Bài giảng Kỹ thuật thông tin quang Chương 4

KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG Bài 4: LINH KIỆN BIẾN ĐỔI QUANG ĐIỆN NỘI DUNG „ Các khái niệm bản: − − − − „ Mức lượng (Energy Level) Vùng lượng (Energy Band) Chất bán dẫn (Semiconductor) Nguyên lý biến đổi quang điện Nguồn quang (Light Source) − LED (Light Emitting Diode) − Laser (Light Amplification by Stimulated Emitting of Radiation) − Các thông số kỹ thuật nguồn quang „ Linh kiện tách sóng quang (Light Detector) − PIN − APD (Avalanche Photodiode) − Các thông số kỹ thuật linh kiện thu quang CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN „ Lý thuyết lượng tử Borh: − Một nguyên tử bao gồm hạt nhân (+) bao quanh điện tử (-) − Các điện tử quay quanh hạt nhân theo quỹ đạo ổn đònh mang mức lượng xác đònh − Các điện tử thay đổi trạng thái lượng chuyển từ quỹ đạo sang quỹ đạo khác Ỉ toàn nguyên tử mang mức lượng rời rạc Ỉ lượng nguyên tử lượng tử hóa CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN „ Mức lượng (Energy level): Năng lượng E(eV) E4 E3 E2 E1 E0 Energy gap ∆Eij=Ej Ei Ground state − Các mức lượng điện tử nguyên tử không liên tục − Một điện tử mang mức lượng rời rạc − Mức lượng thấp E0 gọi mức (ground state) Ỉ trạng thái ổn đònh nguyên tử CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN „ Mức lượng (tt): − Khi điện tử chuyển từ mức lượng cao Ej xuống mức lượng thấp Ei phát lượng ∆E = Eij = Ej – Ei − ∆E phát dạng nhiệt dạng photon ánh sáng (sự xạ ánh sáng (radiation) ) − Năng lượng photon xạ: Ephoton = ∆E = hf = hc/λ Ỉ λ = hc/ ∆E Ỉ Bước sóng ánh sáng phát xạ phụ thuộc vào khoảng cách mức lượng vật liệu CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN „ Mức lượng (tt): − Khi nguyên tử nhận lượng E từ bên cung cấp xảy hai trường hợp: + Nếu E = Eij (i,j= 0,1,2 …), điện tử có trạng thái lượng Ei hấp thụ (absorption) lượng E di chuyển lên mức lượng cao Ej + Nếu ∆E ≠ Eij (i,j= 0,1,2 …) không xảy hấp thụ E(eV) E(eV) Ej Ej E= Eij Ei E ≠ Eij (Eij = Ej – Ei) (Eij = Ej – Ei) Ei CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN „ Quá trình biến đổi quang điện xảy dựa tượng sau: Hấp thụ (Absortion) Phát xạ tự phát (Spontaneous emission) Phát xạ kích thích (Spontaneous emission) Biến đổi quang -điện Biến đổi điện - quang Biến đổi điện - quang Linh kiện thu quang (Photo detector) LED (Light Emitting Diode) Laser (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation) CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN „ nh sáng kết hợp (Coherent Light) − nh sáng tượng phát xạ kích thích tạo có tính kết hợp, nghóa photon ánh sáng có: + Cùng tần số + Cùng pha + Cùng phân cực + Cùng hướng truyền Ỉ nh sáng laser phát có tính kết hợp − Hiện tượng phát xạ tự phát xảy tự nhiên điện tử có khuynh hướng chuyển từ trạng thái lượng cao xuống trạng thái ổn đònh có lượng thấp Ỉ nh sáng LED phát tính có tính kết hợp CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN „ Vùng lượng (Energy band): − Trong chất bán dẫn (hay chất rắn nói chung), mức lượng rời rạc gần Ỉ điện tử xem nằm vùng lượng (energy band) − Trong chất bán dẫn, phân biệt thành hai vùng lượng: + Vùng hoá trò (Valence band): vùng lượng thấp, vùng lượng bền vững điện tử + Vùng dẫn (Connection band): vùng lượng cao − Các điện tử nằm vùng lượng (vùng dẫn vùng hoá trò) nằm vùng lượng Ỉ energy gap CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN „ Vùng lượng (tt): E Vùng dẫn (Conduction band) Energy gap Vùng hoá trò (Valence band) 10 CÁC ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA NGUỒN QUANG „ Thời gian chuyển lên (Rise time): − Là thời gian để công suất tăng từ 10% đến 90% mức sông suất ổn đònh có xung dòng điện kích thích nguồn quang Công suất tương đối 0.9 t 0.1 tr − Thời gian lên ảnh hưởng đến tốc độ bit tín hiệu điều chế Ỉ Muốn điều chế tốc độ bit cao nguồn quang phải có thờøi gian chuyển nhanh − Thời gian chuyển Laser (không ns) nhanh so với LED 35 (2–50 ns tùy loại) CÁC ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA NGUỒN QUANG „ nh hưởng nhiệt độ: − Bước sóng thay đổi nhiệt độ thay đổi Ỉ ảnh hưởng lớn đến hệ thống truyền dẫn quang ghép kênh phân chia theo bứơc sóng (WDM) − Dòøng ngưỡng Laser thay đổi nhiệt độ thay đổi (+1%/oC) Ỉ Laser chòu ảnh hưởng nhiệt độ lớn so với LED Ỉ cần phải ổn đònh nhiệt cho Laser − Laser thường chế tạo dạng module, bao gồm thành phần ổn đònh nhiệt cho Laser 36 LINH KIỆN TÁCH SÓNG QUANG (PHOTO DECTECTOR) „ Đònh nghóa: Linh kiện tách sóng quang linh kiện biến đổi tín hiệu ánh sáng thành tín hiệu điện có cường độ dòng điện tỷ lệ với công suất ánh sáng chiếu vào „ Nguyên lý hoạt động: − Mối tiếp giáp pn phân cực ngược − Hiện tượng hấp thụ (absorption) „ Có hai loại linh kiện tách sóng quang sử dụng: − PIN: diode thu quang có lớp bán dẫn P, I, N − APD (Avelanche Photodiode) : diode thác lũ „ Vùng bước bước sóng hoạt động linh kiện thu quang phụ thuộc vào vật liệu chế tạo 37 LINH KIỆN TÁCH SÓNG QUANG (PHOTO DECTECTOR) „ Hiệu suất lượng tử (Quantum Efficiency) I /e n ne: số lượng điện tử tách η = e = ph n ph Popt / hν nph: số lượng photon chiếu vào − Hiệu suất biến đội quang-điện − η vật liệu thay đổi theo bước sóng ánh sáng 38 CÁC ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA LINH KIỆN TÁCH SÓNG QUANG „ Đáp ứng (Responsivity): ηe R= = Popt hν I ph Iph: dòng quang điện Popt: công suất quang − Phụ thuộc hiệu suất lượng tử vật liệu bứơc sóng hoạt động 39 LINH KIỆN TÁCH SÓNG QUANG (PHOTO DECTECTOR) „ Quá trình tách sóng quang: Ec Eg = Ec - Ev Ev Eph = hν + 40 LINH KIỆN TÁCH SÓNG QUANG (PHOTO DECTECTOR) „ Nhận xét: − Quá trình hấp thụ xảy chủ yếu vùng (vùng có điện tích tự do) − Vùng tạo tự nhiên Ỉ hẹp Ỉ hiệu suất thấp − Muốn tăng hiệu suất biến đổi quang-điện (hiệu suất lượng tử): + Tăng độ rộng vùng cách tăng điện áp phân cực Ỉ không hiệu + Đặt hai lớp bán dẫn P N lớp bán dẫn có độ rộng lớn có tính chất tương tựï vùng Ỉ diode thu quang PIN 41 DIODE THU QUANG PIN „ „ „ Cấu tạo: gồm lớp bán dẫn P-I-N, I (Intrinsic) lớp bán dẫn không pha tạp chất pha với nồng độ thấp Quá trình hấp thụ photon xảy lớp I Lớp I dày hiệu suất lượng tử cao thời gian trôi điện tử chậm Ỉ giảm khả hoạt động với tốc độ cao PIN 42 DIODE THU QUANG APD (Avalanche Photo Diode) „ „ Cấu tạo: gồm lớp P+ P-P N-, P+ N- hai lớp bán dẫn có nồng độ tạp chất cao, P- lớp bán dẫn có nồng độ tạp chất thấp (thay cho lớp I PIN) Quá trình biến đổi quang-điện: 43 DIODE THU QUANG APD (Avalanche Photo Diode) 44 DIODE THU QUANG APD (Avalanche Photo Diode) „ „ Hiệu suất lượng tử APD: η >1 Dòng quang điện APD tao ra: R: đáp ứng (A/W) Iph = R.M.Popt „ Hệ số nhân M: M: hệ số nhân Popt: công suất quang Là số điện tử thứ cấp phát sinh ứng với điện tử sơ cấp Thay đổi theo điện áp phân cực ngược Phụ thuộc vào nhiệt độ Ỉ tính ổn đònh APD Vùng thác lũ lớn hệ số M lớn, thời gian trôi điện tử chậm nên tốc độ hoạt động APD giảm − M= 10-1000 lần, thực tế M hiệu chỉnh 50200 lần để giảm nhiễu − − − − 45 CÁC ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA LINH KIỆN TÁCH SÓNG QUANG „ Độ nhạy (Sensitivity): − Là mức công suất quang thấp mà linh kiện thu quang thu với tỷ số lỗi (BER) đònh − Phụ thuộc vào loại linh kiện tách sóng quang múc nhiễu khuếch đại điện − Tốc độ bit ruyền dẫn cao độ nhạy thiết bò thu − APD nhạy PIN (từ 5dB đến 15dB) 46 CÁC ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA LINH KIỆN TÁCH SÓNG QUANG „ Dải động (Dynamic Range) − Là khoảng chênh lệch mức công suất quang cao mức công suất quang thấp mà linh kiện thu quang thu giới hạn tỷ số lỗi (BER) đònh − Phụ thuộc vào loại linh kiện tách sóng quang, độ tuyến tính giới hạn bảo hoà khuếch đại thu − Dải động APD rộng so với PIN điều chỉnh cách thay đổi điện áp phân cực để thay đổi hệ số 47 nhân M CÁC ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA LINH KIỆN TÁCH SÓNG QUANG „ Tạp âm (Noise): − Tạp âm nhiệt: + Do điện trở tải diode thu quang trở kháng vào khuếch đại + Phụ thuộc vào nhiệt độ, bề rộng băng tạp âm, điện trở tải: KT I = ⋅B R t − Tạp âm lượng tử: + Do biến động ngẫu nhiên lượng photon đập vào diode thu quang + Dòng tạp âm lượng tử: I = 2e.R.P B = 2e.I B − Tạp âm dòng tối: q opt ph + Dòng điện nhiễu diode thu quang phát ánh sáng chiếu vào + Dòng tối: I q2 = 2e.iD B 48 CÁC ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA LINH KIỆN TÁCH SÓNG QUANG „ Độ ổn đònh: Độ ổn đònh PIN tốt APD hệ số nhân M APD vứa phụ thuộc vào điện áp phân cực vừa thay đổi theo nhiệt độ „ Điện áp phân cực: − APD cần điện áp phân cực cao PIN − APD: hàng trăm Volt − PIN: thøng 20 volt 49 [...]... ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA NGUỒN QUANG „ Hiệu suất ghép quang: − Đònh nghóa: η= Popt Ps Popt: công suất quang ghép vào sợi Ps: công suất phát quang của nguồn quang − Hiệu suất ghép quang phụ thuộc vào: + + + + + Kích thước vùng phát quang Góc phát quang của nguồn Góc thu nhận (hay NA) của sợi quang Vò trí tương đối giữa nguồn quang và sợi quang Bước sóng ánh sáng 32 CÁC ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA NGUỒN QUANG „... Đặc tuyến P-I: P(mW) − Công suất phát quang của nguồn quang thay đổi theo dòng điện kích thích − Laser chỉ hoạt động ở chế độ phát xạ kích thích khi dòng điện kích thích I>Ing − Ing: dòng ngưỡng − SLED có công suất phát quang lớn hơn ELED LASER 10 SLED ELED 5 I(mA) 0 Ing 100 200 30 CÁC ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA NGUỒN QUANG „ Góc phát quang: − Công suất ánh sáng do nguồn quang phát ra cực đại ở trục phát và... Amplification by Stimulated Emission of Radiation) Grating Active layer n5 n4 n3 n2 n1 Grating Active layer Nguyên lý cấu tạo DFB Laser Nguyên lý cấu tạo của DBR Laser Nguyên lý cấu tạo của C3 Laser (Cleaved-Coupled-Cavity Laser) Nguyên lý cấu tạo của External Cavity Laser 29 CÁC ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA NGUỒN QUANG „ Công suất phát quang: − Là công suất tổng cộng mà nguồn quang phát ra − Phụ thuộc vào dòng điện kích... CÁC ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA NGUỒN QUANG „ Hiệu suất ghép quang (tt): − Hiệu suất ghép quang của một loại nguồn quang: + SLED: 1-5% + ELED: 5-15% + Laser: - 60% đối với sợi đơn mode (SMF) - 90% đối với sợi đa mod − Một số phương pháp ghép ánh sáng từ LED vào sợi quang: 33 CÁC ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA NGUỒN QUANG „ Độ rộng phổ (Spectral width): − Nguồn quang phát ra công suất cực đại ở bước sóng trung tâm... phía Công suất − Độ rộng phổ là khoảng bước sóng chuẩn hoá 1 mà công suất quang không nhỏ hơn ∆λ 0.5 phân nữa mức công suất đỉnh − Laser có độ rộng phổ rất hẹp so với LED: λ + Laser: 1- 4 nm + LED: 35-100nm p λ(nm ) − Một số loại laser (DFB laser) được sử dụng trong kỹ thuật WDM có ∆λ < 0,1nm 34 CÁC ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA NGUỒN QUANG „ Thời gian chuyển lên (Rise time): − Là thời gian để công suất ra... NGUỒN QUANG (LIGHT SOURCE) „ Đònh nghóa: Nguồn quang là linh kiện biến đổi tín hiệu điện thành tín hiệu ánh sáng có công suất tỷ lệ với dòng điện chạy qua nó „ Có hai loại nguồn quang: − LED (Light Emitting Diode) − Laser ( Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation) „ Bước sóng do nguồn quang tạo ra chỉ phụ thuộc vào vật liệu chế tạo: hc 1, 24 λ= Eg ( J ) λ ( µ m) = Eg (eV ) 13 NGUỒN QUANG. .. để giảm độ rộng phổ của nguồn quang? 17 LED (Light Emitting Diode) „ „ Nguyên lý hoạt động: dựa trên hiện tượng phát xạ tự phát Cấu tạo: − Phát triển từ diode bán dẫn Ỉ tiếp giáp pn được phân cực thuận − Trên thực tế, LED có cấu trúc phức tạp hơn, gồm nhiều lớp bán dẫn để đáp ứng đồng thời các yêu cầu kỹ thuật của một nguồn quang „ Quá trình phát quang: 18 LED (Light Emitting Diode) I V + p Vùng hiếm... và giảm dần theo góc hợp với trục − Góc phát quang được xác đònh ở mức công suất quang giảm một nữa (3dB) so với mức cực đại Góc phát quang của SLED và ELED − Góc phát quang của SLED lớn hơn ELED − Mặt bao của góc phát quang của Laser có mặt nón có đáy hình elip: + Theo phương ngang với lớp tích cực: 5o10o + Theo vuông góc với lớp tích cực: 40 o − Góc phát quang của laser nhỏ Ỉ mật độ năng lượng ánh... sóng: λij ( µ m) = 1, 24 Eij (eV ) với Eij = Ej - Ei + Do có nhiều mức năng lượng khác nhau trong các vùng năng lượng nên sẽ có nhiều bước sóng ánh sáng được tạo ra 15 NGUỒN QUANG (LIGHT SOURCE) „ Độ rộng phổ (tt): E Công suất chuẩn hoá Vùng dẫn (Conduction band) 1 λ1 λ2 λ3 4 0.5 Vùng hoá trò (Valance band) ∆λ λp λij ( µ m) = 1, 24 Eij (eV ) λ(nm) với Eij = Ej - Ei 16 NGUỒN QUANG (LIGHT SOURCE) „... đònh khi có xung dòng điện kích thích nguồn quang Công suất tương đối 1 0.9 t 0.1 tr − Thời gian lên ảnh hưởng đến tốc độ bit của tín hiệu điều chế Ỉ Muốn điều chế ở tốc độ bit càng cao thì nguồn quang phải có thờøi gian chuyển càng nhanh − Thời gian chuyển của Laser (không quá 1 ns) rất nhanh so với LED 35 (2–50 ns tùy loại) CÁC ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA NGUỒN QUANG „ nh hưởng của nhiệt độ: − Bước sóng ... Nguyên lý biến đổi quang điện Nguồn quang (Light Source) − LED (Light Emitting Diode) − Laser (Light Amplification by Stimulated Emitting of Radiation) − Các thông số kỹ thuật nguồn quang „ Linh kiện... quang Vò trí tương đối nguồn quang sợi quang Bước sóng ánh sáng 32 CÁC ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA NGUỒN QUANG „ Hiệu suất ghép quang (tt): − Hiệu suất ghép quang loại nguồn quang: + SLED: 1-5% + ELED:... công suất quang ghép vào sợi Ps: công suất phát quang nguồn quang − Hiệu suất ghép quang phụ thuộc vào: + + + + + Kích thước vùng phát quang Góc phát quang nguồn Góc thu nhận (hay NA) sợi quang Vò