Khảo sát sự nhiễm xạ và bước sóng của laser

Thí nghiệm vật lý: Xác định sự nhiễm xạ của chùm laser qua cách tử phẳng - xác định bước sóng của laser

VLKT Thí nghiệm vật lý BKO-070 Khảo sát sự nhiễu xạ của chùm laser qua cách tử phẳng xác định bớc sóng của laser Dụng cụ : 1. Nguồn phát tia laser bán dẫn ; 2. Cách tử nhiễu xạ phẳng ; 3. Thấu kính hội tụ (2 điôp) và hộp bảo vệ ; 4. Cảm biến photodiode silicon ; 5. Bộ khuếch đại và chỉ thị cờng độ vạch nhiễu xạ 6. Thớc trắc vi (Panme), chính xác 0,01mm ; 7. Hệ thống giá đỡ thí nghiệm . I. Cơ sở lý thuyết A. Nhiễu xạ ánh sáng qua một khe hẹp Nhiễu xạ ánh sáng là hiện tợng các tia sáng bị lệch khỏi phơng truyền thẳng khi đi qua các vật cản ( lỗ tròn nhỏ, khe hở hẹp, .). Dới đây ta khảo sát hiện tợng nhiễu xạ của chùm tia sáng song song ứng với các sóng phẳng . Chiếu một chùm tia sáng song song, đơn sắc, kết hợp có bớc sóng vuông góc với mặt phẳng của khe hẹp AB có độ rộng b (Hình 1). Sau khi truyền qua khe, các tia sáng bị nhiễu xạ theo mọi phơng khác nhau. Những tia sáng nhiễu xạ có cùng góc lệch sẽ truyền song song tới giao thoa với nhau tại vô cực. Để quan sát ảnh giao thoa của các tia nhiễu xạ song song, ta đặt một thấu kính hội tụ L ở phía sau khe hẹp AB để hội tụ các tia nhiễu xạ này tại điểm M trên mặt tiêu của thấu kính. Khi đó điểm M có thể sáng hoặc tối tuỳ thuộc giá trị của góc . Thực vậy, ta hãy vẽ các mặt phẳng song song 0 1 2, , , . cách nhau 2/ và vuông góc với chùm tia nhiễu xạ. Các mặt phẳng này chia mặt phẳng của khe AB thành các dải sáng hẹp có độ rộng: AB1 = B1 B2 = . = sin.2 Số dải sáng có trên mặt khe hẹp bằng : sin.b.2sin.2/bn == (1) Vì các tia nhiễu xạ tơng ứng từ hai dải sáng kế tiếp truyền tới điểm M có hiệu quang lộ bằng 2/, nên dao động sáng của chúng ngợc pha và khử lẫn nhau. Từ đó suy ra các kết quả sau : - Nếu khe hẹp chứa một số chẵn dải: k.2n = (với k là số nguyên dơng), thì dao động sáng do mỗi cặp dải sáng kế tiếp truyền tới điểm M sẽ khử lẫn nhau và điểm M sẽ là một điểm tối - gọi là cực tiểu nhiễu xạ . Vị trí các cực tiểu nhiễu xạ trên mặt tiêu của thấu kính L đợc xác định bởi hệ thức : k2sin.b.2= với k = 1 , 2 , 3 , . hay b/.ksin= (2) Theo (2), khi k = 0 thì = 0 : các tia sáng truyền thẳng qua khe hẹp AB và hội tụ tại tiêu điểm F của thâú kính L. Các tia sáng này có cùng quang lộ nên tại tiêu điểm F, chúng dao động cùng pha và tăng cờng lẫn nhau. Do đó điểm F rất sáng và gọi là cực đại nhiễu xạ giữa. - Nếu khe hẹp chứa một số lẻ dải : ( )1k2n +=, thì dao động sáng do mỗi cặp dải sáng kế tiếp truyền tới điểm M sẽ khử lẫn nhau, chỉ còn lại dao động sáng của một dải sáng d ra không bị khử. Khi đó M là một điểm sáng và đợc gọi là cực đại nhiễu xạ bậc k (k 0). Cờng độ sáng của các cực đại nhiễu xạ bậc k nhỏ hơn nhiều so với cực đại giữa. Vị trí các cực đại nhiễu xạ bậc k trên mặt tiêu của thấu kính L đợc xác định bởi hệ thức : ( )1k2sin.b.2+= với k = 1, 2, 3, hay b.2/).1k.2(sin+= (3) E A B1 M L B . 2 1 0 O Hình 1 2 Vị trí các cực đại và cực tiểu nhiễu xạ trên màn ảnh E (đặt tại mặt tiêu của thấu kính L) và sự phân bố cờng độ sáng I của các cực đại nhiễu xạ phụ thuộc giá trị của sin nh hình 2. Nhận thấy cực đại giữa có độ rộng lớn gấp đôi và có cờng độ sáng lớn hơn nhiều so với các cực đại nhiễu xạ khác. Dựa vào lý thuyết, ngời ta đã tính đợc tỷ lệ giữa cờng độ sáng I1 ,I2 , . của các cực đại nhiễu xạ thứ k = 1, 2, . so với cờng độ sáng I0 của cực đại giữa : 047,0/ =01II; 016,0/ =02II; . (4) Công thức (2) và (3) chứng tỏ vị trí các cực đại và cực tiểu nhiễu xạ trên màn ảnh E không phụ thuộc vị trí của khe hẹp AB. Vì thế, nếu giữ cố định thấu kính L và dịch chuyển khe hẹp AB song song với chính nó, thì ảnh nhiễu xạ trên màn E không thay đổi. B. Nhiễu xạ qua cách tử phẳng Tập hợp một số lớn khe hẹp giống nhau nằm song song và cách đều nhau trên cùng một mặt phẳng gọi là cách tử phẳng . Khoảng cách d giữa hai khe hẹp kế tiếp nhau gọi là chu kỳ của cách tử. Chiếu chùm sáng song song đơn sắc kết hợp có bứơc sóng vuông góc với mặt cách tử phẳng gồm N khe hẹp (Hình 3). Mỗi khe hẹp có độ rộng bằng b và chu kỳ của cách tử bằng d . Khi đó sẽ đồng thời xảy ra hiện tợng nhiễu xạ ánh sáng gây ra bởi mỗi khe hẹp và hiện tợng giao thoa của các chùm tia nhiễu xạ từ N khe hẹp truyền tới mặt tiêu của thấu kính L. Vì vậy ảnh nhiễu xạ trên màn ảnh E trong trờng hợp này trở nên phức tạp hơn so với một khe . Trớc tiên ta nhận thấy tại những điểm ứng với các góc nhiễu xạ thoả mãn điều kiện (2) : b/.ksin= với k = 1, 2, . (5) thì mọi khe hẹp của cách tử phẳng đều cho cực tiểunhiễu xạ : các cực tiểu nhiễu xạ này đợc gọi là cực tiểu chính. Bây giờ ta xét sự giao thoa của các chùm tia nhiễu xạ từ N khe hẹp truyền tới những vị trí nằm trong khoảng giữa các cực tiểu chính. Nhận xét thấy hiệu quang lộ giữa các cặp tia nhiễu xạ tơng ứng từ hai khe kế tiếp truyền tới điểm M trên mặt tiêu F của thấu kính hội tụ L bằng : sin.dLL12= (6) Từ đó suy ra những tia nhiễu xạ có góc lệch thoả mãn điều kiện : d k.sin . = với 3,2,1,0k = hay d/.ksin= (7) sẽ gây ra tại điểm M các dao động sáng cùng pha và chúng tăng cờng lẫn nhau. Khi đó, M sẽ là điểm sáng và gọi là cực đại chính bậc k. Dễ dàng nhận thấy cực đại chính trung tâm ứng với k = 0 và sin= 0 nằm tại tiêu điểm F của thấu kính L Hơn nữa, do d > b nên giữa hai cực tiểu chính sẽ có một số cực đại chính (Hình 4). Ngời ta cũng chứng minh đợc rằng giữa hai cực đại chính kế tiếp, còn có một số cực đại phụ I I0 I1= 0,045.I0 32b I2= 0,016.I0 2b b 0 +b +2b Hình 2 0I b d 0 +d +b Hình 4 : N = 2 , d = 3b sinsin d b Hình 3 3 ngăn cách bởi các cực tiểu phụ. Vị trí các cực tiểu phụ xác định bởi góc lệch thoả mãn điều kiện : d.N/ksin= (8) với , .3,2,1k = trừ các giá trị N, 2N, 3N, Vì các cực đại phụ có cờng độ sáng rất nhỏ nên không vẽ trên hình 4. Kết quả là ảnh nhiễu xạ qua cách tử phẳng có số khe N khá lớn sẽ gồm những vạch sáng song song nằm tại các vị trí xác định theo điều kiện (7). Các vạch sáng này ngăn cách nhau bởi những khoảng tối và có cờng độ sáng giảm từ cực đại trung tâm ra xa nó về cả hai phía ( xét trong phạm vi giữa hai cực tiểu chính bậc 1 b/+ và b/) . Trong thí nghiệm này, ta sẽ nghiên cứu hiện tợng nhiễu xạ của chùm laser chiếu qua một cách tử phẳng, khảo sát sự phân bố cờng độ sáng trên ảnh nhiễu xạ của nó , từ đó xác định bớc sóng của laser. C. Sơ lợc về nguồn sáng laser Laser là từ viết tắt của cụm từ tiếng Anh - Light Amplification by stimulated Emission of Radiation (Khuếch đại ánh sáng bằng phát xạ cảm ứng) để chỉ các bức xạ điện từ kết hợp ,có độ đơn sắc rất cao, có cờng độ lớn, và tính định hớng cao, đợc tạo ra trong những điều kiện đặc biệt. Khi chiếu bức xạ điện từ đơn sắc có tần số vào một chất, electron của các nguyên tử ở mức năng lợng cơ bản E1 hấp thụ bức xạ và chuyển lên mức năng lợng kích thích E2 cao hơn (E2 > E1 ). Nhng electron chỉ tồn tại ở mức năng lợng kích thích E2 trong khoảng thời gian ngắn (10-3s ữ 10-8s) - gọi là thời gian sống , sau đó chúng lại chuyển về mức năng lợng cơ bản E1 và phát xạ bức xạ. Quá trình chuyển mức năng lợng khi hấp thụ hoặc phát xạ đều tuân theo hệ thức Einstein : = hv = E2 - E1 (9) với h = 6,625.10-34 J.s là hằng số Planck và =h là photon của bức xạ điện từ có tần số v. Rõ ràng xác suất xảy ra hấp thụ tỷ lệ với mật độ electron N1 ở mức năng lợng cơ bản E1 và xác suất xảy ra phát xạ tỷ lệ với mật độ electron N2 ở mức năng lợng kích thích E2 . Thông thờng N2 <N1 nên xác suất để xảy ra phát xạ nhỏ hơn xác suất xảy ra hấp thụ. Trong điều kiện này, quá trình phát xạ không có tính kết hợp và đợc gọi là phát xạ tự phát, các bức xạ hoàn toàn độc lập với nhau, không có liên hệ về pha và hớng. Nhng, nếu bằng cách nào đó tạo ra đợc N2>N1 thì xác suất xảy ra phát xạ lớn hơn xác suất xảy ra hấp thụ. Khi đó quá trình phát xạ có tính kết hợp và gọi là phát xạ cảm ứng, trong đó các bức xạ cảm ứng có cùng tần số, cùng pha, cùng hớng và cùng độ phân cực với bức xạ kích thích. Điều kiện cần để xảy ra phát xạ cảm ứng là có sự đảo mật độ hạt, nghĩa là N2>N1 . Môi trờng chất ở trạng thái có sự đảo mật độ hạt gọi là môi trờng kích hoạt. Để tạo ra trạng thái đảo mật độ hạt, ngời ta sử dụng môi trờng kích hoạt trong đó nguyên tử có ba (hoặc bốn) mức năng lợng E1 , E2 , E3 sao cho thời gian sống 3 của nguyên tử ở mức E3 rất nhỏ so với thời gian sống 2 ở mức E2 . Đồng thời dùng phơng pháp "bơm điện" (phóng điện qua môi trờng kích hoạt) hoặc "bơm quang" (dùng nguồn sáng thích hợp có cờng độ mạnh chiếu vào môi trờng kích hoạt) để các nguyên tử bị kích thích chuyển từ mức E1 lên E3 . Nhng vì 3<2, nên các nguyên tử ở mức E3 nhanh chóng chuyển về mức E2 để tạo ra trạng thái đảo mật độ hạt với N2>N1 và dẫn tới hiện tợng phát xạ cảm ứng . Trong thí nghiệm này, ta dùng laser bán dẫn - gọi là diode laser. Khi cho dòng điện một chiều có cờng độ thích hợp chạy qua lớp tiếp xúc p-n tạo ra từ chất bán dẫn cơ bản GaAs, tia laser sẽ đợc phát ra do quá trình tái hợp p-n để tạo ra các photon. Nguyên tắc tạo ra trạng thái đảo mật độ trong diode laser nh sau : Các electron trong vùng hoá trị chuyển lên vùng dẫn nhờ một quá trình "bơm" (kiểu điện hoặc kiểu quang). Kết quả là giữa các mức năng lợng thấp của vùng dẫn và các mức năng lợng cao ở vùng hoá trị có sự đảo mật độ electron. Trạng thái đảo mật độ electron là trạng thái không cân bằng, nó chỉ tồn tại trong khoảng thời gian rất ngắn 10-13 s và đủ để gây ra hiệu ứng laser . II. Trình tự thí nghiệm A. Bộ thiết bị khảo sát nhiễu xạ của tia laser Thiết bị gồm một diode laser DL, phát ra chùm tia laser màu đỏ chiếu vuông góc vào mặt phẳng của cách tử CT. Chùm tia laser bị nhiễu xạ, truyền qua thấu kính hội tụ TK ( có tiêu cự f = 500mm) và cho ảnh nhiễu xạ trên mặt tiêu của thấu kính (Hình 5) . Để xác định vị trí các cực đại nhiễu xạ và khảo sát sự phân bố cờng độ sáng của chúng, ta dùng một cảm biến quang điện silicon QĐ đặt trong một hộp kín, phía trớc có màn chắn sáng có khe hở rộng khoảng 0,2 - 0,3 mm. Hộp cảm biến đợc gắn trên đầu trục của Panme P, nên có thể di chuyển đợc theo phơng ngang. Cờng độ tia laser rọi vào cảm biến QĐ, chuyển đổi thành cờng độ dòng điện, chạy qua một điện trở sun 220. Hiệu điện thế rơi trên điện trở sun này đợc đo và chỉ thị bởi Milivon kế điện tử MV, có lối vào là một ổ cắm 5 chân C. B. Kiểm tra và điều chỉnh chuẩn trực cho hệ thống. 4 Để kết quả đo đợc chính xác, trớc hết ta cần kiểm tra và điều chỉnh chuẩn trực cho hệ thống, tức là điều chỉnh sao cho chùm tia laser tới đập thẳng góc vào bảng màn ảnh, đúng vị trí trung tâm của cảm biến QĐ. Muốn vậy ta hãy thực hiện theo các bớc sau : 1. Vặn Panme P đa cảm biến QĐ về vị trí trung tâm ( 12,5 mm trên thân thớc kép của Panme). 2. Nhấc bàn trợt có gắn cách tử ra khỏi giá quang học và đặt xuống mặt bàn. Cắm phích điện của nguồn laser DL vào ổ điện ~220V và bật công tắc K1 của nó, ta nhận đợc chùm tia laser màu đỏ. Quan sát cảm biến QĐ xem chùm tia Laser có chiếu đúng vào tâm lỗ tròn trên mặt cảm biến hay không. Nếu lệch, nới nhẹ các con ốc trên khớp đa năng để xoay nguồn laser DL sao cho tia sáng rọi đúng vào tâm lỗ và vuông góc với bề mặt lỗ . Với hai phép xoay quanh 2 trục và 2 phép tịnh tiến dọc theo 2 trục của khớp vạn năng, ta hoàn toàn có thể điều chỉnh chuẩn trực chính xác cho hệ thống. 3. Đặt bàn trợt có gắn cách tử trở lại giá quang học. Điều chỉnh vị trí cách tử nhờ khớp nối đa năng của nó, sao cho tia laser dọi đúng vào tâm ( hình vuông) cách tử. Tiếp tục điều chỉnh xoay cách tử sao cho tia phản xạ từ mặt cách tử quay ngợc trở lại đúng vào lỗ ra của tia Laser. Dịch chuyển bàn trợt dọc theo giá quang học đến vị trí sao cho thấu kính TK cách mặt cảm biến QĐ đúng 500mm thì chốt lại và giữ cố định khoảng cách này trong suốt quá trình đo. Nếu hệ thống đ đợc điều chỉnh đúng thì : Trên mặt cảm biến QĐ xuất hiện một dãy chấm sáng sắc nét, nằm trên đờng thẳng nằm ngang đi qua tâm lỗ. Nếu ta đẩy bàn trợt dọc theo giá quang học, vệt sáng của chùm Laser trên cách tử không thay đổi vị trí. C. Quy 0 và điều chỉnh độ nhạy của Milivon kế điện tử MV. 1. Cắm phích lấy điện của Milivon kế điện tử MV vào ổ điện ~220V. Đặt núm chọn thang đo của MV ở vị trí 10mV và vặn núm biến trở Rf của nó về vị trí tận cùng bên trái. Bấm khoá K trên mặt MV, chờ khoảng 3 phút để bộ khuếch đại ổn định. Tiến hành điều chỉnh số 0 cho Milivon kế điện tử MV bằng cách : che sáng hoàn toàn khe hở của cảm biến quang điện QĐ, vặn từ từ núm biến trở "qui 0" ( lắp ngay dới đồng hồ chỉ thị ) để kim đồng hồ MV chỉ đúng số 0 . 2. Để điều chỉnh độ nhạy thích hợp cho Milivon kế điện tử MV, ta vặn từ từ cán của panme P sao cho cực đại sáng giữa (có cờng độ sáng lớn nhất) của ảnh nhiễu xạ lọt vào đúng giữa khe hở của cảm biến quang điện QĐ. Khi đó kim của Milivon kế điện tử MV lệch mạnh nhất. Vặn núm xoay của biến trở Rf sao cho kim của Milivon kế điện tử MV lệch tới vạch cuối thang đo ( 80 hoặc 90 ). (Nếu không đạt đợc độ lệch này, thì phải vặn chuyển mạch thang đo của MV sang vị trí 1 mV ứng với độ nhạy lớn nhất cuả nó, và tiến hành điều chỉnh theo cách trên ). D. Khảo sát sự phân bố cờng độ sáng trong ảnh nhiễu xạ laser : Vì cờng độ sáng trong ảnh nhiễu xạ laser tỷ lệ với cờng độ I của dòng quang điện, tức tỷ lệ với hiệu điện thế U rơi trên điện trở sun R, nên ta có thể khảo sát sự phân bố cờng độ sáng trong ảnh nhiễu xạ laser bằng cách khảo sát sự biến thiên của hiệu điện thế U theo vị trí x của các cực đại chính nằm giữa hai cực tiểu chính ứng với b/sin=. Muốn vậy, ta vặn từ từ cán panme P để dịch chuyển khe hở của cảm biến quang điện QĐ trong khoảng giữa hai cực tiểu chính bậc 1 trên ảnh nhiễu xạ. Mỗi lần chỉ dịch chuyển một khoảng nhỏ bằng 0,05mm. Đọc và ghi giá trị hiệu điện thế U ứng với mỗi vị trí x trên panme P vào bảng 1. Căn cứ các số liệu này, vẽ đồ thị U = f ( x ). Để xác định chính xác vị trí đỉnh của các cực đại nhiễu xạ, ta dịch chuyển panme P theo một chiều từng 0,01mm tại những điểm lân cận ở hai phía của các đỉnh này để tìm thấy giá trị cực đại của hiệu thế U. Cách đọc số đo trên panme P: Khi quay cán thớc tròn một vòng thì trục vít gắn với nó tịnh tiến một đoạn bằng 0,50mm dọc theo đờng chuẩn ngang của một thớc kép thẳng khắc trên thân vít. Trên thớc tròn có 50 độ chia, mỗi độ chia tơng ứng với độ dịch chuyển trục vít là 0,01 mm - gọi là độ chính xác của panme. Thớc kép gồm BK1CTADLAàR0QĐPKCQĐQĐ1 10 100KĐ+ Hình 5G MV 5 hai dãy vạch so le, cách nhau 0,50mm nằm ở hai bên đờng chuẩn ngang . Dãy trên ứng với các giá trị nguyên của mm ( N = 0,1, 2 . mm ), dãy dới ứng với các giá trị bán nguyên của mm ( N = 0.5, 1.5, 2.5, . mm ) . - Nếu mép thớc tròn nằm sát bên phải vạch chia N của thớc milimét phía trên ( dãy nguyên), còn đờng chuẩn ngang trùng với vạch thứ n của thớc tròn, thì : x = N + 0,01.n (mm) (10) - Nếu mép thớc tròn nằm sát bên phải vạch chia N của thớc milimét phía dới ( dãy bán nguyên), còn đờng chuẩn ngang trùng với vạch thứ n của thớc tròn, thì : x = N + 0,01.n = N + 0,5 + 0,01n (mm) (11) trong đó N là vạch dãy nguyên nằm kề bên trái vạch N. E. Xác định bớc sóng của chùm tia laser : 1. Sau khi xác định đợc cực đại sáng giữa ứng với k = 0, vặn từ từ panme P để đo khoảng cách a giữa hai cực đại nhiễu xạ bậc nhất ứng với k = 1 nằm đối xứng ở hai bên cực đại sáng giữa. Thực hiện phép đo này 3 lần. Đọc và ghi giá trị của a trên thớc panme vào bảng 2 . 2. áp dụng công thức (7) đối với cực đại chính bậc 1 trong ảnh nhiễu xạ, ta suy ra công thức xác định bớc sóng của chùm tia laser : = sin.d (12) Đối với cực đại chính bậc 1 (hình 6) , góc khá nhỏ nên có thể coi gần đúng : f2/atgsin = (13) Thay (13) vào (12) , ta tìm đợc hệ thức : f2/d.a= (14) Theo công thức (14) , ta có thể xác định đợc bớc sóng của chùm tia laser nếu cho biết trớc chu kỳ d của cách tử phẳng. III. Câu hỏi kiểm tra 1. Định nghĩa nhiễu xạ ánh sáng. Mô tả ảnh nhiễu xạ của chùm tia sáng song song chiếu qua một khe hở hẹp . 2. So sánh ảnh nhiễu xạ của chùm tia sáng song song chiếu qua một cách tử phẳng với ảnh nhiễu xạ của chùm tia sáng song song chiếu qua một khe hở hẹp. Nêu rõ các công thức xác định vị trí các cực tiểu chính và của các cực đại chính trong ảnh nhiễu xạ . 3. Khi xác định bớc sóng của tia laser nhiễu xạ qua cách tử, tại sao không đo trực tiếp khoảng cách giữa cực đại chính bậc 1 và cực đại giữa (ứng với k = 0), mà lại đo khoảng cách a giữa hai cực đại chính bậc 1 (ứng với k = 1 ) ? 5. Khi khảo sát sự phân bố cờng độ sáng trong ảnh nhiễu xạ laser, tại sao ta chỉ xét trong khoảng giữa hai cực tiểu chính bậc 1 (ứng với k = 1 ) và phải kiểm tra lại vị trí đỉnh của các cực đại chính bằng cách chỉ dịch chuyển panme P từng 0,01mm (mà không dịch chuyển từng 0,05mm nh lúc đầu) theo một chiều ? a Hình 6 k=+1 k= -1 F 0 L 6 Báo cáo thí nghiệm Khảo sát sự nhiễu xạ của chùm tia laser qua cách tử phẳng xác định bớc sóng của tia laser Xác nhận của thày giáo Trờng Lớp .Tổ . Họ tên . I. Mục đích thí nghiệm . II. kết quả thí nghiệm A. Khảo sát sự phân bố cờng độ sáng trong ảnh nhiễu xạ laser Bảng 1 - Độ chính xác của thớc panme : ( mm ) - Độ chính xác của Milivon kế điện tử MV (mV) x (mm) i (àA) x (mm) i (àA) x (mm) i (àA) x (mm) i (àA) Vẽ đồ thị I = f ( x ) 7 B. Xác định bớc sóng của chùm tia laser Bảng 2 - Chu kỳ của cách tử phẳng : d = . .(mm-1 ) - Độ chính xác của panme : . (mm) - Tiêu cự của thấu kính hội tụ : f = (mm ) - Độ chính xác của thớc milimét : . (mm) Lần đo a ( )mm a ( )mm (mà) (mà) 1 2 3 TB 1. Tínhsai số tơng đối của phép đo : aaffdd==++== 2. Tính giá trị trung bình của phép đo : .f2ad ===( )àm 3. Tính sai số tuyệt đối của phép đo : . ===( )àm 4. Viết kết quả đo của phép đo : = = ( )àm . nghiệm vật lý BKO-070 Khảo sát sự nhiễu xạ của chùm laser qua cách tử phẳng xác định bớc sóng của laser Dụng cụ : 1. Nguồn phát tia laser bán dẫn ; . ta có thể khảo sát sự phân bố cờng độ sáng trong ảnh nhiễu xạ laser bằng cách khảo sát sự biến thiên của hiệu điện thế U theo vị trí x của các cực