Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 44 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
44
Dung lượng
1,57 MB
Nội dung
ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - ĐOÀN THỊ HẰNG ẢNH HƢỞNG CỦASÓNGĐIỆNTỪLÊNHỆSỐHALLVÀTỪTRỞHALLTRONGDÂY LƢỢNG TỬHÌNHCHỮNHẬTVỚICƠCHẾTÁNXẠĐIỆNTỬ - PHONONÂM Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết vật lý toán Mã Số : 60.44.01.03 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC Người hướng dẫn khoa học: GS TS Nguyễn Quang Báu Hà Nội – 2016 MỤC LỤC MỞ ĐẦU CHƢƠNG I: TỔNG QUAN VỀ DÂY LƢỢNG TỬVÀ LÝ THUYẾT LƢỢNG TỬ VỀ HIỆU ỨNG HALLTRONG BÁN DẪN KHỐI 1.1 Dâylượngtử 1.1.1 Khái quát dâylượngtử 1.1.2 Hàm sóng phổ lượngđiệntửdâylượngtử 1.2 Lý thuyết lượngtử hiệu ứng Hall bán dẫn khối CHƢƠNG II: ẢNH HƢỞNG CỦASÓNGĐIỆNTỪLÊNHỆSỐHALLVÀTỪTRỞHALLTRONGDÂY LƢỢNG TỬHÌNHCHỮNHẬT (CƠ CHẾTÁNXẠĐIỆNTỬ - PHONONÂM ) 17 2.1 Phương trình động lượngtử cho điệntử giam cầm dâylượngtửhìnhchữnhật hố cao vô hạn vớichếtánxạđiện tử-phonon âm 17 2.2 HệsốHalltừtrởHalldâylượngtửhìnhchữnhật hố cao vô hạn vớichếtánxạđiện tử- phononâm 24 CHƢƠNG III: KẾT QUẢ TÍNH TOÁN SỐVÀ THẢO LUẬN CHO DÂY LƢỢNG TỬHÌNHCHỮNHẬT HỐ THẾ CAO VÔ HẠN GaAs/GaAsAl 29 3.1 Sự phụ thuộc hệsốHall vào kích thước dâylượngtửhìnhchữnhật theo phương x có mặt sóngđiệntừ giá trị khác nhiệt độ cho trường hợp tánxạđiệntửphononâm 30 3.2 Sự phụ thuộc hệsốHall vào kích thước dâylượngtửhìnhchữnhật theo phương y có mặt sóngđiệntừ giá trị khác nhiệt độ cho trường hợp tánxạđiệntửphononâm 31 3.3 Sự phụ thuộc hệsốHall vào kích thước dâylượngtửhìnhchữnhật theo phương x,y có mặt sóngđiệntừ giá trị khác nhiệt độ cho trường hợp tánxạđiệntửphononâm 32 KẾT LUẬN 33 TÀI LIỆU THAM KHẢO 34 PHỤ LỤC 35 DANH MỤC BẢNG BIỂU Bảng 3.1 Các tham số vật liệu .31 DANH MỤC HÌNH VẼ Hình 3.1 Sự phụ thuộc hệsốHall vào kích thước dâylượngtửhìnhchữnhật theo phương x có mặt sóngđiệntừ giá trị khác nhiệt độ cho trường hợp tánxạđiệntửphonon âm…………………………………………32 Hình 3.2 Sự phụ thuộc hệsốHall vào kích thước dâylượngtửhìnhchữnhật theo phương y có mặt sóngđiệntừ giá trị khác nhiệt độ cho trường hợp tánxạđiệntửphonon âm…………………………………………33 Hình 3.3 Sự phụ thuộc hệsốHall vào kích thước dâylượngtửhìnhchữnhật theo phương x,y có mặt sóngđiệntừ giá trị khác nhiệt độ cho trường hợp tánxạđiệntửphononâm 34 MỞ ĐẦU Lí chọn đề tài Sự chuyển hướng đối tượng nghiên cứu từ vật liệu bán dẫn khối (bán dẫn có cấu trúc chiều) sang bán dẫn thấp chiều đặc trưng cho thành tựu khoa học vật lý vào cuối năm 80 kỷ 20 Đó là, bán dẫn hai chiều (giếng lượng tử, siêu mạng hợp phần, siêu mạng pha tạp, màng mỏng, …); bán dẫn chiều (dây lượngtửhình trụ, dâylượngtửhìnhchữ nhật,…); bán dẫn không chiều (chấm lượngtửhình lập phương, chấm lượngtửhìnhhình cầu) Nếu bán dẫn khối, điệntử chuyển động toàn mạng tinh thể (cấu trúc chiều) cấu trúc thấp chiều (hệ hai chiều, hệ chiều hệ không chiều), điện trường tuần hoàn gây nguyên tử tạo nên tinh thể, mạng tồn trường điện phụ Trường điện phụ biến thiên tuần hoàn vớichu kỳ lớn nhiều sovớichu kỳ số mạng (hàng chục đến hàng nghìn lần) Tuỳ thuộc vào trường điện phụ tuần hoàn mà bán dẫn thấp chiều thuộc bán dẫn có cấu trúc hai chiều (giếng lượng tử, siêu mạng), bán dẫn có cấu trúc chiều (dây lượng tử) Nếu dọc theo hướngcó trường điện phụ chuyển động hạt mang điện bị giới hạn nghiêm ngặt (hạt chuyển động tự theo chiều trường điện phụ), phổ lượng hạt mang điện theo hướng bị lượngtử hoá Chính lượngtử hóa phổ lượng hạt tải dẫn đến thay đổi đại lượng vật lý: hàm phân bố, mật độ dòng, tenxơ độ dẫn, tương tác điệntửvới phonon…, đặc tính vật liệu, làm xuất nhiều hiệu ứng mới, ưu việt mà hệđiệntử ba chiều [1,2] Việc tạo linh kiện, thiết bị điệntử dựa nguyên tắc hoàn toàn mới, công nghệ cao, đại có tính chất cách mạng khoa học kỹ thuật nói chung quang-điện tử nói riêng nhờ vào hệ bán dẫn với cấu trúc thấp chiều Nhờ tính bật, ứng dụng to lớn vật liệu bán dẫn thấp chiều khoa học công nghệ thực tế sống mà vật liệu bán dẫn thấp chiều thu hút quan tâm đặc biệt nhà vật lý lý thuyết thực nghiệm nước Hiệu ứng Hall bán dẫn khối xem xét ảnhhưởngsóngđiệntừ nghiên cứu đầy đủ cụ thể phương pháp phương trình động cổđiển Boltzmann phương trình động lượngtử [10,12,13] Tuy nhiên, theo biết nghiên cứu lý thuyết hiệu ứng hệ thấp chiều ảnhhưởngsóngđiệntừ mạnh bỏ ngỏ Tronghệ thấp chiều lượngsốsóng hạt bị lượngtử không giam giữ nội vật liệu mà trường ngoài, chẳng hạn từ trường mạnh (xuất mức Landau) Trong điều kiện nhiệt độ thấp tính lượngtử thể mạnh nhiệt độ thấp, đòi hỏi phải sử dụng lý thuyết lượngtử Lý thuyết lượngtử hiệu ứng Hall Hố lượngtử siêu mạng ảnhhưởngsóngđiệntừ mạnh nghiên cứu phương pháp phương trình động lượngtử Hai trường hợp xem xét là: từ trường nằm mặt phẳng tự electron từ trường vuông góc với mặt phẳng tự electron với hai loại tương tác tương tác electron-phonon quang electron-phonon âm [5, 6, 7, 8, 9] Chúng ta biết rằng, số bán dẫn thấp chiều, bán dẫn dâylượngtửvới dạng khác ý Bán dẫn có cấu trúc dâylượngtửhệđiệntử chiều Tuy nhiên, nghiên cứu lý thuyết hiệu ứng cho hệ thấp chiều nói chung hệ chiều nói riêng ảnhhưởngsóngđiệntừ chưa đầy đủ Vì lẽ đó, chọn đề tài: “Ảnh hƣởng sóngđiệntừlênhệsốHalltừtrởHall giây lƣợng tửhìnhchữnhậtvớichếtánxạđiệntử - phonon âm” Phƣơng pháp nghiên cứu Chúng sử dụng phương pháp phương trình động lượngtử cho điệntử Viết Hamiltonian cho hệđiệntử - phonondâylượngtửhìnhchữ nhật, sau xây dựng phương trình động lượngtử cho điệntử giải phương trình để tìm biểu thức giải tích cho ten xơ độ dẫn HallhệsốHall Biểu thức độ dẫn Hall phụ thuộc vào từ trường, nhiệt độ, tầnsố cường độ sóngđiệntừ đại lượng vật lý đặc trưng cho dâylượngtửhìnhchữnhật Sử dụng chương trình Matlab để tính toán số cho dâylượngtửhìnhchữnhật cụ thể GaAs/GaAsAl Đây phương pháp phổ biến để nghiên cứu bán dẫn thấp chiều 3.Mục đích, đối tƣợng phạm vi nghiên cứu Tính toán độ dẫn HallhệsốHalldâylượngtửhìnhchữnhật để làm rõ tính chất đặc biệt bán dẫn thấp chiều Đối tượng nghiên cứu: dâylượngtửhìnhchữnhật Phạm vi nghiên cứu: Tính toán độ dẫn HallhệsốHalldâylượngtửhìnhchữnhậtvới trường hợp tánxạđiệntửphononâm Cấu trúc luận văn Ngoài phần mở đầu, kết luận, tài liệu tham khảo phụ lục, luận văn chia làm ba chương: CHƢƠNG I: Tổng quan dâylượngtử lý thuyết lượngtử hiệu ứng Hall bán dẫn khối CHƢƠNG II: ẢnhhưởngsóngđiệntừlênhệsốHalltừtrởHalldâylượngtửhìnhchữ nhật( Cơchếtánxạđiệntử - phonon âm) CHƢƠNG III: Kết tính toán số thảo luận cho cho dâylượngtửhìnhchữnhật hố cao vô hạn GaAs/GaAsAl Các kết thu luận văn góp phần vào kết gửi công bố công trình quốc tế: J.Physics (2016) CHƢƠNG I: TỔNG QUAN VỀ DÂY LƢỢNG TỬVÀ LÝ THUYẾT LƢỢNG TỬ VỀ HIỆU ỨNG HALLTRONG BÁN DẪN KHỐI Trong chương này, giới thiệu sơ lược dâylượngtử hiệu ứng Hall bán dẫn khối theo quan điểm lượngtửTừ Hamiltonnian hệđiệntử - phonon, phương pháp phương trình động lượng tử, đưa công thức tenxo độ dẫn Hall, công thức xác định hệsốHallđiệntử bán dẫn khối 1.1 Dây lƣợng tử 1.1.1 Khái quát dây lƣợng tửDâylượngtử (quantum wires) cấu trúc vật liệu thấp chiều Trong đó, chuyển động điệntử bị giới hạn theo hai chiều (kích thước cỡ 100 nm), có chiều chuyển động tự (trong số toán chiều thường gọi vô hạn); hệđiệntử gọi khí điệntử chuẩn chiều Trên thực tế chế tạo nhiều dâylượngtửcó tính chất tốt Dâylượngtửchế tạo nhờ phương pháp eptaxy MBE, kết tủa hóa hữu kim loại MOCVD Một cách chế tạo khác sử dụng cổng (gates) transistor hiệu ứng trường, cách này, tạo kênh thấp chiều hệ khí điệntử hai chiều 1.1.2 Hàm sóng phổ lƣợng điệntửdây lƣợng tử Mô hìnhdâylượngtửhìnhchữnhật hay đề cập đến công trình mang tính lý thuyết Để tìm phổ lượng hàm sóngđiệntửdâylượngtử tìm kết nhờ việc giải phương trình Schrodinger điệntử cho hệ chiều H V (r ) U (r ) E 2m * 2 (1.1) Trong đó, U(r) tương tác điện tử, V(r) giam giữ điệntử giảm kích thước Với mô hìnhdâylượngtửhìnhchữnhậtcó kích thước ba trục giả thiết Lx , Ly , Lz ( Lz , Lx , Ly ) Ta giả thiết z chiều không bị lượngtử hóa (điện tử chuyển động tự theo chiều này), điệntử bị giam giữ hai chiều lại(x y hệ tọa độ Descarte); khối lượng hiệu dụng điệntử m* 0 x Lx ; y Ly V x x Lx ; y y Ly a, Hàm sóng phổ lƣợng electron dây lƣợng tửhìnhchữnhậtvới hố cao vô hạn trƣờng ngoài: Trong phần đây, xét trường hợp đơn giản nhất: hố không vô cực dây Khi đó, hàm sóng phổ lượngđiệntử viết dạng: ikz N y n x e sin sin Lx Lz Lx Ly Ly 0 n , N x , y , z n ,l k (1.2) k 2 n2 l 2m* 2m* L2x L2y Trong đó: n, l: sốlượngtử hai phương bị lượngtử hoá x y; k 0, 0, kz : véc tơ sóngđiệntử Lx, Ly: kích thước dây theo hai phương Ox, Oy Thừa số dạng cho I n ,l , n ' ,l ' q 32 qx Lx nn ' 1 1 q L 2 q L x x x x 32 q y Ly ll ' 1 1 q L 2 q L y y y y 2 l l l ' n n n' cos qx Lx n '2 n n '2 cos q y Ly l '2 l l '2 b, Hàm sóng phổ lƣợng electron dây lƣợng tửhìnhchữnhậtvới hố cao vô hạn cótừ trƣờng: Giả sử dâylượngtửhìnhchữnhậtvới hố cao vô hạn đặt từ trường B (0, B,0) điện trường không đổi E1 (0,0, E1 ) ảnhhưởng trường laser có véc tơ điện trường E( t ) E0 sin( t ) vuông góc với phương truyền sóng, Eo tương ứng biên độ tầnsốsóngđiệntừ Khi hàm sóng phổ lượng electron dâylượngtửhìnhchữnhậtcó mặt từ trường có dạng: n,N x, y , z n ,l ikz N y n x e sin sin Lx Lz Lx Ly Ly 0 k2 2 k 2m* 2m* x Lx ;0 y Ly x x Lx ; y y Ly n2 l 1 eE1 c ( N ) 2m* c Lx Ly Trong m khối lượng hiệu dụng điện tử; n, l sốlượngtử hai phương bị lượngtử hóa x y; k q véctơ sóngđiệntử phonon; Lx Ly tương ứng kích thước dâylượngtử theo phương x y; C q thừa số tương tác điệntử – phonon; an,l ,k ( an ,l ,k ) toán tử sinh (hủy) điện tử; bq ( bq ) toán tử sinh (hủy) phononâm trong; A(t ) c E0 sin(t ) véc tơ sóngđiện từ, với c vận tốc ánh sáng chân không I n,l ,n ',l ' (q) thừa số dạng điện tử; c tầnsố Cyclotron 1.2 Lý thuyết lƣợng tử hiệu ứng Hall bán dẫn khối Trong phần giới thiệu tổng quát ảnhhưởngsóngđiệntừlên hiệu ứng Hall bán dẫn khối Trong bán dẫn khối, ta đặt dòng điện theo phương Ox, từ trường theo phương Oz thấy xuất điện trường theo phương Oy Hiện tượng gọi Hiệu ứng Hallcổđiển ( ) X c ( ) h X c2 (2 ) h , X h 2 c ( ) L0 ( X ) (2.32) X , Qi , Si Hàm phân bố điện tử: n(o ) n , k no, k k ( , k ) ,k o ; n , k e ,k ( F ,k ) , k BT (2.33) Chuyển tổng k q thành tích phân sau : L ( ) x 2 k ( ) q V 2 Lx / ( ) dk, Lx /2 2 q d q d qz d ,q x qy qx Sau thực tính toán ta có biểu thức cho tensơ độ dẫn b 2 ij c ijk hk c hi h j a ij 2 ij 2 c m c e c 2 ij 3c2 c4 hi h j c ijk hk (2.34) Trong ij the Kronecker delta; ijk tenxơ Levi – Civita; số Latin hk ,hi ,h j tượng trưng cho thành phần x, y, z hệ tọa độ Descartes; 3/2 e τ eE1 2 n2 l 2m a exp β ε F , (2.35) c N m ω 2c τ2 m m L L c x y b ek BT I n ,l ,n ',l ' ( s1 s2 s3 s4 s5 s6 s7 s8 ), ms2V s1 S S12 S m2V e ) K1 ( 12 ) , S12 K o ( 2m 32 2 2 (2.37) s2 m3 S12V S4 S12 S12 e K2 K1 , 16 2 2 (2.38) 12 12 26 (2.36) s3 m3 S13V S4 S13 S13 e K2 K1 , 32 13 m3 S14V S4 s4 e 32 14 S14 S14 K1 K2 , 2 (2.39) (2.40) s5 S15 S m2V S4 e ) K1 ( 15 ) , S15 K o ( 2m 32 2 2 (2.41) s6 m3 S15V S4 S15 e K1 16 2 (2.42) s7 m3 S17V S4 S17 S17 e K2 K1 , 32 2 (2.43) s8 m3 S17V S4 S17 e K1 32 (2.44) 15 15 S15 K2 2 , 17 17 I n ,l ,n ',l ' S17 K2 , 2 I n ,l ,n ',l ' (q ) dq ; S12 n '2 n l '2 l 2m L2x L2y 2 S13 S12 S15 ; S14 S12 ; N ' N q ; 1/ (kBT ) n '2 n l '2 l 2m L2x L2y 2 c c N ' N q ; S17 S15 ; S18 S15 ; I n ,l ,n ',l ' I n ,l ,n ',l ' (q ) dq (2.45) F lượng Fermi, k B số Boltzmann; T nhiệt độ hệ Ki ( x) hàm Bessel loại Vớihướngtừ trường trục tọa độ chọn trường hợp thành phần điệntrở zz gọi từtrở tính theo công thức : zz zz , z2z xz 27 (2.46) VàhệsốHall RH cho công thức RH xz B xz z2z (2.47) Trong thành phần zz xz tenxơ độ dẫn suy từ công thức (2.34).Phương trình (2.34) cho thấy phụ thuộc phức tạp tenxơ độ dẫn vào trường Nó tính toán cho giá trị số n, l , N , n ', l ', N ' Tuy nhiên, ta tìm biểu thức tường minh tích phân (2.45) biểu thức có chứa đa thức Hermite Vì tích phân tính máy tính sử dụng phần mềm tính số thực khảo sát số kết giải tích 28 CHƢƠNG III: KẾT QUẢ TÍNH TOÁN SỐVÀ THẢO LUẬN CHO DÂY LƢỢNG TỬHÌNHCHỮNHẬT HỐ THẾ CAO VÔ HẠN GaAs/GaAsAl Để thấy tường minh phụ thuộc định tính lẫn định lượnghệsốHallđiệntử giam cầm dâylượngtửhìnhchữnhật hố cao vô hạn vào tham số hệ, phần này, trình bày kết tính sốcó việc sử dụng phần mền tính số Matlab Dâylượngtử chọn GaAs / GaAsAl , vật liệu thường sử dụng nhiều tính số Các số liệu sử dụng tính số bảng 3.1 Bảng 3.1 Các tham sốdâylượngtửhìnhchữnhậtvới hố cao vô hạn GaAs/GaAsAl Đại lƣợng Kí hiệu Giá trị Thời gian phục hồi xung lượng 0 10-12 (s) Vận tốc sóngâm dọc vl 2,0×103 (m.s−1) Vận tốc sóngâm ngang vt 1,8×103 (m.s−1) Vận tốc sóngâm vs 5370 (m.s−1) Hằng số biến dạng Λ 13,5 (eV) Khối lượng hiệu dụng điệntử m 0,067me Mật độ khối lượng bán dẫn 5320 (kg.m-3) Kích thước dây theo phương x, y Lx, Ly 30 nm Chiều dài dâylượngtử L 120 nm Cường độ sóngâm 104 (W.m-2) Đồng thời xét dịch chuyển electron mức mức kích thích thấp n 1, n 1, l 1, l 1; N ' N Các hình vẽ 3.1, 3.2 3.3 phụ thuộc hệsốHall vào kích thước dâylượngtửhìnhchữnhật theo phương x, theo phương y theo hai phương x y có mặt sóngđiệntừ giá trị khác nhiệt độ cho trường hợp tánxạđiệntửphononâm Ta nhận thấy kích thước dâylượngtử 29 hìnhchữnhật Lx (Ly) tăng miền giá trị nhỏ 1109 m Lx ( Ly ) 1.5 109 m , hệsốHall phụ thuộc không tuyến tính vào kích thước dâylượngtửhìnhchữnhật theo phương x (theo phương y) Giá trị hệsốHall tăng lên kích thước dâylượngtử tăng Tuy nhiên đến giá trị xác định kích thước dây, hệsốHall đạt giá trị cực đại giảm dần kích thước dây tiếp tục tăng Giá trị xác định kích thước dây mà hệsốHallcó cực đại khác phụ thuộc vào giá trị nhiệt độ khác Ví dụ, với T 4K T 5K , đỉnh cực đại xuất giá trị kích thước dây Lx 2.1109 m(L y 2.1109 m) Lx 1.7 109 m(L y 1.7 109 m) Hình 3.1 Sự phụ thuộc hệsốHall vào kích thước dâylượngtửhìnhchữnhật theo phương x có mặt sóngđiệntừ giá trị khác nhiệt độ cho trường hợp tánxạđiệntửphononâm 30 Hình 3.2 Sự phụ thuộc hệsốHall vào kích thước dâylượngtửhìnhchữnhật theo phương y có mặt sóngđiệntừ giá trị khác nhiệt độ cho trường hợp tánxạđiệntửphononâm Một điều đáng ý nhiệt độ thấp đỉnh cực đại hệsốHalldâylượngtử cao HệsốHalldâylượngtửcó giá trị âm, đồng nghĩa với việc xạsóngđiệntừ hội tụ điều kiện phù hợp giá trị âm, đồng nghĩa với việc xạsóngđiệntừ hội tụ điều kiện phù hợp Khi kích thước dâylượngtửhìnhchữnhậtvới hố cao vô hạn tiếp tục tăng hệsốHall không đổi gía trị định, điều hiểu kích thước dây tăng, dâylượngtửtrở thành bán dẫn khối hệsốHall không phụ thuộc vào kích thước dâylượng tử, điều bán dẫn khối 31 RH (arb.units) Lx(m) Ly(m) Hình 3.3 Sự phụ thuộc hệsốHall vào kích thước dâylượngtửhìnhchữnhật theo phương x,y có mặt sóngđiệntừ giá trị khác nhiệt độ cho trường hợp tánxạđiệntửphononâmHình 3.3 cho thấy phụ thuộc hệsốHall vào hai kích thước dây Lx , Ly HệsốHall phụ thuộc phi tuyến vào hai kích thước giới hạn Lx , Ly dâylượngtửhìnhchữnhật Giá trị hệsốHall tăng lên tăng kích thước dây, đến giá trị xác định, hệsốHall đạt giá trị cực đại giảm dần kích thước dây tiếp tục tăng 32 KẾT LUẬN Đề tài nghiên cứu: ẢnhhưởngsóngđiệntừlênhệsốHalltừtrởHall giây lượngtửhìnhchữnhật ( chếtánxạ - Phonnon âm) cho kết sau: Đã xây dựng lý thuyết lượngtử hiệu ứng Halldâylượngtửhìnhchữnhật hố cao vô hạn có mặt sóngđiệntừ mạnh vớichếtánxạđiệntửphononâm Phương trình động lượngtử cho điệntử giam cầm hệsốHalltừtrởHall xây dựng cho tương tác điệntử - phononâm Đã thu biểu thức giải tích hệsốHalltừtrởHall cho thấy phụ thuộc vào tham số nhiệt độ hệ, cường độ tầnsốsóngđiện từ, kích thước dâytầnsố cyclotron từ trường Kết giải tích áp dụng tính số cho dâylượngtửhìnhchữnhật GaAs / GaAsAl Kết tính số cho thấy phụ thuộc hệsốHalltừtrởHalldâylượngtửhìnhchữnhật hố cao vô hạn vào tham sốhệ phi tuyến có khác biệt sovới bán dẫn khối sovớihệ chiều Sự phụ thuộc hệsốHall vào đại lượng thay đổi mặt định tính định lượngsovới bán dẫn khối sovớihệ hai chiều Điều chứng tỏ hình dạng kích thước dâylượngtửcóảnhhưởng đáng kể hệsốHalltừtrởHall Các kết thu khác biệt sovới toán tương tựvớichếtánxạđiệntử - phonon quang 33 TÀI LIỆU THAM KHẢO A - Tiếng Việt [1] Nguyễn Quang Báu (Chủ biên), (2011), Lý thuyết bán dẫn đại, Nhà xuất Đại học Quốc gia Hà Nội [2] Nguyễn Quang Báu (Chủ biên), Nguyễn Vũ Nhân, Phạm Văn Bền (2010), Vât lý bán dẫn thấp chiều, Nhà xuất Đại học Quốc gia Hà Nội B – Tiếng Anh [3] Akera H, Ando, 1990 Int J Mod Phys B, 41, p.11967 [4] Akera H, Ando, 1991 Int J Mod Phys B, 43, p.11676 [5] Bau N Q and Hoi B D (2012), J Korean Phys Soc, 60, p.59 [6] Bau N Q et al (2013), PIER Proceedings, March 25 [7] Bau N Q and Hoi B D (2014), Int J Mod Phys B, 28, p.1450001 [8] Bau N Q and Hoi B D (2015), Integrated Ferroelectrics: An International Journal, 155, p.39 [9] Bau N Q and Huong N T (2015) Journal of physics: Conference Series 627, p.012023 [10] Epshtein E M (1976), Sov Phys Semicond 10, p.1414 [11] Hiroshi Akera,Tsuneya Ando,1989 Int.J.Mod.Phys.B.39, p.5508 [12] Malevich V L, Epshtein E M (1976), J Sov Phys.19, p.230 [13] Pavlovich V V and Epshtein E M (1977), Fiz Tekh Poluprovodn.11, p.809 34 PHỤ LỤC Chƣơng trình Matlab tính toán HệsốHalldây lƣợng tửhìnhchữnhậtvới hố cao vô hạn 1.Hàm Laguerre function y=Laguerre(n,k,x) % n la chi so duoi % k la chi so tren P = zeros(n+1,1); for v=0:n P(n+1-v) = (-1)^v * factorial(n+k)/factorial(nv)/factorial(k+v)/factorial(v); end; y = poly2sym(P,x); function y=Laguerre2(n,k,x) % n la chi so duoi % k la chi so tren P = zeros(n+1,1); for v=0:n P(n+1-v) = (-1)^v * factorial(n+k)/factorial(nv)/factorial(k+v)/factorial(v); end; y = polyval(P,x); Sự phụ thuộc hệsốHall vào kích thƣớc dây lƣợng tửhìnhchữnhật theo phƣơng x có mặt sóngđiệntừ giá trị khác nhiệt độ cho trƣờng hợp tánxạđiệntửphononâm clc;close all;clear all; T(1)=4;T(2)=1.5;T(3)=6; n1=2;n=1;l1=2;l=1;Np=1; m=.6097*10^(-31); Xinf=10.9;X0=12.9; ro=5320; eps0=8.86e-12; e0=1.60219e-19;h=1.05459e-34;kb=1.3807e-23; e=e0; q=2.*10^8; c=3e8; hnu=3.66e-2*1.60219e-19;ome0=hnu/h; 35 E1=3e5;E0=10e5;L=90*10^-9;Lx=linspace(4*10^-9,60*10^-10,100);Ly=9*10^-9; Tau=1e-12;Ef=0.05*1.6*10^(-19); ome=2e13; B=350; for z=1:3; omc=e.*B./m; bta=1./(kb.*T(z)); f0=kb.*T(z)./(h.*ome0); thet=e.^2*E0^2./(m^2*ome.^4); I1=(2.*m./(bta.*h.^2)).^3/2.*(1/2.*sqrt(pi)); A=h.^2.*q.^2./(2.*m)-h.*omc.*((n1-n+l1-l)./2)+h.*ome0+h.*ome; A2=pi.^2*h.^2./(2.*m).*(n1.^2./(Lx.^2)+l1.^2./(Ly.^2))e.^2.*E1.^2./(2.*m.*omc.^2); bb=[2.4048 3.8317; 3.8316 1]; Lz=9*10^-9; hs=[24*bessel(3,q.*Lz(1))./((q.*Lz(1)).^3) 48*bessel(4,q.*Lz(1))./((q.*Lz(1)).^3); 48.1*bessel(4,q.*Lz(1))./((q.*Lz(1)).^3) 1]; for i=1:2 for j=1:2 D=(hs(i,j).^2); end end for N=0:1 for N1=0:1 u=(h./(2.*m.*omc)).*(2.405/Lz).^2; Nn=min(N,N1); Nm=max(N,N1);k=Nm-Nn; Le= Laguerre2(Nn,k,u); J=(factorial(Nn)./factorial(Nm)).*exp(-u).*u.^k.*Le.^2; end end C=(2*pi*e^2*h*ome0/eps0.*q^2)*(1/Xinf-1/X0); Gamma=f0.*L.*m./(2.*pi.*q.*h.^2).*exp(-bta.*m.*A.^2./(2.*q.^2.*h.^2)bta.*A2).*(exp(bta.*h.*(ome0+ome))-1); b=D.*J.*C*(thet.*q.^2./4).*Gamma; a=(L./(2.*pi)).*h.*(e.*bta.*h./m.^2).*(Tau./(1+omc.^2.*Tau.^2)).*(exp(bta *(Ef-h.*omc.*(Np+(n+l+1)./2)+e.^2.*E1.^2./2.*m.*omc.^2))).*I1; 36 sigzz=Tau./(1+omc.^2.*Tau.^2).*(e.*a+b.*Tau.*(1omc.^2.*Tau.^2)./m./(1+omc.^2.*Tau.^2)); sigzx=omc.*Tau./(1+omc.^2.*Tau.^2).*(e.*a./omc+b.*Tau.^2./m./(1+omc.^2.*Tau.^2)) ; Rh(:,z)=-1./B.*ro.*sigzz./(sigzz.^2+sigzx.^2); end figure(1) plot(Lx,Rh(:,1)./6e10,'g.','linewidth',3);hold on; plot(Lx,Rh(:,2)./6e10,'r ','linewidth',3);hold on; plot(Lx,Rh(:,3)./6e10,'b','linewidth',3);hold on; legend('T=4K','T=5K','T=6K'); xlabel('Lx(m)'); ylabel('RH (arb.units)'); Sự phụ thuộc hệsốHall vào kích thƣớc dây lƣợng tửhìnhchữnhật theo phƣơng y có mặt sóngđiệntừ giá trị khác nhiệt độ cho trƣờng hợp tánxạđiệntửphononâm clc;close all;clear all; T(1)=4;T(2)=1.5;T(3)=6; n1=2;n=1;l1=2;l=1;N=1; m=.6097*10^(-31); Xinf=10.9;X0=12.9; ro=5320; eps0=8.86e-12; e0=1.60219e-19;h=1.05459e-34;kb=1.3807e-23; e=e0; q=2.*10^8; c=3e8; hnu=3.66e-2*1.60219e-19;ome0=hnu/h; E1=3e5;E0=10e5;L=90*10^-9;Ly=linspace(4*10^-9,60*10^-10,100);Lx=9*10^-9; Tau=1e-12;Ef=0.05*1.6*10^(-19); ome=2e13; B=350; for z=1:3; omc=e.*B./m; bta=1./(kb.*T(z)); f0=kb.*T(z)./(h.*ome0); thet=e.^2*E0^2./(m^2*ome.^4); I1=(2.*m./(bta.*h.^2)).^3/2.*(1/2.*sqrt(pi)); 37 A=h.^2.*q.^2./(2.*m)-h.*omc.*((n1-n+l1-l)./2)+h.*ome0+h.*ome; A2=pi.^2*h.^2./(2.*m).*(n1.^2./(Lx.^2)+l1.^2./(Ly.^2))e.^2.*E1.^2./(2.*m.*omc.^2); bb=[2.4048 3.8317; 3.8316 1]; Lz=9*10^-9; hs=[24*bessel(3,q.*Lz(1))./((q.*Lz(1)).^3) 48*bessel(4,q.*Lz(1))./((q.*Lz(1)).^3); 48.1*bessel(4,q.*Lz(1))./((q.*Lz(1)).^3) 1]; for i=1:2 for j=1:2 D=(hs(i,j).^2); end end for N=0:1 for N1=0:1 u=(h./(2.*m.*omc)).*(2.405/Lz).^2; Nn=min(N,N1); Nm=max(N,N1);k=Nm-Nn; Le= Laguerre2(Nn,k,u); J=(factorial(Nn)./factorial(Nm)).*exp(-u).*u.^k.*Le.^2; end end C=(2*pi*e^2*h*ome0/eps0.*q^2)*(1/Xinf-1/X0); Gamma=f0.*L.*m./(2.*pi.*q.*h.^2).*exp(-bta.*m.*A.^2./(2.*q.^2.*h.^2)bta.*A2).*(exp(bta.*h.*(ome0+ome))-1); b=D.*J.*C*(thet.*q.^2./4).*Gamma; a=(L./(2.*pi)).*h.*(e.*bta.*h./m.^2).*(Tau./(1+omc.^2.*Tau.^2)).*(exp(bta *(Ef-h.*omc.*(Np+(n+l+1)./2)+e.^2.*E1.^2./2.*m.*omc.^2))).*I1; sigzz=Tau./(1+omc.^2.*Tau.^2).*(e.*a+b.*Tau.*(1omc.^2.*Tau.^2)./m./(1+omc.^2.*Tau.^2)); sigzx=omc.*Tau./(1+omc.^2.*Tau.^2).*(e.*a./omc+b.*Tau.^2./m./(1+omc.^2.*Tau.^2)) ; Rh(:,z)=-1./B.*ro.*sigzz./(sigzz.^2+sigzx.^2); end figure(1) plot(Ly,Rh(:,1)./6e10,'g.','linewidth',3);hold on; plot(Ly,Rh(:,2)./6e10,'r ','linewidth',3);hold on; plot(Ly,Rh(:,3)./6e10,'b','linewidth',3);hold on; 38 legend('T=4K','T=5K','T=6K'); xlabel(' Ly(m)'); ylabel('RH (arb.units)'); Sự phụ thuộc hệsốHalldây lƣợng tửhìnhchữnhật vào tầnsốsóngđiệntừ giá trị khác biên độ sóngđiệntừ trƣờng tánxạđiệntửphonon âm: clc;close all;clear all; T(1)=5;B(1)=4; B(2)=5; B(3)=6; n1=2;n=1;l1=2;l=1;N=1;N’=0 m=.6097*10^(-31); Xinf=10.9;X0=12.9; ro=5320; eps0=8.86e-12; e0=1.60219e-19;h=1.05459e-34;kb=1.3807e-23; e=e0; q=2.*10^8; c=3e8; hnu=3.66e-2*1.60219e-19;ome0=hnu/h; E1=2e5;E0=2e5;L=2*10^-8;Lx=2*10^-8;Ly=3*10^-8; Tau=1e-12;Ef=0.05*1.6*10^(-19); ome=linspace(3e13,3e6,100); for z=1:3; omc=e.*B(z)./m; bta=1./(kb.*T(1)); f0=kb.*E0./(h.*ome0); thet=e.^2*T(1)^2./(m^2*ome.^4); I1=(2.*m./(bta.*h.^2)).^3/2.*(1/2.*sqrt(pi)); A=h.^2.*q.^2./(2.*m)-h.*omc.*((n1-n+l1l)./2)+h.*ome0+h.*ome+h.*omc.*((n1+1/2)); A2=pi.^2*h.^2./(2.*m).*(n1.^2./(Lx.^2)+l1.^2./(Ly.^2))e.^2.*E1.^2./(2.*m.*omc.^2)+h.*omc.*((n1+1/2)); bb=[2.4048 3.8317; 3.8316 1]; Lz=9*10^-9; hs=[24*bessel(3,q.*Lz(1))./((q.*Lz(1)).^3) 48*bessel(4,q.*Lz(1))./((q.*Lz(1)).^3); 48.1*bessel(4,q.*Lz(1))./((q.*Lz(1)).^3) 1]; for i=1:2 39 for j=1:2 D=(hs(i,j).^2); end end for N=0:1 for N1=0:1 u=(h./(2.*m.*omc)).*(2.405/Lz).^2; Nn=min(N,N1); Nm=max(N,N1);k=Nm-Nn; Le= Laguerre2(Nn,k,u); J=(factorial(Nn)./factorial(Nm)).*exp(-u).*u.^k.*Le.^2; end end C=(2*pi*e^2*h*ome0/eps0.*q^2)*(1/Xinf-1/X0); Gamma=f0.*L.*m./(2.*pi.*q.*h.^2).*exp(-bta.*m.*A.^2./(2.*q.^2.*h.^2)bta.*A2).*(exp(bta.*h.*(ome0+ome))-1); b=D.*J.*C*(thet.*q.^2./4).*Gamma; a=(L./(2.*pi)).*h.*(e.*bta.*h./m.^2).*(Tau./(1+omc.^2.*Tau.^2)).*(exp(bta *(Ef-h.*omc.*(Np+(n+l+1)./2)+e.^2.*E1.^2./2.*m.*omc.^2))).*I1; sigzz=Tau./(1+omc.^2.*Tau.^2).*(e.*a+b.*Tau.*(1omc.^2.*Tau.^2)./m./(1+omc.^2.*Tau.^2)); sigzx=omc.*Tau./(1+omc.^2.*Tau.^2).*(e.*a./omc+b.*Tau.^2./m./(1+omc.^2.*Tau.^2)) ; Rh(:,z)=-1./B(z).*ro.*sigzz./(sigzz.^2+sigzx.^2); end figure(1) plot(ome,Rh(:,1)./1e10,'g.','linewidth',3);hold on; plot(ome,Rh(:,2)./1e10,'r-','linewidth',3);hold on; plot(ome,Rh(:,3)./1e10,'b ','linewidth',3);hold on; legend('Eo=2x10^5(V/m)','Eo=3x10^5(V/m)','Eo=4x10^5(V/m)'); xlabel('EMW frequency(s-1)'); ylabel('RH (arb.units)'); 40 ... động lượng tử cho điện tử dây lượng tử hình chữ nhật với hố cao vô hạn có sóng điện từ 2.2 Hệ số Hall từ trở Hall dây lƣợng tử hình chữ nhật hố cao vô hạn với chế tán xạ điện tử- phonon âm Từ phương... động lượng tử cho điện tử giam cầm dây lượng tử hình chữ nhật hố cao vô hạn với chế tán xạ điện tử- phonon âm 17 2.2 Hệ số Hall từ trở Hall dây lượng tử hình chữ nhật hố cao vô hạn với chế tán. .. thuyết lượng tử hiệu ứng Hall bán dẫn khối CHƢƠNG II: Ảnh hưởng sóng điện từ lên hệ số Hall từ trở Hall dây lượng tử hình chữ nhật( Cơ chế tán xạ điện tử - phonon âm) CHƢƠNG III: Kết tính toán số