Mô phỏng chuyển động của con người cho robot sử dụng hệ thống bắt chuyển động theo thời gian thực

B GIO DC V O TO TRNG I HC BCH KHOA H NI - NGUYN TUN ANH TI: NGHIấN CU NH HNG CA NNG HT NANO SIC TRONG DUNG DCH TI CU TRC V TNH CHT LP M HểA HC COPMPOSITE NIP SIC LUN VN THC S KHOA HC NGNH: K THUT HểA HC NGI HNG DN KHOA HC: PGS.TS MAI THANH TNG H NI - 2010 Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC LI CM N Lun ny c thc hin ti B mụn Cụng Ngh in Hoỏ v Bo v Kim loi, Trng i hc Bỏch khoa H Ni hon thnh c lun ny tụi ó nhn c rt nhiu s ng viờn, giỳp ca nhiu cỏ nhõn v th Trc ht, tụi xin chõn thnh cm n sõu sc n PGS.TS Mai Thanh Tựng ó hng dn tn tỡnh tụi sut thi gian thc hin ti ny Tụi by t lũng bit n chõn thnh ti cỏc thy cụ giỏo, ngi ó em li cho tụi nhng kin thc b tr, vụ cựng cú ớch nhng nm hc va qua Chõn thnh cm n cỏc thy cụ B mụn Cụng Ngh in Hoỏ v Bo v Kim Loi ó giỳp v h tr tụi vic hon thnh lun ny Cui cựng tụi xin gi li cm n n gia ỡnh, bn bố, nhng ngi ó luụn bờn tụi, ng viờn v khuyn khớch tụi quỏ trỡnh thc hin ti nghiờn cu ca mỡnh H Ni, ngy 18 thỏng 10 nm 2010 Hc viờn : Nguyn Tun Anh Lun thc s Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC MC LC Trang Trang ph bỡa Li cam oan Danh mc cỏc bng Danh mc cỏc hỡnh v, th M U Chng TNG QUAN 11 1.1 Lý thuyt m húa hc 11 1.1.1 C ch phn ng m hoỏ hc 11 1.1.2 Tc quỏ trỡnh m hoỏ hc 13 1.1.3 Cỏc yu t nh hng n phn ng m húa hc 14 1.2 M Niken húa hc (electroless nickel - EN) 16 1.2.1 C ch m EN 16 1.2.2 Cỏc yu t nh hng n m Niken húa hc 18 1.2.3 Cu trỳc lp m NiP 26 1.2.4 Cỏc tớnh cht ca lp m Ni húa hc 28 1.3 Lp ph composite NiP/ Ht phõn tỏn 34 1.3.1 Gii thiu chung v lp ph compozit NiP/ht phõn tỏn 34 1.3.2 C ch hỡnh thnh lp m compozit NiP 35 1.3.3 nh hng ca cỏc yu t n quỏ trỡnh hỡnh thnh mng 37 compozite 1.3.4 Cỏc tớnh cht ca lp ph compozit 41 Chng 2- THC NGHIM 50 2.1 Chun b mu v dung dch 50 2.1.1 Dung dch m hoỏ hc 50 2.1.2 Ht nano SiC 51 2.1.3 Quy trỡnh chun b mu 51 Lun thc s Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC 2.2 Cỏc phng phỏp phõn tớch 52 2.2.1 Kớnh hin vi in t quột (SEM) 52 2.2.2 Cỏc phộp o in hoỏ 55 2.2.3 o o cng 62 2.2.4 o chiu dy lp m 62 Chng 3- KT QU V THO LUN 63 3.1 Phõn tớch SEM 63 3.2 Phõn tớch EDS 64 3.3 o ng cong phõn cc 67 3.4 o tng tr 68 3.5 Kt qu o cng 71 3.6 Kt qu o chiu dy lp m 71 3.7 Tng hp kt qu 71 Chng 4- KT LUN 73 Ti liu tham kho 74 Lun thc s Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC LI CAM OAN Tờn tụi l Nguyn Tun Anh, hc viờn cao hc lp Cụng ngh Hoỏ Hc, chuyờn ngnh Cụng Ngh in Hoỏ v Bo v kim loi, khoỏ 2008 - 2010 Tụi xin cam oan lun thc s Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiPSiC l cụng trỡnh nghiờn cu ca bn thõn Cỏc s liu nghiờn cu, kt qu trỡnh by lun l trung thc, thu c t thc nghim v khụng chộp, cha tng c cụng b bt k lun no trc õy H Ni, ngy 18 thỏng 10 nm 2010 Hc viờn : Nguyn Tun Anh Lun thc s Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC DANH MC BNG BIU Bng 1.1 - ho tan ca Niken photphit ph thuc pH Bng 1.2 - Hiu qu s dng axit suxinic Bng 1.3 - Cỏc tớnh cht vt lý ca lp ph EN Bng 1.4 - Cỏc tớnh cht c ca lp ph NiP Bng 1.5 - mi mũn theo phng phỏp th Taber Bng 1.6 - mi mũn theo phng phỏp gia tc Bng 1.7 - Kh nng chu mi mũn ca lp Ni hoỏ hc compozit Bng 1.8 - Cỏc h s n mũn v giỏ tr n mũn ca cỏc Bng 1.9 - H s ma sỏt v s liu n mũn ca lp ph compozit NiP/PTFE lp ph compozit niken hoỏ hc Bng 1.10 - H s ma sỏt ca cỏc lp ph compozit Bng 1.11 - Thay i nhỏm theo kớch thc ht v sau lm nhn Bng 1.12 - Thay i nhỏm b mt kt ta thờm lp ph th hai Bng 2.1 - Cỏc bc chun b mu Bng 3.1 - nh hng hm lng SiC dung dch n thnh phn SiC mng Bng 3.2 - Kt qu in th n mũn Eam, dũng n mũn Iam v in tr n mũn Rp Bng 3.3 - Tng hp kt qu in tr chuyn in tớch Rct Bng 3.4 - Kt qu o cng v chiu dy cỏc mu m NiP khỏc Bng 3.5 - Tng hp nh hng ca hm lng SiC ti thnh phn v cu trỳc lp m Lun thc s Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC DANH MC HèNH Hỡnh 1.1 - th in cc th hn hp Hỡnh 1.2 - in th phn ng kh hyro trờn cỏc xỳc tỏc kim loi khỏc trng hp cht kh l NaH2PO2, HCHO, NaBH4, DMAB, NH2NH2 Hỡnh 1.3 - nh hng ca nhit ti tc m Hỡnh 1.4 - nh hng ca pH ti tc m Hỡnh 1.5 - nh hng ca cht kớch thớch lờn tc m Hỡnh 1.6 - nh hng ca nng mol [Ni]2+ / [H2PO2]- ti tc m Hỡnh 1.7 - (a) Gin pha ca hp kim NiP (b) cu trỳc pha ca lp m NiP Hỡnh 1.8 - nh hin vi in t truyn qua (TEM) lp m NiP vi cỏc hm lng P khỏc Hỡnh 1.9 - nh hng ca thnh phn hp kim n lng riờng ca cỏc lp ph Ni-P v Ni-B Hỡnh 1.10 - C ch hỡnh thnh lp m compozit Hỡnh 1.11 - Cu trỳc lp ion hỡnh thnh trờn b mt ht rn Hỡnh 1.12 - nh hng ca dy lp ph lờn nhỏm b mt i vi lp ph hoỏ hc NiP cú cha loi ht kim cng khỏc Hỡnh 1.13 - nh hng ca dy lp ph lờn nhỏm b mt i vi NiP hoỏ hc cú cha cỏc ht (A) SiC v (B) Al2O3 Hỡnh 2.1 - nh SEM ca ht nano SiC s dng thớ nghim Hỡnh 2.2 - Di lm vic ca cỏc k thut hin vi in t v quang hc Hỡnh 2.3 - Nguyờn lý c bn ca kớnh hin vi in t quột Hỡnh 2.4 - S o in húa - phõn cc Hỡnh 2.5 - S mụ phng nguyờn lý o tng tr Hỡnh 2.6 - Biu din hỡnh hc cỏc phn t phc Hỡnh 2.7 Xỏc nh in tr phõn cc Rp Lun thc s Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC Hỡnh 2.8 - a) th E i b) th E Ln |i| Hỡnh 3.1 - nh SEM b mt lp m compozit vi nng SiC khỏc Hỡnh 3.2 - Hỡnh nh ph EDS cỏc mu m NiP compozit vi hm lng SiC khỏc Hỡnh 3.3 - ng cong phõn cc dung dch NaCl 3.5% cỏc mng vi nng SiC khỏc Hỡnh 3.4 - Kt qu o ph tng tr cỏc mu m vi nng SiC khỏc Hỡnh 3.5 - Mch tng ng ca quỏ trỡnh n mũn lp ph compozit NiP dung dch NaCl Lun thc s Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC LI M U Lp m húa hc niken (electroless nickel- EN) rt c quan tõm k thut hp kim NiP thu c cú nhiu tớnh cht nh: cng, bn c cao, h s ma sỏt thp, kh nng chu n mũn tt Lp m ny ó c ng dng nhiu ngnh cụng nghip, c bit nhng ngnh cụng ngh cao nh c khớ chớnh xỏc, in t, vin thụng, ụtụ, hng khụng Trong nhng thp k gn õy, s phỏt trin khoa hc k thut ũi hi phi to cỏc h vt liu cú cỏc tớnh cht c tớnh, húa tớnh, t tớnh u vit hn Mt nhng xu hng c quan tõm nhiu l s dng cỏc h vt liu compozit ca NiP nõng cao tớnh nng, ỏp ng yờu cu k thut Mng compozit NiP-ht phõn tỏn cng l mt nhng h vt liu tim nng v c nghiờn cu rng rói ti cỏc nc phỏt trin Cho ti ó cú rt nhiu h compozit khỏc ca NiP c nghiờn cu nh NiP/ht cng (ht nano Cacbon, SiC, Al2O3, BN, WC) nhm tng cng, NiP-PTFE tng ma sỏt, tng kh nng chu n mũn Cựng vi cỏc nghiờn cu ng dng cụng nghip, cỏc lý thuyt v c ch kt ta mng compozit, tng tỏc gia ht phõn tỏn v NiP cng nh nh hng ca cỏc yu t cụng ngh cng c quan tõm nghiờn cu nhm a nhng thụng tin tt nht phc v hon thin cụng ngh Do vy mc tiờu ca lun ny l nghiờn cu lp m niken hoỏ hc compozit NiP SiC : Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiPSiC Cỏc ni dung chớnh ca lun bao gm: - Nghiờn cu nh hng hm lng SiC dung dch ti cu trỳc lp m hoỏ hc NiP SiC Lun thc s Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC - Nghiờn cu nh hng hm lng SiC dung dch ti tớnh cht lp m hoỏ hc NiP SiC T kt qu thu c s tỡm cỏc iu kin cụng ngh ti u ch to mng compozit, ng thi lm sỏng t c ch nh hng ca cỏc thụng s ny ti cu trỳc v tớnh cht ca mng Lun thc s Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC Rp = B iam (2.4) Trong B số đợc coi nh số a) b) Hình 2.7 - Xác định điện trở phân cực Rp Để xác định Rp cần phải đo đoạn đờng cong phân cực hai phía điện ăn mòn từ -5mV đến +5mV từ -10mV đến +10mV lấy tang điện ăn mòn Vì việc xác định Rp đơn giản đờng cong phân cực gần nh đờng thẳng Khi gặp điểm uốn đờng cong phân cực Ean mòn, tức độ dốc Tafel anốt catot hệ ăn mòn nh nhau, xác định Rp dựa vào tuyến tính hoá gần đúng, lấy điểm đờng cong phân cực Rp = E lấy điểm đờng cong phân cực i Rp = E1 + E2 i + i2 Sai số phơng pháp điểm, điểm không lớn nhng tốt tìm tang xác định độ dốc đờng cong phân cực (hình 2.7b) Quan hệ Stern- Lun thc s 58 Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC Geary giả thiết có giai đoạn chuyển điện tích khống chế phản ứng điện cực, tổng mật độ dòng điện cực là: i = ia + i c Nghịch đảo giá trị điện trở phân cực có: d ln ic d ic di di = ia d ln ia + ic = = a + R p dE i = dE i = d E i = dE i = dE d ln i d ln ic a = iam Rp dE i = dE (2.5) i = i = (2.6) Tại điện ăn mòn: (ia)i=0 = (- ic )i=0 = iam Suy ra: d ln i d ln ic a = iam Rp dE i = dE i = Vậy số B tính từ độ dốc đờng cong phân cực thành phần đồ thị bán logarít điện ăn mòn Eam ( Hình 2.8) 1 = + B A C (2.7) Nh áp dụng phơng pháp điện trở phân cực cách dùng độ dốc Tafel ( giá trị B) gần Eam có độ xác nh phơng pháp ngoại suy, nhng phơng pháp điện trở phân cực yêu cầu hai nhánh đờng cong phân cực phải đờng thẳng Tafel điện ăn mòn phải đủ cách xa hai điện ăn mòn Ngoài xác định tốc độ ăn mòn đồng thời xác định độ dốc hai phản ứng cách xác định điện trở phân cực (trong thí nghiệm thí nghiệm riêng) Nếu thấy qua xác định độ dốc Tafel thoã mãn không cần xét đến điện trở phân cực Lun thc s 59 Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC a) b) Hình 2.8 - a) Đồ thị E - i; b) Đồ thị E - Ln|i| 2.2.3 o o cng Cỏc nghiờn cu o cng HV c tin hnh trờn mỏy Stuers Duramin ca an Mch ti phũng thớ nghim b mụn kim loi hc trng i Hc Bỏch Khoa H Ni Cỏc mu c o cng vi cựng ti trng P = 25g Giỏ tr cng mi mu l s o trung bỡnh ca ln o ti v trớ khỏc vi mi mu 2.2.4 o chiu dy lp m Chiu dy lp m c o trờn mỏy Coating thicknees tester, model LZ- 300J ca hóng KETT, Japan; ti cụng ty MDI Vit Nam Lun thc s 60 Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC Chng III - KT QU V THO LUN 3.1 Phõn tớch SEM a) Nn thộp CT3 b) Nn lp m NiP c) SiC 10g/l d) SiC 15 g/l e) SiC 20g/l f) SiC 25 g/l Hỡnh 3.1 - nh SEM b mt lp m compozit vi nng SiC dung dch khỏc a) Nn thộp CT3; b) Nn lp m NiP; c) SiC 10g/l; d) SiC 15 g/l; e) SiC 20g/l; f) SiC 25 g/l Lun thc s 61 Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC Kt qu chp nh SEM b mt cho thy lp m compozit cú hỡnh thỏi b mt dng cỏc ht cu phõn b u trờn b mt iu ỏng chỳ ý l cú ht SiC hỡnh thỏi b mt khụng thay i nhiu so vi lp m NiP khụng cú ht SiC Cỏc ht SiC lp m b chụn lp hon ton bi cỏc ht NiP vy trờn nh SEM khụng nhỡn thy cỏc ht SiC Phõn tớch EDS Kt qu phõn tớch EDS c th hin hỡnh 3.2 Thnh phn theo lng P 11.77% SiC 0% a) Ph EDS lp m NiP Lun thc s 62 Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC Thnh phn theo lng P 11.01% SiC 0.62% C b) Ph EDS lp m compozit NiP - SiC ( nng SiC 10 g/l) Thnh phn theo lng P 10.53% SiC 1.43% C c) Ph EDS lp m compozit NiP - SiC ( nng SiC 15 g/l) Lun thc s 63 Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC Thnh phn theo lng P 10.12% SiC 2.21% C d) Ph EDS lp m compozit NiP - SiC ( nng SiC 20 g/l) Thnh phn theo lng P 10.12% SiC 2.21% C e) Ph EDS lp m compozit NiP - SiC ( nng SiC 25 g/l) Hỡnh 3.2 - Hỡnh nh ph EDS cỏc mu m NiP compozit vi hm lng SiC khỏc Lun thc s 64 Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC Cú th thy cỏc tớn hiu ca Ni, P, Fe, Si, C xut hin trờn ph chng t ó hỡnh thnh compozit NiP-SiC v khụng b ln cỏc kim loi khỏc Thnh phn SiC mng (%) Hỡnh 3.3 - nh hng hm lng SiC dung dch n thnh phn SiC mng 2.5 SiC SiC dung dch (g/l) mng (%) 1.5 0.5 0 10 0,62 15 1,43 20 2,21 25 2,30 0 10 15 20 25 30 Hm lng SiC dung dch (g/l) Thnh phn SiC lp mng tng hm lng SiC dung dch tng v t giỏ tr ln nht 2,30 % (theo lng) Khi tip tc tng nng SiC dung dch quỏ 20g/l, thnh phn cú xu hng t giỏ tr bóo ho n nh Cú th gii thớch quỏ trỡnh trờn nh sau: dung dch m NiP cú ht SiC, iu kin nhit v siờu õm khụng i, theo c ch ó c trỡnh by phn 1.3.2, cỏc ht phõn tỏn, i lu v ng li trờn b mt kim loi theo giai on Trong trng hp ny, quỏ trỡnh ht gn bỏm lờn b mt kim loi cú th trng lc, va chm hoc hp ph Ch mt phn nh cỏc ht SiC cú th bỏm lờn c b mt kim loi, phn ln cỏc ht SiC cũn li dung dch Khi tng nng SiC dung dch m, lng SiC bỏm trờn b mt kim loi cú tng nhng tng nng SiC quỏ cao, quỏ trỡnh khuch tỏn SiC n b mt s b cn tr, dn n ht SiC khụng tin n c n lp b mt kt ta ng thi vi lp NiP to lp m compozit Lun thc s 65 Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC 3.3 o ng cong phõn cc -0.9 -0.8 -0.7 -0.6 -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 -1 -2 Lg |i| (A) -3 -4 -5 Lp m NiP Lp m NiP-SiC 10g/l Lp m NiP-SiC 15g/l Lp m NiP-SiC 20g/l Lp m NiP-SiC 25g/l Thộp nn -6 -7 -8 E(V) Hỡnh 3.4 - ng cong phõn cc dung dch NaCl 3.5% cỏc mng vi nng SiC khỏc Hỡnh 3.4 l ng cong phõn cc cỏc mu compozit NiP-SiC vi hm lng SiC khỏc Cú th thy trờn cỏc nhỏnh phõn cc anụt cú s khỏc bit rừ rt gia lp m NiP v lp m NiP SiC, i vi lp m NiP-SiC xut hin quỏ trỡnh th ng, lm tng kh nng chng n mũn ca lp m Kt qu in th n mũn Eam, dũng n mũn ia v in tr n mũn Rp c trỡnh by bng 3.1 Ta thy hm lng SiC tng kh nng chng n mũn cng cú xu hng tng Bng 3.1 - Kt qu in th n mũn Eam, dũng n mũn ia v in tr n mũn Rp Hm lng SiC (g/l) Eam (V) ia (mA/cm2) Rp (Ohm) -0,59 0,089 6046 10 -0,61 0,063 6064 15 -0,55 0,045 6087 20 -0,51 0,022 6090 25 -0,605 0,025 6098 Lun thc s 66 Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC 3.4 Kt qu o tng tr in húa Hỡnh 3.5 l ph tng tr ca cỏc mu m o dung dch NaCl 3,5 % Tn s quột t kHz n mHz Hỡnh 3.5 - Kt qu o ph tng tr cỏc mu m cỏc hm lng 6000 SiC 0g/l SiC 10g/l SiC 15g/l SiC 25g/l SiC 20g/l I(Ohm) 4000 2000 0 2000 4000 6000 8000 10000 12000 14000 -2000 R(Ohm) ng t l ng tng tr o c, ng lin nột l ng tng tr thu c t vic fit mch vi mch in tng ng nh hỡnh - Rdd : c trng cho in tr dung dch in ly CPE1 - CPE1: c trng cho in dung lp kộp CPE2 Rdd Rct - Rct : in tr chuyn in tớch - W : tng tr khch tỏn Warburg W - CPE2: c trng cho in dung ca mng Rp - Rp : in tr ca mng Hỡnh 3.6 - Mch tng ng ca quỏ trỡnh n mũn lp ph compozit NiP dung dch NaCl Lun thc s 67 Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC Thụng s v kt qu in tr chuyn in tớch Rct c th hin bng 3.2 Ta cú th nhn thy, tng nng ht SiC dung dch, in tr chuyn in tớch cú thay i theo v cú xu hng tng, chng t cú ht SiC lp m, kh nng chng n mũn cng c ci thin Bng 3.2 - Tng hp kt qu in tr chuyn in tớch Rct Hm lng SiC (g/l) Rct (kOhm) 2438 10 3365 15 3546 20 4319 25 4367 3.5 Kt qu o cng v chiu dy lp m Bng 3.3 - Kt qu o cng cỏc mu m NiP khỏc Hm lng SiC (g/l) cng HV Chiu dy (àm) 238 12,0 10 258 11,1 15 272 11,2 20 298 11,2 25 294 11,3 Bng 3.3 l kt qu o cng cỏc mu vi nng SiC khỏc dung dch T bng 3.3 ta thy cng ca lp m NiP khỏ cao Kt qu ny c gii thớch hm lng P lp m húa hc NiP tng i cao Do ú cu trỳc vụ nh hỡnh chim u th dn n cng ca lp m rt cao Lun thc s 68 Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC Khi tng hm lng SiC ng thi cng lm tng cng v t cng ln nht 298 HV vi hm lng SiC dung dch l 20g/l Ta thy kt qu ny phự hp vi kt qu phõn tớch EDS, ú cho thy thnh phn SiC ln nht ti 20g/l Kt qu ny cng cho thy hm lng SiC lp mng ó nh hng trc tip n cng Kt qu o chiu dy lp m cng cho thy chiu dy lp m thay i khụng ỏng k thay i nng SiC dung dch 3.6 Tng hp kt qu Bng 3.4 - Tng hp nh hng ca hm lng SiC ti thnh phn v cu trỳc lp m Hm SEM lng SiC g/l 10 g/l 15 g/l 20 g/l 25 g/l Cu trỳc dng ht SiC b chụn lp SiC b chụn lp SiC b chụn lp SiC b chụn lp EDS %P %SiC 11.77 11.01 Rp ng cong phõn cc cng E(V) ia (mA/cm ) (HV) 6046 - 0.59 0,089 238 0,62 6064 - 0.61 0,063 258 10.53 1,43 6087 - 0.55 0,045 272 10.12 2,21 6090 - 0.51 0,022 298 10.09 2,30 6098 -0.605 0,025 294 T bng 3.4 ta cú nhng kt lun v nh hng ca hm lng SiC nh sau: - Hm lng SiC khụng lm thay i nhiu hỡnh thỏi b mt lp m Lun thc s 69 Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC - Khi tng hm lng SiC thnh phn P mng gim nh - Hm lng SiC tng thnh phn SiC mng cng nh cng tng v t giỏ tr ln nht hm lng SiC dung dch l 20g/l Cỏc kt qu cú th gii thớch da trờn c ch hỡnh thnh lp mng compozit Quỏ trỡnh kt ta ca lp mng compozit bao gm bc Quỏ trỡnh chuyn cỏc ht SiC dung dch ti b mt nn Phn ng ca cỏc ht SiC vi b mt nn Phỏt trin lp m NiP lp cỏc ht SiC Khi nng ht tng, mt ht SiC dung dch cng tng, khuych tỏn v i lu cỏc ht ny cng n c b mt NiP nhiu hn dn n lng SiC phõn tỏn vo mng cng tng Mt khỏc mt ht SiC dung dch tng n mt giỏ tr nht nh, quỏ trỡnh khuych tỏn li b cn tr bi chớnh nhng ht SiC v dn n bóo ho v hm lng SiC mng Lun thc s 70 Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC Chng IV - KT LUN nh hng ca hm lng ht nano SiC (0 g/l, 10 g/l, 15 g/l, 20g/l v 25g/l) ti hỡnh thỏi b mt, thnh phn cu trỳc v kh nng chu n mũn, cng, chiu dy ca lp ph compozit NiP-SiC ó c kho sỏt Cỏc kt qu chớnh thu c cú th tng kt nh sau: Quỏ trỡnh ng kt ta cỏc ht SiC vo lp m NiP hoỏ hc núi chung khụng lm thay i hỡnh thỏi b mt nhỏm cú xu hng tng nh cỏc ht SiC phõn tỏn vo lp m Hm lng SiC lp mng tng v t giỏ tr bóo ho 20g/l tng hm lng SiC dung dch Thnh phn P mng thay i khụng nhiu v cú xu hng gim tng hm lng SiC Kh nng chu n mũn ca cỏc lp m compozit nghiờn cu cú xu hng tng tng hm lng SiC cng t giỏ tr cao nht i vi hm lng 20 g/l thay i nng ht SiC Ta cng thy kt qu ny phự hp vi hm lng SiC phõn tỏn vo lp mng Nh vy hm lng SiC mng ó nh hng trc tip ti cng Lp m tt t cng ti u m NiP vi hm lng SiC l 20g/l Lun thc s 71 Nguyn Tun Anh Nghiờn cu nh hng ca nng ht nano SiC dung dch ti cu trỳc v tớnh cht lp m húa hc composite NiP-SiC TI LIU THAM KHO C Sambucetti (1990), Electroplaters and Surface Finishes, Society Publishers, Florida, Gllen Mallory (2005), Electroless deposition technology, Surface Finishing Publisher, NewYork, Gugau (2006), Funktionerelle Oberflaechen durch chemische Nickel, Eugen G Leuzer Verlag, Wurtt, Sh Alirezaei, S.M Monirvaghefi, M Salehi, A Saatchi, (2004) Surface and coating technology (184), 170-175 Y Okinaka, T Osaka (1994), Electroless Deposition Processes: Fundamentals and Applications, in Advances in Electrochemical Science and Engineering, VHC Publisher,Vol 2, 55-116 Trn Minh Hong (1998), Cụng ngh m in, Nh xut bn Khoa hc v K thut, H Ni Mai Thanh Tựng (2005), M hoỏ hc NiP dung dch hypophotphit: nh hng ca cỏc thụng s n tc m, Tp Hoỏ hc v ng dng, (4), 32-35 Lun thc s 72 Nguyn Tun Anh ... (P1.1) thành hàm bậc : logV=logK+alog[Cu2+]+b.log[OH-]+c.log[HCHO]+d.log[L]-E/2,3T (P1.2) Từ (P.1.2) thực nghiệm xác định thông số động học sau: - a, b, c, d từ độ nghiêng đờng logV nồng độ... ch s kt ta ca niken photphit Khi phn ng m hoỏ hc din , lng ion photphit sinh tng dn theo thi gian v tớch t cho ti mt giỏ tr nht nh s gõy hin tung kt ta Tuy nhiờn hin tng ny cú th hn ch bng cỏch... hc c nng Ni2+ v t l ([Ni]2+ / [H2PO2]-) u quan trng cho phn ng t xỳc tỏc v hn ch cho quỏ trỡnh t phõn hu ca dung dch Cỏc iu kin nng ti u cho m Niken hoỏ hc: Nng ca ion hypophotphit tt nht l