Đề cương bài giảng kỹ thuật điện tử

tr-ờng Đại học s- phạm kỹ thuật h-ng yên khoa khí động lực Bài giảng dùng chung Kỹ THUậT ĐIệN Tử (Dùng cho hệ ngành CN điện-bảo trì, Cơ điện lạnh Điều hòa không khí, khí động lực) áp dụng cho Ch-ơng trình tín Biên soạn: Nguyễn hải hà, Lê ngọc trúc, lê trí quang Bộ môn: công nghệ điện LạNH & ĐHKK H-ng yên, 2015 PHN 1: LINH KIN BN DN Chng I LINH KIN IN T TH NG 1.1 in tr: Cu to, ký hiu, c im 1.1.1 Cu to Khỏi nim : in tr l linh kin in t th ng dựng lm vt cn tr dũng in Theo mong mun ca ngi s dng, ụi ngi ta dựng in tr to s phõn cp in ỏp mi v trớ mch in i vi in tr thỡ nú cú kh nng lm vic vi c tớn hiu mt chiu (DC) v xoay chiu (AC) v ngha l nú khụng ph thuc vo tn s ca tớn hiu tỏc ng lờn nú Trng hp i vi mt dõy dn thỡ tr s in tr ln hay nh s ph thuc vo vt liu lm dõy dn( in tr sut) v nú t l thun vi chiu di dõy, t l nghch vi tit din dõy dn Ta cú cụng thc tớnh: : L in tr sut (mm2/m) L R= L: L chiu di dõy( m) S Trong ú S : L tit din dõy (mm2) R : L in tr () Trong mch in thun tr, in tr cú quan h vi hiu in th v dũng in bi biu thc: R= Trong ú: U I U hiu in th gia hai u in tr (V); I- cng dũng in chy qua in tr (A) Cụng sut to nhit trờn in tr P l: P= U2 I R (W) R Khi cú hai hay nhiu in tr R1, R2, , Rn mc ni tip thỡ in tr tng cng R bng tng cỏc in tr riờng r n R = R1 +R + +R n = R i i=1 Khi cú hai hay nhiu in tr R1, R2, , Rn mc song song thỡ in tr R c tớnh theo h thc sau n 1 1 = + + + = R R1 R R n i=1 R i 1.1.2 Ký hiu Trong s , ti liu, in tr c kớ hiu theo hai dng c bn sau õy: in tr thng R chip ỏp in tr chớp o R t R VR Chun EU Chun US in tr nhit Bin tr Quang tr Hỡnh 1.1 Mt s ký hiu ca cỏc loi in tr Trong thc t, in tr rt phong phỳ v chng loi v hỡnh dng v thng c phõn loi nh sau: Phõn loi theo cu to, cú cỏc loi in tr: in tr than ộp : Cú dng ch to t bt than trn vi cht liờn kt c nung núng húa rn Cú tr s t 10 22M v cụng sut 1/4 W n W in tr mng kim loi : Ch to theo cỏch kt lng mng Ni Cr trờn thõn gm cú s rónh xon v c ph lp sn bo v in tr ễxit kim loi : Ch to theo cỏch kt lng mng ễxit thic trờn SiO2 cú cụng sut danh nh l 1/2 W in tr dõy qun: Loi in tr ny dựng dõy in tr qun trờn thõn lp cỏch in thng bng s, cú tr s in tr thp nhng cụng sut lm vic ln t 1W25 W Phõn loi theo cụng dng ( hay cũn gi l phõn loi theo chc nng): Bin tr (Variable Resistor ): Thng dựng loi bt than cú kt dớnh cao hoc vnh dõy qun c b trớ dng cung trũn 2700 kt hp vi quay hoc chy Quang tr (Photo Resistor hay Light Dependent Resistor) c ch to t cht bỏn dn cú nhy quang ln nờn ỏnh sỏng chiu vo s lm thay i giỏ tr in tr, cng ỏnh sỏng chiu vo quang tr cng tng lờn thỡ giỏ tr quang tr cng gim Nhit tr: (Thermistor) Nhit tr cú hai loi: nhit tr cú h s nhit dng ( giỏ tr nhit tr t l thun vi nhit tỏc ng lờn nhit tr) v nhit tr cú h s nhit õm ( giỏ tr nhit tr t l nghch vi nhit tỏc ng) in tr tựy ỏp ( Voltage Dependent Resistor) Giỏ tr ca in tr tựy ỏp ph thuc vo giỏ tr in ỏp t lờn in tr in tr cu chỡ (Fusistor hay Fuse Resistor ) in tr cu chỡ cú tớnh cht v tỏc dng nh mt cu chỡ, dũng in qua nú vt quỏ nh mc cho phộp thỡ nú t t bo cỏc phn t khỏc mch in t Sau õy l hỡnh nh minh ca mt s loi in tr thc t Tờn in tr Ký hiu R in tr thng VR Bin tr Hỡnh dỏng Th Nhit tr CdS Quang tr F in tr cu chỡ VDR in tr tựy ỏp 1.1.3 c im Giỏ tr nh danh: Giỏ tr nh danh ca in tr c tớnh bng ễm (), cú th dựng cỏc n v dn sut nh kilụụm (K hoc K), mờgaụm (M hoc M), gigaụm (G hoc G) Dung sai: l sai s khụng mong mun, sai s ny phỏt sinh quỏ trỡnh ch to Dung sai ph thuc vo cụng ngh ch to i vi in tr cú cc cp dung sai l: B = 0,1%, C = 0,25%, D = 0,5%, F = 1%, G = 2%, I = 5%, K = 10%, M = 20% Cp B, C, D thng c dựng cỏc thit b o, cp F, G thng dựng cỏc thit b quõn s, hng khụng, thit b chuyờn dng; cũn cỏc cp I, K, M ch dựng cỏc thit b dõn dng, hc c tớnh in tr nhit : bin thiờn ca in tr theo nhit c biu th bng phn trm (%); nu cỏc thay i l tuyn tỡnh thỡ gi l h s nhit , nu cỏc thay i l phi tuyn (dng ch yu) thỡ gi l c tớnh in tr nhit Tn s gii hn v ting n: Khi lm vic tn s cao, ngoi thnh phn thun tr cũn phi tớnh n thnh phn cm khỏng v dung khỏng kớ sinh Mun cú tớnh nng tt tn s cao thỡ t s gia di in tr v tit din in tr phi cc i Ting n phỏt sinh l s tng hay gim in ỏp thõn in tr Ting n tng th ph thuc vo giỏ tr in tr, nhit in tr, cu trỳc cỏc phn t bờn v hỡnh dng bờn ngoi in tr, dũng in in tr Cỏch c in tr: i vi loi in tr cú giỏ tr ghi trờn thõn theo ch cỏi v s: Ký hiu Giỏ tr R33 3R3 33R 3K3 33K 3M3 33M 0,33 3,3 33 3,3k 33k 3,3M 33M Tr s ca in tr hoc c ghi bng s Rp hoc c ghi bng vch mu trờn thõn in tr Thm cú loi ghi theo s sờri Ghi bng s Rp: vớ d trờn thõn in tr cú ghi 12K 5%, cú ngha l giỏ tr ca in tr ú l 12kilụ ụm 60 ụm (o c bng ng h nng), dung sai l 5% Ngoi cú th ghi theo , K, M, G Ghi bng vch mu: Thụng thng giỏ tr in tr c ghi bng (ch yu) hoc vch mu Cỏc vch mu cú ý ngha nh sau: S th hai B S th nht A H s nhõn C Dung sai D Cỏch c: Tr s R = AB x C (), dung sai D Vớ d: in tr cú vch mu c c l nõu, en, cam, nh vng thỡ: R = 10 x 103 = 10K, sai s 5% Hay giỏ tr ca in tr l: R = 10K 500 Mt s in tr cú vch dung sai D trựng vi mu thõn in tr (khụng cú mu riờng bit) thỡ dung sai ú l M = 20% MU S A, B H S NHN C en 100 Nõu 101 F = 1% 102 G = 2% Cam 103 Vng 104 Xanh lc 105 D = 0,50% Xanh lam 106 C = 0,25% Tớm 107 B = 0,10% Xỏm 108 Trng 109 Nh vng - 10-1 I = 5% Nh bc - 10-2 K = 10% Khụng mu - - M = 20% DUNG SAI D in tr cú bn vch mu: Tờn mu S th S th H s nhõn Sai s Mu (ký hiu) Giỏ tr ca in tr tớnh bng ễm % Khụng mu - - - 20 Ngõn nh (SR) - - 10-2 10 Kim nh (GD) - - 10-1 en (BK) - - Nõu (BN) 1 101 (RD) 2 102 Cam (OG) 3 103 - Vng (YE) 4 104 - Xanh lỏ (GN) 5 105 0,5 Xanh l (BL) 6 106 0,25 Tớm (VT 7 107 0,1 Xỏm (GY) 8 108 - Trng (WH) 9 109 - in tr cú nm vch mu Tờn mu Mu S th (ký hiu) S th S th Sai s H s nhõn % Giỏ tr ca in tr tớnh bng - - - - - 20 Ngõn nh (SR) - - - 10-2 10 Kim nh (GD) - - - 10-1 en (BK) - 0 - Nõu (BN) 1 101 (RD) 2 102 Cam (OG) 3 103 - Vng (YE) 4 104 - Xanh lỏ (GN) 5 105 0,5 Xanh l (BL) 6 106 0,25 Tớm (VT 7 107 0,1 Xỏm (GY) 8 108 - Trng (WH) 9 109 - i vi in tr cú nm vch mu v sỏu vch mu cỏch c giỏ tr in tr tng t nh i vi loi bn vch mu: Loi nm vch mu: vch th 1,2,3: l cỏc ch s cú ngha; vch th l bi s v vch th l sai s Loi sỏu vch mu: vch th 1,2,3,4: l cỏc ch s cú ngha; vch th l bi s v vch th l sai s Cỏch c giỏ tr in tr (loi cú vch mu): Nâu Đỏ Vàng Xanh Ngân nhũ Đỏ Tím Nâu Đỏ Xanh R = 271 x 102 0,5% R= 27100 0,5% R = Đỏ Đỏ Đỏ Vàng Ngân nhũ Vàng Tím Đỏ Đen Tím R = R = ng dng ca in tr Cỏc in tr thng c s dng hn dũng, phõn ỏp cỏc mch in t, ngoi in tr cũn c s dng kt hp vi cỏc linh kin khỏc to mch lc Quang tr, nhit tr c s dng cỏc mch iu khin, cỏc mch t ng, cỏc thit b in t Vớ d mch t ng bt ốn ng tri ti dựng quang tr, mch t ng úng ngt mch in nhit mụi trng thay i dựng nhit tr Biu din bng s logic A + Cỏch v s logic ca hm logic: Ta dựng ký hiu logic ca mch in t thay th phộp tớnh logic cú biu thc hm logic thỡ c s logic ca hm B F C Vớ d: Hm F = AB + BC + AC Hỡnh 2.5 V s logic ca hm Gii: S logic nh hỡnh 2.5 Thay phộp toỏn OR bng ký hiu OR v phộp toỏn AND bng ký hiu AND + Cỏch xỏc nh biu thc t s logic: Trờn s logic, t u vo n u ra, vit biu thc hm u ca tng cp, cui cựng c biu thc hm logic ton s Vớ d: Cho s logic nh hỡnh 2.6a, hóy vit biu thc hm logic ca s Gii: y1 x1 x ( x1 x ) Tacú: y x1 y1 X1 y x y1 X2 y1 y2 y y3 y y y x y1 x y1 x y1 x y1 y1 ( x1 x ) ( x x )(x x ) x x x1 x 5.3.2 Cỏc phng phỏp ti thiu hoỏ hm logic 2.6 Cỏc phng phỏp ti thiu hoỏ hm logic Trong vic thit k cỏc chc nng logic, tỡm c mt s logic n gin ỏp ng y cỏc yờu cu ca chc nng cn thit k, thỡ yờu cu hng u ca cụng tỏc thit k cỏc mch in t l tớnh kinh t v mch phi cú tớnh n nh tin cy cao m bo cỏc yờu cu ny thỡ s logic phi bao gm s cỏc phn t logic c bn ớt nht, cỏc s cng n gin cng cú tin cy v n nh cao xõy dng c mt s nh vy chỳng ta phi tỡm 113 c mt phng trỡnh logic ti gin mụ t ỳng chc nng logic ca mch in t cn thit k Cỏc hm logic m ta thng gp thng khụng phi l dng ti gin, nu ta xõy dng mch da trờn phng trỡnh ny thỡ s tn kộm vỡ phi dựng nhiu phn t linh kin logic, s cng phc n nh, tin cy cng kộm xỏc sut h hng cng tng Vỡ th trc xõy dng mch bao gi cng phi tỡm cỏch rỳt gn hm a phng trỡnh biu din v dng ti gin Phng trỡnh dng ti gin cỏc s hng phi l ớt nht v s bin mi s hng cng phi l ớt nht a) Ti thiu hoỏ hm logic bng phng phỏp i s p dng cỏc nh lut ca i s logic n gin hm logic cho hm cui cựng l ti gin, thc hin hm cn ớt phn t logic c bn nht Vỡ thc t cỏc biu thc logic rt a dng, t mt hm logic cng cú th biu din theo nhiu cỏch khỏc nờn khú cú th tỡm mt quy trỡnh ti u tỡm c mt biu thc logic ti gin mt cỏch nhanh nht Tuy nhiờn, nu nm chc cỏc nh lut ca i s Boole v cú kinh nghim chỳng ta cú th thu c kt qa tt + Mt s cụng thc thng dựng: 1) AB A B A 2) A AB A 3) A A B A B 4) AB A C BC AB A C T cụng thc (4) ta cú h qu: AB A C BCD AB A C Vớ d: Ti thiu hoỏ hm logic sau: a) F A B C A B C A B(C C ) A B b) F A( BC B C) A( B C B C) A(BC B C BC B C) A c) d) F AB A C B C AB A C BC B C AB C(A B B) AB C Hoặc : F AB (A B)C AB AB C AB C F ABBCBCABABBCACBCAB (A B A C B C) (B C A C A B) A C B C A B 114 b) Ti thiu hoỏ bng bng Karnaugh - Cho hm dng CTT: Phng phỏp ny c tin hnh theo cỏc bc sau: Biu din hm ó cho trờn bng Karnaugh Kt hp thnh tng nhúm 2n ụ gm cỏc ụ cú giỏ tr bng hoc x k cn hoc i xng to thnh mt vũng kớn trờn bng Karnaugh Khi kt hp cỏc ụ cn tuõn theo quy tc sau: - Cỏc ụ k cn hoc i xng l cỏc ụ ch khỏc bit - S ụ cha nhúm phi l ti a (2n ụ vi n l ti a) - Trong mi nhúm phi cú ớt nht mt ụ cha giỏ tr khụng nm nhúm khỏc, nhúm no bao gm cỏc ụ cha giỏ tr u ó cú nhúm khỏc thỡ nhúm ú l tha, mt khỏc mi ụ cha giỏ tr cú th c s dng kt hp nhiu ln - Phi m bo tt c cỏc ụ cha giỏ tr u c kt hp v s nhúm kt hp phi l ti thiu Nhúm 2n ụ s b i c n bin ú l nhng bin va xut hin c dng trc tip ln dng o , s hng to thnh l tớch cỏc bin cũn li (gi l tớch cc tiu) Kt qu l tng cỏc s hng to thnh t cỏc nhúm c kt hp (dng tng cỏc tớch) Trong mt s trng hp, cú th cú nhiu cỏch kt hp, ngha l cú th cú nhiu hm ti thiu Nhng hm ti thiu ny cn c so sỏnh, kim tra chn hm ti thiu thc s Vớ d 1: Cho hm F ( A, B, C ) m (0,1,2,5) hóy ti thiu hoỏ hm bng bng Karnaugh Kt hp cỏc ụ nh bng bờn ta c ớt nht nhúm ph ht cỏc ụ cha giỏ tr ca hm, cỏc ụ ú k hoc i xng AB F AC B C CD 00 AB C 00 0 Vớ d 01 11 10 01 11 00 01 Vớ d 11 12 10 13 15 11 14 1 10 115 Vớ d 2: Cho hm F A B C D A B CD A B C D A B Hóy ti thiu hoỏ hm bng bng Karnaugh Gii: Kt hp cỏc ụ nh bng bờn ta c ớt nht nhúm ph ht cỏc ụ cha giỏ tr ca hm F B D AB BC Vớ d 3: Cho hm F ( A, B, C, D) m (0,2,3,8,9,10,11,13,15) với N Hóy ti thiu hoỏ hm bng bng Karnaugh Gii: F B AD Vớ d 11 01 12 AB 00 CD 00 1 01 x 10 01 x 13 151 11 10 14 101 11 Vớ d 11 01 12 0 AB 00 CD 00 10 11 0 10 13 15 11 14 10 - Cho hm dng CTH: Phng phỏp tng t nh hm dng CTT, ch khỏc l thay cỏc ụ cha giỏ tr bng cỏc ụ cha giỏ tr v thay tng cỏc tớch bng tớch cỏc tng biu din hm Vớ d 4: Cho hm F ( A, B, C, D) (4,5,6,7,12,14) với N Ti thiu hoỏ hm bng bng Karnaugh Gii: F ( A B)( B D) 116 Tu thuc vo yờu cu thit k (loi phn t s dng) m ta la chn phng phỏp ti thiu cho phự hp Chng hn, ch dựng cng NAND thỡ phng trỡnh vit di dng tng cỏc tớch, ch dựng cng NOR thỡ phng trỡnh vit di dng tớch cỏc tng sau ú dựng lut ph nh ca ph nh v nh lý Morgan bin i phng trỡnh 5.3.3 Thiờt kờ mach logic Phng phỏp thit k cỏc mch logic t hp Vi mt mch logic t hp bt k nu cho trc chc nng ta u cú th thit k v thc hin c Quỏ trỡnh thit k bao gm cỏc bc tin hnh nh sau: T yờu cu chc nng ta lp bng chõn lý cho hm T bng chõn lý suy phng trỡnh logic Ti gin hoỏ hm logic T hm logic ti gin thit k mch thc hin bng cỏc phn t logic Tuy nhiờn, nhng bc thit k trờn õy khụng phi l bt buc ỏp dng mỏy múc, m nờn c dng linh hot theo tỡnh c th ca thit k thc t 117 PH LC 1: MCH TO XUNG VUễNG, RNG CA DNG TRANSISTOR S nguyờn lý Bng lit kờ linh kin STT Tờn linh kin S lng in tr 1k in tr 100k in tr 220k in tr 100 T in 20nF T in 1F T in 2,2F Transistor C828 118 Ghi chỳ + Ec= 6V + ICbh= 6mA + mm= 100 + RE= 100 +UCeh= 0.1ữ 0.2V S lp rỏp trờn Panel cm Tớnh toỏn s liu Theo s nguyờn lớ ta cú: Ec = ICbh*(RC1+R) +UBE => RC1= ( Ec-UBE )/ICbh R Vi R =100 , ICbh=6mA , UBE = 0.5 0.7V , Ec=6V => RC1=1K Vỡ RB < mm*RC => RB1 = 100k Nh vy ta c: RB1 = RB2 = 100k RC1 = RC2 = 1k 119 Nguyờn lớ hot ng 1.Mch to xung vuụng Mch to xung vuụng cng ging mch trờn Ch cú iu chõn (+) ca t Co c g Trong mch cú on l mch a hi t dao ng - Mch a hi t dao ng s to ca v ca cỏc dóy xung vuụng Mch hot ng nh vo s úng m liờn tc ca dốn T1, T2 - Gi thit ti thi im 1=t1-t0: ú T1 khoỏ, T2 thụng, C1 phúng in, C2 np in v = RC.C Ht thi im : C1 c np y, C2 phúng ht in - Trong khong thi gian 2=t2-t1 thỡ C1 c np in, C2 c phúng in lm chõn B ca ốn T1 thụng ti mc bóo hũa, ốn T1 thụng Ura mc thp - in ỏp B ca ốn T2 mc thp T2 khúa lm cho Ura2 mc cao - Ht thi gian mch tr v trng thỏi nh - Quỏ trỡnh nh th c tip din to thnh cỏc dóy xung vuụng o pha u v Trong mch ny: + T1 v T2 : ging 120 + C1 v C2 : ging Ura1 t Ura2 t0 t1 t2 t3 Sau ó cú dao ng, u c ni vi on mch nh hỡnh s nguyờn lớ (ch khụng cú C0) T3 õy ko úng vai trũ dao ng m nú ch úng vai trũ khuch i hn ch sa dng xung Tớn hiu qua T3 b o pha v gim biờn .(Chỳng ta cú th chnh dng xung nh: chinh lch, chnh mộo, chnh biờn bng cỏch iu chnh giỏ tr RE, RB, RC T3) Mch to xung rng ca Trong mc to xung rng ca thỡ cú thờm t C0 so vi trng hp mch to xung vuụng(Cựng vi s iu chnh cỏc in tr c xung rng ca p) 121 PH LC 2: MCH TO SểNG HèNH SIN, VUễNG - IC XR-2206 S nguyờn lý Bng lit kờ linh kin STT 10 11 12 Tờn linh kin P1 - 100K Potentiometer P2 - 50K Potentiometer P3 - 100K Potentiometer C1 - 100uF Audio Capacitor C7 - 10uF Audio Capacitor C2 - 100nF Capacitor C5 - 100nF C6 - 1nF Capacitor C4 - 150pF Capacitor C3 - 100uF Audio Capacitor R1 = 6.8k R2 = 1K Tờn Bin tr Bin tr Bin tr T húa T húa T gm T gm T gm T gm T húa in tr tớn hiu in tr tớn hiu 122 Ghi chỳ 13 14 15 R3 = 1K R4 = 6.8K R5 = 6.8K in tr tớn hiu in tr tớn hiu in tr tớn hiu Nguyờn lớ hot ng Mỏy phỏt xung hay c gi mỏy phỏt chc nng dựng phỏt nhng tớn hiu xung chun nh Since, Vuụng, Tam giỏc, rng caCỏc xung c iu chnh bi biờn , tn s, tr T tớn hiu xung chun ny ta cú th dựng kim tra, phõn tớch cỏc mch in, thit b o õy l mt mch s dng IC XR2206 tớch hp to xung vuụng, Since, tam giỏc Cú iu chnh, iu bin c bin v tn s ca xung u chun vi chớnh xỏc cao Mch giao tip vi linh kin bờn ngoi khỏ d dng v n gin Gii tn s cú th c iu chnh bi gii : 1) 1Hz-100Hz, (2) 100Hz-20KHz, (3) 20KHz-1MHz, (4) 150KHz-2MHz Tn s u c iu chnh bi P1, P2 Mch s dng XR2206 cú th kt ni n b m 60Mhz cho hin th tn s u trờn LCD 123 Biờn ca tớn hiu u c iu chnh bi P1 Gii tn s u c gt bi : SW1 Chn tớn hiu u c gt bi : SW2 S3 dựng chuyn i gia xung Since v Tam giỏc\ Sine Wave: Biờn : - 3V at 9V DC input mộo : Less than 1% (at 1kHz) phng : +0.05dB 1Hz - 100kHz Square Wave: (Xung vuụng) Biờn : 8V (Khụng ti ) at 9V DC input Thi gian sn lờn: Less than 50ns (at 1kHz) Thi gian sn xung : Less than 30ns (at 1kHz) S i xng : Less than 5% (at 1kHz) Tam giỏc Wave: Biờn : - 3V at 9V DC input tuyn tớnh : Less than 1% (up to 100kHz) Thụng s k thut : in ỏp cung cp : 9-18V DC Input Dng súng : Square, Sine & Triangle Tr khỏng : 600 + 10% Tn s : 1Hz - 2MHz vi gii 124 TI LIU THAM KHO [1] Xuõn Th (ch biờn), K thut in t, NXB Giỏo dc, 2006 [2] Nguyn Vit Nguyờn, Giỏo trỡnh linh kin in t v ng dng, NXB Giỏo dc, 2007 [3] Nguyn Trinh ng, Lờ Hi Sõm, Lng Ngc Hi, Nguyn Quc Cng, in t tng t, NXB Giỏo dc Vit Nam, 2011 [4] Nguyn Trinh ng, Lờ Hi Sõm, Lng Ngc Hi, Nguyn Quc Cng, in t tng t, NXB Giỏo dc Vit Nam, 2011 125 Mc lc PHN 1: LINH KIN BN DN Chng I LINH KIN IN T TH NG 1.1.1 Cu to 1.1.2 Ký hiu 1.1.3 c im 1.2 T in: Cu to, ký hiu, c im 10 1.2.1 Cu to 10 1.2.2 Ký hiu 12 1.2.3 c im 14 1.3 Cun dõy v b bin th: Cu to, ký hiu, c im 17 1.3.1 Cu to 17 1.3.2 Ký hiu 20 1.3.3 c im 21 CHNG II: LINH KIN IN T TCH CC 24 2.1 Bỏn dn P, N v mt ghộp P-N 24 2.1.1 Bỏn dn tinh khit 24 2.1.2 Bỏn dn loi P, N 31 2.1.3 Mt ghộp P - N v cỏc c tớnh in 32 2.2 Diode 34 2.2.1 Cu to v nguyờn lý lm vic ca diode 34 2.2.2 Cỏc loi Diode c bit 37 2.3 Transistor lng cc BJT (Bipolar Junction -Transistor) 40 2.3.1 Cu to, kớ hiu, cỏc tham s c bn 40 2.3.2 Cỏc cỏch mc BJT mch khuch i 43 2.3.3 c tuyn Von Ampe 43 2.3.4 Nguyờn lý xõy dng tng khuch i dựng BJTMch nhung emit (EC) 44 2.4 Transistor trng (FET) 50 2.4.1 c im chung 50 2.4.2 JFET (Junction Field Effect Transistor) 50 2.4.3 MOSFET (Metal Oxide SemiConductor) 53 2.5 Phn t nhiu mt ghộp P N 58 2.5.1 Tiristor (Silicon Controlled Rectifier) 58 2.5.2 Tric 61 2.5.3 Diac 62 CHNG 3: CC B KHUCH I THUT TON 64 3.1 Khỏi nim chung 64 3.2 Cỏc c tớnh k thut ca OA 64 3.3 Cỏc mch khuch i thut toỏn thụng dng 65 3.3.1 Mch cng 65 3.3.2 Mch tr 67 3.3.4 Mch vi phõn 69 3.3.5 Mch khuch i phi tuyn 70 CHNG IV: CC MCH IN T TNG T C BN 72 4.1 Khỏi nim chung 72 IC mng (film IC): 74 IC n tớnh th (Monolithic IC): 74 IC lai (hibrid IC) 75 4.2 Mch ngun cung cp 76 4.2.2 Cỏc mch n ỏp ngun 76 4.3 Cỏc mch to xung 79 126 4.3.1 Ch khoỏ ca transistor 79 4.3.2 Ch khúa ca b KTT 83 4.3.3 Ma ch ta o xung vuong 84 4.3.4 Mch to xung tam giỏc 86 CHNG: V C S KY THU T SO 91 5.1 Ca c kha i niờ m c ba n 91 5.1.1 Khỏi nim tớn hiu s 91 5.1.2 Trng thỏi nh phõn v mc logic 92 5.1.3 Khỏi nim bớt, byte, word, 93 5.1.4 Cỏc phộp tớnh s hc h m nh phõn 94 5.1.5 Cỏc loi mó 97 5.2 a i so logic 100 5.2.1 Cỏc tớnh cht, nh lut c bn ca i s logic 100 5.2.2 Cỏc hm logic c bn 102 5.3 Thiờ t kờ ma ch so 106 5.3.1 Cỏc phng phỏp biu din hm logic 106 5.3.3 Thiet ke ma ch logic 117 PH LC 1: MCH TO XUNG VUễNG, RNG C DNG TRNSISTOR 118 PH LC 2: MCH TO SểNG HèNH SIN, VUễNG - IC XR-2206 122 TI LIU THAM KHO 125 127 ... đa điện tử) , phụ tầng p (tối đa điện tử) , phụ tầng d (tối đa 10 điện tử) phụ tầng f (tối đa 14 điện tử) Như vậy: Tầng K có tối đa điện tử Tầng L có tối đa điện tử Tầng M có tối đa 18 điện tử. .. tối đa điện tử Tầng L (n=2) có phụ tầng s có tối đa điện tử phụ tầng p có tối đa điện tử Tầng M (n=3) có phụ tầng s (tối đa điện tử) , phụ tầng p (tối đa điện tử) phụ tầng d (tối đa 10 điện tử) Tầng... có số điện môi khác nhau, có độ dày khác ảnh hưởng trực tiếp đền chất lượng đặc tinh tụ điện Tính chất tụ điện Điện dung : Là đại lượng nói lên khả tích điện hai cực tụ điện, điện dung tụ điện