1. Trang chủ
  2. » Kỹ Thuật - Công Nghệ

Thiet ke IC so c5

39 399 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 39
Dung lượng 4,51 MB

Nội dung

THIẾT KẾ IC SỐ Chương 5: BỘ NHỚ (MEMORY) ThS Nguyễn Trọng Huân 2015 © Digital Integrated Circuits2nd Sequential Circuits Memory  Phân loại  Kiến trúc  Thiết kế  Ngoại vi © Digital Integrated Circuits2nd Sequential Circuits Phân loại nhớ bán dẫn Read-Write Memory Random Access Non-Random Access SRAM FIFO DRAM Non-Volatile Read-Write Memory Read-Only Memory EPROM Mask-Programmed E2PROM Programmable (PROM) FLASH LIFO Shift Register CAM © Digital Integrated Circuits2nd Sequential Circuits Phân loại nhớ bán dẫn RAM: Random Access Memory – nhớ có cấu trúc mảng với bit truy xuất độc lập – có khả Read and Write ngẫu nhiên – ram nhớ bay • ROM: Read Only Memory – Write ngẫu nhiên RAM – hoạt động Write đòi hỏi phải có điện áp cao xóa tia UV –rom nhớ không bay (data nguồn) • Bộ nhớ bay (Volatility Memory) – data nguồn • Static Dynamic Memory – Static: giữ data miễn nguồn (SRAM) – Dynamic: phải làm tươi (refresh) theo chu kỳ (DRAM) © Digital Integrated Circuits2nd Sequential Circuits Kiến trúc Memory : Decoders M bits S0 S0 Word S1 Word S2 Word words SN 2 N SN M bits Storage cell Word A0 Word A1 Word A K2 Word N 2 Word N Decoder N Word Storage cell Word N K log2N Input-Output ( M bits) Kiến trúc N x M memory N word == N tín hiệu lựa chọn © Digital Integrated Circuits2nd Input-Output ( M bits) Decoder giảm số đường tín hiệu lựa chọn K = log2N Sequential Circuits Kiến trúc mảng © Digital Integrated Circuits2nd Sequential Circuits Read-Write Memories (RAM)  STATIC (SRAM) Giữ data miễn nguồn cung cấp Kích thước lớn (6 transistors/cell) Nhanh Cấu trúc vi sai  DYNAMIC (DRAM) Cần refresh theo chu kỳ Nhỏ (1-3 transistors/cell) Chậm Cấu trúc đơn © Digital Integrated Circuits2nd Sequential Circuits SRAM Chu kỳ hoạt động – hold – write – read Cấu trúc SRAM 6trans • Sử dụng inverter để lưu data • trans MAL MAR cho phép truy xuất đến data để read hay write • WL (word lone) điều khiển truy xuất WL=0 : hold WL=1 : read write © Digital Integrated Circuits2nd Sequential Circuits Hoạt động SRAM – Hold • WL=0: trans truy xuất off • Data lưu giữ chốt (2 inverter) – Write • WL=1: trans truy xuất on Data (dưới dạng điện áp) đưa vào • bit \bit • Data chốt ghi đè giá trị – Read • WL=1: trans truy xuất on • Bit \bit đọc cảm ứng (sense amplifier) – Sense amplifier • Là khuếch đại vi sai • So sánh khác bit \bit Bit>\bit : output = Bit

Ngày đăng: 10/07/2016, 22:01

Xem thêm

w