Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 40 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
40
Dung lượng
2,56 MB
Nội dung
TRUỜNG ÐẠI HỌC SƢ PHẠM HÀ NỘI KHOA VẬT LÝ VŨ ĐÀO XUÂN ẢNH HƢỞNG CỦAPHATẠPSiVÀỦNHIỆTLÊNCẤUTRÚCVÀTÍNHCHẤTTỪCỦAHỢPKIMTỪCỨNGNỀN Co-Zr-B KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP ÐẠI HỌC HÀ NỘI, 2017 TRUỜNG ÐẠI HỌC SƢ PHẠM HÀ NỘI KHOA VẬT LÝ VŨ ĐÀO XUÂN ẢNH HƢỞNG CỦAPHATẠPSiVÀỦNHIỆTLÊNCẤUTRÚCVÀTÍNHCHẤTTỪCỦAHỢPKIMTỪCỨNGNỀN Co-Zr-B Chuyên ngành: Vật lý chất rắn KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP ÐẠI HỌC Người hướng dẫn khoa học: ThS Nguyễn Văn Dương HÀ NỘI, 2017 LỜI CẢM ƠN Tôi xin gửi lời cảm ơn sâu sắc tới thầy giáo ThS Nguyễn Văn Dương giúp đỡ, bảo tận tình suốt trình thực khóa luận Tôi xin chân thành cảm ơn tới PGS.TS Nguyễn Huy Dân NCS Ngyễn Mẫu Lâm tạo điều kiện thuận lợi trang thiết bị giúp đỡ trình làm thực nghiệm hoàn thành khóa luận Tôi xin chân thành cảm ơn sâu sắc đến thầy, cô giáo khoa Vật lý Trường Đại học Sư phạm Hà Nội trang bị cho kiến thức cần thiết để thực khóa luận Tuy nhiên, bước đầu làm quen với việc nghiên cứu khoa học nên đề tài không tránh khỏi thiếu sót Vì vậy, mong góp ý quý thầy, cô giáo bạn sinh viên để khóa luận hoàn thiện Tôi xin chân thành cảm ơn! Hà Nội, tháng 04 năm 2017 Sinh viên Vũ Đào Xuân LỜI CAM ĐOAN Khóa luận tốt nghiệp: “Ảnh hưởngphatạpSiủnhiệtlêncấutrúctínhchấttừhợpkimtừcứng Co-Zr-B” kết nghiên cứu riêng hướng dẫn thầy giáo ThS Nguyễn Văn Dương Khóa luận không trùng với kết tác giả khác Tôi xin cam đoan điều thật, sai xin hoàn toàn chịu trách nhiệm Hà Nội, tháng 04 năm 2017 Sinh viên Vũ Đào Xuân MỤC LỤC Trang LỜI CẢM ƠN LỜI CAM ĐOAN MỞ ÐẦU 1 Lý chọn đề tài Mục đích nghiên cứu Đối tƣợng phạm vi nghiên cứu Nhiệm vụ nghiên cứu Phƣơng pháp nghiên cứu Đóng góp luận văn Cấutrúc luận văn NỘI DUNG CHƢƠNG TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU TỪCỨNGNỀN CoZr-B 1.1 Cấutrúctínhchấttừ số hệ hợpkim Co-Zr-B chƣa phatạp 1.1.1 Hệ hợpkim Co72Zr8B20 1.1.2 Hệ hợpkim Co80Zr20-xBx (x = - 4) 1.2 Cấutrúctínhchấttừ số hệ hợpkim Co-Zr-B cóphatạp 1.2.1 Hệ hợpkim Co80Zr18-xMxB2 (x = - 2) M = C, Cu, Ga, Al Si 1.2.2 Hệ hợpkim Co86,5Hf11,5-xZrxB2 (x = 0, 1, 2, 5) 12 1.2.3 Hệ hợpkim Co80Zr18-xTixB2 (x = - 4) 14 1.2.4 Hệ hợpkim Co80-xZr18CrxB2 (x = 0, 2, 4) 17 CHƢƠNG KỸ THUẬT THỰC NGHIỆM 22 2.1 Chế tạo mẫu hợp im Co-Zr-Si-B 22 2.1.1 Chế tạo hợpkim khối Co-Zr-Si-B lò hồ quang 22 2.1.2 Chế tạo băng hợpkim phương pháp phun băng nguội nhanh 23 2.2 Các phép đo nghiên cứu cấutrúctínhchấttừ 24 2.2.1 Nhiễu xạ tia X 24 2.2.2 Xử lý nhiệt 25 2.2.3 Phép đo từ trễ 25 CHƢƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 27 3.1 Ảnh hƣởng phatạpSilêncấutrúctínhchấttừ băng hợpkim Co77 Zr20-xSixB3 (x = 0, 2, 4) trƣớc ủnhiệt 27 3.2 Ảnh hƣởng phatạpSiủnhiệtlêncấutrúctínhchấttừ băng hợpkim Co77 Zr20-xSixB3 (x = 0, 2, 4) 28 KẾT LUẬN 32 TÀI LIỆU THAM KHẢO 33 MỞ ĐẦU Lý chọn đề tài Vật liệu từcứng (VLTC) tìm thấy từ lâu Trước công nguyên, người Trung Quốc biết dùng viên đá nam châm thiết bị la bàn Nhưng phải đến kỷ XX, thép bon thép hợpkim Volfram tìm thay nam châm tự nhiên trở thành vật liệu từcứng Ngày nay, nam châm vĩnh cửu, sản phẩm ứng dụng VLTC, sử dụng rộng rãi lĩnh vực sống: (i) thiết bị dân dụng hàng ngày động điện, máy phát điện cỡ nhỏ, khoá cửa, cửatủ v.v thiết bị đại nhà máy động điện, máy phát điện cỡ lớn…; (ii) lĩnh vực kỹ thuật cao tự động hoá, công nghệ thông tin, máy cộng hưởng từ; (iii) đặc biệt thiết bị điện tử đại máy tính, máy ghi âm, ghi hình v.v Vật liệu từcứng nhân tạo có (BH)max ~ MGOe chế tạo năm 1920 Từhướng nghiên cứu tập trung vào việc nâng cao biện pháp công nghệ thay đổi hợp phần để tìm kiếm vật liệu có (BH) max cao phát triển Năm 1988 Coehoorn cộng [21] phòng thí nghiệm Philip Research (Hà Lan) phát minh loại vật liệu Nd-Fe-B cótừ dư Br = 1,0 T, Hc = 280 kA/m, (BH)max ~ 12,4 MGOe Kể từ vật liệu Nd-Fe-B dạng tổ hợp đặc biệt ý nghiên cứu với phòng thí nghiệm giới Nhiều công trình nghiên cứu vi cấu trúc, thành phần hợp phần, công nghệ chế tạo, v.v đối tượng vật liệu công bố có bước tiến vượt bậc thương mại mở rộng phạm vi ứng dụng [4, 7, 20, 25] Mặc dù, hợpkim chứa đất hiểm (RE) nghiên cứu rộng rãi cho việc phát triển nam châm vĩnh cửu tínhchấttừ nội tốt chúng [2, 3], [7, 9, 11], [13 - 16], [17, 26] Nhưng nay, tínhchấttừ nam châm Nd-Fe-B cải thiện đến mức gần giới hạn lý thuyết chúng Bên cạnh đó, nhu cầu nam châm đất thực tế tăng cách nhanh chóng dẫn đến thiếu hụt tăng giá nguyên tố đất [9] Do đó, vấn đề quan trọng, cần thiết đặt phải khám phá loại vật liệu từcứng mà không chứa đất (RE-free) đồng thời cải thiện điều kiện công nghệ từ ứng dụng công nghiệp Trong năm gần đây, số nhà khoa học nghiên cứu hệ vật liệu không chứa đất Co-Zr, Co-Zr-B Bằng việc thay nguyên tố khác như: Si, Cr, Ti, Al, C, Cu, Mo, Hf,… cải thiện điều kiện công nghệ: nhiệt độ ủ, thời gian ủ, thời gian nghiền, vận tốc phun,… thu kết đáng kể tínhchấttừcứng chúng Chính vậy, lựa chọn đề tài nghiên cứu “Ảnh hưởngphatạpSiủnhiệtlêncấutrúctínhchấttừhợpkimtừcứng Co-Zr-B’’ Mục đích nghiên cứu - Nghiên cứu cấutrúctínhchấttừhợpkimtừcứng Co-ZrB Đối tƣợng phạm vi nghiên cứu - Vật liệu từcứng Co-Zr-B phatạpSi - Nghiên cứu cấutrúctínhchấttừ Nhiệm vụ nghiên cứu - Chế tạo hợpkim Co-Zr-Si-B lò hồ quang - Phun băng hợpkim Co-Zr-Si-B hệ phun băng nguội nhanh - Đo tínhchất vật lý hệ mẫu chế tạo - Nghiên cứu cấutrúctínhchấttừhợpkim chế tạo Phƣơng pháp nghiên cứu - Các mẫu nghiên cứu chế tạo phương pháp nguội nhanh - Cấutrúc vật liệu phân tích phương pháp nhiễu xạ tia X - Tínhchấttừ nghiên cứu phép đo từ độ Đóng góp luận văn Hoàn thành việc nghiên cứu ảnhhưởngphatạpSiủnhiệtlêncấutrúctínhchấttừhợpkimtừcứng Co-Zr-B sở cho việc chế tạo vật liệu từcứngcó lực kháng từ cao mà không chứa đất Cấutrúc luận văn Ngoài phần mở đầu kết luân, luận văn trình bày chương: Chương Tổng quan vật liệu từcứng Co- Zr-B Chương Kỹ thuật thực nghiệm Chương Kết thảo luận NỘI DUNG CHƢƠNG TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU TỪCỨNGNỀN Co-Zr-B 1.1 Cấutrúctínhchấttừ số hệ hợpkim Co-Zr-B chƣa phatạp 1.1.1 Hệ hợpkim Co72Zr8B20 Ảnhhưởngủnhiệtlêntínhchấttừhợpkim Co72Zr8B20 Zhang cộng nghiên cứu [18] Phổ nhiễu xạ tia X mẫu băng hợpkim Co72Zr8B20 chưa ủủnhiệt độ khác thời gian 10 phút thể hình 1.1 Hình 1.1a cho thấy đỉnh nhiễu xạ rộng, điều mẫu băng hợpkim Co72Zr8B20 chưa ủ trạng thái vô định hình Sau băng hợpkim Co72Zr8B20 ủ 495oC, mẫu băng pha kết tinh (hình 1.1b) Khi nhiệt độ ủ (Ta) đạt 540oC, đỉnh nhiễu xạ cao, rõ ràng đại diện cho số phatinh thể xuất (hình 1.1c) Sau mẫu ủ 630oC, phatinh thể Co, Zr B12Zr hình thành (hình 1.1d) Hình 1.2 đường cong từ trễ mẫu băng Co72Zr8B20 chưa ủủ 495oC, 540oC 630oC 10 phút Như thấy từ hình 1.2, mẫu băng chưa ủ thể tínhtừ mềm Sau mẫu ủ 495oC 540oC đường cong từ trễ thay đổi chút ít, mômen từ bắt đầu đổi chiều Sau mẫu băng Co72Zr8B20 ủ 630oC 10 phút, hình dạng đường Hình 1.1 Phổ XRD mẫu băng Co72Zr8B20 chưa ủ (a), ủ 495oC (b), 540oC (c), 630oC (d) 10 phút [18] cong từ trễ thay đổi mạnh Lực kháng từ mẫu băng tăng lên nhiều kết tinh mẫu Hình 1.28 cho thấy ảnh hiển vi điện tử quét SEM mẫu với x = Mẫu băng bao gồm hạt với kích thước trung bình khoảng 300 - 350 nm Khi nhiệt độ tăng hạt trở nên lớn kích thước trung bình chúng từ đến 1,5 m Hình 1.28 Ảnh SEM mẫu băng Co77Zr18Cr3B2 chưa ủủ 550 700oC [27] Hình 1.29 đường cong từ trễ mẫu băng với x = (a) chưa ủ so sánh với mẫu ủ 550oC (b) 700oC (c) Đường cong từ trễ mẫu băng trơn biểu thị đặc tính trạng thái phatừcứng Với mẫu ủ 550oC cho giá trị lực kháng từ cao Hình 1.29 Đường cong từ trễ mẫu băng Co77Zr18Cr3B2 chưa ủ (a) ủ 550oC (b) 700oC (c) [27] 20 Hình 1.30 cho thấy phổ nhiễu xạ tia X mẫu băng Co80xZr18CrxB2 (x = 0, 2, 4) với (a) x = ủ 600oC, (b) x = ủ 600oCvà (c) x = ủ 650oC Với x = 0, mẫu chủ yếu bao gồm phatừcứng Co11Zr2 số phatừ mềm fcc-Co Co23Zr6 Trong trường hợp mẫu băng chứa Cr, hai mẫu bao gồm phatừcứng Co11Zr2, hoàn toàn giống Hình 1.30 Phổ XRD mẫu băng (a) x = ủ 550oC, (b) x = ủ 600oC (c) x = ủ 700oC[27] với thành phần pha mẫu băng với x = ủ 550oC Lực kháng từ mẫu với x = bắt nguồn từ kích thước hạt phù hợp Co11Zr2 Do đó, hai mẫu chứa Cr, việc xử lí nhiệt phù hợp dẫn đến kích thước hạt tăng kích thước giới hạn dẫn đến lực kháng từ cao 21 CHƢƠNG KỸ THUẬT THỰC NGHIỆM 2.1 Chế tạo mẫu hợp im Co-Zr-Si-B 2.1.1 Chế tạo hợpkim khối Co-Zr-Si-B lò hồ quang Hợpkim chế tạo từ nguyên tố Co, Zr, Si, B với độ cao Các nguyên tố sau cân hợp phần theo nồng độ phần trăm nguyên tử nấu lò hồ quang môi trường khí Ar Mỗi mẫu nấu khoảng 5-6 lần để đảm bảo nguyên tố nóng chảy hoàn toàn hòa trộn với thành hợpkim đồng Sơ đồ khối lò hồ quang minh họa hình 2.1 Hình 2.1 Sơ đồ khối hệ nấu mẫu hồ quang Khối lượng mẫu 20 g, tùy theo mục đích nghiên cứu Để chắn hợp phần không bị bay nhiều trình nấu, hợpkim sau nấu cân lại Toàn trình chế tạo tiền hợpkim thực khí trơ Ar để tránh oxy hoá Mẫu sau nấu hồ quang để nguội theo lò lấy Lúc này, hợpkim dùng để tạo mẫu băng phương pháp phun băng Hình 2.2 hình ảnh toàn hệ nấu mẫu hồ quang mà sử dụng Thiết bị đặt Viện Khoa học Vật liệu, Viện Khoa học Công nghệ Việt Nam 22 Hình 2.2 a) Ảnh hệ nấu hợpkim hồ quang: (1) Bơm hút chân không, (2) Buồng nấu mẫu, (3) Tủ điều khiển, (4) Bình khí Ar, (5) Nguồn điện, b) Ảnh bên buồng nấu: (6) Điện cực, (7) Nồi nấu, (8) Cần lật mẫu 2.1.2 Chế tạo băng hợpkim phương pháp nguội nhanh Sơ đồ khối công nghệ nguội nhanh mô tả hình 2.3 Trong luận văn này, băng nguội nhanh tạo thiết bị ZKG-1 (hình 2.4) đặt Viện Khoa học Vật liệu, Viện Khoa học Công nghệ Việt Nam Vận tốc dài trống quay 40 m/s Khối lượng hợpkim lần phun 20 g Mức chân không trạng thái làm việc cỡ 6,6.10-2 Pa Trước phun băng, buồng tạo băng phải vệ sinh Tiền hợpkim đánh xỉ trước cho vào ống thạch anh Đặt tiền hợpkim vào ống thạch anhcó đường kính đầu vòi khoảng 0,5 mm đặt gần sát bề mặt trống đồng Hợpkim làm nóng chảy dòng cảm ứng cao tần Hợpkim sau nóng chảy nén áp lực dòng khí trơ Ar chảy qua khe vòi, phun lên mặt trống đồng quay Với tốc độ quay trống 40 m/s, thu băng nguội nhanh có độ dày khoảng 20 m, chiều rộng cỡ 2-3 mm 23 Hình 2.3 Sơ đồ khối hệ phun băng nguội nhanh đơn trục a) b) Hình (a) 2.4 a) Thiết bị phun băng nguội (b) nhanh: Bơm hút chân không, Buồng mẫu, Nguồn phát cao tần b) Bên buồng tạo băng: Trống quay, Vòng cao tần, Ống thạch anh 2.2 Các phép đo nghiên cứu cấutrúctínhchấttừ 2.2.1 Nhiễu xạ tia X Nhiễu xạ tia X (XRD – X-ray Diffraction) phương pháp hiệu sử dụng rộng rãi nghiên cứu cấutrúctinh thể vật liệu Nguyên lý phương pháp dựa việc phân tích ảnh nhiễu xạ thu tia X sau tương tác với mẫu Nhiễu xạ mẫu 24 thể đặc trưng tinh thể mẫu Qua giản đồ nhiễu xạ tia X ta xác định đặc tínhcấutrúc mạng tinh thể kiểu mạng, thành phần phatinh thể, độ kết tinh, số cấutrúc Các phép đo phân tích nhiễu xạ tia X thực thiết bị Khoa Vật lý, trường Đại học Khoa học Tự nhiên Hà Nội Hình 2.5 Thiết bị Siemen D-5000 2.2.2 Xử lý nhiệt Quá trình ủnhiệt thực lò ủnhiệt dạng ống Thermolyne (hình 2.6) điều khiển nhiệt độ tự động, tốc độ gia nhiệt tối đa đạt 50oC/phút Trong thí nghiệm, sử dụng phương pháp ủ ngắt Mẫu đưa vào vùng nhiệt độ khảo sát theo yêu cầuủ thời gian mong muốn, sau lấy Hình 2.6 Ảnh thiết bị ủnhiệt [6] làm nguội nhanh để tránh tạo pha khác nhiệt độ trung gian 2.2.3 Phép đo từ trễ Các phép đo từ trễ thực hệ đo từ trường xung với từ trường cực đại lên đến 90 kOe 25 Hình 2.7 Sơ đồ nguyên lý hệ đo từ trường xung [15] Hình 2.8 Hệ đo từ trường xung [6] Hệ thiết kế theo nguyên tắc nạp - phóng điện qua tụ điện cuộn dây (hình 2.7) Dòng chiều qua K1, nạp điện cho tụ, tụ tích lượng cỡ vài chục kJ Khoá K2 đóng, dòng điện hình sin tắt dần Dòng điện thời gian tồn ngắn phóng điện qua cuộn dây nam châm L tạo lòng ống dây từ trường xung cao Mẫu đo đặt tâm cuộn nam châm với hệ cuộn dây cảm biến pick - up Tín hiệu lối tỷ lệ với vi phân từ độ vi phân từ trường thu thập, xử lí lưu trữ cho mục đích cụ thể Từ trường lòng ống dây sử dụng để nạp từ cho mẫu vật liệu dùng nửa chu kì hình sin dòng điện phóng Từ trường lớn hệ đạt tới 100 kOe Hệ điều khiển đo đạc kĩ thuật điện tử ghép nối với máy tính Để tránh hiệu ứng trường khử từ, mẫu đặt cho từ trường song song dọc theo chiều dài mẫu, mẫu khối cắt theo dạng hình trụ Các mẫu đo gắn chặt vào bình mẫu để tránh dao động mẫu trình đo 26 CHƢƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 3.1 Ảnh hƣởng phatạpSilêncấutrúctínhchấttừ băng hợpkim Co77 Zr20-xSixB3 (x = 0, 2, 4) trƣớc ủnhiệt Hình 3.1 cho thấy phổ nhiễu xạ tia X mẫu băng Co77Zr20-xSixB3 (x = 0, 2, 4) trước ủnhiệt Chúng ta thấy tất mẫu băng xuất phatinh thể Các phatinh thể hai phatừ mềm fcc-Co Co23Zr6 phatừcứng Co5Zr Tuy nhiên số đỉnh nhiễu xạ có cường độ nhiễu xạ nhỏ, điều cho thấy băng chưa kết tinh hoàn toàn 100 x=2 50 x=3 x=4 20 30 40 50 deg Co o CoZr 23 + CoZr 60 x=0 150 Intensity (a.u) 200 70 Hình 3.1 Phổ nhiễu xạ tia X băng Co77Zr20-xSixB3 (x = 0, 2, 4) trước ủ Hình 3.2 đường cong từ trễ mẫu băng Co77Zr20-xSixB3 (x = 0, 2, 4) trước ủnhiệt Hình chèn bên hình phụ thuộc lực kháng từ vào nồng độ Si băng hợpkimCó thể thấy lực kháng từ tăng từ 3,26 đến 3,95 kOe nồng độ Si tăng từ đến 2% Tuy nhiên, nồng độ Si tăng (tăng lên 4%) lực kháng từ băng hợpkim lại giảm mạnh xuống 2,1 kOe Điều giải thích 27 đỉnh nhiễu xạ phatừcứng Co5Zr tăng băng với nồng độ Si tăng từ đến 2% sau giảm với tăng nồng độ Silên 4% -2 H (kOe) 4M (kG) x=0 x=2 x=3 x=4 c -4 3.5 -6 -8 -10 2.5 -5 0 x (at%) 10 H (kOe) Hình 3.2 Đường cong từ trễ mẫu băng Co77Zr20-xSixB3 (x = 0, 2, 4) trước ủnhiệt 3.2 Ảnh hƣởng phatạpSiủnhiệtlêncấutrúctínhchấttừ băng hợpkim Co77 Zr20-xSi xB3 (x = 0, 2, 4) Để cải thiện tínhchấttừ băng hợpkim nghiên cứu ảnhhưởng trình ủ nhiệt, tiến hành ủ băng hợpkimnhiệt độ khác từ 600 đến 750oC thời gian 10 phút Hình 3.3 cho thấy đường cong từ trễ mẫu băng Co77Zr20-xSixB3 (x = 0, 2, 4) ủnhiệt độ khác 600, 650, 700 750oC Các kết cho thấy lực kháng từ phụ thuộc mạnh vào nồng độ Sinhiệt độ ủ Với nhiệt độ ủ, lực kháng từ tăng sau giảm với tăng nồng độ Silên 4% 28 8 6 4M (kG) 4M (kG) x=0 x=2 x=3 x=4 -2 -4 (a) o T = 600 C -6 -8 -10 a -5 H (kOe) -2 -4 (b) -6 T = 650 C -5 H (kOe) 10 x=0 x=2 x=3 x=2 x=3 x=4 4M (kG) 4M (kG) o a x=4 -2 -4 (c) o T = 700 C -6 -10 x=3 x=4 x=0 -8 x=2 -8 -10 10 x=0 a -5 -2 -4 (d) -6 T = 750 C -8 -10 10 H (kOe) o a -5 H (kOe) 10 Hình 3.3 Đường cong từ trễ mẫu băng Co77Zr20-xSixB3 (x = 0, 2, 4) ủnhiệt độ khác (a) 600, (b) 650, (c) 700, (d) 750 oC 10 phút Hình 3.4 phụ thuộc lực kháng từ vào nhiệt độ ủ với nồng độ Si khác từ đến 4% Lực kháng từ cao 4,5 kOe thu cho mẫu băng với phatạp 3% Siủ 650oC thời gian 10 phút Sự tăng cường lực kháng từ giải thích tăng cường tương tác cặp kích thước hạt tối ưu [12] Tuy nhiên, nhiệt độ ủ cao kích thước hạt tăng lên đáng kể khác xa với kích thước hạt tối ưu nêntínhchấttừ lại giảm 29 4.5 x=0 x=2 x=3 x=4 c H (kOe) 3.5 2.5 1.5 600 650 o 700 T ( C) 750 a Hình 3.4 Sự phụ thuôc lực kháng từ Hc vào nhiệt độ ủ băng Co77Zr20-xSixB3 (x = 0, 2, 4) ủnhiệt độ khác 10 phút Hình 3.5 phổ nhiễu xạ tia X băng Co77Zr20-xSixB3 (x = 0, 2, 4) ủnhiệt độ 650oC 10 phút Có thể thấy phổ nhiễu xạ tia X băng với nồng độ Si 0, 4% tương tự với phổ nhiễu xạ tia X chúng lúc trước ủ Trong cường độ đỉnh nhiễu xạ mẫu băng với nồng độ Si 3% lại tăng mạnh Kết phủ hợp tốt với tínhchấttừ thu 35 40 Co 45 50 55 deg 60 30 x=0 x=2 50 x=3 100 intensity (a.u) 150 CoZr 23 C r 200 x = 250 65 70 Hình 3.5 Phổ nhiễu xạ tia X mẫu băng Co77Zr20-xSixB3 (x = 0, 2, 4) ủnhiệt độ 650oC 10 phút 30 Bảng 3.1 Tínhchấttừ băng Co77Zr20-xSixB3 (x = 0, 2, 4) ủnhiệt độ 650oC 10 phút x Ms (emu/g) 74 77 73 74 Br (kG) 4.10 4.36 4.26 4.33 Hc (kOe) 3.03 3.34 4.5 3.07 (BH) max (MGOe) 2.99 3.28 3.53 3.44 Tínhchấttừ băng Co77Zr20-xSixB3 (x = 0, 2, 4) ủnhiệt độ 650oC 10 phút thể bảng 3.1 Cụ thể, thay nhỏ Si cho Zr cải thiện đáng kể tínhchấttừ băng hợpkim Đặc biệt, lực kháng từ Hc tích lượng cực đại (BH)max tăng tương ứng 48,5% 54% Kết thu so sánh với kết Chang cộng [12], Hc = 4.5 kOe (tăng 40%), and (BH) max = 5.3 MGOe (tăng 30%) thu với băng hợpkim Co80Zr17Si1B2 31 KẾT LUẬN Trong trình học tập làm khóa luận tốt nghiệp này, thu số kết sau: - Biết cách tiến hành nghiên cứu khoa học - Đã tìm hiểu số quy trình công nghệ chế tạo vật liệu từ cứng: nấu hồ quang, phun băng nguội nhanh, ủ nhiệt,… - Đã chế tạo khảo sát ảnhhưởngphatạpSiủnhiệtlêncấutrúctínhchấttừ băng hợpkim Co77Zr20-xSi xB3 (x = 0, 2, 4) Cấutrúc băng hợpkim Co77Zr20-xSixB3 (x = 0, 2, 4) gồm phatừ mềm fcc-Co Co23Zr6 phatừcứng Co5Zr Lực kháng từ tích lượng (BH)max lớn tương ứng 4,5 kOe 3,53 MGOe thu với băng hợpkimpha 3% Si thay cho Zr 32 TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] A.M Gabai, N.N Schegolewa, V.S Gaviko, G.V Ivanova, Phys Met Metall 95, 122–128 (2003) [2] C.C Hsieh, C.W Shih, Z Liu, W.C Chang, H.W Chang, A.C Sun, J Appl Phys 111, 07E306 (2012) [3] C.H George, J.M.M.M 200, 373 (1999) [4] D.C Jiles, J Acta Materialia 51, 5907-5939 (2003) [5] D.J Branagan, M.J Kramer, R.W McCallum, J Alloys Compd 244, 27 (1996) [6] Đoàn Minh Thủy, Nghiên cứu công nghệ chế tạo nam châm kết dính nguội nhanh Nd-Fe-B, Luận án tiến sĩ khoa học Vật liệu, Hà Nội, 2006 [7] E.F Kneller, R Hawig, IEEE Transactions on Magnetics 27, 3588 (1991) [8] G.V Ivanova, N.N Shchegoleva, A.M Gabay, J Alloys Comp 432, 135–141 (2007) [9] H Kronmuller, S Parkin, John Wiley & Sons Ltd, 1943 (2007) [10] H.H Stadelmaier, T.S Jang, E.Th Henig, Mater Lett 12, 295–300 (1991) [11] H.W Chang, C.C Hsieh, J.Y Gan, Y.T Cheng, M.F Shih, W.C Chang, Journal of Physics D: Applied Physics 44, 064002 (2011) [12] H.W Chang, C.F Tsai, C.C Hsieh, C.W Shih, W.C Chang, C.C Shaw, J.M.M.M 346, 74-77 (2013) [13] H.W Chang, C.H Chiu, W.C Chang, Appl Phys Lett 82, 4513 (2003) [14] H.W Chang, Y.H Lin, C.W Shih, W.C Chang, C.C Shaw, J Appl Phys 115, 17A724 (2014) 33 [15] Hellstern E., Fecht H J, Garland C., Johnson WL In: McCandlish L E,Polk D E., Siegel R.W, Kear B.H, editors Multicompoment ultrafine microstructures, vol 132 Pittsburgh, PA: Mater Res Soc,1989 P 137-142 [16] J Bauer, M Seeger, A Zern, H Kronmüller, J Appl Phys 80, 1667 (1996) [17] J.F Herbst, Reviews of Modern Physics 63, 819 (1991) [18] K Zhang, D.W Zhou, B Han, Z Lv, X.C Xun, X.B Du, Y.Q Liu, B Yao, T Zhang, B.H Li, D Wang, J Alloys Compd 464, 28-32 (2008) [19] K.H.J Buschow, J.H Wernick, G.Y Chin, J Less Common Met 59, 61 (1978) [20] M.E McHenry, D.E Laughlin, Acta Materialia 48, 223-238 (2000) [21] R Coehoorn, D B Mooij, J.P.W.B Duchateau and K H J Buchow, Journal de physique 49, 669-670 (1988) [22] S.F Cheng, W.E Wallace, B.G Demczyk, Pittsburgh, PA, October 1990, Carnegie-Mellon University, Pittsburgh, PA, 477–487 (1991) [23] T Saito and M Itakura, J Alloys Compd 572, 124-128 (2013) [24] T Saito, Appl Phys Lett 82, 2305–2307 (2003) [25] W Zhang, S Zhang, A Yan, H Zhang, B Shen, J.M.M.M 225, 389393 (2001) [26] W.C Chang, D.Y Chiou, S.H Wu, B.M Ma, C.O Bounds, Appl Phys Lett 72, 121 (1998) [27] Z Hou, H Li, W Wang, J Alloys Compd 593, 1-6 (2014) [28] Z Hou, S Xu, J Zhang, C Wu, D Liu, F Su, W Wang, J Alloys Compd 555, 28-32 (2013) 34 ... QUAN VỀ VẬT LIỆU TỪ CỨNG NỀN Co- Zr- B 1.1 Cấu trúc tính chất từ số hệ hợp kim Co- Zr- B chƣa pha tạp 1.1.1 Hệ hợp kim Co7 2Zr8 B2 0 Ảnh hưởng ủ nhiệt lên tính chất từ hợp kim Co7 2Zr8 B2 0 Zhang cộng nghiên... đề tài nghiên cứu Ảnh hưởng pha tạp Si ủ nhiệt lên cấu trúc tính chất từ hợp kim từ cứng Co- Zr- B ’ Mục đích nghiên cứu - Nghiên cứu cấu trúc tính chất từ hợp kim từ cứng Co- ZrB Đối tƣợng phạm... lên cấu trúc tính chất từ b ng hợp kim Co7 7 Zr2 0-xSixB3 (x = 0, 2, 4) trƣớc ủ nhiệt 27 3.2 Ảnh hƣởng pha tạp Si ủ nhiệt lên cấu trúc tính chất từ b ng hợp kim Co7 7 Zr2 0-xSixB3 (x =