Thuyết trình TRANSISTOR CÔNG SUấT MOSFET IGBT

Nhóm 4 • Đặng Quốc Việt (NT) • Nguyễn Ngọc Khánh • Đỗ Xuân Phán • Nguyễn Văn Nhanh • Lang Văn Hòa • Cao văn thịnh STT Họ Và Tên MSSV CÔNG ViỆC 1 Đặng Quốc Việt 53132043 NT (tìm hiểu ứng dụng, chỉnh sửa slide) 2 Nguyễn Ngọc Khánh 53130694 Nghiên cứu phần cấu tạo 3 Lang Văn Hòa 53130618 Nghiên cứu phần nguyên lý làm việc 4 Nguyễn Văn Nhanh 53131136 Nghiên cứu phần đặc tính vôn-ampe 5 Đỗ Xuân Phán 53131201 Nghiên cứu phần đặc tính đóng ngắt 6 Cao Văn Thịnh 53131699 Ngiên cứu phần tham số chủ yếu về linh kiện TRANSISTOR CÔNG SUấT MOSFET IGBT TRANSISTOR CÔNG SuẤT  Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của Transistor  Đặc tính vôn-ampe và đặc tính đóng ngắt  Các tham số chủ yếu  Một số ứng dụng của Transistor I. Cấu tạo và nguyên lý làm việc 1. Cấu tạo Transistor là phần tử bán dẫn có cấu trúc bán dẫn gồm 3 lớp bán dẫn xếp xen kẽ nhau p-n-p (thuận) hoặc n-p-n (ngược).  Lớp Emitter được pha tạp với nồng độ cao nhất  Lớp Bazo được pha tạp với nồng độ thấp nhất và rất mỏng  Lớp Collector được pha tạp với nồng độ trung bình  Tiếp giáp giữa emitter và bazo gọi là tiếp giáp emitter (J E )  Tiếp giáp giữa collector và bazo gọi là tiếp giáp collector (J C ) 2. Nguyên lý làm việc  Khi chưa cấp điện áp đến các cực của transistor thì các tiếp giáp J E , J C ở trạng thái cân bằng nên tổng dòng điện trong transistor bằng 0.  Để transistor làm việc, phải cấp điện áp một chiều thích hợp (gọi là phân cực cho transistor):  Chế độ ngắt : Điện áp một chiều làm J E , J C đều phân cực ngược  Chế độ dẫn bão hòa : Điện áp một chiều làm J E , J C đều phân cực thuận  Chế độ tích cực : Điện áp một chiều làm J E phân cực thuận còn J C phân cực ngược. Chế độ ngắt của transistor  J C và J E đều phân cực ngược, nên trong transistor chỉ có dòng ngược của hai tiếp giáp đều rất nhỏ, nên có thể coi bằng 0. Điện trở của transistor rất lớn, U CE≈ V CC Chế độ dẫn bão hòa của transistor  J E và J C đều phân cực thuận nên điện trở của transistor rất nhỏ và có thể coi như cực C và E bị nối tắt và U CE xấp xỉ bằng 0 Chế độ tích cực của transistor Để transistor làm việc ở chế độ tích cực (khuếch đại), thì phải phân cực cho transistor theo nguyên tắc J E phân cực thuận, J C phân cực ngược (U C >U B >U E : npn; U C <U B <U E : pnp) [...]... transistor III Các tham số chủ yếu và ứng dụng của transistor 1 Các tham số chủ yếu của transistor  Dòng điện cực đại: dòng điện giới hạn của transistor  Điện áp cực đại: điện áp đánh thủng transistor  Tần số cắt: tần số giới hạn để transistor làm việc  Hệ số khuyết đại: hệ số bêta  Công suất cực đại: P= UCE*ICE 2  ứng dụng của transistor Khuếch đại  Khi transistor làm việc ở chế độ tích cực (JE phân... Đối với transistor pnp cũng hoạt động tương tự như vậy, nhưng đổi vai trò của electron thành lỗ trống, và chiều của các dòng điện ngược lại với transistor npn II 1 Đặc tính vôn-ampe và đặc tính đóng ngắt của transistor Đặc tính vôn-ampe Trong lãnh vực điện tử công suất, transistor BJT chỉ được sử dụng như công tắc và phần lớn được mắc theo dạng mạch có chung emitor 2 Đặc tính đóng ngắt của transistor. .. dụng I Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của mosfet 1 Cấu tạo mosfet Cấu tạo MOSFET kênh đặt sẵn MOSFET kênh cảm ứng 2 Nguyên lý làm việc của mosfet  Để Mosfet hoạt động ở chế độ khuếch đại thì phải phân cực cho nó băng cách đặt lên các cực của nó điện áp một chiều thích hợp Khi làm việc thì đế và cực S của MOSFET được nối với nhau  Xét nguyên lý làm việc của MOSFET kênh n:   Đặt vào kênh điện áp UDS0, điện trường do nó gây ra có tác dụng đẩy các lỗ trống từ kênh về đế→chế độ nghèo của MOSFET  Dòng điện đi qua kênh (dòng cực máng ID) phụ thuộc vào cả UGS và UDS Nguyên lý làm việc Nguyên lý làm việc II Đặc tính đóng ngắt và đặt tính vôn-ampe của mosfet 1 Đặc tính vôn-ampe Thông thường người ta ứng dụng moset làm việc ở chế độ giàu 2 Đặc tính đóng ngắt Quá trình mở Quá trình. .. transistor làm việc ở chế độ ngắt (cắt và dẫn bão hòa), người ta sử dụng transistor trong các mạch tạo xung, và các mạch logic Mạch dao động đa hài B MOSFET Loại transistor có khả năng đóng ngắt nhanh và tổn hao do đóng ngắt thấp với cổng điều khiển bằng điện trường (điện áp) B MOSFET I 1 2 II 3 4 III Cấu tạo và nguyên lý làm việc MOSFET Cấu tạo Nguyên lý làm việc Đặc tính vôn-ampe và đặc tính đóng ngắt...Nguyên lí làm việc I E = I B + IC IC α= IE IB β = = hFE IC α: Hệ số truyền đạt dòng điện β: Hệ số khuếch đại dòng điện  Xét nguyên lý hoạt động của transistor npn   JE phân cực thuận nên có dòng electron từ miền E khuếch tán sang miền B→dòng IE  Các electron từ miền E khuếch tán qua miền B, đến được J C sẽ bị điện trường phân cực ngược của JC Các...   Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của IGBT cấu tạo nguyên lý hoạt động II Đặc tính vôn-ampe và đặc tính đóng ngắt của IGBT  Đặc tính vôn-ampe  Đặc tính đóng ngắt III Các tham số chủ yếu và ứng dụng IGBT . kiện TRANSISTOR CÔNG SUấT MOSFET IGBT TRANSISTOR CÔNG SuẤT  Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của Transistor  Đặc tính vôn-ampe và đặc tính đóng ngắt  Các tham số chủ yếu  Một số ứng dụng của Transistor I thủng transistor. . Tần số cắt: tần số giới hạn để transistor làm việc. . Hệ số khuyết đại: hệ số bêta. . Công suất cực đại: P= U CE *I CE 2. ứng dụng của transistor  Khuếch đại  Khi transistor. Đặc tính vôn-ampe và đặc tính đóng ngắt của transistor 1. Đặc tính vôn-ampe Trong lãnh vực điện tử công suất, transistor BJT chỉ được sử dụng như công tắc và phần lớn được mắc theo dạng mạch