Đang tải... (xem toàn văn)
LỜI CẢM ƠN Tôi xin gửi lời tri ân sâu sắc nhất đến các thầy hướng dẫn, PGS.TS. Đặng Mậu Chiến (Viện Công nghệ Nano, Đại học Quốc gia TP. Hồ Chí Minh), GS. Bernard Drevillon (Đại Học Bách Khoa Paris, Pháp) đã tận tình hướng dẫn, động viên và tạo mọi điều kiện thuận lợi nhất cho tôi thực hiện Luận án này. Tôi xin gửi lời cảm ơn đến các thầy, cô giảng dạy chương trình Việt Pháp, Đại Học Bách Khoa Đại học Quốc gia TP. Hồ Chí Minh và chương trình đào tạo trình độ Tiến Sĩ ngành “Khoa Học Vật Liệu”, được phối hợp giữa Viện Công nghệ Nano và Trường Đại học Khoa học Tự Nhiên Đại học Quốc gia TP. Hồ Chí Minh, đã truyền thụ những kiến thức khoa học cơ sở trong suốt quá trình học, giúp tôi tiếp cận nghiên cứu một cách dễ dàng. Tôi xin gửi lời cảm ơn đến Ban giám đốc Viện Công nghệ Nano, các thành viên trong nhóm nghiên cứu “Solar Cell”, các anh chị em đồng nghiệp cơ quan đã giúp đỡ tôi trong quá trình hoàn thành Luận án này. Cuối cùng, tôi xin gửi lời cảm ơn chân thành nhất đến cha mẹ, gia đình và bạn bè đã luôn luôn bên cạnh, tạo mọi điều kiện, động viên giúp tôi vững tâm tập trung học tập và hoàn thành Luận án này. 1 MỤC LỤC MỤC LỤC...........................................................................................................................1 DANH SÁCH HÌNH VẼ ...................................................................................................5 DANH SÁCH BẢNG BIỂU ..............................................................................................9 BẢNG CÁC KÍ HIỆU VIẾT TẮT .................................................................................10 LỜI MỞ ĐẦU...................................................................................................................11 CHƢƠNG 1 ......................................................................................................................13 TỔNG QUAN ...................................................................................................................13 1.1 Các cấu trúc pin năng lƣợng mặt trời......................................................................13 1.2 Hạt nano kim loại – hạt nano vàng sử dụng làm mặt nạ cho quá trình khắc sâu ion phản ứng.....................................................................................................................16 1.2.1 Các hiệu ứng đặc biệt của hạt nano kim loại .................................................................16 1.2.1.1 Hiệu ứng bề mặt..................................................................................................16 1.2.1.2 Hiệu ứng kích thước.............................................................................................16 1.2.1.3 Hiệu ứng plasmon ................................................................................................16 1.2.2 Lý do lựa chọn hạt nano vàng làm mặt nạ cho quá trình khắc sâu tạo sợi nano silic....17 1.2.2.1 Những thuận lợi về tính chất vật lý quang học của vàng và hạt nano vàng......18 1.2.2.2 Sử dụng hiệu ứng plasmon...................................................................................18 1.2.3 Các quy trình tổng hợp hạt nano vàng...........................................................................21 1.2.3.1 Quy trình khử hoá học ........................................................................................21 1.2.3.2 Quy trình Turkevich ............................................................................................21 1.2.3.3 Quy trình Brust....................................................................................................21 1.2.3.4 Quy trình Martin ..................................................................................................22 1.2.4 Quy trình tạo hạt nano vàng kết hợp giữa bốc bay và gia nhiệt – làm lạnh nhanh.......22 1.3 Chế tạo sợi nano silic .................................................................................................22 1.3.1 Phương pháp bottomup ................................................................................................23 1.3.2 Phương pháp topdown..................................................................................................24 1.3.3 Phương pháp khắc sâu ion phản ứng (Deep Reactive Ion Etching DRIE)..................27 1.3.3.1 Quy trình khắc sâu đông lạnh.............................................................................28 1.3.3.2 Quy trình Bosch ..................................................................................................28 1.3.3.3 Ảnh hưởng của các thông số trong quá trình khắc sâu .......................................28 2 1.3.4 Các loại vật liệu sử dụng làm mặt nạ trong quy trình Bosch khắc đế silic....................30 1.3.4.1 Mặt nạ chất cản quang........................................................................................30 1.3.4.2 Mặt nạ kim loại và oxide......................................................................................31 1.3.5 Lý do lựa chọn phương pháp topdown sử dụng kỹ thuật DRIE xúc tác hạt nano vàng để chế tạo Si NWs...................................................................................................................32 1.4 Đặc trƣng của vật liệu silic tinh thể, silic vô định hình, silic tinh thể micro và nano ...................................................................................................................................33 1.4.3 Silic vô định hình...........................................................................................................33 1.4.4 Silic tinh thể micro (µcSi) và nano (ncSi) ..................................................................34 1.4.4.1 Đặc điểm cấu trúc................................................................................................35 1.4.4.2 Quá trình tạo mầm và phát triển tinh thể.............................................................36 1.4.4.3 Tính chất quang ...................................................................................................37 1.4.4.4 Đặc tính trao đổi điện tử......................................................................................37 1.4.5 Chuyển pha từ silic vô định hình thành silic tinh thể micro và nano ............................38 1.4.6 Phương pháp lắng đọng hơi hóa học tăng cường plasma (PECVD) .............................39 1.4.6.1 Đặc điểm ..............................................................................................................39 1.4.6.2 Quá trình phản ứng tạo trạng thái plasma và bụi plasma...................................40 1.4.7 Lý do lựa chọn vật liệu ncSi:H trong cấu trúc PMT màng mỏng sợi nano silic..........41 CHƢƠNG 2 ......................................................................................................................42 QUY TRÌNH THỰC NGHIỆM......................................................................................42 2.1 Chế tạo và đánh giá hạt nano vàng ..........................................................................43 2.1.1 Quy trình thực nghiệm...................................................................................................43 2.1.2 Nguyên vật liệu..............................................................................................................46 2.1.3 Thiết bị thí nghiệm.........................................................................................................46 2.1.3.1 Thiết bị tạo màng bằng quy trình bốc bay chùm điện tử (Ebeam Evaporator)..46 2.1.3.2 Thiết bị gia nhiệt nhanh (RTA) ............................................................................47 2.1.3.3 Kính hiển vi điện tử quét phát xạ trường (FESEM) ...........................................47 2.1.3.4 Thiết bị đo phổ hấp thụ (UVVIS) ........................................................................48 2.2 Chế tạo và đánh giá sợi nano silic ............................................................................49 2.2.1 Quy trình thực nghiệm...................................................................................................49 2.2.2 Nguyên vật liệu thí nghiệm............................................................................................50 2.2.3 Thiết bị thí nghiệm.........................................................................................................50 2.4.3.1 Thiết bị khắc sâu ion phản ứng (DRIE) ...............................................................50 2.2.3.3 Kính hiển vi 3D ....................................................................................................51 2.3 Chế tạo và đánh giá màng mỏng silic vô định hình, tinh thể micro – nano .........51 2.3.1 Cấu trúc PMT màng mỏng đối xứng tâm cần đạt được.................................................51 2.3.2 Nguyên vật liệu và hóa chất...........................................................................................52 2.3.3 Hệ thống PECVD Cluster..............................................................................................53 2.3.3.1 Cấu tạo................................................................................................................53 2.3.3.2 Hoạt động............................................................................................................53 2.3.4 Quy trình thực nghiệm...................................................................................................54 2.3.4.1 Công đoạn làm sạch đế silic ................................................................................54 2.3.4.2 Công đoạn chế tạo màng mỏng silic...................................................................54 2.3.5 Thống kê và đánh giá các mẫu màng mỏng silic được chế tạo .....................................55 2.3.6 Phương pháp phổ ký Raman..........................................................................................58 2.3.6.1 Ưu điểm của quang phổ Micro Raman................................................................59 2.3.6.2 Ứng dụng của quang phổ Raman.........................................................................59 2.3.6.3 Xử lý phổ Raman..................................................................................................59 2.3.7 Phương pháp phổ ký ellipsometry.................................................................................60 2.3.7.1 Thiết bị phổ kí Ellipsometry.................................................................................60 2.3.7.2 Nguyên lý Spectroscopic Ellipsometry (SE).........................................................61 2.3.7.3 Mô hình của phương pháp Ellipsometry..............................................................62 2.3.7.4 Quy trình đo Ellipsometry....................................................................................63 2.3.7.5 Xử lý phổ Ellipsometry bằng Delta Psi2..............................................................65 CHƢƠNG 3 ......................................................................................................................69 KẾT QUẢ VÀ BÀN LUẬN.............................................................................................69 3.1 Chế tạo hạt nano vàng ...............................................................................................69 3.1.1 Quy trình gia nhiệtlàm lạnh nhanh RTA tạo hạt nano vàng.........................................69 3.1.2 Ảnh hưởng của chất lượng bề mặt đế tới sự hình thành của hạt nano vàng..................72 3.1.3 Kiểm soát kích thước của hạt nano vàng.......................................................................75 3.1.4 Kiểm soát hình dạng của hạt nano vàng ........................................................................76 3.1.5 Nghiên cứu hiệu ứng plasmon của hạt nano vàng.........................................................79 3.1.6 Kết luận..........................................................................................................................83 3.2 Chế tạo sợi nano silic .................................................................................................83 3.2.1 Khảo sát ảnh hưởng của các thông số của quy trình chế tạo và đánh giá sợi nano silic83 3.2.1.1 Ảnh hưởng của công suất nguồn plasma kích thích ...........................................84 3.2.1.2 Ảnh hưởng của số vòng lặp khắc phủ và thời gian khắc .....................................85 3.2.2 Chế tạo Si NWs với mặt nạ hạt nano vàng....................................................................85 3.2.3 Ảnh hưởng của một số điều kiện công nghệ lên hình dạng và phân bố của sợi nano silic 89 3.2.3.1 Ảnh hưởng của điện thế phân cực........................................................................89 3.2.3.2 Ảnh hưởng của hình dạng hạt nano vàng đến chất lượng sợi silic......................91 3.2.4 Chế tạo sợi nano silic phân bố theo từng cụm...............................................................93 3.2.5 Ứng dụng sợi nano silic vào cấu trúc PMT ...................................................................94 3.2.6 Kết luận..........................................................................................................................95 3.3 Chế tạo màng mỏng silic vô định hình, tinh thể micro và nano ............................96 3.3.1 Khảo sát về đặc trưng của plasma .................................................................................96 3.3.1.1 Tốc độ chế tạo của màng mỏng silic....................................................................96 3.3.1.2 Giá trị điện thế phân cực .....................................................................................99 3.3.2 Khảo sát điều kiện chế tạo màng mỏng silic vô định hình, tinh thể micro và nano ....100 3.3.3 Đánh giá các thông số ảnh hưởng đến chất lượng lớp màng silic bằng phương pháp ellipsometry ..........................................................................................................................106 3.3.3.1 Các yếu tố có thể ảnh hưởng lên quá trình tạo màng........................................106 3.3.3.2 Xây dựng mô hình ellipsometry cho mẫu màng mỏng silic khảo sát.................106 3.3.3.3 Đánh giá ảnh hưởng của điều kiện lắng đọng lên độ dày màng. ......................107 3.3.3.4 Đánh giá ảnh hưởng của điều kiện lắng đọng lên tỉ lệ pha tinh thể..................109 3.3.3.5 Đánh giá ảnh hưởng của điều kiện lắng đọng tới kích thước của tinh thể silic 111 3.3.4 Khảo sát pha tạp màng mỏng silic được chế tạo .........................................................112 3.3.5 Kết luận khả năng ứng dụng màng mỏng silic tinh thể micronano vào cấu trúc PMT 114 KẾT LUẬN.....................................................................................................................115 A. Những kết quả đạt đƣợc...........................................................................................115 B. Các điểm mới của Luận án.......................................................................................116 C. Hƣớng phát triển tƣơng lai ......................................................................................116 DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA NCS BÙI THANH TÙNG117 TÀI LIỆU THAM KHẢO.............................................................................................118 Trong phần này, các kiến thức về PMT sẽ được đề cập, ưu và khuyết điểm của các cấu trúc PMT khác nhau được thể hiện. Qua đó làm nổi bật lên hướng nghiên cứu ứng dụng cấu trúc nano như sợi nano, hạt nano để làm tăng hiệu suất của PMT. Cấu trúc pin được đặc biệt đề cập ở phần này là cấu trúc pin màng mỏng hướng tâm sợi nano silic. Các thế hệ PMT đã được phát triển (Hình 1 1) Thế hệ thứ nhất: đế silic tinh thể, chuyển tiếp pn. Cấu trúc đơn giản gồm một lớp chuyển tiếp pn trên đế silic, điện cực sau và điện cực lưới mặt trước. Đồng thời mặt trước của pin cũng được phủ một lớp màng chống phản xạ. Pin hoạt động ổn định, bền với môi trường nhưng do sử dụng đế silic nên giá thành cao và hiệu suất dưới 31%. Hiểu biết và công nghệ cho PMT thế hệ I đã gần như hoàn chỉnh. Đây là loại pin chủ yếu trên thị trường hiện nay. Thế hệ thứ hai: PMT màng mỏng (aSi, µSi, Si, SiC, GeSi, CdS, CdTe, CuInSe2, CuInGaSe2 …) trên đế thủy tinh hoặc loại lai tạo giữa các loại màng mỏng (ví dụ: màng silic vô định hình) trên đế silic tạo các tiếp xúc dị thể (Heterojunction). Giá thành hạ so với PMT thế hệ 1. Các loại PMT này có khả năng vượt qua giới hạn Shockley–Queisse, hiệu suất 3141% có cấu trúc đa lớp, nhiều vùng cấm, nano tinh thể, pin có cấu trúc song song cũng được xếp vào thế hệ thứ 2. Thế hệ thứ ba: các loại pin có nguyên tắc hoạt động không dựa trên vật liệu bán dẫn như các loại PMT polyme, hữu cơ hay thuốc nhuộm nhạy quang. Thế hệ thứ tƣ: PMT lai hóa, kết hợp giữa các loại vật liệu có đặc tính khác nhau như PMT lai hóa hữu cơ vô cơ…Kết hợp ưu điểm hiệu suất chuyển hóa năng lượng cao của vật liệu vô cơ và giá thành rẻ, thân thiện với môi trường của vật liệu hữu cơ. Kể từ khi được phát minh vào năm 1954, PMT silic tinh thể đã chiếm lĩnh toàn bộ thị trường quang điện và giá thành của nó cũng được giảm rất đáng kể 10, 11, 12. Ngày nay, khó khăn lớn nhất của các công ty sản xuất PMT chính là việc chi phí cho nguyên vật liệu, các tấm silic tinh thể có giá thành không thể giảm thêm được nữa. Tuy PMT màng mỏng thế hệ thứ 2 đã giảm đáng kể mức tiêu thụ vật liệu 11,13 nhưng lại gặp những vấn đề khác như sự khan hiếm (In và Te) trong cấu trúc CooperIndium Gallium Selenide (CIGS) và Cadmillumtelluride (CdTe) 1417, độc hại (Cd) trong cấu trúc pin CdTe, sự giới hạn về mặt hiệu suất đối với pin màng mỏng silic vô định hình (aSi:H) và tinh thể micro (µcSi:H), cuối cùng là sự ổn định (điển hình là cấu trúc pin aSi:H) khi tiếp xúc với ánh sáng mặt trời trong thời gian dài 18.
- ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP HCM TRƢỜNG ĐH KHOA HỌC TỰ NHIÊN VIỆN CÔNG NGHỆ NANO BÙI THANH TÙNG NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO SỢI NANO SILIC HƢỚNG TỚI ỨNG DỤNG TRONG PIN MẶT TRỜI LUẬN ÁN TIẾN SĨ NGÀNH KHOA HỌC VẬT LIỆU TP Hồ Chí Minh, năm 2017 ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP HCM TRƢỜNG ĐH KHOA HỌC TỰ NHIÊN VIỆN CÔNG NGHỆ NANO BÙI THANH TÙNG NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO SỢI NANO SILIC HƢỚNG TỚI ỨNG DỤNG TRONG PIN MẶT TRỜI Ngành: Khoa học Vật liệu Mã số ngành: 62 44 01 22 Phản biện 1: GS TSKH Lưu Cẩm Lộc Phản biện 2: GS TS Nguyễn Cửu Khoa Phản biện 3: PGS TS Phan Bách Thắng Phản biện độc lập 1: PGS TS Phạm Đức Thắng Phản biện độc lập 2: PGS TS Phạm Thu Nga NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC PGS TS Đặng Mậu Chiến GS TS Bernard Drevillon TP Hồ Chí Minh, năm 2017 LỜI CẢM ƠN Tôi xin gửi lời tri ân sâu sắc đến thầy hướng dẫn, PGS.TS Đặng Mậu Chiến (Viện Công nghệ Nano, Đại học Quốc gia TP Hồ Chí Minh), GS Bernard Drevillon (Đại Học Bách Khoa Paris, Pháp) - tận tình hướng dẫn, động viên tạo điều kiện thuận lợi cho thực Luận án Tôi xin gửi lời cảm ơn đến thầy, cô giảng dạy chương trình Việt Pháp, Đại Học Bách Khoa - Đại học Quốc gia TP Hồ Chí Minh chương trình đào tạo trình độ Tiến Sĩ ngành “Khoa Học Vật Liệu”, phối hợp Viện Công nghệ Nano Trường Đại học Khoa học Tự Nhiên - Đại học Quốc gia TP Hồ Chí Minh, truyền thụ kiến thức khoa học sở suốt trình học, giúp tiếp cận nghiên cứu cách dễ dàng Tôi xin gửi lời cảm ơn đến Ban giám đốc Viện Cơng nghệ Nano, thành viên nhóm nghiên cứu “Solar Cell”, anh chị em đồng nghiệp quan giúp đỡ tơi q trình hồn thành Luận án Cuối cùng, xin gửi lời cảm ơn chân thành đến cha mẹ, gia đình bạn bè luôn bên cạnh, tạo điều kiện, động viên giúp vững tâm tập trung học tập hoàn thành Luận án LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan Luận án công trình nghiên cứu riêng tơi hướng dẫn PGS.TS Đặng Mậu Chiến GS TS Bernard Drevillon Các số liệu, hình vẽ, đồ thị bảng biểu liên quan đến kết thu Luận án hoàn toàn trung thực, khách quan chưa công bố cơng trình khoa học mà tơi khơng tham gia Tp HCM, ngày 22 tháng 02 năm 2017 Tác giả Bùi Thanh Tùng MỤC LỤC MỤC LỤC DANH SÁCH HÌNH VẼ DANH SÁCH BẢNG BIỂU BẢNG CÁC KÍ HIỆU VIẾT TẮT 10 LỜI MỞ ĐẦU 11 CHƢƠNG 13 TỔNG QUAN 13 1.1 Các cấu trúc pin lƣợng mặt trời 13 1.2 Hạt nano kim loại – hạt nano vàng sử dụng làm mặt nạ cho trình khắc sâu ion phản ứng .16 1.2.1 Các hiệu ứng đặc biệt hạt nano kim loại 16 1.2.1.1 Hiệu ứng bề mặt 16 1.2.1.2 Hiệu ứng kích thước 16 1.2.1.3 Hiệu ứng plasmon 16 1.2.2 Lý lựa chọn hạt nano vàng làm mặt nạ cho trình khắc sâu tạo sợi nano silic 17 1.2.2.1 Những thuận lợi tính chất vật lý - quang học vàng hạt nano vàng 18 1.2.2.2 Sử dụng hiệu ứng plasmon 18 1.2.3 Các quy trình tổng hợp hạt nano vàng 21 1.2.3.1 Quy trình khử hoá học 21 1.2.3.2 Quy trình Turkevich 21 1.2.3.3 Quy trình Brust 21 1.2.3.4 Quy trình Martin 22 1.2.4 Quy trình tạo hạt nano vàng kết hợp bốc bay gia nhiệt – làm lạnh nhanh 22 1.3 Chế tạo sợi nano silic 22 1.3.1 Phương pháp bottom-up 23 1.3.2 Phương pháp top-down 24 1.3.3 Phương pháp khắc sâu ion phản ứng (Deep Reactive Ion Etching - DRIE) 27 1.3.3.1 Quy trình khắc sâu đông lạnh 28 1.3.3.2 Quy trình Bosch 28 1.3.3.3 Ảnh hưởng thơng số q trình khắc sâu 28 1.3.4 Các loại vật liệu sử dụng làm mặt nạ quy trình Bosch khắc đế silic 30 1.3.4.1 Mặt nạ chất cản quang 30 1.3.4.2 Mặt nạ kim loại oxide 31 1.3.5 Lý lựa chọn phương pháp top-down sử dụng kỹ thuật DRIE xúc tác hạt nano vàng để chế tạo Si NWs 32 1.4 Đặc trƣng vật liệu silic tinh thể, silic vơ định hình, silic tinh thể micro nano 33 1.4.3 Silic vơ định hình 33 1.4.4 Silic tinh thể micro (µc-Si) nano (nc-Si) 34 1.4.4.1 Đặc điểm cấu trúc 35 1.4.4.2 Quá trình tạo mầm phát triển tinh thể 36 1.4.4.3 Tính chất quang 37 1.4.4.4 Đặc tính trao đổi điện tử 37 1.4.5 Chuyển pha từ silic vô định hình thành silic tinh thể micro nano 38 1.4.6 Phương pháp lắng đọng hóa học tăng cường plasma (PECVD) 39 1.4.6.1 Đặc điểm 39 1.4.6.2 Quá trình phản ứng tạo trạng thái plasma bụi plasma 40 1.4.7 Lý lựa chọn vật liệu nc-Si:H cấu trúc PMT màng mỏng sợi nano silic 41 CHƢƠNG 42 QUY TRÌNH THỰC NGHIỆM 42 2.1 Chế tạo đánh giá hạt nano vàng 43 2.1.1 Quy trình thực nghiệm 43 2.1.2 Nguyên vật liệu 46 2.1.3 Thiết bị thí nghiệm 46 2.1.3.1 Thiết bị tạo màng quy trình bốc bay chùm điện tử (E-beam Evaporator) 46 2.1.3.2 Thiết bị gia nhiệt nhanh (RTA) 47 2.1.3.3 Kính hiển vi điện tử quét phát xạ trường (FE-SEM) 47 2.1.3.4 Thiết bị đo phổ hấp thụ (UV-VIS) 48 2.2 Chế tạo đánh giá sợi nano silic 49 2.2.1 Quy trình thực nghiệm 49 2.2.2 Nguyên vật liệu thí nghiệm 50 2.2.3 Thiết bị thí nghiệm 50 2.4.3.1 Thiết bị khắc sâu ion phản ứng (DRIE) 50 2.2.3.3 Kính hiển vi 3D 51 2.3 Chế tạo đánh giá màng mỏng silic vơ định hình, tinh thể micro – nano 51 2.3.1 Cấu trúc PMT màng mỏng đối xứng tâm cần đạt 51 2.3.2 Nguyên vật liệu hóa chất 52 2.3.3 Hệ thống PECVD Cluster 53 2.3.3.1 Cấu tạo 53 2.3.3.2 Hoạt động 53 2.3.4 Quy trình thực nghiệm 54 2.3.4.1 Công đoạn làm đế silic 54 2.3.4.2 Công đoạn chế tạo màng mỏng silic 54 2.3.5 Thống kê đánh giá mẫu màng mỏng silic chế tạo 55 2.3.6 Phương pháp phổ ký Raman 58 2.3.6.1 Ưu điểm quang phổ Micro Raman 59 2.3.6.2 Ứng dụng quang phổ Raman 59 2.3.6.3 Xử lý phổ Raman 59 2.3.7 Phương pháp phổ ký ellipsometry 60 2.3.7.1 Thiết bị phổ kí Ellipsometry 60 2.3.7.2 Nguyên lý Spectroscopic Ellipsometry (SE) 61 2.3.7.3 Mơ hình phương pháp Ellipsometry 62 2.3.7.4 Quy trình đo Ellipsometry 63 2.3.7.5 Xử lý phổ Ellipsometry Delta Psi2 65 CHƢƠNG 69 KẾT QUẢ VÀ BÀN LUẬN 69 3.1 Chế tạo hạt nano vàng 69 3.1.1 Quy trình gia nhiệt-làm lạnh nhanh RTA tạo hạt nano vàng 69 3.1.2 Ảnh hưởng chất lượng bề mặt đế tới hình thành hạt nano vàng 72 3.1.3 Kiểm sốt kích thước hạt nano vàng 75 3.1.4 Kiểm sốt hình dạng hạt nano vàng 76 3.1.5 Nghiên cứu hiệu ứng plasmon hạt nano vàng 79 3.1.6 Kết luận 83 3.2 Chế tạo sợi nano silic 83 3.2.1 Khảo sát ảnh hưởng thơng số quy trình chế tạo đánh giá sợi nano silic 83 3.2.1.1 Ảnh hưởng cơng suất nguồn plasma kích thích 84 3.2.1.2 Ảnh hưởng số vòng lặp khắc phủ thời gian khắc 85 3.2.2 Chế tạo Si NWs với mặt nạ hạt nano vàng 85 3.2.3 Ảnh hưởng số điều kiện cơng nghệ lên hình dạng phân bố sợi nano silic 89 3.2.3.1 Ảnh hưởng điện phân cực 89 3.2.3.2 Ảnh hưởng hình dạng hạt nano vàng đến chất lượng sợi silic 91 3.2.4 Chế tạo sợi nano silic phân bố theo cụm 93 3.2.5 Ứng dụng sợi nano silic vào cấu trúc PMT 94 3.2.6 Kết luận 95 3.3 Chế tạo màng mỏng silic vơ định hình, tinh thể micro nano 96 3.3.1 Khảo sát đặc trưng plasma 96 3.3.1.1 Tốc độ chế tạo màng mỏng silic 96 3.3.1.2 Giá trị điện phân cực 99 3.3.2 Khảo sát điều kiện chế tạo màng mỏng silic vơ định hình, tinh thể micro nano 100 3.3.3 Đánh giá thông số ảnh hưởng đến chất lượng lớp màng silic phương pháp ellipsometry 106 3.3.3.1 Các yếu tố ảnh hưởng lên q trình tạo màng 106 3.3.3.2 Xây dựng mơ hình ellipsometry cho mẫu màng mỏng silic khảo sát 106 3.3.3.3 Đánh giá ảnh hưởng điều kiện lắng đọng lên độ dày màng 107 3.3.3.4 Đánh giá ảnh hưởng điều kiện lắng đọng lên tỉ lệ pha tinh thể 109 3.3.3.5 Đánh giá ảnh hưởng điều kiện lắng đọng tới kích thước tinh thể silic 111 3.3.4 Khảo sát pha tạp màng mỏng silic chế tạo 112 3.3.5 Kết luận - khả ứng dụng màng mỏng silic tinh thể micro-nano vào cấu trúc PMT 114 KẾT LUẬN .115 A Những kết đạt đƣợc 115 B Các điểm Luận án .116 C Hƣớng phát triển tƣơng lai 116 DANH MỤC CÁC CƠNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA NCS BÙI THANH TÙNG 117 TÀI LIỆU THAM KHẢO .118 DANH SÁCH HÌNH VẼ Hình 1- Các hệ PMT 14 Hình 1- PMT truyền thống (a) PMT màng mỏng sợi nano silic đối xứng tâm (b) 15 Hình 1- Cấu trúc lập phương tâm mặt tinh thể Au 18 Hình 1- Các hạt nano kim loại sử dụng yếu tố tán xạ bước sóng ánh sáng nhỏ kích thước hạt 19 Hình 1- Các hạt nano kim loại đóng vai trò ăng ten bước sóng ánh sáng nhỏ kích thước hạt 20 Hình 1- Một lớp mỏng kim loại bị làm nhăn lại nằm mặt sau lớp hấp thụ quang điện mỏng chuyển ánh sáng thành dao động plasmon phân cực bề mặt 21 Hình 1- Phương pháp bottom-up tạo Si NWs 23 Hình 1- Phương pháp top-down chế tạo Si NWs 25 Hình 1- Nguyên lý ăn mòn tạo sợi nano silic theo quy trình bước [114] 26 Hình 1- 10 Quy trình ăn mòn tạo lớp sợi nano silic theo quy trình bước [114] 26 Hình 1- 11 Cấu tạo thiết bị RIE (trái) ICP-RIE (phải) [152] 29 Hình 1- 12 Lỗi “cỏ” thường gặp quy trình khắc khơ vật lý [154-156] 30 Hình 1- 13 Sự gia tăng mật độ khuyết tật phụ thuộc vào thời gian phơi sáng 34 Hình 1- 14 Cấu trúc lớp màng có pha µc-Si:H nc-Si:H [184] 35 Hình 1- 15 Quá trình phát triển pha µc-Si:H nc-Si:H [184] 35 Hình 1- 16 Sự phụ thuộc mật độ tạo mầm tinh thể vào đế phủ [184] 36 Hình 1- 17 Hệ số hấp thụ theo lượng photon c-Si, a-Si:H µc-Si:H [178] 37 Hình 1- 18 Mặt cắt ngang lớp silic cấu trúc tinh thể micro 38 Hình 1- 19 Điều kiện phản ứng để hình thành pha µc-Si [184] 39 Hình 2- Quy trình thực nghiệm 43 Hình 2- Quy trình [A] làm đế silic 44 Hình 2- Đế rửa hóa chất 44 Hình 2- Cấu tạo máy bốc bay chùm điện tử 44 Hình 2- Chuẩn bị vàng mẫu để bốc bay 45 Hình 2- Cấu tạo máy RTA 45 Hình 2- Thiết bị bốc bay chùm điện tử 47 Hình 2- Thiết bị RTA 47 Hình 2- Kính hiển vi điện tử quét phát xạ trường 48 Hình 2- 10 Thiết bị đo phổ hấp thụ UV-VIS 49 Hình 2- 11 Đế silic với mặt nạ vàng µm 49 Hình 2- 12 Đế silic với mặt nạ hạt nano vàng 50 Hình 2- 13 Thiết bị khắc sâu ion phản ứng DRIE 51 Hình 2- 14 Thiết bị kính hiển vi chiều 51 Hình 2- 15 Cấu trúc PMT sợi nano silic hướng đến 52 Hình 2- 16 Hệ thống PECVD 53 Hình 2- 17 Quy trình [B] làm đế silic 54 Hình 2- 18 Thiết bị phổ kí Raman 58 Hình 2- 19 Phổ tham khảo silic vơ định hình silic tinh thể [186] 60 Hình 2- 20 Thiết bị phổ kí ellipsometer 61 Hình 2- 21 Sơ đồ cấu tạo thiết bị phổ kí ellipsometer 61 Hình 2- 22 Sơ đồ nguyên lý spectroscopic ellipsometry (SE) 61 Hình 2- 23 Ánh sáng phân cực với dạng ellip 62 Hình 2- 24 Mơ hình màng mỏng đa lớp với nhiều mặt tiếp xúc đế vật liệu màng mỏng, lớp màng mỏng với 63 Hình 2- 25 Quy trình đo thiết bị Ellipsometer 64 Hình 2- 26 Q trình tính tốn phần mềm Delta Psi2 64 Hình 2- 27 Giao diện chương trình tính toán Delta Psi2 65 Hình 2- 28 Mơ hình màng mỏng đế sử dụng chương trình Delta Psi2 65 Hình 2- 29 Bảng thơng số đặc trưng vật liệu chương trình tính tốn Delta Psi2 66 Hình 2- 30 Quy tắc phân tích thành phần lớp màng mỏng 66 Hình 2- 31 Bảng tính tốn độ dày màng chương trình tính tốn Delta Psi2 67 Hình 3- Bề mặt màng mỏng vàng sau nung lên đến 700ºC vòng 40 giây, ủ nhiệt 30 giây sau làm lạnh nhanh nhiệt độ phòng 69 Hình 3- Bề mặt màng mỏng vàng sau nung lên đến 800ºC vòng 40 giây, ủ nhiệt 30 giây sau làm lạnh nhanh nhiệt độ phòng 70 Hình 3- Bề mặt màng mỏng vàng sau nung lên đến 1000ºC vòng 40 giây, ủ nhiệt 30 giây sau làm lạnh nhanh nhiệt độ phòng 70 Hình 3- Bề mặt màng mỏng vàng sau nung lên đến 1100ºC vòng 40 giây, ủ nhiệt 30 giây sau làm lạnh nhanh nhiệt độ phòng 71 Hình 3- Quy trình nung RTA cơng trình đề xuất 72 Hình 3- Bề mặt đế silic nguyên không xử lý làm 73 Hình 3- Bề mặt đế xử lý làm quy trình hóa học tạo vùng hình thành hạt nano vàng (1) vùng khơng thể hình thành hạt nano vàng (2) 73 Hình 3- Mẫu xử lý làm quy trình hóa học vật lý 74 Hình 3- Quan hệ kích thước hạt nano vàng chiều dày màng vàng 75 Hình 3- 10 Hạt nano vàng tạo thành với nhiều kích thước khác a) 20 nm màng Au ~ 50 nm Au NPs, b) 50 nm màng Au ~ 100 nm Au NPs, c) 100 nm màng Au ~ 200 nm Au NPs, d) 150 nm màng Au ~ 250nm Au NPs e) 250 nm màng Au ~ 450 nm Au NPs 76 Hình 3- 11 Hạt vàng tạo thành mơi trường khí trơ khác 77 xác định kích thước hạt tinh thể hình thành lớp màng Các thơng tin tỉ lệ tinh thể xác định phương pháp phổ kí ellipsometry Ở phương pháp ellipsometry, phổ tán xạ mẫu cần đo so sánh với phổ tán xạ mẫu đế dùng để phủ màng Độ chênh lệch hai phổ tính dùng làm sở để tính tốn thơng số cần đo độ dày màng, tỉ lệ tinh thể, chiết suất…Do đó, ảnh hưởng vật liệu làm đế phủ đến kết đo hoàn toàn loại bỏ 3.3.3.5 Đánh giá ảnh hưởng điều kiện lắng đọng tới kích thước tinh thể silic Trong thí nghiệm khảo sát ảnh hưởng điều kiện lắng đọng đến kích thước hạt tinh thể silic, giá trị mật độ công suất giữ không đổi 0,2 W/cm2, tổng lưu lượng khí 200 sccm với tỉ lệ pha lỗng SiH4/H2 khoảng 2,5 % Áp suất khí phản ứng thay đổi từ 0,6 đến torr, bước nhảy 0,3 torr Phổ Raman dùng để xác định cấu trúc lớp màng lắng đọng, dựa vào hình dạng phổ vị trí đỉnh đặc trưng cho vật liệu silic tinh thể nano (thay đổi vị trí khoảng từ 480-520 cm-1) ta tính kích thước hạt tinh thể silic (Hình 3- 53) Kích thước hạt tinh thể tỉ lệ pha tinh thể màng phụ thuộc nhiều vào lưu lượng hydro Các ion H+ nguồn cung cấp lượng cho q trình chuyển pha từ vơ định hình sang tinh thể Nếu nồng độ ion H+ thấp, lượng không đủ, lớp màng tạo hành trạng thái vơ định hình Mặc dù tăng lượng cung cấp cách tăng cơng suất nguồn plasma kích thích, khiến cho lượng ion H+ tăng lên, hạt tinh thể silic tạo thành có kích thước to hơn, đạt tới kích thước micro Bằng cách sử dụng lưu lượng lớn hydro, mật độ ion H+ nhiều Tuy lượng trung bình ion H+ thấp làm hạt tinh thể tạo thành có kích thước nhỏ khả phân bố lớp màng mỏng đồng Hình 3- 53 Vị trí đỉnh phổ Raman đặc trưng theo áp suất khí Ta nhận thấy áp suất phản ứng tăng vị trí đỉnh đặc trưng cho hạt tinh thể silic kích thước nano dịch chuyển gần giá trị 480cm-1 Điều 111 chứng tỏ tăng áp suất khí phản ứng, ta thu hạt tinh thể có kích thước nhỏ dùng áp suất khí phản ứng thơng số để điều khiển kích thước hạt tinh thể lớp màng lắng đọng Tương tự, với mật độ cơng suất nguồn kích thích, giá trị lớn lượng cung cấp cho phản ứng lắng đọng lớn dễ tạo hạt tinh thể silic có kích thước lớn Tỉ lệ hydro hỗn hợp khí với silane ảnh hưởng đến kích cỡ hạt tinh thể Lưu lượng hydro lớn tạo thành hạt tinh thể silic dễ kích thước hạt tinh thể tăng lên Từ kết khảo sát đây, kết luận cách điều chỉnh thông số q trình lắng đọng áp suất khí phản ứng, mật độ cơng suất kích thích, tỉ lệ pha lỗng silane hydro, điều khiển kích thước hạt tinh thể silic theo mong muốn phù hợp với ứng dụng khác (Hình 3- 54) Dựa vào kết nghiên cứu W Wei cộng năm 2007 [187], kích thước hạt tinh thể nano tính dựa vị trí đỉnh phổ Raman đặc trưng màng mỏng silic tinh thể nano Bảng 3- 10 Kích thước hạt tinh thể nano tạo thành theo áp suất khí Pressure (torr) 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 Average size (nm) 4,5 3,8 3,3 3,1 - - - - Hình 3- 54 Kích thước hạt tinh thể nano tạo thành theo áp suất khí 3.3.4 Khảo sát pha tạp màng mỏng silic đƣợc chế tạo Thông thường, silic pha tạp bor phosphor phương pháp khuếch tán nhiệt Bề mặt silic tiếp xúc với nguồn pha tạp tạp chất khuếch tán dần vào phía bên silic Do đó, có chênh lệch nồng độ pha tạp độ sâu khác 112 Nghiên cứu tiến hành pha tạp phosphorous vào silic cách cho thêm khí PH3 (phosphine) vào hỗn hợp khí SiH4 + H2 Sau kích thích tạo trạng thái plasma Trong trình lắng đọng màng bề mặt đế, nguyên tử phosphor xen lẫn vào mạng nguyên tử silic xen lẫn thời điểm q trình lắng đọng nên ta thu lớp màng mỏng silic pha tạp với đồng tất vị trí Sử dụng điều kiện nhiệt độ 200ºC, áp suất 0,6 torr, tỉ lệ SiH4/H2 5/195, mật độ công suất 0,2 W/cm2 nhằm tạo lớp màng silic tinh thể nano với tỉ lệ pha tinh thể khoảng 60 %, kích thước hạt tinh thể khoảng 4,5 nm sau tiến hành pha tạp với tỉ lệ pha tạp PH3 điều kiện làm việc hệ thống PECVD Cluster (giá trị tối đa 10 sccm PH3 0,02% H2) Điều kiện thí nghiệm chi tiết xem Bảng 2- Điện trở suất lớp màng mỏng pha tạp đo hệ thống đo điện trở mũi dò ta có kết điện trở suất với tỉ lệ pha tạp Hình 3- 55 Bảng 3- 11 Điện trở suất màng theo nồng độ pha tạp Lưu lượng PH3 (0,02% H2) (sccm) Điện trở suất ban đầu (Ωcm) Điện trở suất phơi sáng (Ωcm) 1050 830 890 450 300 200 400 213 830 297 10 680 310 Hình 3- 55 Điện trở suất màng theo nồng độ pha tạp 113 Lớp màng phủ thể tính chất bán dẫn Điện trở chiếu sáng giảm xuống so với điện trở đo điều kiện khơng có ánh sáng Ban đầu, tăng dần lưu lượng khí PH3, nồng độ pha tạp phosphor mạng nguyên tử silic tăng lên, làm tăng nồng độ hạt tải tự khiến điện trở lớp màng giảm xuống Nhưng tăng lưu lượng PH3, số lượng nguyên tử phosphor mạng nguyên tử silic nhiều dẫn đến sai lệch nút mạng nguyên tử, tạo thành khuyết tật mạng Điều khiến cho hạt tải tự di chuyển khó khăn hơn, dễ bị va chạm bị bắt lại khuyết tật mạng, làm điện trở màng tăng trở lại Trong cấu trúc pin màng mỏng tiếp xúc dị thể, lớp màng mỏng silic pha tạp vừa tạo tiếp xúc p-n, vừa có nhiệm vụ dẫn truyền hạt mang điện điện cực, yêu cầu phải có điện trở thấp Dựa vào kết nghiên cứu, ta lựa chọn thơng số pha tạp phosphorous cho silic để ứng dụng vào PMT 5sccm PH3 (0,02% H2) hỗn hợp khí 5sccm SiH4 195sccm H2, áp suất phản ứng 0,6 torr mật độ công suất plasma 0,2 W/cm2 3.3.5 Kết luận - khả ứng dụng màng mỏng silic tinh thể micro-nano vào cấu trúc PMT Phần Luận án nghiên cứu điều kiện đặc trưng trạng thái plasma hệ thống PECVD Cluster Viện Cơng Nghệ Nano (INT) nhằm tìm điều kiện tối ưu để hình thành lớp màng mỏng silic có cấu trúc thích hợp làm lớp pha tạp loại n tạo tiếp xúc p-n , đồng thời lớp dẫn truyền điện tử từ tiếp xúc p-n tới điện cực Silic tinh thể nano kết hợp ưu điểm silic vô định hình silic tinh thể micro Nghiên cứu, kiểm sốt, xây dựng giản đồ pha thể chuyển trạng thái từ dạng vơ định hình sang dạng tinh thể lớp màng mỏng silic, tìm ảnh hưởng thông số thiết bị PECVD trình lắng đọng đến chất lượng lớp màng mỏng silic tạo thành Qua đề quy trình sử dụng thông số làm công cụ điều chỉnh chất lượng màng mỏng theo yêu cầu cụ thể Lớp màng mỏng silic cấu trúc nano tinh thể với kích thước hạt tinh thể nano vào khoảng 3-5 nm Tỉ lệ pha tinh thể toàn màng điều chỉnh tùy theo yêu cầu chế tạo đạt tới giá trị tối ưu khoảng 60% với độ gồ ghề bề mặt không 10% Nghiên cứu quy trình pha tạp màng mỏng silic đạt giá trị điện trở suất nhỏ vào khoảng 200 Ω cm ứng dụng vào cấu trúc PMT Với việc sử dụng vật liệu silic nano, làm cho cấu trúc bớt lớp hấp thụ vật liệu silic vô định hình, cần lớp silic tinh thể nano pha tạp loại n Đơn giản hóa cấu trúc quy trình tạo pin màng mỏng silic tiếp xúc dị thể, kết hợp với sợi nano silic tạo cấu trúc PMT hướng tâm sợi nano silic 114 KẾT LUẬN A Những kết đạt đƣợc - - - - - Luận án xây dựng quy trình xử lý bề mặt silic hồn tồn mới, kết hợp phương pháp hóa học vật lý Đế silic sau rửa chất hóa học đưa vào plasma hydro vòng 30 phút Sự tái nhiễm bẩn từ khơng khí hạn chế khoảng thời gian dài lên đến vài chục Nghiên cứu chế tạo hạt nano vàng hoàn toàn phương pháp vật lý, kết hợp quy trình bốc bay gia nhiệt-làm lạnh nhanh với kích thước từ vài chục đến vài trăm nanomet với hình dạng khác (hình cầu bán cầu), hạt nano vàng bề mặt đế silic không bị nhiễm bẩn hóa chất Tối ưu chất lượng Si NWs để ứng dụng cấu trúc pin mặt trời màng mỏng sợi nano silic Si NWs với đường kính khoảng 400nm chiều cao thay đổi từ 2,5 tới µm, hệ số phản xạ mẫu có Si NWs bề mặt giảm lần so với đế silic nguyên Sợi nano silic chế tạo có vách với góc nghiêng khoảng 85º-90º Hiện tượng ăn mòn đẳng hướng khắc phục cách sử dụng mặt nạ hạt nano vàng có dạng bán cầu Cuối cùng, Luận án nghiên cứu điều kiện đặc trưng phương pháp lắng đọng hóa học tăng cường plasma (PECVD) nhằm tìm điều kiện tối ưu để hình thành lớp màng mỏng silic có cấu trúc mong muốn cấu trúc silic vơ định hình silic tinh thể micro tinh thể nano Lớp màng mỏng silic cấu trúc nano tinh thể với kích thước hạt tinh thể nano vào khoảng 3-5 nm Tỉ lệ pha tinh thể toàn màng điều chỉnh tùy theo yêu cầu chế tạo đạt tới giá trị tối ưu khoảng 60% với độ gồ ghề bề mặt không 10% Nghiên cứu quy trình pha tạp màng mỏng silic đạt giá trị điện trở suất nhỏ vào khoảng 200 Ωcm ứng dụng vào cấu trúc pin mặt trời màng mỏng sợi nano silic đối xứng tâm cần hướng đến Nội dung Luận án tác giả công bố thông qua 08 Bài báo khoa học Tạp chí KHCN có giá trị, cụ thể sau: 03 Cơng bố khoa học đăng Tạp chí thuộc hệ thống ISI, 01 Công bố khoa học đăng Tạp chí Quốc tế uy tín nằm hệ thống SCOPUS (hiện công nhận vào hệ thống ISI từ đầu năm 2016), 02 Công bố khoa học đăng Kỷ yếu Hội nghị Quốc tế 02 Cơng bố khoa học đăng tạp chí KHCN uy tín nước Ngồi ra, từ kết nghiên cứu Luận án tác giả đăng ký Sáng chế “Quy trình tạo lớp màng mỏng tinh thể nano silic phương pháp lắng đọng hóa học tăng cường plasma ứng dụng vào cấu trúc pin mặt trời màng mỏng lớp màng mỏng tinh thể nano silic tạo quy trình này” Cục Sở hữu Trí tuệ - Bộ KH&CN 115 B Các điểm Luận án Đề xuất quy trình xử lý bề mặt silic kết hợp phương pháp hóa học vật lý, sử dụng plasma hydro để thụ động hóa liên kết bất bão hòa bề mặt chống tái nhiễm bẩn từ môi trường khoảng thời gian dài lên đến vài chục Đề xuât quy trình gia nhiệt-làm lạnh nhanh RTA hồn tồn với đầy đủ thơng số cần thiết để chế tạo hạt nano vàng với kích thước từ vài chục đến vài trăm nanomet với hình dạng khác Nghiên cứu giải thích tạo hạt nano vàng dạng cầu với khí nung nitơ dạng bán cầu với khí nung argon trình gia nhiệt-làm lạnh nhanh nhiệt độ 1100ºC thời gian ủ nhiệt 30 giây Khảo sát ảnh hưởng hình dạng hạt nano vàng dùng làm mặt nạ đến chất lượng sợi nano silic tạo thành Hạt nano vàng dạng bán cầu làm giảm ảnh hưởng tượng ăn mòn đẳng hướng, giúp cho sợi nano silic tạo thành có chất lượng tốt hơn, tỉ lệ chiều cao đường kính sợi lớn Khảo sát quy trình phủ màng PECVD tạo vật liệu màng mỏng silic nano tinh thể với độ đồng cao, tỉ lệ pha tinh thể micro-nano màng khoảng 60% kích thước hạt từ 3-5 nm thay cho vật liệu màng mỏng silic vơ định hình cấu trúc PMT C Hƣớng phát triển tƣơng lai Những nghiên cứu tương lai hoàn thiện việc chế tạo sợi nano silic với kích thước độ dài khác nhau, khảo sát quy trình phủ màng mỏng silic tinh thể micro nano bao bọc lõi sợi silic để tạo thành tiếp xúc p-n Quy trình phủ màng ITO quy trình chế tạo điện cực mặt trước mặt sau nghiên cứu nhằm hướng đến việc chế tạo cấu trúc PMT sợi nano silic hướng tâm hoàn chỉnh Sợi nano silic ứng dụng lĩnh vực khác cảm biến sinh học sử dụng làm điện cực cho loại pin lưu trữ lượng (pin lithium, pin natri….) 116 DANH MỤC CÁC CƠNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA NCS BÙI THANH TÙNG Control of crystalline volume and nano crystal grain size in nanocrystalline silicon thin film deposited by PECVD, Thanh Tung BUI* and Mau Chien DANG, Eur Phys J Appl Phys (2014) 68: 20303, Volume 68, Number 2, November 2014 Reduction of Isotropic Etch for Silicon Nanowires Created by Metal Assisted Deep Reactive Ion Etching, Thanh Tung BUI* and Mau Chien DANG, International Journal of Nanotechnology (IJNT), Accepted 2016 Gold Nanoparticles Created by Rapid Thermal Annealing Process Applied to Thin Film Solar Cell, Thanh Tung BUI* and Mau Chien DANG, Eur Phys J Appl Phys (2016) 76: 10301 DRIE process optimization to fabricate vertical silicon nanowires using gold nanoparticles as a mask, Tung Thanh BUI*, Phuc Hoan TU and Chien Mau DANG, Advances in Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology (ANSN) Adv Nat Sci.: Nanosci Nanotechnol 045016 (9pp) 2015 Study of the deposition of amorphous silicon and ITO thin films in applications of heterojunction solar cell Thanh Tung BUI*, Thanh Hung LE, Mau Chien DANG, Ngoc Linh TRAN, Ngoc Vu HOANG, Lan TRUONG and Thuat NGUYEN TRAN, Journal of Science and Technology Development, Vietnam National University – Ho Chi Minh City, Volume 16, p 101-111, 2013 Effect of RF excited source power on the quality of silicon thin films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition and some improvement solutions, Thanh Tung BUI* and Mau Chien DANG, Journal of Science and Technology, Vietnam Academy of Science and Technology, Volume 51 (5A), p.1-8, 2013 Study and fabrication of silicon nanowires by Dry Reactive Ion Etching method applying in thin film solar cell, Tung Thanh BUI*, Phuc Hoan TU and Chien Mau DANG, 5rd International workshop for Nanotechnology at Vung Tau, Viet Nam 2015 Control quality of silicon nanowire created by DRIE method, Tung Thanh BUI*, Phuc Hoan TU and Chien Mau DANG, 5rd International workshop for Nanotechnology at Vung Tau, Viet Nam 2015 “Quy trình tạo lớp màng mỏng tinh thể nano silic phương pháp lắng đọng hóa học tăng cường plasma ứng dụng vào cấu trúc pin mặt trời màng mỏng lớp màng mỏng tinh thể nano silic tạo quy trình này”, BÙI Thanh Tùng*, ĐẶNG Mậu Chiến, Đăng ký Sáng chế, Cục Sở hữu Trí tuệ Việt Nam 2014 117 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt [1] [2] [3] [4] [5] [6] [37] Internet http://www.baomoi.com Internet http://congnghiepmoitruongcie.wordpress.com Internet http://vi.wikipedia.org Internet http://vnexpress.net Internet http://www.thanhnien.com.vn Internet http://baodientu.chinhphu.vn Nguyễn Đặng Bích Nga, Luận Án Tiến Sĩ, Đại học Khoa học Tự Nhiên thành phố Hồ Chí Minh (2013) [38] Nguyễn Hồng Hải, Tạp chí http://www.vatlyvietnam.org, Tập 1, Số 1, (2007) [39] Nguyễn Khắc Thuận, Luận Văn Thạc Sĩ, Đại Học Khoa Học Tự Nhiên Hà Nội (2011) [40] Hồng Thị Hiến, Mơ hình hóa tượng SPR hạt nano kim loại, Sách (2012) Tiếng Anh [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] Dresselhaus M S and Thomas I L., Nature 41 4332–7 (2001) Chow J., Kopp R J and Portney P R., Science 302 1528–31 (2003) Whitesides G M and Crabtree G W., Science 315 796–8 (2007) Chapin D M., Fuller C S and Pearson G L., J Appl Phys 25 676–7 (1954) Green M A., Prog Photovolt Res Appl 123–35 (2001) Green M A., Sol Energy 76 3–8 (2004) Carlson D E and Wronski C R., Appl Phys Lett 28 671–3 (1976) Feltrin A and Freundlich A., Renew Energy 33 180–5 (2008) Candelise C., Speirs J F and Gross R J K., Renew.Sustainable Energy Rev.15 4972– 81 (2011) Tao C S., Jiang J and Tao M., Sol Energy Mater Sol Cells 95 3176–80 (2011) Andersson B A, Azar C, Holmberg J and Karlsson S, Energy 23 407–11 (1998 ) Staebler D L and Wronski C R., J Appl Phys 51 3262–8 (1980) Yan B., Yue G., Sivec L., Yang J., Guha S and Jiang C-S, Appl Phys Lett 99 113512 (2011) Yue G., Yan B., Sivec L., Su T., Zhou Y., Yang J and Guha S., MRS Online Proc Library 14 2633–8 (2012) National Center for Photovoltaics www.nrel.gov/ncpv/ (1996) Green M A et al., 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conf (PVSC) Hawauian Convention Centre, Honolulu pp 000057–60 (2010) Kolodinski S., Werner J H., Wittchen T and Queisser H J., Appl Phys Lett 63 2405–7 (1993) Nam Y., Yeng Y X., Lenert A., Bermel P., Celanovic I., Soljacíc M and Wang E N., Sol Energy Mater Sol Cells 12 2287–96 (2014) Lenert A., Bierman D M., Nam Y., Chan W R., Celanovic I., Soljacíc M and Wang E N., Nature Nanotechnol 126–30 (2014) 118 [26] Dahal R., Pantha B., Li J., Lin J Y and Jiang H X., Appl.Phys Lett 94 063505 (2009) [27] Lopez N., Reichertz L A., Yu K M., Campman K and Walukiewicz W., Phys Rev Lett 10 6028701 (2011) [28] Yang L., Catalano A., Arya R R and Balberg I., Appl Phys.Lett 57 908–10 (1990) [29] Kudrna J., Troj´ anek F., Mal´ y P and Pelant I., Appl Phys.Lett 79 626–8 (2001) [30] Benagli S et al., 24th EUPVSEC (Hamburg, Germany) pp 2293–8 (2009) [31] Masumo K., Kambe M., Chonan K., Takahashi A and Shidoji E., 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conf (PVSC) (Washington State Convention Center, Seattle) pp 000795–8 (2011) [32] Staebler D L and Wronski C R., Appl Phys Lett 31 292–4 (1977) [33] Sivakov V., Andră a G., Gawlik A., Berger A., Plentz J., Falk F and Christiansen S H., Nano Lett 91 549–54 (2009) [34] Wallentin J et al Science 339 1057–60 (2013) [35] Leschkies K S., Divakar R., Basu J., Enache-Pommer E., Boercker J E., Carter C B., Kortshagen U R., Norris D J and Aydil E S., Nano Lett 71 793–8 (2007) [36] Huang J S., Hsiao C Y., Syu S J., Chao J J and Lin C F., Sol Energy Mater Sol Cells 93 621–4 (2009) [41] Atwater A and Polman A., Nature Materials, Vol 9, March (2010) [42] Kreibig U and Vollmer M Optical Properties of Metal Clusters, Springer 1995 [43] Bohren C F and Huffman D R., Absorption and Scattering of Light by Small Particles, Wiley 2008 [44] Mertz J., J Opt Soc Am B 17, 1906–1913 (2000) [45] Stuart H R and Hall D G., Appl Phys Lett 69, 2327–2329 (1996) [46] Stuart H R and Hall D G., Appl Phys Lett 73, 3815–3817 (1998) [47] Schaadt D M., Feng B and Yu E T., Appl Phys Lett 86, 063106 (2005) [48] Derkacs D., Lim S H., Matheu P., Mar W and Yu E T., Appl Phys Lett 89, 093103 (2006) [49] Matheu P., Lim S H., Derkacs D., McPheeters C and Yu E T., Appl Phys Lett 93,113108 (2008) [50] Rand B P., Peumans P and Forrest S R., J Appl Phys 96, 7519–7526 (2004) [51] Kim S S., Na S I., Jo J., Kim D Y and Nah Y.C., Appl Phys Lett 93, 073307 (2008) [52] Morfa A J., Rowlen K L., Reilly T H., Romero M J and Van de Lagemaat J., Appl Phys Lett 92, 013504 (2008) [53] Lindquist N C., Luhman W A., Oh S H and Holmes R J., Appl Phys Lett.93, 123308 (2008) [54] Kume T., Hayashi S., Ohkuma H., Yamamoto K., Jpn J Appl Phys 34, 6448–6451 (1995) [55] Westphalen M., Kreibig U., Rostalski J., Lüth H and Meissner, D., Sol Energy Mater Sol C.61, 97–105 (2000) [56] Hägglund C., Zäch M and Kasemo B., Appl Phys Lett 92, 013113 (2008) [57] Konda R B.et al., Appl Phys Lett.91, 191111 (2007) 119 [58] Hägglund C., Zäch M., Petersson G and Kasemo B., Appl Phys Lett 92, 053110 (2008) [59] Kirkengena M., Bergli J and Galperin Y M., J Appl Phys 102, 093713 (2007) [60] Raether H., Springer Tracts in Modern Physics III, Springer, 1988 [61] Berini P., Phys Rev B 61, 10484–10503 (2000) [62] Berini P., Phys Rev B 63, 125417 (2001) [63] Dionne J A., Sweatlock L., Atwater H A and Polman, A., Phys Rev B 72, 075405 (2005) [64] Dionne J A., Sweatlock L., Atwater H A and Polman A., Phys Rev B 73, 035407 (2006) [65] Slooff L H.et al., Appl Phys Lett 90, 143506 (2007) [66] Ferry V E., Sweatlock L A., Pacifici D and Atwater H A., Nano Lett 8, 4391–4397 (2008) [67] Hynes A M., et al., Sens Actuators 74 pp 13–17, (1999) [68] Chen S C., Lin Y C., Wu J C., Horng L., Cheng C H., Microsyst Technol 13 (5/6) 465–474, (2007) [69] Garnett E and Yang P Nano Lett 10 1082–1087, (2010) [70] Dahan N and Greffet J J., Optics Express 20, (2012) [71] Turkevich J., Stevenson P C., Hillier J., Discuss Faraday Soc., 11, 55–75 (1951) [72] Kimling J., Maier M., Okenve B., Kotaidis V., Ballot H., Plech A., J Phys Chem B , 110, 15700–15707 (2006) [73] Frens G., Colloid & Polyme Science, 250, 736–741 (1972) [74] Frens G., Nature (London), Phys Sci., 241, 20–22 (1973) [75] Brust M., Walker M., Bethell D., Schiffrin D J., Whyman R., Chem Commun 801– 802 (1994) [76] Manna A., Chen P., Akiyama H., Wei T., Tamada K., Knoll W., Chem Mater 15 (1): 20–28 (2003) [77] Martin M.N., Basham J.I., Chando P., Eah S K., Langmuir 26 (10): 7410–7417 (2010) [78] Ning Y., Li W.E., Lin H., Mat Lett., 134 (2014) [79] Sivaraj R., Rahman P.K.S.M., Rajiv P., Salam H.A., Venckatesh R.,, Spectrochim Acta A Mol Biomol Spectrosc., 133, 178, (2014) [80] Salem W.M., Haridy M., Sayed W.F., Hassan N.H., Industrial Crops and Products., 62, 228 (2014) [81] Bhau B.S., Ghosh S., Puri S., Borah B., Sarmah D.K., Khan R., Adv Mater Lett., (1), 55-58, (2015) [82] Patra J M., Panda S S and Dhal N K., Int J Pharm Bio Sci ; (3): (P) 251 - 261 (2015) [83] Gurunathanet al., Nanoscale Research Letters 9, 248, (2014) [84] Singh and Srivastava Nanoscale Research Letters 10, 353, (2015) [85] Rojas-Pérez A., Adorno L., Cordero M., Ruiz A., Mercado-Díaz Z., Rodríguez A., Betancourt L., Vélez C., Feliciano I., Cabrera C and Díaz Vázquez L M., Austin J Biosens & Bioelectron - Volume Issue - (2015) [86] Ahmed S and Ikram S., Nano Research & Applications Vol No 1:5, (2015) [87] Sharma N., Bhatt G., Kothiyal P., Indian J Pharm Biol Res.; (2):13-27, (2015) 120 [88] N Tue Anh, D Van Phu, N Ngoc Duy, B Duy Du, N Quoc Hien, Radiation Physics and Chemistry 79: 405-408, (2010) [89] Akhavan A., Kalhor H.R., Kassaee M.Z., Sheikh N., Hassanlou M., Chemical Engineering Journal, 159 : 230-235, (2010) [90] Radziuk D., Grigoriev D., Zhang W., Su D., Möhwald H., Shchukin D., The Journal of Physical Chemistry C, 114:1835-1843, (2010) [91] Liu Y.C., Lin L.H., Chiu W.H., The Journal of Physical Chemistry B, 108: 1923719240 (2004) [92] Lee J.H., Choi S.U., Jang S.P., Lee S.Y., Nanoscale Res Lett, 7: 420, (2012) [93] Gutierrez-Wing C., Esparza R., Vargas-Hernandez C.,Fernandez Garcia M.E., JoseYacaman M., Nanoscale, 4: 2281-2287, (2012) [94] Kundu S., Peng L., Liang H., Inorganic Chemistry, 47: 6344-6352, (2008) [95] Correard F., Maximova K., Estève M.A., Villard C., Roy M., Al-Kattan A., Sentis M., Gingras M., Kabashin A.V., Braguer D., International Journal of Nnanomedicine, 5415-5430, (2014) [96] Mafuné F., Kohno J.Y., Takeda Y., Kondow T., Sawabe H., The Journal of Physical Chemistry B 105: 5114-5120, (2001) [97] Ahmad T., Wani I.A., Lone I.H., Ganguly A., Manzoor N., Ahmad A., Ahmed J., AlShihri A.S., Materials Research Bulletin 48: 12-20, (2013) [98] Baygazieva E.K., Yesmurzayeva N.N., Tatykhanova G.S., Mun G.A., Khutoryanskiy V.V., Kudaibergenov S.E., International Journal of Biology and Chemistry 7, No.1, 14 (2014) [99] Tsakalakos L., Mater Sci Eng R 62 175–89 (2008) [100] Cui Y., Zhong Z., Wang D., Wang W U and Lieber C M., Nano Lett 149–52 (2003) [101] Cui Y., Wei Q., Park H and Lieber C M., Science 293 1289–92 (2001) [102] Tian B., Zheng X., Kempa T J., Fang Y., Yu N., Yu G., Huang J and Lieber C M., Nature 449 885–9 (2007) [103] Chan C K, Peng H, Liu G, McIlwrath K, Zhang X F, Huggins R A and Cui Y, Nature Nanotechnol 31–5 (2008) [104] Morales A M and Lieber C M., Science 279 208–11 (1998) [105] Das Kanungo P., Zakharov N., Bauer J., Breitenstein O., Werner P and Goesele U., Appl Phys Lett 92 263107 (2008) [106] Pan Z W., Dai Z R., Xu L., Lee S T and Wang Z L., J Phys.Chem.B 105 2507–14 (2001) [107] Heitsch A T., Fanfair D D., Tuan H.Y and Korgel B A., J Am Chem Soc.130 5436–7 (2008) [108] Chen W and Ahmed H., Appl Phys Lett 63 1116–18 (1993) [109] Auzelyte V., Solak H H., Ekinci Y., MacKenzie R., Voros J., Olliges S and Spolenak R., Microelectron Eng 85 1131–4 (2008) [110] Hsu C-M, Connor S T., Tang M X and Cui Y., Appl Phys.Lett 93 133109 (2008 ) [111] Abdolvand R., Ayazi F., Sensors and Actuators A 144 109–116, (2008) [112] Peng K Q., Yan Y J., Gao S P and Zhu J., Adv Mater.14 1164–7, (2002) 121 [113] Peng K., Wu Y., Fang H., Zhong X., Xu Y and Zhu J., Angew Chem Int Edn 44 2737–42 (2005) [114] Peng K Q., Hu J J., Yan Y J., Wu Y., Fang H., Xu Y., Lee S T and Zhu J., Adv Funct Mater 16 387–94 (2006) [115] Peng K., Zhang M., Lu A., Wong N-B, Zhang R and Lee S-T, Appl Phys Lett 90 163123 (2007) [116] Huang Z., Fang H and Zhu J., Adv Mater 19 744–8, (2007) [117] Choi W K., Liew T H., Dawood M K., Smith H I., Thompson C V and Hong M H., Nano Lett 3799–802 (2008) [118] Hu Y., Peng K Q., Liu L., Qiao Z., Huang X., Wu X L., Meng X M and Lee S T., Nature Sci Rep.4 3667 (2014) [119] Wagner R S and Ellis W C., Appl Phys Lett 89-90 (1964) [120] Mallet J., Molinari M., Martineau F., Delavoie F., Fricoteaux P and Troyon M., Nano Lett 3468–74 (2008) [121] Schmidt V., Wittemann J V., Senz S and Gosele U., Adv.Mater 21 2681–702 (2009) [122] Jia G., Steglich M., Sill I and Falk F., Sol Energy Mater Sol Cells 96 226–30 (2012) [123] Jia G., Eisenhawer B., Dellith J., Falk F., Thøgersen A and Ulyashin A, J Phys Chem C 117 1091–6 (2013) [124] Wu Y and Yang P., J Am Chem Soc 123 3165–6 (2001) [125] Kodambaka S., Tersoff J., Reuter M C and Ross F M., Science 316 729–32 (2007) [126] Harmand J C., Patriarche G., P´er´e-Laperne N., M´erat-Combes M N., Travers L and Glas F., Appl.Phys Lett 87 203101, (2005) [127] Abdolvand, van Dam J A.,De Franceschi S., Kouwenhoven L P., Kaiser M., Verheijen M., Wondergem H and van der Sluis P., Nature Mater.3 769–73 (2004) [128] Mårtensson T., Carlberg P., Borgstrom M., Montelius L., Seifert W and Samuelson L Nano Lett 699–702 (2004) [129] Gudiksen M S L., Lincoln J., Wang J., Smith D C and Lieber C M., Nature 415 617–20 (2002) [130] Cui Y., Duan X., Hu J and Lieber C M., J Phys Chem B 104 5213–16 (2000) [131] Hochbaum A I., Fan R., He R and Yang P., Nano Lett 457–60 (2005) [132] Hannon J B., Kodambaka S., Ross F M and Tromp R M, Nature 440 69–71, (2006) [133] Gunawan O and Guha S., Sol Energy Mater Sol Cells 93 1388–93 (2009) [134] Kayes B M., Filler M A., Putnam M C., Kelzenberg M D., Lewis N S and Atwater H A, Appl Phys Lett 91 103110 (2007) [135] Schmidt V., Senz S and Gosele U., Nano Lett.5 931–5 (2005) [136] Shimizu T., Xie T., Nishikawa J., Shingubara S., Senz S and Gosele U., Adv Mater.19 917–20 (2007) [137] Lefeuvre E., Kim K H., He Z B., Maurice J L., Chˆatelet M., Pribat D and Cojocaru C S., Thin Solid Films 519 4603–8 (2011) [138] Cervenka J., Ledinsk y M., Stuchlık J., Stuchlıkov a H., Bakardjieva S., Hruska K., Fejfar A and Kocka J., Nanotechnology 21 415604 (2010) [139] Xie X., Zeng X., Yang P., Wang C and Wang Q., J Cryst Growth 347 7–10 (2012) [140] Misra S., Yu L., Chen W., Foldyna M and Cabarrocas P R I., J Phys D: Appl Phys 47 393001 (21pp) (2014) 122 [141] McVittie J., NNIN Etch Workshop 2008 (Cornell University, Ithaca, New York 18-20 March 2008) Oral Presentation (2008) [142] Li X., Current Opinion in Solid State and Materials Science 16 (2), 71-81 (2012) [143] Owen K J., Elzen B V D ,Peterson R L and Najafi K., MEMS 2012 (Paris, FRANCE, 29 January - February 2012) Proceedings pp 251- 254 (2012) [144] Laemer F., Schilp A of Robert Bosch GmbH, US Patent No 5.501.893 (1994) [145] Yeom J et al., J Vac Sci Technol B 23 (6) 2319–2329 (2006) [146] Rangelow I W., J Vac Sci Technol.A vol 21, no.4, pp.1550-1562 (2003) [147] Park W J et al., Surface and Coatings Technology, vol 171, pp 290-295 (2003) [148] Blauw M A , Zijlstra T , Drift E V D., J Vac Sci Technol.B 19 2930–2934 (2001) [149] Tilli M., Motooka T., Airaksinen V M., Franssila S., Paulasto-Krockel M., Lindroos V., Handbook of Silicon based MEMS Materials and Technologies, 2nd Edition Elsevier Inc UK 2015 [150] https://www.encyclopediaofmath.org/index.php/Knudsen_number [151] Gilgunn P J., Alfaro J F and Fedder G K., Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol.28 334–346 (2010) [152] Laermer F and Urban A., Ultra-thin Chip Technology and Applications, Chapter 9: Through-Silicon Vias Using Bosch DRIE Process Technology, Springer, (2011) [153] Wu B., Kumar A and Pamarthy S., Journal of Applied Physics, Vol.108 051101 (20) (2010) [154] Kolari K., Ph.D Thesis at Helsinki University of Technology (Espoo, Finland) (2008) [155] Jansen H., Gardeniers H., de Boer M., Elwenspoek M and Fluitman J., Journal of Micromechanics and Microengineering, Vol.6 14–28 (1996) [156] Jansen H., de Boer M., Legtenberg R and Elwenspoek M., Journal of Micromechanics and Microengineering, Vol.5 115–120 (1995) [157] Lai S L., Johnson D and Westerman R., Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol.24 1283–1288 (2006) [158] Chung C K and Chiang H N., Inverse RIE Lag of Silicon Deep Etching, Proceedings of NSTI Nanotechnology Conference and Trade Show 2004 (Nanotech 2004), March 7-11, Boston, 481–484 [159] Lill Th., Grimbergen M and Mui D., Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.19 2123–2128 (2001) [160] Hyun-Ho Doh, Chung-Kyu Yeon and Ki-Woong Whang, Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol.15 664–667 (1997) [161] Rickard A L and McNie M E., Proceedings of SPIE, Vol.4407 MEMS Design, Fabrication, Characterization, and Packaging, 78–88 (2001) [162] Ayón A A., Braff R., Lin C C., Sawin H H and Schmidt M A., Journal of the Electrochemical Society, Vol.146 339–349 (1999) [163] Mirza M M., Zhou H., Velha P., Li X., Docherty K E., Samarelli A., Ternent G and Paul D J., Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.30 06FF02 (8pp) (2012) [164] Mirza Muhammad M., PhD thesis, University of Glasgow (2015) [165] Weber W et al., Phys.Stat Sol (b) 243, 3340–33451-6 (2006) 123 [166] Iacopi F., Vereecken P.M., Schaekers M., Caymax M., Moelans N., Blanpain B., Richard O., Detavernier C., Griffiths H., Nanotechnology 18, 505307 (2007) [167] De Marchi M., Sacchetto D., Zhang J., Frache S., Gaillardon P-E, Leblebici Y., and De Micheli G., IEEE Transactions on Nanotechnology Vol.13, No.6, (2014) [168] Liu R., Zhang F., Con C., Cui B and Sun B., Nanoscale Research Letters :155 (2013) [169] Li S., Ma W., Zhou Y.,Chen X., Xiao Y., Ma M., Zhu W and Wei F., Nanoscale Research Letters 9:196 (2014) [170] Azeredo B P., Sadhu J., Ma J., Jacobs K., Kim J., Lee K., Eraker J H., Li X., Sinha S., Fang N., Ferreiraand P., Hsu K., Nanotechnology 24 225305 (8pp) (2013) [171] Huang Z., Liu J., JSM Nanotechnol Nanomed (1): 1035 (2015) [172] Carlson O N., Bulletin of Alloy Phase Diagrams 11 (6): 569 (1990) [173] Yates J T Jr., J of Physics: Condensed Matter, v 3, pp S143-S156 (1991) [174] Gerlach G., Dötzel W and Pething R., Introduction to Microsystem Technology: A Guide for Students, Wiley Microsystem and Nanotechnology, Wiley Publishing (2008) [175] Ball J., Bowen L., Mendis B G and Reehal H S., Cryst Eng Comm 153 808–15 (2013) [176] Abouda-Lachihebet al., Nanoscale Research Letters :455 (2012) [177] Boufnichel M et al., J Vac Sci Technol B 20, 1508–1513 (2002) [178] Poortmans J and Arkhipov V., Thin Film Solar Cells Fabrication, Characterization and Applications,©2006 John Wiley & Sons, Ltd (2006) [179] Luque A ed., Handbook of Photovoltaic Science and Engineering, 2nd Edition, John Wiley & Sons, Ltd, (2010) [180] Clark O.D., PhD Thesis, University of Southampton Research Repository ePrints Soton, (2009) [181] Chittick R C., Alexander J H., and Sterling H F., Journal of the Electrochemical Society 116, 77, (1969) [182] Staebler D L and Wronski C.R., Applied Physics Letters 31, 292, (1977) [183] Spear W E., Le Comber P G., Kinmond S., and Brodsky M H., Applied Physics Letters 28: 105, (1976) [184] Roschek T., Ph.D Thesis, Institut für Photovoltaik Jülich (2003) [185] Sze S.M., Kwok K Ng, Physics of semiconductor Devices, 3rd Edition Wiley Interscience, A John Wiley & Son, JNC Publication (2006-2007) [186] Goetzberger A et al, Crystalline Silicon Solar Cells, 1st Edition, John Wiley & Sons, (1998) [187] Wei W., Xub G., Wang J., Wang T., Science Direct Vacuum 81 656 – 662 (2007) [188] Yan J , Asami T., Kuriyagawa T., Precision Engineering 32 186–195 (2008) [189] Suendo V., PhD Thesis, Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces, UMR 7647 du CNRS, Ecole Polytechnique 25 (2005) [190] Kortshagen U R., Bhandarkar U V., Swihart M T and Girshick S L., Pure Appl Chem., Vol 71, No 10, pp 1871-1877, (1999) [191] Sanii F., Schwartz R J., Pierret R F and Au W M., Proc 20th IEEE PV Spec Conf, Las Vegas, Nevada, USA, p 575 (1988) 124 [192] Waldmeyer J., J Appl Phys 63, p 1977 (1988) [193] Schroder D K., Semiconductor Material and Device Characterization,3rd Edition, John Wiley&Sons, New York, (2006) [194] Layeillon L., Duverneuil P., Couderc J P and Despax B., Plasma Sources Science Technology (1994) [195] HITACHI High-Technologies Corporation, „Instruction Manual for Model S4800 Field Emission Scanning Electron Microscope‟, Printed in Japan, Part No 539-8050 (2002) [196] Donnelly V M and Kornblit A., J Vac Sci Technol A 31 (5) (2013) [197] Suizu, United States Patent, Patent Number 5279973, (1994) [198] Fernando R., Semendy F., and Wijewarnasuriya P., ARL-TR-5895 (2012) [199] Zhu S., Chen T P., Liu Y C., Yu S F., and Liu Y., Electrochemical and Solid-State Letters 13 (12) K96-K99 (2010) [200] Ito T., Hijiya S., Nozaki T., Arakawa H., Shinoda M and Fukukawa Y., Journal of Electrochemical Society 125, 448 (1978) [201] Wu C Y and King C W., Journal of Electrochemical Society 129 (7), (1982) [202] Henscheid D., Kozicki M N., Sheets G W., Mughal M., Zwiebel I., Graham R J., Journal of Electronic Materials, Volume 18, Issue 2, pp 99-104 (1989) [203] Dabrowski J., Mussig H J., Silicon Surface and Formation of Interfaces: Basic Science in the Industrial World, World Scientific Publishing Co Pte Ltd (2000) [204] Ma Z., Liao X., Kong G., Chu J., Science in China, Vol.43, No.4 (2000) [205] Park N.M., Kim S.H, Sung G Y., Park S.J., Chem Vap Deposition Vol 8, No 6, (2002) [206] Volodin V., Efremov M.D., Gritsenko V.A., Kochubei S.A., Applied Physics Letters 73 (9):1212-1214 (1998) [207] Waman V.S., Funde A.M., Kamble M.M., Pramod M.R., Hawaldar R.R., Amalnerkar D.P., Sathe V.G., Gosavi S.W., and Jadkar S.R., Journal of Nanotechnology, Volume 2011, Article ID 242398, (2011) [208] Priolo F., Gregorkiewicz T., Galli M and Krauss T F., Nature Nanotechnology, Vol 9, (2014) [209] Voz Sánchez C., Ph.D Thesis, University of Barcelona, (2001) [210] Meillaud F., Boccard M., Bugnon G., Despeisse M., Hanni S., Haug F.-J., Persoz J., Schuttauf J.-W., Stuckelberger M and Ballif C., Materials Today, Volume 18, Number 7, (2015) [211] Vetterl O., et al Sol Energy Mater Sol Cells 62 (1–2) (2000) [212] Meillaud F et al Proc of the 31st IEEE Photovoltaic Specialists Conference, p 1412, (2005) [213] Vallat-Sauvain E et al J Non-Cryst Solids 352, 1200, (2006) [214] Wen C., Xu H., Liu H., Li Z and Shen W., Nanotechnology 24 455602 (8pp), (2013) [215] Yang M., Huang D., Hao P., Zhang F., Hou X and Wang X., J Appl Phys 75 651–3, (1994) [216] Sivasankaran S and Kishor Kumar M J., International Journal of Recent Scientific Research Vol 6, Issue, 2, pp.2630-2633, (2015) 125 ... nước bề mặt silic tinh khiết, ta tổng hợp hạt vàng có kích thước nano 1.3 Chế tạo sợi nano silic Một bước quan trọng để chế tạo PMT hướng tâm sợi nano silic quy trình tạo sợi Sợi nano silic (Si... lượng sợi silic 91 3.2.4 Chế tạo sợi nano silic phân bố theo cụm 93 3.2.5 Ứng dụng sợi nano silic vào cấu trúc PMT 94 3.2.6 Kết luận 95 3.3 Chế tạo màng mỏng silic. .. trình bày kết kết chế tạo hạt nano vàng làm mặt nạ che phủ, kết khắc sâu ion phản ứng để chế tạo sợi nano silic kết chế tạo màng mỏng silic vơ định hình, silic tinh thể micro nano Các kết bình