Điện tử thông tin phạm hồng liên

PHM HNG LIấN IấN T NH XUT BN DI HC QUC GIA TP H CH MINH I HC QUC GIA TP H CH MINH TRNG I HC BCH KHOA Phm Hng Lờn BIN T TH.NG TIN (Tỏi bn ln th nht) Rw6 i, :m km m m rnm 1>#M M H i _ ã'H V(fJ i _ W .Hằ 0024949 NH XUT BN I HC QUC GIA TP H CH MINH 2010 .::' < . ; ''^' # / , .' > ! ã : ! 1< ! !HQG.HCM-1 11-21,CXB,211-8 L.GT.W 10(T) MC LC L('rỡ núi u CKng MCHLCVNP 1.1 Hm truyn c p ng phng tụ' ỏa 1.2 Mch lc th ỏng 1.3 Mch lc tớch cc 16 1.4 Mch n p c hi tiờ'p 30 C li^g KHUCH DI CễNG ST CAO TN '(KSCSCT) 35 2.1 Gc ct ca b KDCSCT 35 2.2 Cỏc mt (Mnde) hot dng ca b KDCSCT lp c dUng transistor 38 2.3 B khuch di cụng sut cao tn (KDCSCT) dự^ 46 2.4 B nhõn tn 61 Chng CAC MCH TO DAO DNG 69 3.1 Cc d chung v mch to dao dng 69 3.2 B to dao dng LC dUng transistor 74 3.3 Cỏc mch to dao dng dUng thch anh 3.4 Cỏc mch to dao dng RC 87 92 Chng DI CHấ't ONGT 4.1 Du biờn (AM: Amplitude Modulation) 99 99 4.2 n biờn (SSB: Single Side Band) 4.3 Du tn v diu pha 108 114 4.4 n nh tn s trung tõm cUa tin hiu diu tn 133 Chng VNG GI PHA PLL (PHASE LOCKED LOOPS) 5.1 Nhng im v khuyt im ca mch PLL 141 14'1 5.2 S khụi v nguyờn lý hot ng ca PLL 142 5.3 Tớnh cht ca PLL tuyn tớnh 144 5.4 Cỏc c bn ca PLL 147 5.5 Mt sụ' ng dng ca PLL 153 Chng MY PHT 159 6.1 nh ngha v phõn loi mỏy phỏt 159 6.2 S khụi tng quỏt ca cỏc loi mỏy phỏt 161 6.3 Cỏc mch ghộp mỏy phỏt 167 6.4 Cỏc mch lc c bn mỏy phỏt 173 6.5 Trung hũa v chụ'ng dao ng ký sinh 178 6.6 o lng mỏy phỏt 183 Chng MY THU 185 7.1 nh ngha v phõn loi mỏy thu 185 7.2 S tng quỏt ca mỏy thu 187 7.3 Mch vo cỏ mỏy thu 198 7.4 B trn tn 204 7.5 Tỏch sng 207 7.6 T ng iu chnh h s khuch i 219 Bi chng 1: Mch lc v n ỏp 228 Bi chng 2: KCSCT Bi chng 3: Cỏc mch to dao ng 229 230 Bi chng 4: iu ch tng t 231 Bi chng 6: Mỏy phỏt 232 bi chng 7: Mỏy thu 233 Ti liu tham kho 234 Li núi u I N T THễNG TN c biờn son theo cng mụn hc Mch in t Khoa in - in t Trng i hc Bỏch khoa - i hc Quc gia TPHCM Ni dung cun sỏch cp mt cỏch h thng cỏc kin thc c bn liờn quan cht ch n cỏc thit b thụng tin nh mỏy phỏt, mỏy thu v c trinh by troỡỡg chng Do ni dung ca cun sỏch khỏ rng, thi gian bien son gp rỳt v trỡnh tỏc gi cú hn nốn chc chn cun sỏch khụng trỏnh nhng thiu sút Tỏc gi mong nhn c s gúp ca bn c ln tỏi bỏn sau cun sỏch c hon thin hn Cui cựng xin chõn thnh cỏm n cỏc ng nghicp B mụn Vin thụng, c bit giỏo s Nguyn c Phong ngi ó tn tỡnh giỳp , dc bn tho v gúp nhiu kin xỏy dng cho cun sỏch a ch liờn h: B mụn Vin thụng, Khoa B ien in t, Trng i hc Bỏch khoa - i hc Quc gia TPHCM, 268 Ly Thng Kit Q.IO T: (08) 8654184 T ỏc gi TS Phm H n g Liờ n Chng MCH LC V N P Trong chng ny chỳng ta s s dng L, c , R v b KD (khuch di thut todn P.A^IP) d to cỏc mch lc th dng v mch lc tớch cc Mch lc th dng LRC thng dc dựng tn s cao tn s thp cc mch lc c din cm qud Idn, lm cho kt cu ca nú nng n v tn km, cng nh phm cht ca mch gim, vỡ vy phm vi tn s t 0,1 dn vi MHz, ngi ta dựng b K thut todn v mng RC gi l mch lc tớch cc d lc Tựy thuc vo di tn s cn truyn dt ngi ta phn bit: Mch lc thụng thõ'p, mch lc thụng cao, mch lc thụng ddi v mch lc chn di Cc b lc cUng c th dc s dng nh cc mng phi hp tr khdng d cung cp mt s truyn dt cụng sut hiu qu hn t mt im mt mch din dn di Sau dõy ta s xt dn cc mch n ỏp dựng hi tip bng transistor v bng cc b KD thut todn (OP.AMP) 1.1 HM TRUYN Cể OP NG PHN.G TIA Cc khdi nim v hm truyn ly tng, im cc,' im khụng ca hm chUng ta dó hc phn Lý thuyt tin hiu xt cỏc mch lc chng ny ta chl nghiờn cu hm truyn c ddp ng phng ti da hay cn gi l hm Butteworth Cn cc hm Bessel hay Tschebyscheff ta c th tham kho cc ti liu khdc Mt hm truyn bt k c th dc biu di.n di dng tng qut: A , S " + n - | S ~ ^ iA |S t4, Sn-i+ + i?252+j5is + B ( 1) vdi: - h s ph thuc vo cõ'u to ca mch = const; = const cng ph thuc vo cu to ca mCh CHNG Hm truyn thng gp cú dng: His) = + 818 + 828 ^+ - + BS^ A = 1: a thc bc khụng vi: A = A2 = ããã = ỏp ng biờn chun húa: ; V 'ã ,; Hự)= , ã\ _ yi+ 82 (0^ + B(ự* + ãã+^(0^ ( ) =0 (1.3) iu kin ti u: 82 = B = ã ã = ãB2(_1) = 0; 82 Khi ú ta cú: H((ự)= ^ /l+B2n " (1.4) (1.5) õy l hm cú ỏp tuyn phng tỡ a hay cũn gi l hm Buttenvorth Tn s chun húa: ( ) Khi ú (1.5) tr thnh: H((^) = (1.7) Ta i tỡm biu Bode ca hm truyn i((ằ) Cú ngha l ta tuyn tớnh húa ỏp tuyn h ta loga bng cỏch biu din gn ỳng ỏp tuyn bng nhng ng tim cn v nhng ng , trung bỡnh (H 1.1) MCH LC V N P +201gl : OdB ^ < H{(On) = -20120- nlga) khi(n >1 Ta cú: n H() - 20 -40\g( -eoigớOh -801 (Oh cng tng cng gn ỏn ỏp tuyn lý tng ca b lc Bng cỏc hm Btte uớth ó chn ha: Da ớhc mu s Bn (S) Bc N ca H(S) N =1 S+ + +1 S3+2S2 + 2S +1= (S +1)(S2+S +1) 54 +2.61 +3,41432 +2,6135 +1=( 0.7653 +1)( 1,8485 + 1) (S+I)(s2+0.618S2+I)(s2ti.6i6s+1) (S2+0.518S +1)(S2 +t414S +1)(S2 +t932S +1) (S +1)(S2+0.445S +1)(s2 +1.2475S +1)(s2 + t802S +1) (s2+0,390s+1)(s2+1.11is +1)(s2+t663s+1)(s2 + t962s +1) 1.2 MCH LC TH NG B l c th ụ n g th p (LTT) R s)v) g I I; (v(s a) Hỡnh 2: B lc thụng thp S mch; ỏp tuyn biờn ; ỏp tuyờn pha T hỡnh I.2a ta c: CH U O N G 10 ( ) = V2Ri=> Vf> >V ngha l diode b phõn cc ngc nờn Rng ln Do ú: Qi^q ^ const Khi in ỏp vo tng -> V)q tng (õm i) lm cho base ca 72 ãõm i, èq^ gim i, Ag gim i ng thi tng, diode bt phõn cc ngc -> Rng gim i, in ỏp v, > lm QljCi ằ n ti Ai cng gim Nu in ỏp vo rt ln V T T , thỡ diode tr thnh phõn cc thun rt nh lm QijCi '.''^ A ^'' ã Nh vy mch hỡnh 7.38 kt hp c hai phng phỏp AGC: ụl vi T2 thỡ AGC lm thay i h dn $2 lm A2 thay i; cũn i vi thỡ AGC lm thay i h s phm cht ca mch cng hng LjCj 4- AGC bn g cỏch dựng b p h õ n ỏp p h i tuyn Phng phỏp bin i ch lm vic thc hin AGC tng i n gin v cú th m bo ch tiờu k thut cao, nờn dc dựng rt nhiu Nhng i vi cỏc b K cao tn dựng transistor nú cú mt s khuyt im sau; - Khi ch lm vic ca transistor bin i thỡ cỏc in dung ký sinh ^be^bc^ce cng bin i theo, lm tn sụ' cng hng v h sụ' phm cht ca mch cng hng cng bin i - Gõy mộo phi tuyn v mộo giao thoa, nhõ't l tớn hiu ln, vỡ vy m sụ' tng b iu chnh khụng nhiu Ta khc phc bng cỏch dựng b phõn ỏp phi tuyn (t sụ' phõn ỏp ph thuc vo in ỏp iu chnh V ) t u vo tng KTG B phõn ỏp phi tuyn bao gm mt sụ' in trd v mt s in tr phi tuyn (diode, T) tng tỏc dng ca AGC cú th dựng nhiu mt iu chnh nh hỡnh 7.39 Khi tớn hiu mnh, diode lm vic vựng tip giỏp thun.ngc s gõy mộo nhiu Vỡ vy nú thng ch lm vic vựng dũng in thun in ỏp trờn diode khụng ln ta dựng b phõn ỏp nh hỡnh 7.39c,d Khi ú in ỏp vo s t trờn R nm ngang, nh vy s gim c mộo Ta cú mt sụ' s thc tờ' b phõn ỏp bng diode trờn hỡnh 7.40 IMAYTHU 225 - - a) / W r b) - A c) d) Hinh 7. *Dũng mch phõn ỏp phi tuyn lm AGC Hỡnh 7.4 Mt s' b phõn ỏp bng diode Trong s d hỡnh 7.40a,b lỳc du cc diode dc phdn cc thun nh , ãKhi R nh - V ln A f ln Khi tin hiu vo tng ln diode b phõn cc ngc, R TT.V;? - > A f Thc t diode cOn cú c ký sinh (cg) nờn A f khụng th gim, tht nh dc khc phc ta c th dUng mch trung 226 CHNG T r.ng s hỡnh 7.40c, Vc = ^ nh , m \ phn cc thun ( 0) v phõn cc ngc (ỡ ?Ê>2 .) nờn din p vo tng sau )n, h s khuch di ca tng sau )n Khi tin hiu vo tdng )ờn ^ Vc T (õm di) - ) bt phõn cc thun, cn bt phõn cc nghch {[Re\ T v Rfh ) )m tin hiu vo tng sau ^m , A tng sau gim Khi V TT-> Vc TT (õm di) -ằ phõn cc nghch v thụng -4 R >\ TT v ? din ap vo tng sau giỏm rt nhiu v h s KB tng sau gim nhiu H ỡnh 7.47 B phõn ỏp bng vavicap Khi biờn tin hiu vo kh )n v yờu cu tuyn tinh cao, ta dUng transistor hoc FET )m khOa diu chnh b phdn p Trong thc t ngi ta hay dUng b phõn p din dung bng vavicap nh hỡnh 7.43 Khi V b c = , cc vavicap du dc phõn cc ngc C fB , dm bo h s khiuch di yờu cu Khi tin hiu vo tng )ờn, V.C tng )ờn, )m vavicap b phõn cc ngc nhiu hn, Cv v vavicap b phdn cc ngc ớt di c Do d X c t v X q^ ) ằ m tin hiu vo tng sau b gim di v h s KD ca KTG b gim (^2 l ) Khi Cy v Cy TT )m V;, u , dn ti i i H inh 7.42 B phõn ỏp bng mch cu diode MY THU 227 Ta thy tt c cỏc s trờn u khụng cho phộp h s K gim tht nh, tớn hiu vo rt ln Ta khc phc bng cỏch mc cỏc phn t iu chnh theo s cu Khi cu cõn bng ta s cú nh hỡnh 7.42 Hoc iu chnh h s K m m bo tớnh tuyn tớnh cao, ta cú th dựng R nhit, R quang lm bin tr mch phõn ỏp nh hỡnh 7.43 Di tỏc dng ca Vqq , diode quang s bc x v tỏc ng lờn in tr quang lm thay i, dn ti t s phõn ỏp thay i v lm cho h s K ca KTG gim i èA2 i ) 228 BI TP CHNấ 1: MCH LC V N P 1.1 Thit k b lc thOng thp (LTT) bc nht c tn s ct fc = 300Hz, c = 0,lpF v i 10 = ba trng hp: 1- Tin hiu da tdi ca m ca - 2- Tin hiu da tdi ca dng ca - 3- T 1.2 c nm mch hi tip Tht k b lc thụng cao (LTC) bc nht c tn s ct ft = bkHz] C = n F = 1.3 Thit k b bc hai c tn s ct trờn fc = ỡk H z, 6= ,1 ; IA, | : l v l A , l = hai trng hp: 1- B LTT cd hi tip dng B LTT c hi tip õm 1.4 Thit k b LTC bc hai c tn s ct di ft= lk H z, Ci = = 0,lp F hai trng hp: 1- BLTC c ^ = l B LTC c ú i i = i 1.5 Thit k b lc thụng di (LTD) bc hai c ^tn sO cng hng fo = 10 kHz, di thong D = 200 Hz, i = 10 = = , 1.6 Thit k b LTD bc hai c tn s cng hng fo = kHz, h s phm cht Q = 50; = 20; = Cg = , 1.7 Thit k b LTT bc ba c tn s ct fczlk H zã, tt c = 0,16; = 1.8 Thit k bụ LTT bc bn cú tn s ct fc= lkH z; tt c = 0,16; 1.9 Thit k b LTT bc bn c tn s ct fc = 2kHz, tõ't c R : 2kn 1.10 Thit k b LTT bc c tn s ct kHz; C = 0,32pF; A,d = 229 BI TP 1.11 Thit k b LTD bc bụ'n cú di tn sụ' F = 1000 - 0 - Hz; AdB) - IQdB; c = O.I^lP theo hỡnh 1.19 1.12 Thit k b LTD bc bn cú di tn sụ' F = 1000 - 0 - Hz; tt c c = ,m F dựng LTC v LTT 1.13 Thit k b n ỏp hỡnh 1.25 (cú c mch chnh lu cu hg trc) vi gi thit: V 2 ^110= VAC; y = + 20 VDC dũng ti = 2A, h sụ' lc .3 = 5% 1.14 Thit k b n ỏp hỡnh 1.27 (cú c mch chnh lu cu ng trc) vi gi thit: in ỏp vo V = llO--220 VAC; in ỏp ra: y = + 20 VDC; dũng ti /Ê = 3A, h sụ' lc = 2% (*: l nhng bi ln sinh viờn np cho giỏo viờn chm ch khụng cha trờn lp.) BI TP CHNG 2: KCSCT 2.1 Thit ãk b KCSCT mc EC cú cụng ut (H.2.12) P^ = 100 mW; tn sụ' lm vic: / = 10 MHz, h sụ' phm cht riờng ca khung cng hng Q = ; dựng transistor cú cỏc tham sụ' = 350 MHz, = 100; c . = lpF, c , = 100 pF; p, = 2W; cx = 40 V; m axt = lA hai trng hp = 90 v = So sỏnh kt qu ca hai trng hp ú 2.2 Thit k b KCSCT mc E c cú gi thit nh bi 2.1 ch khỏc l cú fT = 3500 MHz Thit k b KCSCT vi cỏc gi thit nh bi 2.1, nhng vi tn sụ' cng hng / = 100 MHz (gi ý: s dng s KCSCT mc B.C) '2.4 Thit kờ'b nhõn hai cú gi thit nh bi 2.1 Thit kờ' b nhõn hai cú gi thit nh bi 2.2 Thit kờ' b nhõn ba cú gi thit nh bi 2.1 Thit kờ' b nhõn ba cú gi thit nh bi 2.2 Thit k b KCSCT cú gi thit nh bi 2.1 nhng cú h sụ' t mch ghộp u vo a = = 72o 230 B TP Thit k b nhn hai c gi thit nh bi 2.1 nhng c mch ghp u vo nh b2.9 c i 2.10 Thit k b nhn ba c gi tht nh b2.1 nhng c mch ghp du vo nh bi 2.8 _ BI TP CHNG 3: CC MCH TO DAO ONG 3.1 Thit k b da dng Colplts, cng hng ti tn s fo = 10 MHz, h s phm cht riờng ca khung cng hng: Q = 100; L = l | i f , vdi transistor cú cỏc tham s: f? = 350 MHz, hfe = 100 c1 pF; 100 = maxớc : lA , cho CcE = p F , pF; PcmaK = 2W; V'c.Om.x = 40V; 3.2 Thit k b dao dng Colpils cú gi thlờ't nh bi 2.1 ch khdc f r = 3500MHz, r=500Q 3.3 Thờ't k b dao dng clapp vdi g tht nh bi 3.1 3.4 Thit k b dao dng clapp vdi gi thit nh bi 3.2 nhng cng hng ti tn s fo = 100 MHz 3.5 Thit k b dao dng thch anh vi gi thit nh bi 3.1 (nhng khụng cho bt L), C q = 0,lpF ; Cp = 0p F 3.6 Thit k b dao dng thch anh vi g th it nh bi 3.2 (nhng khụng cho bit L), bt C q = 0, lpF , C p = 0p F 3.7 Thit k b dao dng cu vờn c tn s dao dng fo : ỡ kHz v R = Ikil 3.8 Thit k b dao dng cu T cd = 3.9 Thit k b dao dng mt lc RC vdi fo = ỡ kHzã, R = Ikn kHz, R = Ik ớl 3.10 Thit k b dao dng LC dUng KSTT (OP-AMP) c tn s dao dng fo = 100 kHz, Qo = 50; Rido = 5KQ hai trng hp: c mc ni tờ'p L, c mc song song t-L , 2- B lP 231 BI TP CHNG 4: 'CH'TNG T 4.1 Cho tin hiu ỏiu biờn vú h s iu ch m = 0,5; tn s iu ch 0) = 10 kHz, ti tin c biờn 15V v tn s fo 10 MHz, R i= ik Q 1- Vit phng trinh biu din tin hiu dó diu biờn 2- Tinh ph ca tin hiu diu biờn - T ớnhP,P,ii 4.2 Cho tin hiu ti tin: V = ScoslO^ớ v tin hiu diu ch Vfj = ScoslO^ Vit biu thc dbng din tng n diu ch cn bng (iE) c mch lc du hai trng hp: 1- Di ddu 2- Di du c Vô v 4.3 Viờ't biu thc dũng din tng b diu ch cn bng khụng cn mch lc du vdi gi thit bi 4.2 4 Thit k b diu biờn collector c cụng sut p = 100 mW, tn s ti tin fo : l MHz, tn S diu ch = 10 kHz, Qo = 50, h s diu chờ' m = 0,5 vdi transistor cho bi 2.1 v = Thit k b diu biờn collector, c tin hiu ti tin: V =10cos6,28-I0g v V =7cos3,14-I04, = Thit k b diu t n dUng vavicap dn, c tn s ti tin fo = 100 MHz, di tn diu ch ^ = 15kHz, Qo = 50, L = 0,1 pH vi transistor nh bi 2.1 Thit k b diu tn dUng vavicap dy ko c cc gi thit nh bi 4.6 Thit k b diu pha-dUng vavicap, c tn s tõi tin fo = 30 MHz, di tn diu ch f: ỡO K H z, Q = 50, L = pH vi transistor bi 2.1 Cho V = cos6,28.10^ớ v V = 5cos6,28-10^ V s d v vit biu thc tin hiu dn biờn du trng hp: V ssB hai 232 BI TP Dựng phng phỏp quay pha Dựng phng phỏp chuyn ph v quay pha kt hp bit: co = 3,14 ã10^ rad/s Bi TP CHNG 6: MY PHT 6.1 Thit k mch ghộp bin ỏp (H.6.10) bit: P i = W; / =10đHz; Vcc = 20V; = 20; CcE - , 50è 6.2 Thit k mch ghộp t bin ỏp (H.6.13) vi cỏc gi thit nh bi 6.1 6.3 Thit k mch ghộp cú hai mch cng hng (H.6.14) vi cỏc gii thit nh bi 6.1 6.4 Thit k mch lc n trng hp: 1- Q ớ= Q = ; i? = f = Q ; / = 0H2 Q =Q = ; R =1K, R = 75Q ; /= H z 6.5 Thit k mch lc ụi trng hp: Q = Q = ; i= i = ớ2 ; f,= 10^ H z 2- Q = Q = ; Ri = lO ^ ; i = 751; /= 10đH z Tựih h s lc hi bc 2, di thụng v hiu sut ca mch lc n ụi so sỏnh vi mch lc cm trờn 6.6 Thit k mch trung hũa collector cho bi 3.1; 3.2, 3.3 6.7 Thit k mt mỏy phỏt AM vi cụng sut Pjf=10W; tr khỏng ca anten: i^T = ớỡ; tn s súng mang / =10 Hz'; di tn s iu ch ới:300H z + 15.000Hz = 1V ; V = V ; cỏc ch tiờu khỏc t chn (dựng T 2.1) 6.8 Thit k It mỏy phỏt FM vi cụng sut ra: PÊ=10W ; / = 10 H z, di tn: f = 75KHz; tr khỏng ca anten ^AT 2V, cỏc ch tiờu khỏc t chn (dựng transistor bi 2.1) 233 BI TP B! TP CHNG 7: MY THU 7.1 Thit k b tỏch súng biờn nụ' tip cú tin hiu vo: ^ = (1 + O ,5cos2n-I0^ớ)cos2n.l0^ớ,tú h sụ'truyn õt K fs = 0,89, h dn ca dlode s RC quỏ ln 7.2 s = 20 iA/V v khụng gõy mộo hng Nu b tỏch sOng biờn trờn ghộp vi mt tng KBT bng mch , Tinh , cho chUng khụng gõy mo ti xoay chiu khỏc ti mt chiu Nu Rb = 4Kầ1 mch trờn c gõy mộo khụng v cdch khc phc 7.3 Thit k b tdch sOng tn s dUng mch lch cng hng cú h s truyn dt ln nht Eit tin hiu diu tn du vo c tn s trung tõm / = 10,7 MHz, lng di tn cc di ca tin hiu vo Af = 50KHz Bit Qi = Q2 v 10,5 = = ^ , lng di tn tng di cc di = Tinh Q, , , , tin hiu diu tn du vo c lng di tn t4 = m K H z thi ph thay di tham s no ca mch dao dng d tin hiu tdch sng khụng b mo dng? Thay thụng s c nh hng gỡ dn tinh chõ't tdch sng ca mch? 7.4 Thit k b tdch sdng tn s t s, c tn s trung tõm ca tin hiu du tn fo = 10,7 MHz, lng di tn cc di f m n = H z \ = = 256 , Q i= Q 2= Q T ớn h 1- H s h cm M, ti thiu d mch tdch sng ớt b mo 2- Khi h s h cm M tng thi cht lng tdch sOng nh th no? 7.5 Thit k b tdch sdng pha dUng mch nhõ i v mch lc tớch cc d tdch sdng tin hiu: bt tin hu V\ =308( + ): tin hiu chun 1= c o s đớ cho v = 93 h s hõn cUa b nhõn A = v tn s gidi hn di cUa b lc 7.6 c = -Thiờ't k mt my thu AM (hoc FM) nh gi thit bi 6.7 (hoc 6.8) 234 T i liờ u th a m k h o James K Hardy, Electronic communications Prentice-Hall, New Jerxy 07632- USA, 1986 technology, 2- Harold B Killen, Digital communications with fiber optics and satellite applications, Prentice- Hall, USA, 1988 3- V V Shakhgildyan, Radio transmitters Russian, 1980 Allen Mottershead, Electronic devices and circuits, New Delhi, 1988 5- Fundamentals of Radio, Moscow, 1980 6- Jacob Klapper John T Franke, Phase-locked and frequencyfeedback systems, Principles and Techniques 7- Nguyn c Phong, C s k thut khuch i, H Ni, 1978 8- Phm Minh H, K thut mch in t 1, 2, 3, HBK H Ni, 1991 IN T THễNG TIN Phm Hng Liờn N l U XUT BN I HC QUC GIA TP H CH M INH KP 6, P Linh Trung, Q Th c, TPHCM S Cụng trng Quc t, Q.3, TPHCM T: 38239172, 38239170 F ax; 38239172; Email: vnuhp@vnuhcm.edu.vn k ic if Chu trỏch nhim xut bn TS HUNH B LN T chc bn tho v chu trỏch nhim v tỏc quyn TRNG I HC BCH KHOA - HQG TPHCM Biờn PHM TH ANH T t Sa bn in TRN VN THNG Trỡnh by bỡa TRNG NGC TUN In tỏi bn 1.000 cuụ'n, kh 16 X 24 cm S ng ký KHXB: 191-2010/CXB/211-08/HQG-TPHCM Quyt nh xut bn s: 627/Q-HQG-TPHCM/TB ngy 17/12/2010 ca Nh xut bn HQG TPHCM In ti Xng in i hc Bỏch khoa - HQG TP.HCM Np lu chiu thỏng 02 nm 2011