NGHIÊN cứu xác ĐỊNH độ CỨNG của THÉP c45 được tôi CAO tần sử DỤNG PHƯƠNG PHÁP NHIỄU xạ x QUANG

MỤC LỤC Trang tựa TRANG Quyết định giao đề tài Lý lịch khoa học i Lời cam đoan ii Lời c m ơn iii Tóm tắt iv Mục lục vi Danh sách ký hiệu ix Danh sách hình xii Danh sách b ng xv Ch ng TỔNG QUAN 1.1 Tổng quan chung lĩnh vực nghiên c u, kết qu nghiên c u nước công bố 1.1.1 Tầm quan trọng c a công nghệ nhiệt luyện 1.1.2 Các kết qu nghiên c u nước 1.2 Mục đích c a đề tài 10 1.3 Nhiệm vụ c a đề tài giới h n đề tài 10 1.3.1 Nhiệm vụ 10 1.3.2 Giới h n đề tài 10 1.4 Phương pháp nghiên c u Ch ng C 10 SỞ LÝ THUYẾT 11 2.1 Các phương pháp đo độ c ng 11 2.1.1 Độ c ng Brinell 11 2.1.2.Độ c ng Vickers 14 2.1.3 Độ c ng Rockwell 16 2.2 Lý thuyết nhiễu x tia X 18 vi 2.2.1 Định luật Bragg điều kiện nhiễu x 18 2.2.2 Các yếu tố nh hưởng đến cường độ nhiễu x LPA (Lorenz, hệ 19 số phân cực, hàm h p thu) 2.2.3 Sự mở rộng đường nhiễu x 23 2.3 Lý thuyết nhiệt luyện cao tần 33 2.3.1 Tôi cao tần (tôi c m ng điện từ) 33 2.3.2 Những đặc điểm ch yếu c a austenit t o thành nung nóng 35 dòng điện tần số cao 2.3.3 Chọn chế độ tần số Ch 35 ng TRÌNH TỰ THÍ NGHIỆM 37 3.1 Mẫu thực nghiệm 37 1.1 Kích thước c a mẫu 37 3.1.2 Vật liệu 37 3.1.3 M ng tinh thể 37 3.1.4 Nhiệt luyện mẫu đo 38 3.1.5 Số mẫu chế t o 38 3.2 Làm s ch bề mặt 38 Ch ng PH NG PHÁP ĐO, SỐ LIỆU ĐO VÀ X LIỆU THỰC NGHIỆM LÝ SỐ 4.1 Phương pháp đo số liệu đo 39 4.1.1 Đo mẫu phương pháp nhiễu x tia X 39 4.1.2 Đo độ c ng mẫu phương pháp đo Rockwell (HRC) 41 4.2 Xử lý số liệu thí nghiệm 4.2.1 43 ng dụng phần mềm Origin Pro 8.0 vào xử lý số liệu 4.2.2 Xử lý số liệu Ch 39 43 44 ng KẾT QU THỰC NGHIỆM 5.1 Biểu đồ mối quan hệ đo độ c ng phương pháp Rocwell 53 53 thời gian cao tần 5.2 Biểu đồ mối quan hệ Bề rộng trung bình B thời gian vii 54 cao tần 5.3 Mối quan hệ độ c ng Rockwell bề rộng trung bình B 55 5.4 So sánh độ c ng thực nghiệm nội suy 58 Ch ng KẾT LUẬN – KIẾN NGHỊ 60 6.1 Kết luận 60 6.2 Kiến nghị 60 TÀI LIỆU THAM KH O 61 Phụ lục 63 Phụ lục 64 Phụ lục 65 Phụ lục 66 Phụ lục 67 Phụ lục 68 Phụ lục 69 Phụ lục 70 Phụ lục 71 Phụ lục 10 73 Phụ lục 11 75 Phụ lục 12 77 Phụ lục 13 79 Phụ lục 14 81 Phụ lục 15 83 Phụ lục 16 85 Phụ lục 17 87 viii DANH SÁCH CÁC CHỮ VIẾT TẮT P: lực tác dụng F: Diện tích vết lõm D: Đường kính bi thép d: Đường kính vết lõm P0: t i trọng sơ HB: độ c ng Brinell HV: độ c ng Vickers HRA: độ c ng Rocwell thang A HRB: độ c ng Rocwell thang HRC: độ c ng Rocwell thang  : bước sóng SWL : giới h n bước sóng ngắn 2 : góc nhiễu x d : kho ng cách mặt ph ng phân tử (hkl ) n : bậc b c x (P) : mặt ph ng ch a ống phát ống thu tia X ( mặt ph ng nghiêng ) (Q) : mặt ph ng vuông góc với trục hình trụ ch a hướng đo ng su t Ψ : góc t o phương pháp tuyến c a mẫu đo với phương pháp tuyến c a họ mặt ph ng nguyên tử nhiễu x Ψo : góc t o phương pháp tuyến c a mẫu đo tia tới X  : góc phân giác c a tia tới tia nhiễu x X o : góc t o phương pháp tuyến c a họ mặt ph ng nhiễu x tia tới X  : góc t o tia tới X phương ngang  : góc t o tia nhiễu x phương ngang  : góc t o phương pháp tuyến c a mẫu đo với mặt ph ng nghiêng  : góc t o trục đ ng mẫu đo hình trụ với ( P ) a : hệ số tính ch t c a vật liệu ( phụ thuộc lo i vật liệu ) ix b : thể tích phần lượng tia tới đơn vị thể tích ( phụ thuộc vào đặc tính c a tia X Cr-K, Cr-K, Cu-K, Co-K )  : số h p thụ ( phụ thuộc vào đặc tính c a tia X lo i vật liệu mẫu đo) AB : chiều dài tia tới th m th u đến phân tố bị nhiễu x BC : chiều dài nhiễu x từ phân tố bị nhiễu x đến mẫu đo R : bán kính c a mẫu đo hình trụ r : bán kính t i phân tố bị nhiễu x dr : chiều dày phân tố bị nhiễu x  : góc giới h n vùng nhiễu x d : bề rộng phân tố bị nhiễu x L : chiều dài phân tố bị nhiễu x Lc : chiều dài th m th u c a tia tới nhiễu x mẫu đo dV = Ldrd : thể tích phân tố bị nhiễu x B: bề rộng trung bình đường nhiễu x BI: bề rộng tích phân c a hàm Gaussian w: sai lệch chu n, đặc trưng cho độ mở rộng c a đường nhiễu x xc: giá trị trung bình c a hàm Gaussian Ix: mật độ dòng điện cách bề mặt kho ng x Im: mật độ dòng điện bề mặt e: số logarit tự nhiên δ: kho ng cách từ bề mặt vào đến chỗ có mật độ dòng điện gi m e lần so với Im ρ - Điện trở su t c a kim lo i nung µ- Độ từ th m c a kim lo i nung f- Tần số c a dòng điện ρ0 : điện trở su t nhiệt độ t0 x α: hệ số thay đổi điện trở su t su t theo nhiệt độ N: Số thí nghiệm cần làm k: Tổng yếu tố xét kiểm soát thí nghiệm n0: Thí nghiệm cần thực thêm xi DANH SÁCH CÁC HÌNH HÌNH TRANG Hình 1.1: Đường nhiễu x cho mẫu chu n sau hiệu chỉnh LP Hình 1.2: Phương pháp hiệu chỉnh góc ψ Hình 1.3: Phương pháp hiệu chỉnh góc η Hình 1.4: Đường biểu diễn độ c ng Vickers mặt cắt c a thép C45 Hình 1.5: Đường biểu diễn nhiệt độ - thời gian với điều kiện c m ng khác Hình 1.6: Mối quan hệ độ từ th m c a điện từ trường nhiệt độ Hình 1.7: So sánh gi m phân phối ng su t mô phỏng, kết qu c a phương pháp khử lớp khác t m phằng Hình 2.1: Máy kiểm tra độ c ng Brinel 11 Hình 2.2: Kích thước bi tròn làm mũi thử Brinel 11 Hình 2.3: Đo hình d ng, kích thước vết lõm 12 Hình 2.4: Đo độ c ng phương pháp th công 13 Hình 2.5: Biểu đồ lõm 13 Hình 2.6: Biểu đồ xác định độ c ng theo chiều sâu vết lõm 14 Hình 2.7: Máy kiểm tra độ c ng Vickers 14 Hình 2.8: Hình d ng vết lõm 15 Hình 2.9: Kích thước vết lõm giá trị độ c ng 15 Hình 2.10: Góc độ không gian c a mũi thử 16 Hình 2.11: Độ c ng Vickers c a số vật liệu 16 Hình 2.12: Thiết bị đo độ c ng Rockwell 17 Hình 2.13: Kích thước vết lỏm đo độ c ng Rockwell 17 Hình 2.14: Định luật Bragg 18 Hình 2.15: Mối quan hệ góc 2theta đỉnh nhiễu x 20 Hình 2.16: Nhiễu x phân tử 20 Hình 2.17: Hệ số Lorent 22 Hình 2.18: Sự phát tán từ electron đến điểm M 23 xii Hình 2.19: Đường nhiễu x c a vật liệu Al 2024-T3 24 Hình 2.20: Hiệu chỉnh đường phông c a đường nhiễu x 24 Hình 2.21: nh hưởng c a kích thước tinh thể đến nhiễu x 28 Hình 2.22: Đường nhiễu x chung đường nhiễu x thành phần 29 Hình 2.23: Độ rộng scherrer đường nhiễu x 30 Hình 2.24: Độ rộng Laue đường nhiễu x 30 Hình 2.25: Đường nhiễu x X quang nội suy đường cong 32 Gauss Hình 2.26 Tôi cao tần(tôi c m ng điện từ) 33 Hình 3.1: Kích thước mẫu thử 37 Hình 3.2: Kiểu m ng tinh thể thép C45 37 Hình 4.1: Phương pháp đo kiểu  cố định  39 Hình 4.2: Mặt nhiễu x c a thép C45 41 Hình 4.3: Phương pháp đo 42 Hình 4.4: Máy đo độ c ng Rockwell model HRC-150 42 Hình 4.5: Biểu tượng c a phần mềm Origin pro 8.0 43 Hình 4.6: Hàm nội suy Gauss Amp 44 Hình 4.7: Đường nhiễu x mẫu không nhiệt luyện 45 Hình 4.8: Đường nhiễu x mẫu cao tần với t = 10 giây 46 Hình 4.9: Đường nhiễu x mẫu cao tần với t = 15 giây 47 Hình 4.10: Đường nhiễu x mẫu cao tần với t = 20 giây 48 Hình 4.11: Đường nhiễu x mẫu cao tần với t = 25 giây 49 Hình 4.12: Đường nhiễu x mẫu cao tần với t = 30 giây 50 Hình 4.13: Đường nhiễu x mẫu cao tần với t = 40 giây 51 Hình 4.14: Đường nhiễu x mẫu cao tần với t = 50 giây 52 Hình 5.1: Mối quan hệ độ c ng (HRC) thời gian cao tần 53 Hình 5.2: Mối quan hệ bề rộng trung bình B thời gian cao tần 54 Hình 5.3: Đồ thị mối quan hệ độ c ng Rockwell Bề rộng trung 56 xiii bình B theo d ng đường th ng Hình 5.4: Đồ thị mối quan hệ độ c ng Rockwell Bề rộng trung 57 bình B theo d ng đường cong Hình 5.5 So sánh phép nội suy 58 Hình 5.6 So sánh độ c ng nội suy thực nghiệm 59 xiv DANH SÁCH CÁC B NG B NG TRANG B ng 1.1: Mẫu thử điều kiện xử lý nhiệt B ng 1.2: Đặc tính c a thép C45 t i nhiệt độ phòng B ng 2.1: Hằng số h p thu  phụ thuộc vào kim lo i 22 B ng 2.2: D ng tổng bình phương c a số số Miller cho hệ m ng lập 26 phương B ng 3.1: Thành phần hóa học thép C45 37 B ng 4.1: Kho ng cách nguyên tử c a số vật liệu kiểu m ng 40 B ng 4.2: Các lo i ống phong tia X đặc tính 40 B ng 4.3: Điều kiện thí nghiệm nhiễu x X quang 41 B ng 4.4: Giới h n đo c a thang Rockwell 42 B ng 4.5 : Số liệu mẫu đo độ c ng Rockwell 43 B ng 4.6: Giá trị tham số c a hàm nội suy mẫu không nhiệt luyện 45 B ng 4.7: Giá trị tham số c a hàm nội suy mẫu cao tần với t = 10 giây 46 B ng 4.8: Giá trị tham số c a hàm nội suy mẫu cao tần với t = 15 giây 47 B ng 4.9: Giá trị tham số c a hàm nội suy mẫu cao tần với t = 20 giây 48 B ng 4.10: Giá trị tham số c a hàm nội suy mẫu cao tần với t = 25 giây 49 B ng 4.11: Giá trị tham số c a hàm nội suy mẫu cao tần với t = 30 giây 50 B ng 4.12: Giá trị tham số c a hàm nội suy mẫu cao tần với t = 40 giây 51 B ng 4.13: Giá trị tham số c a hàm nội suy mẫu cao tần với t = 50 giây 52 B ng 5.1: Số liệu đo độ c ng Rockwell c a mẫu đo 53 B ng 5.2: Số liệu đo bề rộng trung bình B c a nhiễu x mẫu đo 54 B ng 5.3: Số liệu đo độ c ng Rockwell bề rộng trung bình B mẫu 55 thực nghiệm B ng 5.4 So sánh độ c ng nội suy thực nghiệm xv 59 38 39 40 41 42 43 44 82,675 82,705 82,735 82,765 82,795 82,825 82,855 76 72 67 63 50 49 42 4 4 4 1,166219 1,165872 1,165526 1,165179 1,164833 1,164488 1,164142 (Nguồn: Dữ liệu Trung tâm h t nhân Tp.HCM cung cấp) 76 Phụ lục 12 ( Mẫu cao tần với th i gian nung β0 giây ) Stt 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 Góc 2theta (độ) 81,565 81,595 81,625 81,655 81,685 81,715 81,745 81,775 81,805 81,835 81,865 81,895 81,925 81,955 81,985 82,015 82,045 82,075 82,105 82,135 82,165 82,195 82,225 82,255 82,285 82,315 82,345 82,375 82,405 82,435 82,465 82,495 82,525 82,555 82,585 82,615 82,645 C ng độ (photon) 60 67 61 65 103 82 95 100 99 125 160 178 180 225 225 285 274 324 365 419 420 413 427 362 340 338 316 322 287 300 240 218 199 140 134 115 102 Th i gian (s) 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 77 Kho ng cách mặt phẳng nhi u x (A0) 1,17926 1,178902 1,178545 1,178188 1,177831 1,177474 1,177118 1,176762 1,176406 1,176051 1,175696 1,175341 1,174987 1,174632 1,174279 1,173925 1,173572 1,173219 1,172866 1,172513 1,172161 1,171809 1,171458 1,171107 1,170756 1,170405 1,170055 1,169705 1,169355 1,169005 1,168656 1,168307 1,167958 1,16761 1,167262 1,166914 1,166567 38 39 40 41 42 43 44 45 82,675 82,705 82,735 82,765 82,795 82,825 82,855 82,885 98 76 69 56 57 57 43 51 4 4 4 1,166219 1,165872 1,165526 1,165179 1,164833 1,164488 1,164142 1,163797 (Nguồn: Dữ liệu Trung tâm h t nhân Tp.HCM cung cấp) 78 Phụ lục 13 ( Mẫu cao tần với th i gian nung βη giây ) Stt 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 31 32 33 34 35 36 37 38 Góc 2theta (độ) 81,385 81,415 81,445 81,475 81,505 81,535 81,565 81,595 81,625 81,655 81,685 81,715 81,745 81,775 81,805 81,835 81,865 81,895 81,925 81,955 81,985 82,015 82,045 82,075 82,105 82,135 82,165 82,195 82,255 82,285 82,315 82,345 82,375 82,405 82,435 82,465 82,495 C ng độ (photon) 21 25 22 23 39 35 44 48 58 61 62 92 82 99 107 120 138 192 217 245 284 330 371 410 440 514 540 523 435 440 408 366 395 340 330 300 235 Th i gian (s) 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 79 Kho ng cách mặt phẳng nhi u x (A0) 1,181413 1,181053 1,180694 1,180335 1,179976 1,179618 1,17926 1,178902 1,178545 1,178188 1,177831 1,177474 1,177118 1,176762 1,176406 1,176051 1,175696 1,175341 1,174987 1,174632 1,174279 1,173925 1,173572 1,173219 1,172866 1,172513 1,172161 1,171809 1,171107 1,170756 1,170405 1,170055 1,169705 1,169355 1,169005 1,168656 1,168307 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 82,525 82,555 82,585 82,615 82,645 82,675 82,705 82,735 82,765 82,795 82,825 82,855 82,885 82,915 82,945 172 164 135 126 80 89 68 59 63 52 46 39 40 27 34 4 4 4 4 4 4 4 1,167958 1,16761 1,167262 1,166914 1,166567 1,166219 1,165872 1,165526 1,165179 1,164833 1,164488 1,164142 1,163797 1,163452 1,163107 (Nguồn: Dữ liệu Trung tâm h t nhân Tp.HCM cung cấp) 80 Phụ lục 14 ( Mẫu cao tần với th i gian nung γ0 giây ) Stt 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 Góc 2theta (độ) 81,115 81,145 81,175 81,205 81,235 81,265 81,295 81,325 81,355 81,385 81,415 81,445 81,475 81,505 81,535 81,565 81,595 81,625 81,655 81,685 81,715 81,745 81,775 81,805 81,835 81,865 81,895 81,925 81,955 81,985 82,015 82,045 82,075 82,105 82,135 82,165 82,195 C ng độ (photon) 45 41 46 50 58 50 52 58 68 73 80 88 96 112 106 100 139 132 134 132 161 135 202 196 181 197 207 218 237 255 269 261 264 300 281 283 284 Th i gian (s) 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 81 Kho ng cách mặt phẳng nhi u x (A0) 1,184662 1,1843 1,183938 1,183576 1,183215 1,182854 1,182493 1,182133 1,181772 1,181413 1,181053 1,180694 1,180335 1,179976 1,179618 1,17926 1,178902 1,178545 1,178188 1,177831 1,177474 1,177118 1,176762 1,176406 1,176051 1,175696 1,175341 1,174987 1,174632 1,174279 1,173925 1,173572 1,173219 1,172866 1,172513 1,172161 1,171809 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 82,225 82,255 82,285 82,315 82,345 82,375 82,405 82,435 82,465 82,495 82,525 82,555 82,585 82,615 82,645 82,675 82,705 82,735 82,765 82,795 82,825 82,855 82,885 82,915 82,945 82,975 83,005 83,035 83,065 83,095 83,125 83,155 83,185 287 257 274 223 250 198 202 171 166 165 142 145 157 119 94 119 101 88 70 78 69 58 69 51 54 56 44 37 50 43 30 44 37 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 1,171458 1,171107 1,170756 1,170405 1,170055 1,169705 1,169355 1,169005 1,168656 1,168307 1,167958 1,16761 1,167262 1,166914 1,166567 1,166219 1,165872 1,165526 1,165179 1,164833 1,164488 1,164142 1,163797 1,163452 1,163107 1,162763 1,162419 1,162075 1,161732 1,161388 1,161045 1,160703 1,16036 (Nguồn: Dữ liệu Trung tâm h t nhân Tp.HCM cung cấp) 82 Phụ lục 15 (Mẫu cao tần với th i gian nung 40 giây) Stt 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 Góc 2theta (độ) 81,025 81,055 81,085 81,115 81,145 81,175 81,205 81,235 81,265 81,295 81,325 81,355 81,385 81,415 81,445 81,475 81,505 81,535 81,565 81,595 81,625 81,655 81,685 81,715 81,745 81,775 81,805 81,835 81,865 81,895 81,925 81,955 81,985 82,015 82,045 82,075 82,105 C ng độ (photon) 51 37 44 55 38 51 55 64 64 60 96 69 71 74 89 83 102 111 124 141 112 155 128 151 160 161 173 178 230 206 251 217 222 242 237 244 251 Th i gian (s) 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 83 Kho ng cách mặt phẳng nhi u x (A0) 1,18575 1,185387 1,185024 1,184662 1,1843 1,183938 1,183576 1,183215 1,182854 1,182493 1,182133 1,181772 1,181413 1,181053 1,180694 1,180335 1,179976 1,179618 1,17926 1,178902 1,178545 1,178188 1,177831 1,177474 1,177118 1,176762 1,176406 1,176051 1,175696 1,175341 1,174987 1,174632 1,174279 1,173925 1,173572 1,173219 1,172866 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 82,135 82,165 82,195 82,225 82,255 82,285 82,315 82,345 82,375 82,405 82,435 82,465 82,495 82,525 82,555 82,585 82,615 82,645 82,675 82,705 82,735 82,765 82,795 82,825 82,855 82,885 82,915 82,945 82,975 83,005 83,035 83,065 83,095 83,125 83,155 83,185 264 289 244 246 253 258 194 205 204 208 195 175 166 137 137 127 121 116 102 99 84 84 78 78 70 64 48 42 42 39 30 43 39 35 52 31 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 1,172513 1,172161 1,171809 1,171458 1,171107 1,170756 1,170405 1,170055 1,169705 1,169355 1,169005 1,168656 1,168307 1,167958 1,16761 1,167262 1,166914 1,166567 1,166219 1,165872 1,165526 1,165179 1,164833 1,164488 1,164142 1,163797 1,163452 1,163107 1,162763 1,162419 1,162075 1,161732 1,161388 1,161045 1,160703 1,16036 (Nguồn: Dữ liệu Trung tâm h t nhân Tp.HCM cung cấp) 84 Phụ lục 16 ( Mẫu cao tần với th i gian nung η0 giây ) Stt 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 Góc 2theta (độ) 81,025 81,055 81,085 81,115 81,145 81,175 81,205 81,235 81,265 81,295 81,325 81,355 81,385 81,415 81,445 81,475 81,505 81,535 81,565 81,595 81,625 81,655 81,685 81,715 81,745 81,775 81,805 81,835 81,865 81,895 81,925 81,955 81,985 82,015 82,045 82,075 82,105 C ng độ (photon) 35 29 32 42 44 47 36 55 46 54 60 58 72 59 92 82 88 83 98 103 108 140 127 144 163 183 179 161 177 189 206 200 189 252 252 239 252 Th i gian (s) 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 85 Kho ng cách mặt phẳng nhi u x (A0) 1,18575 1,185387 1,185024 1,184662 1,1843 1,183938 1,183576 1,183215 1,182854 1,182493 1,182133 1,181772 1,181413 1,181053 1,180694 1,180335 1,179976 1,179618 1,17926 1,178902 1,178545 1,178188 1,177831 1,177474 1,177118 1,176762 1,176406 1,176051 1,175696 1,175341 1,174987 1,174632 1,174279 1,173925 1,173572 1,173219 1,172866 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 82,135 82,165 82,195 82,225 82,255 82,285 82,315 82,345 82,375 82,405 82,435 82,465 82,495 82,525 82,555 82,585 82,615 82,645 82,675 82,705 82,735 82,765 82,795 82,825 82,855 82,885 82,915 82,945 82,975 83,005 83,035 83,065 83,095 83,125 83,155 83,185 83,215 83,245 83,275 272 289 239 242 296 206 201 210 219 199 192 194 175 175 146 147 124 114 107 115 100 82 87 86 83 85 71 54 50 56 52 43 56 44 39 28 35 36 41 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 1,172513 1,172161 1,171809 1,171458 1,171107 1,170756 1,170405 1,170055 1,169705 1,169355 1,169005 1,168656 1,168307 1,167958 1,16761 1,167262 1,166914 1,166567 1,166219 1,165872 1,165526 1,165179 1,164833 1,164488 1,164142 1,163797 1,163452 1,163107 1,162763 1,162419 1,162075 1,161732 1,161388 1,161045 1,160703 1,16036 1,160018 1,159676 1,159335 (Nguồn: Dữ liệu Trung tâm h t nhân Tp.HCM cung cấp) 86 Phụ lục 17 B ng chuyển đổi HB - HRC – HRB – HV HB HRC HRB 800 72 780 71 760 70 752 69 746 68 745 67 735 66 711 65 695 64 681 63 658 62 642 61 627 60 613 59 601 58 746 592 57 727 572 56 694 552 55 649 534 54 120 589 513 53 119 567 504 52 118 549 486 51 118 531 469 50 117 505 468 49 117 497 456 48 116 490 87 HV Ghi 445 47 115 474 430 46 115 458 419 45 114 448 415 44 114 438 402 43 114 424 388 42 113 406 375 41 112 393 373 40 111 388 360 39 111 376 348 38 110 361 341 37 109 351 331 36 109 342 322 35 108 332 314 34 108 320 308 33 107 311 300 32 107 303 290 31 106 292 277 30 105 285 271 29 104 277 264 28 103 271 262 27 103 262 255 26 102 258 250 25 101 255 245 24 100 252 240 23 100 247 233 22 99 241 229 21 98 235 223 20 97 227 88 216 19 96 222 212 18 95 218 208 17 95 210 203 16 94 201 199 15 93 199 191 14 92 197 190 13 92 186 186 12 91 184 183 11 90 183 180 10 89 180 175 88 178 170 87 175 167 86 172 166 86 168 163 85 162 160 84 160 156 83 158 154 82 152 89 S K L 0 [...]...  x0 xn  x0 2.2.3.3 X c đ nh ch s cho đ (2.17) ng nhi u x X c định chỉ s ” là ghi chỉ s εiller chính x c cho mỗi nh nhiễu x trong đ ng nhiễu x Các nh nhiễu x đó cũng đ ợc gọi là các ph n x và có thể sử dụng c hai thuật ngữ này cho nhau Đặc biệt l u ý rằng x c định chính x c chỉ s nhiễu x đ ợc tiến hành chỉ khi tất c các nh nhiễu x trong gi n đồ nhiễu x đều đ ợc tính đến và không một nh nhiễu x nào... Rocwell) sẽ làm chi tiết bị phá huỷ Việc x c định độ c ng c a thép C4η đ ợc tôi cao tần bằng ph ơng pháp nhiễu x X -quang thực nghiệm là ph ơng pháp mới để x c định độ c ng c a thép C4η đ ợc tôi cao tần Ngoài ra, việc kiểm tra chi tiết các điều kiện tôi cao tần khác nhau cũng cần thiết để x c định độ c ng nhất định c a chi tiết khi đó sẽ hiệu qu hơn cho việc sử dụng chi tiết vào các mục đích khác nhau... ng nhiễu x [3] Gi sử ta có một tập các dữ liệu nhiễu x từ (x0 ,y0) đến (xn,yn) đ ợc biểu diễn trên hình β.β0 C ng độ phông đ ợc định nghĩa là đ (x0 ,y0) đến (xn,yn) c a đ ng thẳng n i từ điểm ng nhiễu x Ta cóμ MN AC ,  PQ AB x x AC MN  PQ  i 0 ( yn  y0 ) AB xn  x0 C (2.16) ng độ phông ybi t i xi bất kỳ đ ợc tính từ biểu th cμ ybi  y0  xi  x0 x x x x ( yn  y0 )  n i y0  i 0 yn xn  x0 xn... (Lorenz, h s phơn c c, hƠm hấp thu) [3] Việc x c định chính x c vị trí đỉnh nhiễu x là điều kiện tiên quyết để x c định ng suất d , vì khi thực hiện nhiễu x ng với một mặt phẳng nguyên tử hkl (mặt ph n x ) và một góc nhiễu x β sẽ cho một đ nhiễu x là vị trí có c vật mẫu(là vật nhiễu x ng nhiễu x nhất định và đỉnh ng độ I cực đ i Bằng cách chúng ta thực hiện nhiễu x cho tr ng thái tự nhiên không tồn t i... tài này nhằm x c định m i quan hệ giữa bề rộng trung bình và độ c ng c a thép đ ợc tôi cao tần, từ đó đề xuất ph ơng pháp đo độ c ng cho các vật liệu tinh thể bằng ph ơng pháp không phá h y 1.3 Nhi m vụ c a đề tƠi vƠ giới h n đề tƠi 1.3.1 Nhi m vụ - Thu thập tài liệu nghiên c u - Chế t o mẫu thử - Thí nghiệm tôi cao tần - Đo độ c ng mẫu đư thí nghiệm - Thí nghiệm nhiễm x x quang để x c định bề rộng... đ ợc x c định bằng các ph ơng pháp phá h y truyền th ng dùng mũi đâm Bài báo này nghiên c u m i liên hệ giữa độ c ng c a thép Cη0 tôi- ram rộng c a đ nhiều nhiệt độ và bề ng nhiễu x , thể hiện thông qua độ rộng c a đ ng cong Gauss Kết qu cho thấy một m i liên hệ tuyến giữa bề rộng trung bình c a đ ng nhiễu x , từ đó m ra kh năng x c định độ c ng c a vật liệu tinh thể bằng ph ơng pháp nhiễu x X quang. .. and 0 sử dụng ph ơng pháp ng ph ơng pháp đo ng suất bằng nhiễu x tia X, thì vùng nhiễu x tia X trên bề mặt mẫu thử thì gia tăng với việc tăng góc ψ Sử dụng mẫu thép đ ợc tôi và ram sẽ có bề rộng đ 3 ng nhiễu x khác nhau, nh h ng c a hệ s δPA đ i với giá trị ng suất đư đ ợc kh o sát Hệ s δPA có nh h ng lớn đ i với giá trị ng suất là đ ng nhiễu x đ ợc m rộng Trong ph ơng pháp điều chỉnh ngoài độ nghiêng... trung bình - X y dựng m i quan hệ giữa độ c ng và bề rộng trung bình 1.3.2 Giới h n đề tƠi Trong đề tài này chỉ giới h n x c định độ c ng từ 1θ-61 HRC cho vật liệu thép C45 εẫu thí nghiệm đ ợc tôi cao tần với th i gian khác nhau 1.4 Ph ng pháp nghiên c u Dựa trên cơ s lý thuyết về vật lý tia X, lý thuyết nhiệt luyện và ph ơng pháp phân tích đ ng nhiễu x , lý thuyết hàm Gaussian, lý thuyết x c xuất th ng... đang đ ợc nghiên c u và ng dụng trong nhiều lĩnh vực nh luyện kim, g m, th y tinh, x c tác, vật liệu phát quang, x lí chất th i ô nhiễm môi tr CeO2 2 ng,… là Hình 1.1: Đ ng nhiễu x cho mẫu chuẩn sau khi hiệu chỉnh LP - Ths D ơng Công C ng, Nghiên cứu và x c định độ cứng của thép cacbon nhiệt luyện bằng ph ơng pháp nhiễu x tia X, thực hiện năm β01γ t i đ i học SPKT Tp.HCM.[10] Độ c ng là một chỉ tiêu... nhiễu x tia X đ ợc sử dụng để x c định ng suất d , tính ng suất m i, x c định pha tinh thể mà không phá h y chi tiết mẫu Nhiều nghiên c u tr ớc đây cho thấy, bất c sự thay đổi nào trong cấu trúc c a vật liệu tinh thể (nh biến d ng dẻo, x lý nhiệt, quá trình hợp kim hóa,…) đều nh h tr ng c a đ ng đến các đặc ng nhiễu x X quang, bao gồm ba thông s quan trọng là vị trí đỉnh nhiễu x , hình d ng và độ lớn