Detector bán dẫn
1 !"#$%&'(( ) (*'&(+,$ ) -+./& ) -+./(0 2 3 • 1232.456 $45787$9 • :;&<=&> • -+#<<%?8#<< &@<%?+7$9 • AB#?0C2D6 E 7$9?(F#GC2D07$960 %17 4 5 H#>(+E7$97>"#<0I E J6 E #$$'(6(K 3(>&L/07$9 )007$9$I07(++C2DM 44N)55 • O&P@./ E @./L/ • Q?n i R(+RS E 4L/5 $7T )Q T./&0 Q T./U&07$9 M TC2D0 6 N • ) R(+VW <R(+V %?(2DI -*%$&7T ) R#$(2DT X+( • A(7 MT23(+(23 T(+(+,$&"Y" • X/>%?B2I Z&≃ :Z • A[,$S 7 • A0#&&SS$$&$&6* E J?2?*L /?2? • A\(76$SP$$$&SF&"Y" E $#L/ 2YG&$#S !"#!"$ Chất bán dẫn N Chất bán dẫn P 9 • X/&6 \$&+ E <%?#?#< G &SI(]0 • VS6 ? E <(>&+L/ • ASF"(,$& E J0 &S⟹ • HS"23 E $('P G$S⟹ ⟹ !"#$ 10 [...]... 26 V.4 Detector Germani đo � Để đo bức xạ gamma dùng detector có độ rộng vùng ngheo và thể tích vùng hoạt lớn Detector do gamma phổ biến là HPGe( có 2 cấu hình) Cấu hình detector HPGe phẳng 27 V.4 Detector Germani đo � Cấu hình detector HPGe đồng trục 28 VI Một số hệ đo dùng detector bán dẫn 29 VI Một số hệ đo dùng detector bán dẫn 30 VI Một số hệ đo dùng detector bán dẫn 31... thời gian từ lúc tạo ra hạt tải đến lúc bắt đầu tăng xung ⟹ tăng khả năng tái hợp của hạt tải 21 IV Các đặc tính hoạt động của detector bán dẫn 22 V Một số loại detector bán dẫn V.1 Detector mối nối khuếch tán • Một phương pháp phổ biến để tạo nên detector bán dẫn là đặt một thanh bán dẫn loại p trong hơi tạp chất loại n ⟹ chuyển chất bán dẫn loại n thành p ⟹ mối nối bề mặt Vì nồng...II Sử dụng chất bán dẫn làm detector II.1 Lớp tiếp xúc p-n 11 II Sử dụng chất bán dẫn làm detector II.1 Lớp tiếp xúc p-n • • • • Đưa bán dẫn loại n và loại p tiếp xúc nhau,có sự chênh lệch về lỗ trống và electron tại lớp tiếp xúc =>e sẽ khuếch tán... trục 28 VI Một số hệ đo dùng detector bán dẫn 29 VI Một số hệ đo dùng detector bán dẫn 30 VI Một số hệ đo dùng detector bán dẫn 31 VI Một số hệ đo dùng detector bán dẫn 32 VI Một số hệ đo dùng detector bán dẫn 33 Thank you for your watching and listening ... cực bởi điện trường do hiệu điện thể ngược áp vào detector Khi đó ở mặt ngoài xuất hiện một tín hiệu điện Xung điện thế này được ghi nhận ở lối ra bởi hệ điện tử • Đo và khảo sát xung tín hiệu ra biết được thông tin về bức xạ 18 III Các quá trình xảy ra khi hạt tích điện đi vào detector III.1 Sự tạo cặp e- và lỗ trống trong detector bán dẫn • Ta gọi w là năng lượng của bức xạ ion hóa... nghèo hoàn toàn • Khi tăng điện thế phân cực ngược, vùng ngheo của detector sẽ được mở rộng và mở rộng toàn khối bán dẫn khi điện thế đủ lớn • Hình thành detector vùng ngheo hoàn toàn 25 V.3 Detector vùng nghèo hoàn toàn Ưu điểm của detector vùng ngheo hoàn toàn: • • • • • Lớp chết mỏng Có thể ghi bức xạ từ hai mặt của detector Giảm nhiễu và dòng rò nhỏ do không còn vùng bán dẫn nền... •Hiệu thế ngược càng cao ⟹ vùng ngheo càng rộng 13 II.3 vùng nghèo và độ rộng vùng nghèo • • • Vùng ngheo có vai trò rất quan trọng đối với detector bán dẫn • Độ rộng vùng ngheo � phụ thuộc vào hiệu thế phân cực Đây là vùng hoạt động chính của detector Vùng mà lớp tiếp xúc p-n được mở rộng ra thì rất nhạy đối với bức xạ là hạt mang điện ⟹ vùng nhạy 14 II.3 Vùng nghèo và độ rộng vùng... phải bằng nhau 16 II.3 Vùng nghèo và độ rộng vùng nghèo • • • Bằng cách thế các giá trị Đối với Silic Đối với Germani 17 III Các quá trình xảy ra khi hạt tích điện đi vào detector • Khi một bức xạ ion hóa đi vào detector bán dẫn, chúng sẽ tương tác lên các electron và bứt electron ra khỏi liên kết cộng hóa trị • Các electron này chuyển lên vùng dẫn và trở thành các electron tự do, đồng... sự tích tụ chất bẩn • • – – V.2 Detector hàng rào mặt • Từ thanh bán dẫn loại n, ta tạo nên một lớp vật liệu có tính chất giống bán dẫn loại p • Các vật liệu này có nồng độ bẫy e- cao ⟹ lớp tiếp xúc loại này giống với sự hình thành lớp tiếp xúc p-n • Nhược điểm:điện dung lớn, nhạy với ánh sáng, dễ bị hư hại bởi hơi ẩm hay tiếp xúc cơ học với bề mặt 24 V.3 Detector vùng nghèo hoàn toàn •