất điện ly đệm axetat KBr đệm axetat KI) Xuất phát từ vấn đề trên, chọn đề tài luận án: “Nghiên cứu phương pháp Von-Ampe hòa tan với điện cực paste nanocacbon biến tính oxit bitmut để xác định hàm lượng vết cadimi (Cd), indi (In) chì (Pb)” Mục tiêu luận án: Nghiên cứu khoa học xây dựng phƣơng pháp Von-Ampe hòa tan anot xung vi phân (DP-ASV) với điện cực paste ống nanocacbon biến tính oxit bitmut (Bi2O3-CNTPE) tự chế tạo xác định xác tin cậy đồng thời vết Cadimi (Cd), Indi (In) Chì (Pb) Nội dung luận án: Nghiên cứu chế tạo, cấu trúc bề mặt, đặc điểm tính chất điện hóa điện cực paste ống nanocacbon biến tính Bi2O3 (Bi2O3-CNTPE) Nghiên cứu khoa học, điều kiện, thông số kỹ thuật trình làm giàu nhƣ trình hòa tan điện hóa ghi đo tối ƣu xác định vết kim loại Cd, In Pb phƣơng pháp Von-Ampe hòa tan anot xung vi phân (DP-ASV) điện cực Bi2O3-CNTPE chế tạo đƣợc Nghiên cứu thông số kỹ thuật ảnh hƣởng đến phép ghi đo sử dụng điện cực Bi2O3-CNTPE Nghiên cứu đánh giá thống kê so sánh mẫu chuẩn độ nhạy, độ tin cậy phƣơng pháp nghiên cứu đƣợc Áp dụng phƣơng pháp DP-ASV nghiên cứu đƣợc vào phân tích mẫu thực tế Điểm luận án: Lần nghiên cứu chế tạo thành công điện cực paste ống nanocacbon biến tính Bi2O3 (Bi2O3-CNTPE) từ vật liệu ống nanocacbon, dầu parafin Bi2O3 sử dụng phòng thí nghiệm để nghiên cứu phân tích vết kim loại Lần nghiên cứu thành công đặc tính điện hóa điện cực biến tính Bi2O3-CNTPE, xác lập điều kiện làm giàu hòa tan điện hóa tối ƣu xây dựng đƣợc phƣơng pháp DP-ASV xác định đồng thời, nhạy, xác tin cậy vết Cd, In Pb Chƣơng 1: TỔNG QUAN 1.1 LÝ THUYẾT VỀ PHƢƠNG PHÁP VON-AMPE HÒA TAN 1.1.1 Nguyên tắc phƣơng pháp Von - Ampe hòa tan Quá trình phân tích theo phƣơng pháp Von-Ampe hồ tan (SV) gồm giai đoạn: giai đoạn làm giàu giai đoạn hoà tan [23, 24, 28]: - Giai đoạn làm giàu: Chất phân tích đƣợc làm giàu lên bề mặt điện cực làm việc Điện cực làm việc thƣờng điện cực giọt thuỷ ngân treo (HMDE), điện cực màng thuỷ ngân (HgFE), điện cực đĩa quay vật liệu trơ (than thuỷ tinh, than nhão tinh khiết), màng bitmut bề mặt điện cực rắn trơ bề mặt điện cực paste cacbon - Giai đoạn hoà tan: Hồ tan chất phân tích khỏi bề mặt điện cực làm việc cách quét theo chiều xác định (anot catot) đồng thời ghi đƣờng Vonampe hoà tan kĩ thuật điện hố Nếu q trình hòa tan q trình anot phƣơng pháp đƣợc gọi Von-Ampe hòa tan anot (ASV); q trình hòa tan q trình catot phƣơng pháp đƣợc gọi Von-Ampe hòa tan catot (CSV) Khi trình làm giàu trình hấp phụ gọi phƣơng pháp Von-Ampe hòa tan hấp phụ (AdSV) Đƣờng Von-Ampe hồ tan thu đƣợc có dạng pic Thế đỉnh pic (Ep) cƣờng độ dòng pic (Ip) phụ thuộc vào yếu tố nhƣ: điện ly, pH, chất tạo phức, thời gian đuổi oxi, chất điện cực làm việc, kỹ thuật ghi đƣờng Von-Ampe hoà tan… Trong điều kiện xác định, tiến hành phân tích định tính hoặc/và định lƣợng chất phân tích Vì Ep đặc trƣng cho chất điện hố chất phân tích nên dựa vào Ep phân tích định tính Mặt khác Ip tỷ lệ thuận với nồng độ chất phân tích dung dịch theo phƣơng trình: Ip = k.C Trong k hệ số tỷ lệ, C nồng độ chất phân tích Nhƣ qua việc ghi đo cƣờng độ dòng pic hòa tan ta xác định đƣợc nồng độ chất phân tích Trong phƣơng pháp ASV CSV, để chọn điện phân làm giàu (Edep), ngƣời ta dựa vào phƣơng trình Nerst cách gần dựa vào giá trị bán sóng E1/2 sóng cực phổ chất phân tích Đối với phƣơng pháp Von-Ampe hòa tan hấp phụ ngun tắc phƣơng pháp thƣờng nhƣ sau: thêm vào dung dịch phân tích chất tạo phức với ion kim loại phân tích, phức bị hấp phụ điện hóa lên bề mặt điện cực làm việc điều kiện thích hợp Sau bƣớc làm giàu, tiến hành q trình phân cực điện hóa hòa tan, thƣờng phân cực catot để ghi dòng hòa tan Phƣơng pháp AdSV phƣơng pháp có độ nhạy cao xác định đƣợc nhiều chất vô hữu có khả hấp phụ chọn lọc lên bề mặt điện cực giọt thủy ngân [29] 1.1.2 Các kỹ thuật ghi đƣờng Von - Ampe hòa tan Một số kỹ thuật ghi đƣờng Von-Ampe hòa tan thƣờng sử dụng phƣơng pháp SV gồm: Von-Ampe quét tuyến tính (LC), Von-Ampe xung vi phân (DP), Von-Ampe sóng vng (SWV),… 1.1.2.1 Kỹ thuật Von-Ampe quét tuyến tính (Linear Scan Voltammetry) Trong phƣơng pháp đƣợc quét tuyến tính theo thời gian Giới hạn phát phƣơng pháp chƣa cao (10-5M) kỹ thuật qt tuyến tính bị ảnh hƣởng dòng tụ điện Khi ghi đo dòng hòa tan ion kim loại phƣơng pháp Von-Ampe hòa tan qt tuyến tính, phƣơng trình biểu diễn Ip điện cực giọt Hg treo là: Ip = k1.n2/3.Da1/2.r0.Cb.t1 – k2.Da.n.t1.Cb Trong đó: k1, k2: số; Da: hệ số khuếch tán kim loại hỗn hống; r0: bán kính giọt Hg; v: tốc độ biến thiên thế; Cb: nồng độ ion kim loại dung dịch; t1: thời gian điện phân Kỹ thuật Von-Ampe qt tuyến tính có độ nhạy chƣa cao LOD lớn [23, 28] 1.1.2.2 Kỹ thuật Von-Ampe xung vi phân (Differential Pulse Voltammetry) Kỹ thuật Von-Ampe xung vi phân đƣợc sử dụng phổ biến để ghi đƣờng Von-Ampe hòa tan Theo kỹ thuật này, biên độ xung cao 10 ÷ 100mV bề rộng xung không đổi khoảng 50ms đƣợc đặt chồng lên bƣớc Dòng đƣợc ghi đo lần: trƣớc nạp xung (I1) trƣớc ngắt xung (I2) Dòng thu đƣợc hiệu giá trị dòng (Ip = I1 - I2) Ip đƣợc ghi hàm đặt lên điện cực làm việc Khi xung đƣợc áp vào, dòng tổng cộng hệ tăng lên tăng dòng Faraday (If) dòng tụ điện (Ic) Dòng tụ điện giảm nhanh nhiều so với dòng Faraday vì: Ic ~ I0c.e-t/RC* If ~ t-1/2; t - thời gian, R - điện trở, C* - điện dung vi phân lớp kép Theo cách ghi dòng nhƣ trên, dòng tụ điện ghi đƣợc trƣớc lúc nạp xung trƣớc lúc ngắt xung gần nhƣ đó, hiệu số dòng ghi đƣợc chủ yếu dòng Faraday Nhƣ vậy, kỹ thuật Von-Ampe xung vi phân cho phép loại trừ tối đa ảnh hƣởng dòng tụ điện So sánh với kỹ thuật Von-Ampe quét tuyến tính, kỹ thuật Von-Ampe xung vi phân có thời gian cân thƣờng ngắn hơn, giới hạn phát thấp (từ 10-7 M đến 10-8 M) [23, 28] 1.1.2.3 Kỹ thuật Von-Ampe sóng vng (Square Wave Voltammetry) Trong kỹ thuật này, sóng vng đối xứng có biên độ nhỏ không đổi đƣợc đặt chồng lên bƣớc Trong chu kỳ xung, dòng đƣợc đo hai thời điểm: thời điểm (dòng dƣơng I1) thời điểm (dòng âm I2) Dòng thu đƣợc hiệu giá trị dòng (Ip = I1 - I2) Ip đƣợc ghi hàm đặt lên điện cực làm việc [23] So với kỹ thuật Von-Ampe xung vi phân, tốc độ quét tần số sóng vng 5-500Hz kỹ thuật Von-Ampe sóng vng nhanh hơn, giới hạn phát tƣơng đƣơng (cỡ 10-7 M tới 10-8 M) Điểm thuận lợi SWV tốc độ qt cho phép ghi dòng Von-Ampe vài giây Về mặt lý thuyết, SWV thƣờng cho ổn định tốt DP [23, 28] 1.1.3 Ƣu điểm phƣơng pháp Von - Ampe hòa tan Phƣơng pháp SV có ƣu điểm sau [23, 24, 28]: - Phƣơng pháp SV có khả xác định đồng thời nhiều kim loại mức hàm lƣợng vết siêu vết nhiều đối tƣợng mẫu khác nhƣ mẫu môi trƣờng, mẫu lƣơng thực thực phẩm, mẫu sinh y dƣợc - Thiết bị sử dụng cho phƣơng pháp SV khơng đắt, gọn, tiêu tốn điện So với phƣơng pháp phân tích hóa lý khác, phƣơng pháp SV có giá thành phân tích thấp - Phƣơng pháp SV có độ nhạy độ tin cậy cao, có quy trình phân tích đơn giản, giảm thiểu đƣợc ảnh hƣởng nguyên tố cản cách chọn điều kiện thí nghiệm: nhƣ điện phân, điện phân làm giàu, pH… - Phƣơng pháp SV có độ xác cao, sử dụng làm phƣơng pháp kiểm tra chéo kết phân tích phƣơng pháp AAS, ICP-AES có u cầu cao tính pháp lý - Trong nghiên cứu độc học môi trƣờng, phƣơng pháp SV xác định đƣợc dạng tồn chất mơi trƣờng phân tích trƣờng vết chất 1.1.4 Các yếu tố cần khảo sát xây dựng quy trình phân tích theo phƣơng pháp Von – Ampe hòa tan Khi nghiên cứu xây dựng quy trình phân tích theo phƣơng pháp SV để ứng dụng vào phân tích vết, trƣớc hết phải lựa chọn kiểu điện cực làm việc kỹ thuật ghi đƣờng Von - Ampe hòa tan cho phù hợp với mục đích nghiên cứu điều kiện phòng thí nghiệm Tiếp theo khảo sát ảnh hƣởng yếu tố đến tín hiệu hòa tan Ip để tìm đƣợc điều kiện thích hợp - điều kiện cho độ nhạy độ lặp lại cao (hay giá trị Ip lớn lặp lại), độ phân giải đỉnh tốt, khơng bị ảnh hƣởng chất cản trở,… Cuối với điều kiện thích hợp tìm đƣợc cần khảo sát yếu tố để đánh giá độ tin cậy phƣơng pháp phân tích nhƣ độ lặp lại, độ nhạy, độ trùng, độ đúng, giới hạn phát hiện, giới hạn định lƣợng, khoảng tuyến tính,… Các yếu tố cần khảo sát: Tính chất điện hóa điện cực; thành phần, nồng độ, pH dung dịch điện ly, thời gian điện phân làm giàu, tốc độ quay điện cực, thông số kỹ thuật ghi đƣờng Von-Ampe hòa tan, ảnh hƣởng oxi hòa tan,…[23] 1.2 GIỚI THIỆU VỀ ĐIỆN CỰC PASTE CACBON (CPE) Năm 1958, thông báo khoa học ngắn Ralph Norman Adams (Đại học Kansas Lawrence) giới thiệu loại vật liệu điện cực - điện cực paste cacbon (CPE) Từ tới nay, điện cực paste cacbon có chặng đƣờng phát triển liên tục với nhiều công trình đƣợc cơng bố đƣợc ứng dụng rộng rãi phân tích điện hóa Điện cực paste cacbon (CPE) đƣợc chế tạo từ hỗn hợp bột graphit chất kết dính (chất lỏng kết dính) vật liệu điện cực phổ biến đƣợc sử dụng làm điện cực làm việc nghiên cứu phân tích điện hóa [7] 1.2.1 Vật liệu cacbon Bột graphit: thành phần paste cacbon có chức phù hợp vật liệu điện cực phép ghi đo điện hóa Bột graphit có đặc điểm: hạt kích thƣớc micromet, hạt phân bố đồng đều, độ tinh khiết hóa học cao khả hấp phụ thấp Chủng loại chất lƣợng graphit đƣợc sử dụng nhƣ số lƣợng tổng thể hỗn hợp bột paste graphit, đƣợc phản ánh tất thuộc tính đặc trƣng hỗn hợp tƣơng ứng [7, 78] Graphit quang phổ: Cho đến nay, bột graphit quang phổ với hạt kích thƣớc siêu nhỏ (thơng thƣờng từ - 20 μm) vật liệu đƣợc sử dụng nhiều nhất, thƣờng xuyên để chế tạo CPE (80 – 90 %) [7, 25] Các vật liệu cacbon khác: Cho đến nay, để chế tạo điện cực, bột graphit graphit quang phổ, hỗn hợp paste cacbon đƣợc chuẩn bị từ: bồ hóng than, axetylen đen, bột cacbon thủy tinh với hạt hình cầu, kim cƣơng nghiền thành bột hai nguồn gốc tự nhiên tổng hợp, mẫu cacbon, bọt cacbon xốp cacbon vi cầu [7] Các vật liệu cacbon mới: Để chuẩn bị hỗn hợp paste cacbon ngƣời ta sử dụng số vật liệu nhƣ: fullerene C-60, sợi nano cacbon loại khác sợi nano cacbon, ống nano cacbon [7, 26, 27] Ống nano cacbon: Năm 1991, Iijimas công bố cơng trình sử dụng ống nanocacbon làm vật liệu điện cực nghiên cứu điện hóa Kể từ đến ống nano cacbon đƣợc sử dụng nhiều cơng trình nghiên cứu khác Trong vật liệu cácbon ống nano cacbon lựa chọn thƣờng xuyên chế tạo điện cực paste cacbon Sau Palleschis, nhóm Wang Rivas nghiên cứu chế tạo sử dụng điện cực paste ống nano cacbon (CNTPE) nhiều nghiên cứu theo hƣớng đa dạng khác nhau, từ đặc tính ban đầu loại ống nano cacbon CNPEs tƣơng ứng, thông qua nghiên cứu đặc biệt đặc tính điện hóa đến ứng dụng thực tế phân tích điện hóa với hợp chất quan trọng nhƣ rƣợu phenol, số thiol, đƣờng, dopamin, NAD (H) DNA Trong hỗn hợp paste cacbon, ống nano cacbon đơn tƣờng nhƣ đa tƣờng đƣợc sử dụng nhƣ để thay bột graphit, thành phần bổ sung hỗn hợp đặc biệt với mục đích biến tính Paste nano cacbon sử dụng hạt graphit kích thƣớc nano chế tạo thành điện cực paste cacbon kích cỡ siêu nhỏ, đó, hạt nano graphit thu đƣợc cách mài học bột than chì thơng thƣờng máy mài Vật liệu nano đƣợc sử dụng nhiều thập kỷ qua trƣớc ống nano cacbon đời [7, 28, 30] 1.2.2 Chất kết dính Bột nhão cacbon truyền thống có chứa chất lỏng hữu liên kết hạt graphit với Tuy nhiên, vật liệu cacbon nói chung cần có chất kết dính để liên kết với bền chặt Các đặc tính cần thiết chất kết dính là: trơ mặt hóa học, có độ nhớt cao biến động thấp, tan tối thiểu dung dịch nƣớc, không phản ứng với dung môi hữu Cho đến nay, chất kết dính đƣợc sử dụng là: Dầu nujol, hydrocarbon béo thơm, hidrocacbon halogen hoá, dầu silicon mỡ, cao su silicon gần rắn, chất lỏng ion [7, 31, 78] 1.2.3 Giới thiệu điện cực paste cacbon (CPE) Theo thông báo ban đầu Adams, CPE đƣợc chế tạo từ 1g than chì ml bromoform Trong nghiên cứu khác, tỷ lệ trộn phổ biến paste cacbon 1,0 g bột than chì trộn với 0,5 đến 1,0 ml chất lỏng kết dính [54] Tƣơng tự nhƣ bột nhão cacbon thông thƣờng nhƣng Ruzicka cộng giới thiệu vật liệu đƣợc gọi “selectrodes” làm graphit xốp thấm với dung mơi hữu phù hợp (ví dụ nhƣ cacbon tetraclorua, cloroform benzen) “Selectrodes” chủ yếu đƣợc phát triển cho đo lƣờng điện Một loại điện cực khác đƣợc chế tạo dựa paste cacbon điện cực SPCEs (Screen-Printed Carbon Electrodes) với nhiều ứng dụng lĩnh vực nghiên cứu điện hóa, đặc biệt lĩnh vực phân tích mơi trƣờng SPCEs đƣợc làm cacbon mực in (carbon inks printed) chất trơ (ví dụ, gốm sứ vật liệu nhựa) với đặc điểm: sản xuất hàng loạt với chi phí thấp, kích thƣớc nhỏ gọn cấu hình phẳng Các loại CPE biến tính kể đến gồm: - CPE với bề mặt rắn không tan dung mơi hữu Điện cực đƣợc nhóm Adams chế tạo có thành cơng nỗ lực làm để thay đổi số thuộc tính paste cabon ban đầu - CPE chế tạo từ graphit hóa học đƣợc xử lý trƣớc (với nhóm chức đƣợc cố định hạt nó) đƣợc đề xuất Cheek Nelson - CPE biến tính khối đƣợc cơng bố lần Ravichandran Bald-win - CPE bổ sung thêm thành phần thứ ba Hỗn hợp loại CPE đƣợc công bố Kuwana French [7] Điện cực paste cacbon tạo màng kim loại đƣợc sử dụng rộng rãi, paste cabon nhƣ chất cho màng thủy ngân, vàng, bitmut antimon nhƣ lựa chọn thay cho việc sử dụng điện cực rắn (glassic cacbon 10 ... án: Nghiên cứu phương pháp Von-Ampe hòa tan với điện cực paste nanocacbon biến tính oxit bitmut để xác định hàm lượng vết cadimi (Cd), indi (In) chì (Pb) Mục tiêu luận án: Nghiên cứu khoa học... phƣơng pháp Von-Ampe hòa tan anot xung vi phân (DP-ASV) với điện cực paste ống nanocacbon biến tính oxit bitmut (Bi2O3-CNTPE) tự chế tạo xác định xác tin cậy đồng thời vết Cadimi (Cd), Indi (In) Chì. .. [10]; điện cực màng Sn xác định hàm lƣợng Zn, Pb [11]; điện cực màng bitmut xác định hàm lƣợng Pb, Cd vết Cr [13], điện cực màng Hg/nafion xác định hàm lƣợng Pb, Cd [8]…; Điện cực khối bitmut sử