Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 24 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
24
Dung lượng
1,13 MB
Nội dung
BỘ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THÔNG NGUYỄN ĐẮC HẢI IT NGHIÊNCỨUCẢMBIẾNCHẤTLỎNGKIỂUTỤĐIỆNCHOỨNGDỤNGCẢMNHẬNTHAYĐỔIMÔITRƯỜNGTRONGKÊNHDẪN PT CHUYÊN NGÀNH : KỸ THUẬT ĐIỆNTỬ MÃ SỐ: 62.52.02.03 TÓM TẮT LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT HÀ NỘI - 2017 Công trình hoàn thành tại: Học viện Công Nghệ Bưu Chính Viễn Thông Người hướng dẫn khoa học: IT PGS TS Chử Đức Trình TS Nguyễn Ngọc Minh Phản biện 1: GS.TS Nguyễn Đức Thuận Phản biện 2: GS.TS Bạch Gia Dương PT Phản biện 3: PGS.TS Phạm Ngọc Thắng Luận án bảo vệ trước Hội đồng chấm luận án tại: Học viện Công Nghệ Bưu Chính Viễn Thông Vào lúc: 30’ ngày 26 tháng 12 năm 2016 Có thể tìm hiểu luận án tại: Thư viện Quốc gia Thư viện Học viện Công Nghệ Bưu Chính Viễn Thông MỞ ĐẦU PT IT Lý chọn đề tài: Các hệ thống kênhdẫnchấtlỏng ngày ứngdụng nhiều thực tế công nghiệp, nông nghiệp, y tế khai khoáng Việc cảmnhận phát tạp chất xuất kênhdẫn có chiến lược loại bỏ tạp chất có yêu cầu thực tiễn xã hội Dầu thô hút trực tiếp từ mỏ dầu thường bao gồm thành phần đầu thô, nước muối biển, bùn đất Việc cảmbiến phân tích thành phần dầu thô quan trọng hệ thống khai thác thực tế Hệ thống tuần hoàn thể động vật đóng vai trò hệ thống giao thông vận chuyển tế bào máu, chất dinh dưỡng, không khí đến phận thể sống Giám sát trình vận hành hệ thống mạch máu thể sống thông qua cảm nhận, phát hiện, đếm bắt tế bào sống đóng vai trò quan trọng hệ thống xét nghiệm y sinh học Các hệ thống ứngdụng để phát trường hợp bệnh hẹp động mạch mỡ máu, tắc mạch máu máu đông hệ thống phân tích tế bào Để cảmnhậnthayđổimôitrườngkênh dẫn, nhiều nhóm nghiêncứu sử dụng nhiều loại cảmbiến khác siêu âm, quang điện, tự cảm, điện dung, Cảmbiếnkiểutụđiện có cấu tạo đơn giản, hoạt động nhiều môitrường khác môitrường khắc nghiệt nhiệt độ cao, độ ẩm cao thể sống Cảmbiếnkiểutụđiện chuyển đổithayđổi vị trí, khoảng cách, hay chấtđiệnmôi thành tín hiệu điệndungCảmbiếnkiểutụđiện phát thayđổi ba thông số tụđiện khoảng cách, diện tích điện cực hay số điệnmôiNghiên cứu, thiết kế, chế tạo ứngdụngcảmbiếnkênhchấtlỏng dựa cảmbiếnkiểutụđiện để cảmnhậnthayđổimôitrườngkênhdẫnchất lỏng, đo thể tích, vận tốc đặc tính chấtlỏng định nghiêncứu có tính thực tiễn khoa học Đây lý chọn đề tài cho luận án tiến sĩ là: “Nghiên cứucảmbiếnchấtlỏngkiểutụđiệnchoứngdụngcảmnhậnthayđổimôitrườngkênh dẫn” Mục đích nghiên cứu: Luận án nghiên cứu, thiết kế chế tạo cảmbiếnkiểutụđiệnchoứngdụngcảmnhậnthayđổimôitrườngkênhdẫn với yêu cầu cụ thể sau: - Cảmnhận xuất thayđổimôitrườngkênh dẫn; - Cảmnhận xuất số hạt kênhdẫn bọt khí, hạt kim loại, hạt nhựa,…; Có thể xác định số thông số hạt thể tích, vận tốc, loại hạt điều kiện cụ thể cho trước; - Hệ thống cảmbiến sử dụngchokênhchấtlỏng không dẫnđiệndẫn điện; - Hệ thống chế tạo dựa công nghệ chế tạo phổ biến, giá thành thấp; - Hệ thống cảmbiến tích hợp trực tiếp với mạch điện tiền khuếch đại xử lý tín hiệu; - Các mạch điện thiết kế để tăng cường đặc tính giảm thiểu ảnh hưởng nhiễu chung môitrường nhiễu nguồn; - Bước đầu ứngdụng hệ thống cảmbiến số yêu cầu thực tế Đối tượng phạm vi nghiên cứu: Luận án đề cập nghiêncứu cấu trúc cảmbiếnkiểutụ điện, kênhdẫn dầu, kênhchấtlỏngdẫnđiện có kích thước cỡ milimét tác nhân bọt khí, mạt kim loại, giọt nước có kích thước nhỏ đến 0,1 mm3 Ý nghĩa khoa học thực tiễn đề tài nghiên cứu: Trong luận án này, nội dungnghiêncứucảmbiếnkiểutụđiện kết thu được trình bày theo hướng ứngdụngcảmnhậnthayđổimôitrườngkênhdẫn Các cấu trúc đề xuất nghiêncứu có tiềm ứngdụng y sinh ngành công nghiệp khác theo dõi bọt khí mạch máu, phát vật thể lạ mao dẫn, đo nồng độ bọt khí, hạt kim loại giọt nước dầu máy động cơ, v.v Phương pháp nghiên cứu: - Nghiêncứu dựa lý thuyết học chất rắn, chấtlỏng cổ điển; - Mô tính toán để tối ưu thông số thiết kế sử dụng phần mềm Matlab, Comsol, Ansoft Maxwell; - Chế tạo cấu trúc dựa công nghệ PCB kết hợp với kỹ thuật thiết kế mạch điện thu thập xử lý tín hiệu; - Đo đạc đánh giá hoạt động hệ thống dựa thiết bị điệntử trang bị phòng thí nghiệm, hệ thống kính hiển vi camera tốc độ nhanh Cấu trúc luận án Các nội dungnghiêncứudẫn đến kết đạt đóng góp luận án trình bày chương, mục theo bố cục sau: Chương 1: Tổng quan PT IT - Chương 2: Thiết kế mô cảmbiếnchấtlỏngkiểutụđiện Chương 3: Chế tạo cảm biến, thiết lập hệ đo Chương 4: Kết thảo luận Kết luận định hướng nghiêncứu PT IT Chương 1: TỔNG QUAN 1.1 Kênhdẫn loại vật thể chuyển động kênhdẫn 1.1.1 Kênhdẫn - Hệ thống mạch máu thể động vật; - Kênhdẫnchấtlỏng sản phẩm dầu mỏ; - Hệ thống đường dẫn nhiên liệu, phun nhiên liệu động 1.1.2 Các vật thể chuyển động kênhdẫn a) Giọt chất lỏng, bọt khí - Giọt nước nhỏ lẫn dầu bôi trơn, dầu biến thế; - Bọt khí ống truyền máu hay ống truyền dịch vào thể bệnh nhân b) Mạt kim loại vật thể khác - Mạt kim loại lẫn dầu bôi trơn; - Hạt tạp chất lẫn dầu cách điện c) Các tế bào sống hệ thống mạch máu - Hồng cầu; - Bạch cầu; - Tiểu cầu 1.2 Nhận biết vật thể kênhdẫn 1.2.1 Sự cần thiết phải nhận biết vật thể kênhdẫnTrong thực tế, việc theo dõi xuất thayđổikênhdẫn xuất bọt khí mạch máu, giọt nước dầu,… yêu cầu bắt buộc Trong vòi phun mực máy in phun giọt mực tạo có kiểm soát tốt vận tốc, thể tích chất lượng tài liệu in đẹp Nếu dầu bôi trơn có xuất giọt nước nhỏ, giọt nước gây rỉ sét ăn mòn động cơ, tăng trình oxy hóa dầu, gây số chất phụ gia kết tủa Bọt không khí xuất máy lọc thận ảnh hưởng đến tính mạng bệnh nhân; Nếu tiêm khoảng 2-3 ml không khí vào mạch máu tuần hoàn não gây tử vong 6 PT IT 1.2.2 Khảo sát nghiêncứu Một số nghiên cứu, đề xuất tác giả trước phát hạt tác nhân hay cảmnhậnmôitrườngkênh dẫn: Sử dụngcảmbiến áp điện trở để phát thayđổi áp suất màng thành ống phun giọt chấtlỏng để từ giám sát ước lượng giọt chấtlỏng tạo Công đoạn chế tạo linh kiện phức tạp, đòi hỏi phải có hệ thống trang thiết bị tiêu chuẩn cao chế tạo CMOS; Sử dụng sóng siêu âm để phát bọt khí dầu máy Hệ thống phức tạp, thường xuyên phải bảo trì chi phí bảo trì lớn; Sử dụng tế bào quang điện để phát bọt khí máu Phương pháp nhạy với bọt khí có kích thước to, choán đường ống; Sử dụng phương pháp cảmbiếntựcảm để phát mạt kim loại Phương pháp có độ nhạy thấp mạt kim loại nhỏ; Sử dụngcảmbiếnđiệndung đồng phẳng sử dụng để theo dõi, đo lường vận tốc chuyển động thể tích giọt nước kênhdẫn Với phương pháp này, điệntrường không tập trung nhiều vào giọt nước Như vậy, độ nhạy phương pháp không thật cao; Với chấtlỏngdẫn điện, sử dụng kỹ thuật tiếp xúc trực tiếp điện cực máy đo với chấtlỏng hay dung dịch điện phân Ở phương pháp này, hiệu ứng phân cực dung dịch ăn mòn điện hóa điện cực tránh khỏi Bên cạnh đó, bám két vào điện cực thường gây lỗi phép đo độ dẫn điện; Sử dụng cấu trúc cảmbiếnđiệndungtụ không tiếp xúc với dung dịch với tần số tín hiệu đầu vào lớn 80 MHz Với giải pháp lượng mát môitrường hấp thụ tín hiệu mạnh Đồng thời, cực tụcảmbiến phải nhỏ mạch phức tạp; Sử dụng cấu trúc cảmbiến phát độ dẫnđiện cặp tụ không tiếp xúc (C4D) Tuy nhiên, cấu trúc chưa khắc phục loại bỏ tối ưu nhiễu, thiết kế hệ thống chống nhiễu phức tạp chưa hiệu Ngoài ra, cấu trúc cảmbiến chưa đồng thời đo chokênhchấtlỏng không dẫnđiện có dẫnđiện chưa đo chokênhchấtlỏngdẫnđiện cao Nhận xét đề xuất có: Các nghiêncứucảmbiếnđiệndung phát thayđổimôitrườngkênhdẫnlỏng Nhưng nghiêncứu đó, hệ thống phức tạp chi phí cao Các mô hình chưa loại bỏ triệt để nhiễu sinh đo đạc mạch tín hiệu mô hình chưa hoạt động ổn định Đồng thời, cấu trúc chưa đo đồng thời chokênhchấtlỏngdẫnđiện cao chưa đo đồng thời chokênh không dẫnđiệndẫnđiện 1.3 Kết luận chương đề xuất hướng nghiêncứuNghiêncứu tập trung số vấn đề bổ sung liên quan đến việc xây dựng mô hình loại bỏ nhiễu kênh tối ưu kỹ thuật chế tạo cảmbiến tối ưu Chế tạo tụcảmbiến có kích thước cực không đòi hỏi nhỏ mà đo tác nhân nhỏ Hơn nữa, nghiêncứu tính toán, thiết kế chế tạo hệ thống cảmbiến đo kênhdẫnchấtlỏng có độ dẫnđiện cao hơn, đồng thời ứngdụng với kênhdẫnchấtlỏngdẫnđiện không dẫnđiện PT IT Chương 2: THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG CẢMBIẾNCHẤTLỎNGKIỂUTỤĐIỆN 2.2 Thiết kế cảmbiếnchấtlỏngkiểutụđiện 2.2.1 Thiết kế cấu trúc cảmbiếnCảmbiếnđiệndung chế tạo mạch, sát hệ thống tiền khuếch đại Thiết kế cho phép giảm điệndung ký sinh nhiễu bỏ qua dây kết nối a) Mô hình cảmbiến ba điện cực hình cung tròn cảmnhậnkênh vuông góc với mặt phẳng hệ thống cảmbiến Hệ thống cảmbiến bao gồm hai tụđiện ba điện cực Trong đó, tụtụđiệncảmbiếntụ lại đóng vai trò tụđiện tham chiếu Hình 2.15 (a) Thiết kế cảmbiếnkênh lỏng, có hai kênhdẫnlỏng tương ứng với kênhcảmbiếnkênh tham chiếu; (b) Các cảmbiếnđiệndung chế tạo trực tiếp mạch in b) Mô hình cảmbiến ba điện cực thẳng cảmnhậnkênh song song với mặt phẳng hệ thống cảmbiếnCảmbiến thiết kế kẹp sát dọc theo thành ống dẫn Các cực tụđiện kết nối với hệ thống đo 8 Ống kênhdẫnchấtlỏng a) Điện cực Điện cực PCB b) Hình 2.19 Cảmbiếntụđiện có ba điện cực thẳng kẹp hai bên thành kênhdẫn c) Mô hình cảmbiến ba điện cực hình chữ U cảmnhậnkênh song song với mặt phẳng hệ thống cảmbiến Ba cực tụcảmbiến hình chữ U có kích thước hình dạng thiết kế ôm bên sát bên thành ống dẫnĐiện cực IT Ống kênhdẫnchấtlỏng PT PCB a) b) Hình 2.21 Cảmbiếntụđiện có cực chữ U ôm sát kênhdẫn 2.2.2 Tính toán thiết kế mạch điện a) Cảmbiến ba điện cực hình cung tròn cảmnhậnkênh vuông góc với mặt phẳng hệ thống cảmbiến Tín hiệu sin với pha 0 180 áp dụngchođiện cực số tụcảmbiếntụ tham chiếu Do đó, nhiễu chung loại bớt sử dụng mạch tổng hợp Sự thayđổiđiệndungtụđiệncảm biến: C Cx Cr (2.23) Khi tín hiệu sin Vs = Vs0 cosωt đặt lên đầu vào khối cảm biến, điệndungthayđổi C tính công thức C VOut Cf VS (2.25) -1 Cảmbiến -Vs Rf Cr - Vs Cf VOut + Cx +1 +Vs Tín hiệu xung vào PC Khuếch đại điện tích Vs NI Data acquisition ( DAQPad 6016 ) PLL AMP LPF Khuếch đại Lock - – in số 7220 Khối xử lý tín hiệu Hình 2.24 Thiết kế sơ đồ mạch điện IT b) Cảmbiến ba điện cực thẳng cảmnhậnkênh song song với mặt phẳng hệ thống cảmbiến Amp V drive LPF Amp Khuếch đại vi sai AD 620 LPF Vout LPF Lọc thông thấp PT Cảm Khuếch đại biếnđiện tích Vout NI card Labview Computer Hình 2.25 Sơ đồ mạch tín hiệu cảmbiếnđiệndungĐiệndungthayđổi C tính công thức: (2.30) c) Cảmbiến ba điện cực hình chữ U cảmnhậnkênh song song với mặt phẳng hệ thống cảmbiến Với kênhdẫnchấtlỏng không dẫn điện, điệndungthayđổi C tính công thức: √( ) Với kênhdẫnchấtlỏngdẫn điện, thayđổi ∆Rs tính công thức: 10 Hạt Xi lanh Ro Xung sine 580 KHz Nguồn AC V out Khuếch đại vi sai LPF V in Ro Bình chứa Hình 2.32 Sơ đồ khối thiết kế cảmbiếnkênhchấtlỏng DC4D 55 IT 2.3 Mô 2.3.1 Mô a) Cảmbiến ba điện cực hình cung tròn cảmnhậnkênh vuông góc với mặt phẳng hệ thống cảmbiến 10 54.5 53.5 52.5 52 51.5 51 -1 -0.5 C - fF 53 PT Diendung - fF 54 Mo phong Xap xi tuyen tinh 0.5 1.5 Toa - mm 0 0.5 1.5 The tich - mm3 Bọt khí Hình 2.42 Điệndungcảmbiến tương ứng với vị trí bọt khí Hình 2.43 Điệndungthayđổi lớn cảmbiến phụ thuộc vào thể tích bọt khí Bọt khí dịch chuyển chậm từ phía cảmbiếndần tiến đến cảm biến, vào cảmbiến khỏi cảmbiến Khi bọt khí qua cảm biến, điệnmôicảmbiếnthayđổidẫn đến điệndungcảmbiếnthayđổi theo * Thảo luận Cảmbiếnđiệndungcho phép phát thayđổiđiệnmôikênhchấtlỏng không dẫnđiện theo thời gian thực Cấu trúc đề xuất phát bọt khí tích từ 0,1 đến 2,28 mm3, với điệndungthayđổi tương ứngtừ 0,67 đến 8,95 fF 11 b) Cảmbiến ba điện cực thẳng cảmnhậnkênh song song với mặt phẳng hệ thống cảmbiến Hình 2.50 thể thayđổiđiệndung cặp điện cực phụ thuộc vào vị trí hạt kênhdẫnĐiệndungthayđổi 18,74 fF 8,02 fF, tương ứng với hạt thiếc bọt khí tích 3.93 mm3 5.57 mm3 bên kênh dầu 25 20 20 18 16 15 14 10 C - fF C - fF 12 -5 -10 Bot dau Hat thiec dau 0.2 0.4 0.6 0.8 Vi tri Hat thiec va Bot - mm 0 0.5 1.5 2.5 3.5 The tich - mm3 IT -15 10 Hình 2.50 Điệndungthayđổi hạt thiếc bọt khí qua cảmbiếnkênhdẫn dầu Hình 2.51 Điệndungthayđổi tương ứng với thể tích hạt thiếc kênhdẫn dầu PT * Thảo luận Mô chothấycảmbiếntụđiệnnhận biết bọt khí hạt thiếc kênhdẫn dầu Khi bọt khí hay hạt thiếc kênhdẫn dầu di chuyển qua cảmbiếntụđiện làm thayđổiđiệndungcảmbiếntụ điện, từ làm thayđổiđiện áp đầu mạch cảmbiến Kết mô chothấythayđổiđiệndung có bọt khí hạt kim loại xuất tương đối rõ c) Cảmbiến ba điện cực hình chữ U cảmnhậnkênh song song với mặt phẳng hệ thống cảmbiến * Mô chotrường hợp kênhdẫnlỏng không dẫnđiệnĐối với kênhlỏng không dẫnđiệndẫnđiện thấp (σ ≤ 0.01 S/m), điện trở chấtlỏng bên kênh lớn Do đó, yếu tố chi phối trường hợp thành phần điệndung Hình 2.56 thể thayđổi chênh lệch điệndung cặp điện cực phụ thuộc theo vị trí hạt kênhdẫn Hình 2.57 chothấyđiệndungcảmbiếnthayđổi tuyến tính với thể tích hạt thiếc bên kênh dầu Điệndungthayđổi lớn lên đến 33.25 fF thể tích hạt thiếc 6.61 mm3 12 0.08 Hat nhua nuoc Hat thiec dau Bot dau 0.06 30 25 0.04 20 C - fF C - pF 0.02 -0.02 -0.04 15 10 -0.06 -0.08 -0.1 -5 10 15 20 25 0 30 The tich hat - mm3 Vi tri hat - mm Hình 2.57 Điệndungcảmbiến C4D thayđổi tuyến tính với thể tích hạt thiếc bên kênh dầu Hình 2.56 Điệndungthayđổi so với vị trí hạt bên cảmbiến C4D PT IT * Tính toán chotrường hợp kênhdẫnlỏngdẫnđiện Khi độ dẫnchấtlỏngkênhdẫn đủ lớn (σ> 0,1 S/m), ảnh hưởng điệndung bên điện cực chữ U cảmbiến so với tổng trở kháng nhỏ Các điệndung phương trình tương đương chủ yếu phụ thuộc vào điệndung C0 Tuy nhiên, C0 tham số không thay đổi, yếu tố cảmbiến độ dẫnđiệnchấtlỏng hạt chuyển động kênhdẫnchấtlỏngdẫnđiện Mạch tương đương cấu hình thể hình 2.59 Trongnghiêncứu này, hạt nhựa đưa vào kênhdẫndung dịch NaCl có nồng độ khác để khảo sát Điệndung Cw tạo thành ống dẫnđiện cực Rs điện trở dung dịch hai điện cực (xem hình 2.58) C0 C1 C2 R1 l1 Cw C3 Hạt tác nhân R2 R3 Chấtlỏng l3 l2 Điện cực Rs L Hình 2.58 Mạch tương đương cảmbiếnchokênhchấtlỏngdẫnđiện R1 R2 C2 R3 C3 ACAC C0 Rs Cw Tín hiệu R0 Hình 2.59 Mạch điện tương đương cảmbiến * Thảo luận Cảmbiến DC4D sử dụngcho hai kênh, chấtlỏngdẫnđiệnchấtlỏng không dẫnđiện 13 PT IT Mô bọt không khí, hạt thiếc bơm qua điện cực với kênhdẫnchấtlỏng không dẫnđiện hạt nhựa với kích cỡ khác kênhdẫnchấtlỏngdẫnđiệnchothấy độ thayđổiđiệndung đầu lớn rõ ràng 2.4 Kết luận chương Chương trình bày thiết kế ba cấu trúc cảmbiếnchấtlỏng sử dụng cấu trúc điệndung Ba cấu trúc nghiên cứu, thiết kế, tính toán mô Mỗi cấu trúc có ưu nhược điểm riêng phù hợp với ứngdụng cụ thể khác Cấu trúc thứ thiết kế sở ba điện cực kênhdẫn vuông góc với mặt phẳng mạch điện Ưu điểm cấu trúc cảmbiến thiết kế gồm điện cực mạch PCB, gồm hai kênhkênhcảmbiếnkênh tham chiếu Với thiết kế loại bỏ nhiễu dây dẫn, đồng thời kết hợp với việc sử dụng cấu trúc vi sai để loại bỏ tối ưu nhiễu Cấu trúc thứ hai thiết kế với ba điện cực thẳng kẹp hai bên kênhdẫn nằm mạch PCB Ưu điểm cấu trúc loại bỏ nhiễu chung kênhdẫnđiện cực thiết kế kênh dẫn, với thiết kế mạch nêu trên, tín hiệu từ hai điện cực đầu cảmbiến sau qua khuếch đại vi sai loại bỏ tối ưu nhiễu đường dây, nhiễu chung hai kênh đặc biệt nhiễu điện từ, nhiễu 50 Hz Đầu hệ thống tín hiệu thayđổi tác động hạt tác nhân xuất kênhdẫn Cấu trúc thứ ba cấu trúc DC4D thiết kế với ba điện cực hình chữ U ôm sát dọc theo kênhdẫn nằm mặt mạch PCB Ưu điểm cấu trúc DC4D đo đặc trưng kênhdẫnchấtlỏng có độ dẫnđiện cao Đồng thời, cấu trúc đo chochấtlỏngdẫnđiện không dẫnđiện Ngoài ra, chương trình bày ba cấu trúc mạch điện sử dụngcho ba cấu trúc cảmbiến trình bày phương pháp tính, tính toán lý thuyết để tìm phương trình công thức để tính thayđổiđiệndungcảmbiếntụ có hạt tác nhân xuất Đồng thời, chương trình bày mô hình hóa mô ba cấu trúc cảmbiếnchấtlỏng thực đề tài nghiêncứu Các kịch mô xây dựng dựa quy trình đo thực tế cấu trúc chế tạo để làm sở đánh giá hoạt động tối ưu thông số thiết kế cấu trúc cảmbiến đề xuất Các thiết kế, tính toán mô sở cho thiết kế cụ thể, phép đo đạc đánh giá trình bày chương sau 14 Chương 3: CHẾ TẠO CẢM BIẾN, THIẾT LẬP HỆ ĐO IT 3.1 Chế tạo cảmbiến 3.1.1 Cảmbiến ba điện cực hình cung tròn cảmnhậnkênh vuông góc với mặt phẳng hệ thống cảmbiếnCảmbiếnđiệndung ba điện cực cảmnhậnkênh vuông góc với mặt phẳng hệ thống cảmbiến chế tạo dựa công nghệ PCB Hình 3.1 thể hai cảmbiến có kích thước nằm PCB Ba điện cực chế tạo đồng, kết nối hai lớp mạch in PCB có chiều cao độ dày PCB 1,4 mm Kênhdẫnchấtlỏng đặt luồn qua cảmbiến vuông góc với hệ thống PT Hình 3.1 Cảmbiến ba điện cực hình cung tròn cảmnhậnkênh vuông góc với mặt phẳng hệ thống chế tạo công nghệ PCB 3.1.2 Cảmbiến ba điện cực thẳng cảmnhậnkênh song song với mặt phẳng hệ thống cảmbiếnCảmbiến thiết kế có điện cực dài hai điện cực ngắn có kích thước Hai điện cực ngắn cảmbiến thiết kế thẳng hàng với nhau, song song với điện cực dài kẹp hai bên kênhdẫn Hình 3.3 Cảmbiếnđiện cực thẳng kênh song song với mặt phẳng hệ thống 3.1.3 Cảmbiến ba điện cực hình chữ U cảmnhậnkênh song song với mặt phẳng hệ thống cảmbiếnCảmbiến chế tạo dựa mạch in (PCB) Điện cực hình chữ U gắn trực tiếp PCB với mạch xử lý tín hiệu để làm giảm thành phần ký sinh nhiễu thông thường Ống nhựa đặt bên điện cực hình chữ U 15 b) a) Hình 3.4 Hệ thống cảmbiếnđiện cực hình chữ U kênh song song với mặt phẳng hệ thống PT IT 3.3 Thiết lập hệ đo 3.3.1 Cảmbiến ba điện cực hình cung tròn cảmnhậnkênh vuông góc với mặt phẳng hệ thống cảmbiến Một tín hiệu xung sin tần số 100 kHz, có biên độ 13 V lấy từ đầu máy phát xung chuẩn HM8030 đưa tới đầu vào tạo hai xung ngược pha –Vs +Vs bo mạch Tín hiệu xung sin đưa vào điện cực kích thích cảmbiến Tín hiệu đầu cảmbiến đưa tới khuếch đại lock-in đến thu thập liệu NI có kết nối với máy tính Cuối cùng, tín hiệu xử lý phần mềm LabView 3.3.2 Cảmbiến ba điện cực thẳng cảmnhậnkênh song song với mặt phẳng hệ thống cảmbiếnTrong thiết lập hệ đo này, tín hiệu cấp chođiện cực kích thích hệ thống cảmbiến xung sin tần số 130 kHz điện áp 10 V Hệ thống sử dụng ống truyền dịch đặt vào khe điện cực cảmbiến Để tạo bọt khí dòng chảy dung dịch vào đường ống, hệ thống sử dụng xi lanh bơm dung dịch xi lanh có gắn bước điều chỉnh vi khoảng cách thước đo panme để tạo bọt khí vào dòng dung dịch thông qua đầu nối hình chữ T 3.3.3 Cảmbiến ba điện cực hình chữ U cảmnhậnkênh song song với mặt phẳng hệ thống cảmbiến Tần số cấp cho cực kích thích 580 kHz điện áp V Tín hiệu từ hai điện cực lại đưa vào khuếch đại vi sai, sau đến giải điều chế mạch lọc thông thấp, đến thu thập liệu NI có kết nối với máy tính 3.4 Kết luận chương Chương trình bày chế tạo ba cảmbiếnchấtlỏng với kích thước cụ thể Các mạch thu thập tín hiệu, khuếch đại ghép nối máy tính thiết kế, chế tạo khảo sát hoạt động Các hệ đo kết hợp chức bơm 16 dòng chất lỏng, bơm hạt tác nhân, máy phát, mạch tiền khuếch đại, mạch khuếch đại thiết bị điệntử khác kết nối tối ưu cho nhiệm vụ đo thayđổiđiệndung nhỏ, cỡ vài fF Các tính hiệu thu thập vào máy tính sử dụng thu thập liệu NI phần mềm Labview Chương 4: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 4.1 Cảmbiến ba điện cực hình cung tròn cảmnhậnkênh vuông góc với mặt phẳng hệ thống cảmbiến 4.1.1 Một bọt khí qua cảmbiếnkênhdẫnBiên độ điện áp đầu tối đa 30 mV bọt khí tích 1,45 mm3 qua kênhcảmbiếnBiên độ điện áp đầu phụ thuộc vào thể tích bọt khí thayđổiđiệnmôi Độ rộng tín hiệu đầu phụ thuộc vào vận tốc dòng chảy kênhchấtlỏng 285 280 IT 280 270 Dien ap - mV 270 265 260 255 250 245 PT Dien ap - mV 275 260 250 0.78 mm 1.45 mm 1.83 mm 230 2.28 mm 0.5 1.5 2.5 Thoi gian - s Thoi gian - s 55 0.27 mm 240 Hình 4.1 Tín hiệu đầu hệ thống cảmbiến bọt khí di chuyển qua cảmbiếnđiệndung 0.1 mm Hình 4.2 Sáu bọt khí với thể tích khác phát giá trị điện áp đầu cảmbiến 50 45 35 C - fF Dien ap - mV 40 30 25 20 15 10 Thuc nghiem Linear fitted 0 0.5 1.5 The tich bot - mm3 Hình 4.3 Biên độ điện áp đầu cảmbiếnthayđổi tương ứng với thể tích bọt khí 0 Thuc nghiem Linear fitted 0.5 1.5 The tich bot - mm3 Hình 4.4 Thayđổiđiệndung tương ứng với thể tích bọt khí 17 Trongtrường hợp kích thước bọt khí nhỏ so với chiều dài cảmbiếnđiện dung, vận tốc bọt khí tính sau: Velocity h TA TB (23) Trong h chiều dài tụ điện, TA TB thời điểm mà bọt khí vào cảmbiến nửa 4.1.2 Nhiều bọt khí qua cảmbiếnkênhdẫn dầu Khi có ba bọt khí dịch chuyển kênhdẫn dầu qua cảmbiếncho tín hiệu lối hình 4.6 hình 4.7 Tín hiệu lối thayđổi phụ thuộc theo thể tích bọt khí Bọt khí lớn tín hiệu giảm nhiều a) b) a) b) 281 281 280 280 279 278 IT c) 278 277 276 Dien ap - mV Dien ap - mV 279 c) 277 276 275 274 273 275 PT 272 274 271 273 Thoi gian - s Hình 4.6 Phát bọt khí tích không dầu Thoi gian - s Hình 4.7 Phát ba bọt khí tích gần dầu 4.1.4 Thảo luận Điệndungcảmbiếnthayđổi khoảng từ 0,51 fF tới 6,70 fF tương ứng với thể tích bọt khí khoảng từ 0,1 đến 2,28 mm3 Thayđổiđiệndung đủ lớn để mạch điệntử phát thu thập xử lý thông tin Các kết phân tích lý thuyết trùng với kết thực nghiệm đo đạc Điều chothấy mô hình phân tích lý thuyết phù hợp Các mô hình dùng để phân tích thiết kế hệ thống cảmbiến tương đương Bên cạnh chức phát vật thể kênhdẫn lỏng, cảmbiếncho phép đo vận tốc dòng chấtlỏng thông qua xác định vị trí thời gian tương ứng hạt 18 4.2 Cảmbiến ba điện cực thẳng cảmnhậnkênh song song với mặt phẳng hệ thống cảmbiến 4.2.1 Bọt khí qua cảmbiếnkênhdẫn máu Khi có bọt khí tích 27.75 mm3 dịch chuyển ống dẫn máu qua cảm biến, biên độ điện áp đầu mạch cảmbiếnthayđổi nhiều 64.7 mV 3.7 3.7 3.68 Dien ap - V Dien ap - V 3.65 3.6 3.55 3.66 3.64 3.62 17.66 mm 3.6 27.75 mm 35.33 mm3 3.5 3.58 0.2 0.4 0.6 Thoi gian - s 0.8 39.79 mm3 0.2 0.4 0.6 0.8 Thoi gian - s IT Hình 4.12 Tín hiệu đầu mạch cảmbiến có bọt khí thể tích 27.75 mm3 dịch chuyển qua cảmbiến Hình 4.13 Bọt tích khác qua cảmbiến PT Xung tín hiệu đầu cảmbiến tương ứng với bọt khí có độ rộng khác vận tốc bọt khí dịch chuyển máu khác Độ rộng xung lớn tương ứng với bọt khí dịch chuyển chậm Biên độ điện áp đầu mạch cảmbiến với thể tích bọt khí qua cảmbiến tuyến tính Căn vào biên độ điện áp đầu mạch cảm biến, ta ước lượng thể tích bọt khí di chuyển qua cảmbiếnTrongtrường hợp đường kính bọt khí nhỏ độ dài cảmbiếnđiện dung, vận tốc bọt khí tính bằng: Vbọt khí Trong h chiều dài tụ điện, T1 T2 thời gian bọt khí thời điểm bọt khí vào cảmbiến nửa 4.2.2 Giọt nước qua cảmbiếnkênh dầu biếnCho giọt nước tích 26,05 mm3 di chuyển qua cảm biến, biên độ điện áp đầu thayđổi 3.95 V Điện áp đầu mạch cảmbiếnthayđổi tuyến tính với thể tích giọt nước qua cảmbiến 19 PT IT 4.2.3 Hạt kim loại qua cảmbiếnkênhdẫn dầu bôi trơn động Hạt thiếc tích 2,14 mm3 tương ứng với độ lớn biên độ điện áp 0.73 V Điện áp đầu mạch cảmbiếnthayđổi tuyến tính với thể tích hạt thiếc qua cảmbiến 4.2.6 Thảo luận Điệndungcảmbiếnthayđổi khoảng từ 0,69 fF đến 8,53 fF tương ứng với thể tích hạt thiếc khoảng từ 0,14 đến 3,66 mm3 Thayđổiđiệndung đủ lớn để mạch điệntử phát thu thập xử lý thông tin Cảmbiến phát giọt nước dầu biếnĐiện áp thayđổi đầu từ 3,95 đến 6,17 V tương ứng với thể tích giọt nước từ 26,05 đến 33,25 mm3 Cảmbiến phát xuất bọt khí ống dẫn máu Vận tốc thể tích bọt khí tính toán cách quan sát thayđổiđiện áp đầu cảmbiếnđiệndungCảmbiếntụđiện thiết kế chế tạo phát tình trạng đường ống dẫn máu có bọt khí thời gian thực Cấu trúc cảmbiến có độ nhạy tốt cho bọt khí từ 17,66 đến 40 mm3, tương ứng với thayđổiđiện áp đầu từ 0,03 đến 0,12 V 4.3 Cảmbiến ba điện cực hình chữ U cảmnhậnkênh song song với mặt phẳng hệ thống cảmbiến 4.3.1 Cảmbiến ba điện cực hình chữ U cảmnhậnkênhdẫnlỏng không dẫnđiện Đây cảmbiến vi sai phát độ dẫnđiện cặp tụ không tiếp xúc (DC4D) Điện áp đầu hệ thống cảmbiến tín hiệu vi sai từ hai tín hiệu đầu hai cảmbiến đơn phát độ dẫnđiện cặp tụ không tiếp xúc (C4D đơn) Một C4D đơn đóng vai trò tụcảmbiến C4D đóng vai trò tụ tham chiếu 1.525 1.6 1.52 1.515 1.55 Dien ap - V Dien ap - V 1.51 1.505 1.5 1.495 1.5 1.49 1.45 1.485 1.48 1.475 0.5 1.5 Thoi gian - s 1.4 0.5 1.5 2.5 3.5 Thoi gian - s (b) (a) Hình 4.28 Điện áp đầu cảmbiến DC4D hạt qua điện cực kênh dầu biến thế: (a) 4,17 mm3 bọt khí; (b) 3,83 mm3 hạt thiếc 20 Thayđổiđiệndung tối đa 1,5 fF 6,3 fF, tương ứng với 4.17 mm3 bọt khí 3,83 mm3 hạt thiếc qua cảmbiếnBiên độ điện áp đầu thayđổiđiệndung phụ thuộc vào thể tích hạt tác nhân Sự thayđổibiên độ điện áp đầu thayđổiđiệndung so với thể tích hạt thiếc tuyến tính Vì vậy, cảmbiến DC4D cho phép ước lượng thể tích hạt biết chất liệu hạt 4.3.2 Cảmbiến ba điện cực hình chữ U cảmnhậnkênhdẫnchấtlỏngdẫnđiện Hình 4.31 thể điện áp cảmbiến DC4D hạt nhựa qua điện cực kênhdẫnchấtlỏngdẫnđiệndung dịch muối nước Độ lớn điện áp đầu thayđổi lên đến 300 mV 50 mV hạt nhựa tích 4,88 mm3 di chuyển qua cảmbiếnkênh nước kênhdung dịch muối tương ứng 1500 IT Nuoc muoi Linear fitted Nuoc 1.7 Dien ap - mV 1.5 1.4 1000 PT Dien ap - V 1.6 1.3 500 Hat nhua nuoc Hat nhua nuoc muoi 1.2 0 Hình 4.31 Điện áp đầu cảmbiến DC4D hạt nhựa qua điện cực với: kênh nước kênhdung dịch muối 10 The tich - mm3 Thoi gian - s Hình 4.33 Biên độ điện áp đầu cảmbiến DC4D so với thể tích hạt dung dịch muối nước A B 300 Nuoc muoi 0.75% Nuoc muoi 0.9% Nuoc muoi 1.5% Nuoc muoi 3% Linear fitted 250 B 1.7 1.6 150 Dien ap - V V - mV 200 14 mm 1.8 100 50 1.5 1.4 1.3 1.2 A 10 The tich - mm Hình 4.34 Điện áp đầu cảmbiến DC4D tương ứng với thể tích 1.45 (s) 0.5 1.5 2.02 (s) 2.5 3.5 Thoi gian - s Hình 4.36 Tính toán vận tốc hạt bên kênhchấtlỏng 21 hạt nồng độ khác dung dịch muối PT IT Vận tốc hạt ước tính cách chia khoảng cách AB (ở hình 4.36) cho thời gian hai đỉnh điện áp 4.3.3 Thảo luận Cảmbiến DC4D sử dụngcho hai kênhchấtlỏngdẫnđiệnchấtlỏng không dẫnđiện Bọt khí hạt thiếc bơm qua điện cực với kênhlỏng không dẫnđiệnCảmbiếncảmnhận hạt thiếc kênh dầu tích từ 1,05 mm3 đến 6,62 mm3 tương ứng với độ lệch biên độ đầu từ 69,12 mV đến 328,83 mV điệndungthayđổitừ 2,26 fF đến 10,75 fF Cảmbiếncảmnhận biết hạt nhựa kênhdẫndung dịch muối (có độ dẫnđiện S/m) với thể tích khác từ 1,5 mm3 đến 9,37 mm3, tương ứng có độ lệch biên độ đầu từ 10 mV đến 78 mV Các kết đo chothấymối quan hệ tuyến tính điện áp đầu thể tích hạt Bên cạnh phát hạt, cảmbiếncho phép đo vận tốc hạt bên kênhdẫnlỏng dựa vào khoảng cách thời gian di chuyển hai cấu trúc C4D đơn 4.4 Kết luận chương Chương trình bày kết tính điệndungthayđổicảmbiến kết mô phân bố điệntrườngđiệndung đầu cảmbiến Đồng thời, chương trình bày kết thực nghiệm tín hiệu đầu ba hệ thống cảmbiến có tác nhân di chuyển kênhdẫn qua cảmbiếnCảmbiến ba điện cực hình cung tròn cảmnhậnkênh vuông góc với mặt phẳng hệ thống cảmbiếncảmnhận tác nhân bọt khí kênh dầu bôi trơn động giọt nước kênh không khí Cấu trúc phát bọt khí tích từ 0,1 đến 2,28 mm3, với điệndungthayđổi tương ứngtừ 0,51 đến 6,7 fF thayđổiđiện áp đầu từ đến 53 mV Đồng thời, cảmbiến phát nhiều bọt khí Từ đó, ta ước lượng thể tích bọt khí, giọt nước ước lượng vận tốc bọt khí, giọt nước Cấu trúc cảmbiến ba điện cực thẳng cảmnhậnkênh song song với mặt phẳng hệ thống cảmbiến phát thayđổikênhdẫnCảmbiếncảmnhận tác nhân bọt khí kênhdẫn máu với thể tích bọt khí từ 17,66 đến 40 mm3, giọt nước dầu biến với thể tích từ 26,05 đến 33,25 mm3 hạt thiếc dầu bôi trơn động với thể tích từ 0,14 đến 22 PT IT 3,66 mm3 Bên cạnh việc phát tác nhânkênh dẫn, hệ thống cảmbiếncho phép tính vận tốc dịch chuyển tác nhânkênhdẫnCảmbiến ba điện cực hình chữ U cảmnhậnkênh song song với mặt phẳng hệ thống cảmbiến (cảm biếnkênhchấtlỏng DC4D) Cảmbiến DC4D sử dụngcho hai kênhchấtlỏngdẫnđiệnchấtlỏng không dẫnđiện Bọt khí hạt thiếc bơm qua điện cực với kênhlỏng không dẫnđiệnCảmbiếncảmnhận hạt thiếc kênh dầu tích từ 1,05 mm3 đến 6,62 mm3, tương ứng với độ lệch biên độ đầu từ 69,12 mV đến 328,83 mV điệndungthayđổitừ 2,26 fF đến 10,75 fF Cảmbiếncảmnhận hạt nhựa kênhdẫndung dịch muối (có độ dẫnđiện S/m) với thể tích khác từ 1,5 mm3 đến 9,37 mm3, tương ứng có độ lệch biên độ đầu từ 10 mV đến 78 mV Các kết đo chothấy có mối quan hệ tuyến tính điện áp đầu thể tích hạt Bên cạnh phát hạt, cảmbiếncho phép đo vận tốc hạt bên kênhdẫnlỏng dựa vào khoảng cách thời gian di chuyển hai cấu trúc C4D đơn Giới hạn đo tốc độ hạt tác nhânkênhdẫncảmbiến phụ thuộc vào tần số cấp cho cực kích thích đáp ứng lọc thông thấp Tần số lớn lọc có thời gian đáp ứng nhỏ Tuy nhiên, thời gian đáp ứng lọc có giới hạn định Trongnghiêncứu này, tần số cấp cho cực kích thích từ 100 kHz đến 580 kHz Các tần số khoảng đáp ứngcho việc đo bọt khí, hạt kim loại,… ống truyền máu, mạch máu kênhdẫn dầu khai thác dầu động KẾT LUẬN VÀ ĐỊNH HƯỚNG NGHIÊNCỨU TIẾP Cảmbiếnchấtlỏngkiểutụđiệnchoứngdụngcảmnhậnthayđổimôitrườngkênhdẫn ngày ứngdụng nhiều lĩnh vực khoa học kỹ thuật công nghệ khác công nghiệp chế tạo động cơ, công nghiệp thuỷ khí, công nghiệp khai thác chế biến dầu mỏ, kỹ thuật y sinh học nhiều lĩnh vực khoa học công nghệ phục vụ đời sống khác Nhiều phương pháp sử dụngcảmbiếnchấtlỏngkiểutụđiệnchoứngdụng Tuy nhiên, phương pháp gặp phải khó khăn thiết kế cấu trúc, chế tạo cảm biến, loại bỏ nhiễu dây dẫn, nhiễu kênh dẫn, nhiễu nguồn đặc biệt cảmbiến đo chokênhdẫnchấtlỏng có độ dẫnđiện cao, đo chokênhdẫn không dẫnđiệndẫnđiện Luận án trình bày tính toán, mô phỏng, thiết kế, chế tạo khảo sát đánh giá hoạt động cảmbiếnchấtlỏng dựa ba cấu trúc nhằm giải khó khăn 23 PT IT Luận án đề xuất 03 cấu trúc cảmbiếntụđiện mới: Cảmbiếnkiểutụđiện có cấu trúc dạng cung tròn gồm kênhcảmbiếnkênh tham chiếu (cho cấu trúc vi sai) nhằm loại bỏ nhiễu nguồn nhiễu dây dẫnCảmbiếnkiểutụđiện dạng thẳng sử dụng cấu trúc vi sai cho phép loại bỏ nhiễu kênhdẫnCảmbiến dạng chữ U (cấu trúc DC4D) đồng thời đo chokênhchấtlỏngdẫnđiện không dẫnđiệnCảmbiến DC4D đo chokênhchấtlỏngdẫnđiện cao đến S/m Các cảmbiến đề xuất chế tạo bảng mạch PCB Các đề xuất luận án, sử dụng để nâng cao chất lượng ứngdụngcảmnhậnthayđổimôitrườngkênhdẫnchất lỏng, đáp ứng yêu cầu ứngdụng tích hợp vào hệ thống chấtlỏng có độ dẫnđiện cao chấtlỏng không dẫnđiện Luận án nghiêncứu kích thước điện cực cảmbiến cỡ milimét đo thayđổiđiệndungcảmbiến cỡ fF Như vậy, cảmbiếnkênhdẫnchấtlỏng sử dụng để phát dòng chảy hai pha ngành công nghiệp dầu khí, phát hạt kênhdẫnlỏng phát hiện, đếm tế bào choứngdụng y sinh học Trong thời gian tới, Nghiêncứu sinh nhóm nghiêncứu tiếp tục phát triển cấu trúc cảmbiến định hướng cho số ứngdụng cụ thể y sinh học Một số định hướng nghiêncứu luận án là: - Thiết kế hệ thống cảmbiến phát vi đối tượng kênh vi lỏng Các đối tượng định hướng tế bào sống cụ thể tập trung vào đối tượng tế bào máu Các tế bào sống thường có kích thước cỡ vài micromet vài chục micromet Do đó, kênhlỏng có kích cỡ khoảng từ 10 µm 100 µm - Hệ thống cảmbiếnkênh vi lỏng sau định hướng ứngdụng phát tế bào ung thư tuần hoàn (CTCs – Circulating Tumor Cells) phát ung thư sớm Hệ thống cảmbiến cần đáp ứng yêu cầu tương thích với y sinh học cho phép gắn thị sinh học lên cấu trúc cảmbiến - Như trình bày luận án, cấu trúc có tiềm ứngdụngcho hệ thống kênhdẫn kích thước lớn ống dẫn dầu, ống dẫn nước Nghiêncứu sinh nhóm nghiêncứu thiết kế tối ưu cấu trúc cho toán có yêu cầu từ thực tế 24 CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA TÁC GIẢ PT IT T Vu Quoc, H Nguyen Dac, T Pham Quoc, D Nguyen Dinh, T Chu Duc, “A printed circuit board capacitive sensor for air bubble inside fluidic flow detection,” Microsystem Technologies Journal, Volume 21, April 2015, pp 911-918 (SCI) Nguyen Dac Hai, Vu Quoc Tuan, Do Quang Loc, Nguyen Hoang Hai, Chu Duc Trinh, “Differential C4D Sensor for Conductive and Nonconductive Fluidic Channel”, Microsystem Technologies Journal, ISSN: 0946-7076 (printed version), ISSN: 1432-1858 (electronic version) 2015 (SCI) Nguyen Dac Hai, Vu Quoc Tuan, Tran Thi Thuy Ha, Nguyen Ngoc Minh, Chu Duc Trinh, “Fluidic Capacitive Sensor for Detection of Air Bubble Inside Engine Lubricating Oil”, VNU Journal of Science: Natural Sciences and Technology, Vol 31, No (2015) 8-16 Nguyen Dac Hai, Vu Quoc Tuan, Pham Quoc Thinh, Chu Duc Trinh, “Detection of air bubbles in the microfluidic channel,” Hội nghị toàn quốc lần thứ Điều khiển Tự động hoá - VCCA-2013, pp 582587 Nguyễn Đắc Hải, Vũ Quốc Tuấn, Phạm Quốc Thịnh, Chử Đức Trình, “Hệ thống cảmbiến giọt chấtlỏngkênh dẫn,” Hội nghị quốc gia Điệntử - Truyền thông (REV2013-KC01), pp 56-60 Nguyen Dac Hai, Tran Thi Thuy Ha, Vu Quoc Tuan, Pham Quoc Thinh and Chu Duc Trinh, Three-electrode capacitive sensor for air-bubble inside fluidic flow detection, The Fifth International Conference on Communications and Electronics - ICCE 2014 Nguyen Dac Hai, Pham Hoai Nam, Vu Quoc Tuan, Tran Thi Thuy Ha, Nguyen Ngoc Minh, Chu Duc Trinh, “Air bubbles detection and alarm in the blood stream of dialysis using capacitive sensors,” International Conference on Engineering Mechanics and Automation (ICEMA 3), 2014 ... chất lỏng kiểu tụ điện cho ứng dụng cảm nhận thay đổi môi trường kênh dẫn Mục đích nghiên cứu: Luận án nghiên cứu, thiết kế chế tạo cảm biến kiểu tụ điện cho ứng dụng cảm nhận thay đổi môi trường. .. cảm biến khỏi cảm biến Khi bọt khí qua cảm biến, điện môi cảm biến thay đổi dẫn đến điện dung cảm biến thay đổi theo * Thảo luận Cảm biến điện dung cho phép phát thay đổi điện môi kênh chất lỏng. .. trúc cảm biến chưa đồng thời đo cho kênh chất lỏng không dẫn điện có dẫn điện chưa đo cho kênh chất lỏng dẫn điện cao Nhận xét đề xuất có: Các nghiên cứu cảm biến điện dung phát thay đổi môi trường