đồ án kỹ thuật điện điện tử NGHIÊN CỨU VỀ CẢM BIẾN,ỨNG DỤNG THIẾT KẾ MÔ HÌNH NHÀ THÔNG MINH

Để dễ sử dụng, người ta thường chế tạo cảm biến có sự phụ thuộc tuyến tính giữa đại lượng đầu ra và đại lượng đầu vào, phương trình s= Fm có dạng s = am +b với a, b là các hệ số, khi đó

MỤC LỤC

DANH SÁCH CÁC HÌNH 4

DANH SÁCH CÁC BẢNG 6

LỜI NÓI ĐẦU 7

CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ CẢM BIẾN 8

1.1 Khái niệm và phân loại cảm biến: 8

1.1.1 Khái niệm: 8

1.1.2 Phân loại cảm biến 8

1.2 Đường cong chuẩn của cảm biến 9

1.2.1 Khái niệm 9

1.2.2 Phương pháp chuẩn cảm biến 10

1.2.2.1 Chuẩn đơn giản 11

1.2.2.2 Chuẩn nhiều lần 11

1.3 Các đặc trưng cơ bản 12

1.3.1 Độ nhạy của cảm biến 12

1.3.2 Độ nhạy trong chế độ tĩnh và tỷ số chuyển đổi tĩnh 13

1.3.3 Độ nhạy trong chế độ động 13

1.4 Độ tuyến tính 14

1.4.1 Khái niệm 14

1.4.1.1 Đường thẳng tốt nhất 15

1.4.1.2 Độ lệch tuyến tính 15

1.4.2 Sai số và độ chính xác 16

1.4.3 Độ nhanh và thời gian hồi áp 17

1.4.4 Giới hạn sử dụng của cảm biến 18

1.5 Nguyên lý chung chế tạo cảm biến 19

1.5.1 Nguyên lý chế tạo các cảm biến tích cực 19

1.5.2 Hiệu ứng nhiệt điện 20

1.5.2.1 Hiệu ứng hoả điện 20

1.5.2.2 Hiệu ứng áp điện 21

15.2.3Hiệu ứng cảm ứng điện từ 21

1.5.2.4 Hiệu ứng quang điện 22

1.5.2.5 Hiệu ứng quang - điện - từ 22

1.5.2.6 Hiệu ứng Hall 23

1.5.3 Nguyên tắc chế tạo cảm biến thụ động 23

1.6 Mạch đo 24

1.6.1 Sơ đồ mạch đo 24

1.6.2 Một số phần tử cơ bản của mạch đo 26

1.6.2.1 Bộ khuếch đại thuật toán (KĐTT) 26

1.6.2.2 Bộ khuếch đại đo lường IA 26

1.6.2.3 Khử điện áp lệch 27

CHƯƠNG 2: CƠ CẤU HIỂN THỊ 30

2.1 Vi điều khiển 30

2.1.1 Tổng quan về 8051 30

2.1.2 Vi điều khiển AT89S52 31

2.1.2.1 Giới thiệu chung 31

2.1.2.2 Cấu trúc bên trong vi điều khiển 35

2.1.2.3 Hoạt động định thời của AT89S52 35

2.1.2.4 Các thanh ghi của bộ định thời 36

2.1.2.5 Các chế độ định thời của timer 1 và timer 0 39

2.1.2.6 Tổ chức ngắt của AT89S52 39

2.2 Hiển thị nhiệt độ bằng LCD 43

2.2.1 Phân loại LCD 43

2.2.2 Giới thiệu sơ đồ chân LCD 43

2.2.3 Khả năng hiển thị của LCD 45

2.2.4 Nguyên tắc hiển thị kí tự trên LCD 47

2.3 Giao tiếp với bộ hiển thị tương tự - số (ADC) 48

2.3.1 Giới thiệu về ADC 48

2.3.2 Tìm hiểu về ADC 0804 48

CHƯƠNG 3: CẢM BIẾN SỬ DỤNG TRONG MÔ HÌNH VÀ SƠ ĐỒ

MẠCH NGUYÊN LÝ 51

3.1 Cảm biến đo nhiệt độ 51

3.1.1 Phân loại cảm biến nhiệt 51

3.1.2 Cặp nhiệt điện ( Thermocouples ) 51

3.1.3 Thermistor 52

3.1.4 Bán dẫn 53

3.1.5 Nhiệt kế bức xạ ( còn gọi là hỏa kế- pyrometer ) 55

3.1.6 Cảm biến nhiệt độ LM35 56

3.2 Cảm biến chuyển động 57

3.2.1 PIR 57

3.2.1.1 Cấu tạo ,nguyên lý đầu dò PIR 57

3.2.2 Kính hội tụ 61

3.2.3 Một số mạch ứng dụng 62

3.2.4 Các sơ đồ mạch điện tham khảo 66

CHƯƠNG 4: THI CÔNG MÔ HÌNH 72

4.1 Sơ đồ nguyên lý 72

KẾT LUẬN 74

tài lIỆU THAM KHẢo 75

DANH SÁCH CÁC HÌNH

Hình 1 1 Đường cong chuẩn cảm biến 10

Hình 1 2 Phương pháp chuẩn cảm biến 11

Hình 1 3 Xác định các khoảng thời gian đặc trưng cho chế độ quá độ 18

Hình 1 4 Sơ đồ hiệu ứng nhiệt điện 20

Hình 1 5 Ứng dụng hiệu ứng hỏa điện 21

Hình 1 6 Ứng dụng hiệu ứng áp điện 21

Hình 1 7 Ứng dụng hiệu ứng cảm ứng điện từ 22

Hình 1 8 Ứng dụng hiệu ứng quang – điện- từ 22

Hình 1 9 Ứng dụng hiệu ứng Hall 23

Hình 1 10 Sơ đồ mạch đo nhiệt độ băng cặp nhiệt 25

Hình 1 11 Mạch đo điện thế bề mặt 25

Hình 1 12 Sơ đồ bộ khuếch đại thuật toán 26

Hình 1 13 Sơ đồ bộ khuếch đai đo lường gồm ba KDTT ghép nối điện trở 27

Hình 1 14 Sơ đồ mạch khử điện áp lệch 28

Hình 1 15 Mạch lặp lại điện áp 28

Hình 1 16 Sơ đồ mạch cầu 29

Hình 2 1 Cấu trúc bên trong vi điều khiển 30

Hình 3 1 Cặp nhiệt điện 52

Hình 3 2 thermistor 53

Hình 3 3 Bán dẫn 54

Hình 3 4 Cảm biến nhiệt độ LM35 56

Hình 3 5 Đầu dò PIR 57

Hình 3 6 Nguyên lý làm việc của loại đầu dò PIR như hình sau 58

Hình 3 7 Nguyên lý phát hiện chuyển động ngang của các nguồn thân nhiệt 59

Hình 3 8 Nguyên lý làm việc của đầu dò PIR đối với người qua lại 59

Hình 3 9 Dùng vật liệu pyroelectric để cảm ứng với tia nhiệt 60

Hình 3 10 Kính hội tụ 61

Hình 3 11 kính Fresnel 62

Hình 3 12 Mạch điện điển hình dùng cho đầu dò PIR 63

Hình 3 13 Sơ đồ nguyên lý IC LM324 64

Hình 3 14 Mạch đa hài 2 tầng 65

Hình 3 15 Mạch tắt mở đèn bằng đầu dò PIR (Dùng TRIAC, nguồn vào AC 66

Hình 3 16 Mạch tắt mở đèn bằng đầu dò PIR (dùng relay, nguồn vào AC) 68

Hình 3 17 Mạch cảm biến chuyển động 69

Hình 3 18 Mạch dò PIR phát hiện người vật di chuyển ngang 70

Hình 3 19 Mạch tắt mở đèn theo cảm ứng nguồn nhiệt di động 71

Hình 3 20 Mạch dò di động dùng đầu dò PIR 71

Hình 3 21 Sơ đồ nguyên lý 72

DANH SÁCH CÁC BẢNG

Bảng 1 1 Phân loại cảm biến 9

Bảng 2 1 Bảng đặc tính của 8051 đầu tiên……….……… 31

Bảng 2 2 chức năng riêng 33

Bảng 2 3 Thanh ghi TMOD 37

Bảng 2 4 Thanh ghi TCON 38

Bảng 2 5 Thanh ghi IE 40

Bảng 2 6 Giới thiệu sơ đồ chân LCD 44

Bảng 2 7 nội dung hiển thị 45

Bảng 2 8 Tập lệnh của LCD 46

Lời Nói đầu

Ngày nay, cùng với sự phát triển mạnh mẽ của thế giới trên nhiều mặt thì khoa học công nghệ nói chung và nghành công nghệ kỹ thuật điện tử nói riêng cũng đã có nhiều phát triển vượt bậc góp phần làm cho thế giới ngày càng hiện đại và văn minh hơn Sự phát triển của kỹ thuật điện tử đã tạo ra hàng loạt những thiết bị với các đặc điểm như sự chính xác cao, tốc độ nhanh, gọn nhẹ và

hoạt động ổn định là những yếu tố cần thiết làm cho hoạt động của con ngườiđạt hiệu quả cao

Đã từ lâu các bộ cảm biến được sử dụng như những bộ phận để cảmnhận và phát hiện, nhưng chỉ từ vài ba chục năm trở lại đây chúng mới thểhiện vai trò quan trọng trong kỹ thuật và công nghiệp đặc biệt là trong lĩnhvực đo lường, kiểm tra và điều khiển tự động

Vì ứng dụng của chúng lớn vậy, nên có thể nói việc tìm hiểu về các loạicảm biến, cấu tạo, chức năng, nguyên lý hoạt động của chúng là rất quan trọng.Hiện nay vấn đề tự động hóa trong công nghiệp để giảm bớt lao động chân tay

và nâng cao năng suất lao động là một trong những đề tài được các bạn sinhviên,các thầy cô ở những trường kĩ thuật quan tâm và nghiên cứu nhiều

nhất.Chính vì vậy em đã chọn đề tài : “NGHIÊN CỨU VỀ CẢM BIẾN,ỨNG DỤNG THIẾT KẾ MÔ HÌNH NHÀ THÔNG MINH” cho báo cáo thực tập

tốt nghiệp của mình

Nội dung báo cáo này gồm 4 chương:

CHƯƠNG 1 : TỔNG QUAN VỀ CẢM BIẾN

CHƯƠNG 2 : CƠ CẤU HIỂN THỊ

CHƯƠNG 3 : CẢM BIẾN SỬ DỤNG TRONG MÔ HÌNH

CHƯƠNG 4 : THI CÔNG MÔ HÌNH

Dù rất cố gắng khi thực hiện luận văn này nhưng chắc chắn không tránh khỏi những thiếu sót,rất mong đón nhận được sự đóng góp ý kiến từ quý thầy cô và các bạn.Xin trân thành cảm ơn

CHƯƠNG 1 TỔNG QUAN VỀ CẢM BIẾN

1.1 Khái niệm và phân loại cảm biến:

1.1.1 Khái niệm:

Cảm biến là thiết bị dùng để cảm nhận biến đổi các đại lượng vật lý

và các đại lượng không có tính chất điện cần đo thành các đại lượng điện cóthể đo và xử lý được.

Các đại lượng cần đo (m) thường không có tính chất điện (như nhiệt

độ, áp suất ) tác động lên cảm biến cho ta một đặc trưng (s) mang tính chấtđiện (như điện tích, điện áp, dòng điện hoặc trở kháng) chứa đựng thông tincho phép xác định giá trị của đại lượng đo Đặc trưng (s) là hàm của đại lượngcần đo (m):

s=F(m)

Người ta gọi (s) là đại lượng đầu ra hoặc là phản ứng của cảm biến,(m) là đại lượng đầu vào hay kích thích (có nguồn gốc là đại lượng cần đo).Thông qua đo đạc (s) cho phép nhận biết giá trị của (m)

1.1.2 Phân loại cảm biến

Các bộ cảm biến được phân loại theo các đặc trưng cơ bản sau đây:

 Theo nguyên lý chuyển đổi giữa đáp ứng và kích thích

Hiện tượng Chuyển đổi đáp ứng và kích thích

 Quang điện

 Quang từ

 Điện từ

 Quang đàn hồi

 Từ điện

 Nhiêt từ…

 Biến đổi điện hóa

 Phân tích phổ

 Biến đổi vật lý

 Hiệu ứng trên cơ thể sống

Bảng 1 1 Phân loại cảm biến

1.2 Đường cong chuẩn của cảm biến

1.2.1 Khái niệm

Đường cong chuẩn cảm biến là đường cong biểu diễn sự phụ thuộc của đại lượng điện (s) ở đầu ra của cảm biến vào giá trị của đại lượng đo (m)

ở đầu vào Đường cong chuẩn có thể biểu diễn bằng biểu thức đại số dưới dạng

s = F(m ) , hoặc bằng đồ thị như hình sau:

Hình 1 1 Đường cong chuẩn cảm biến

a Dạng đường cong chuẩn

b Đường cong chuẩn của cảm biến tuyến tính

Dựa vào đường cong chuẩn của cảm biến, ta có thể xác định giá trị michưa biết của m thông qua giá trị đo được si của s

Để dễ sử dụng, người ta thường chế tạo cảm biến có sự phụ thuộc tuyến tính giữa đại lượng đầu ra và đại lượng đầu vào, phương trình s= F(m)

có dạng s = am +b với a, b là các hệ số, khi đó đường cong chuẩn là đường thẳng

1.2.2 Phương pháp chuẩn cảm biến

Chuẩn cảm biến là phép đo nhằm mục đích xác lập mối quan hệ giữa giá trị s đo được của đại lượng điện ở đầu ra và giá trị m của đại lượng đo có tính đến các yếu tố ảnh hưởng, trên cơ sở đó xây dựng đường cong chuẩn dưới dạng tường minh (đồ thị hoặc biểu thức đại số) Khi chuẩn cảm biến, với một loạt giá trị đã biết chính xác mi của m, đo giá trị tương ứng si của s

và dựng đường cong chuẩn

Hình 1 2 Phương pháp chuẩn cảm biến

1.2.2.1 Chuẩn đơn giản

Trong trường hợp đại lượng đo chỉ có một đại lượng vật lý duy nhất tácđộng lên một đại lượng đo xác định và cảm biến sử dụng không nhạy với tác động của các đại lượng ảnh hưởng, người ta dùng phương pháp chuẩn đơn giản Thực chất của chuẩn đơn giản là đo các giá trị của đại lượng đầu ra ứng với các giá xác định không đổi của đại lượng đo ở đầu vào Việc chuẩn được tiến hành theo hai cách:

- Chuẩn trực tiếp: các giá trị khác nhau của đại lượng đo lấy từ các mẫu chuẩn hoặc các phần tử so sánh có giá trị biết trước với độ chính xác cao

- Chuẩn gián tiếp: kết hợp cảm biến cần chuẩn với một cảm biến so sánh đã có sẵn đường cong chuẩn, cả hai được đặt trong cùng điều kiện làm

việc Khi tác động lên hai cảm biến với cùng một giá trị của đại lượng đo ta nhận được giá trị tương ứng của cảm biến so sánh và cảm biến cần chuẩn Lặplại tương tự với các giá trị khác của đại lượng đo cho phép ta xây dựng được đường cong chuẩn của cảm biến cần chuẩn.

1.2.2.2 Chuẩn nhiều lần

Khi cảm biến có phần tử bị trễ (trễ cơ hoặc trễ từ), giá trị đo được ở đầu ra phụ thuộc không những vào giá trị tức thời của đại lượng cần đo ở đầu vào mà còn phụ thuộc vào giá trị trước đó của của đại lượng này Trong trường hợp như vậy, người ta áp dụng phương pháp chuẩn nhiều lần và tiến hành như sau:

- Đặt lại điểm 0 của cảm biến: đại lượng cần đo và đại lượng đầu ra

có giá trị tương ứng với điểm gốc, m=0 và s=0

- Đo giá trị đầu ra theo một loạt giá trị tăng dần đến giá trị cực đại của đại lượng đo ở đầu vào

- Lặp lại quá trình đo với các giá trị giảm dần từ giá trị cực đại

Khi chuẩn nhiều lần cho phép xác định đường cong chuẩn theo cả haihướng đo tăng dần và đo giảm dần

1.3 Các đặc trưng cơ bản

1.3.1 Độ nhạy của cảm biến

Đối với cảm biến tuyến tính, giữa biến thiên đầu ra Δss và biến thiên đầu vàoΔsm có sự liên hệ tuyến tính

Δss = S.Δsm

Đại lượng S xác định bởi biểu thức S=s/m được gọi là độ nhậy của cảm biếnTrong trường hợp tổng quát, biểu thức xác định độ nhậy S của cảm biến xungquanh giá trị mi của đại lườn đo xác định bởi tỷ số giữa biến thiên S của đại

lượng đầu ra và biến thiên m tương ứng của đại lượng đo ở đầu vào quanh giátrị đó

Để phép đo đạt độ chính xác cao, khi thiết kế và sử dụng cảm biến cần làmsao cho độ nhạy S của nó không đổi, nghĩa là ít phụ thuộc nhất vào các yếu tốsau:

Giá trị của đại lượng cần đo m và tần số thay đổi của nó

1.3.2 Độ nhạy trong chế độ tĩnh và tỷ số chuyển đổi tĩnh

Đường chuẩn cảm biến, xây dựng trên cơ sở đo các giá trị si ở đầu ratương ứng với các giá trị không đổi mi của đại lượng đo khi đại lượng nàyđạt đến chế độ làm việc danh định được gọi là đặc trưng tĩnh của cảm biến.Một điểm Qi(mi,si) trên đặc trưng tĩnh xác định một điểm làm việc của cảmbiến ở chế độ tĩnh

Trong chế độ tĩnh, độ nhạy S xác định theo công thức (1.3) chính là

độ đốc của đặc trưng tĩnh ở điểm làm việc đang xét Như vậy, nếu đặc trưngtĩnh không phải là tuyến tính thì độ nhạy trong chế độ tĩnh phụ thuộc điểm làmviệc

Đại lượng ri xác định bởi tỷ số giữa giá trị si ở đầu ra và giá trị mi ởđầu vào được gọi là tỷ số chuyển đổi tĩnh:

Từ (1.4), ta nhận thấy tỷ số chuyển đổi tĩnh ri không phụ thuộc vàođiểm làm việc Qi và chỉ bằng S khi đặc trưng tĩnh là đường thẳng đi qua gốctoạ độ.

Φ là độ lệch pha giữa đại lượng đầu vào và đại lượng đầu ra

Trong chế độ động độ nhậy S của cảm biến được xác định bởi tỷ số giữabiên độ của đầu ra s1 và biến thiên của biến thiên đầu vào m1 ứng với điểm làmviệc được xét q0, theo công thức:

Độ nhậy trong chế độ động phụ thuộc vào tần số đại lượng đo S=S(f)

Sự biến thiên độ nhậy theo tần số có nguồn gốc là do quán tính cơ, nhiệt, điện của đầu đo, tức là của cảm biến và các thiết bị phụ trợ chúng không thể cung

cấp tức thời tín hiệu điện theo kịp biến thiên của đại lượng đo Bởi vậy khi xét

sự hồi đáp có phụ thuộc vào tần số cần phải xem xét sơ đồ mạch đo của cảm biến một cách tổng thể

Trong chế độ động, độ tuyến tính bao gồm sự không phụ thuộc của độ nhạy ởchế độ tĩnh S(0) vào đại lượng đo, đồng thời các thông số quyết định sự hồi đáp(như tần số riêng f0 của dao động không tắt, hệ số tắt dần ξ cũng không phụthuộc vào đại lượng đó)

Nếu cảm biến không tuyến tính, người ta đưa vào mạch đo các thiết bịhiệu chỉnh sao cho tín hiệu điện nhận được ở đầu ra tỉ lệ với sự thay đổi củađại lượng đo ở đầu vào Sự hiệu chỉnh đó được gọi là sự tuyến tính hoá

1.4.1.1 Đường thẳng tốt nhất

Khi chuẩn cảm biến, từ kết quả thực nghiệm ta nhận được một loạtđiểm tương ứng (si,mi) của đại lượng đầu ra và đại lượng đầu vào Về mặt lýthuyết, đối với các cảm biến tuyến tính, đường cong chuẩn là một đườngthẳng Tuy nhiên, do sai số khi đo, các điểm chuẩn (mi, si) nhận được bằngthực nghiệm thường không nằm trên cùng một đường thẳng

Đường thẳng được xây dựng trên cơ sở các số liệu thực nghiệm saocho sai số là bé nhất, biểu diễn sự tuyến tính của cảm biến được gọi làđường thẳng tốt nhất Phương trình biểu diễn đường thẳng tốt nhất được lậpbằng phương pháp bình phương bé nhất Giả sử khi chuẩn cảm biến ta tiếnhành với N điểm đo, phương trình có dạng:

s = am + bTrong đó:

là giá trị tuyệt đối giữa giá trị đo và giá trị thực x(sai số tuyệt đối), sai số tươngđối của bộ cảm biến được tính bằng:

Sai số của bộ cảm biến mang tính chất ước tính bởi vì không thể biếtchính xác giá trị thực của đại lượng cần đo Khi đánh giá sai số của cảmbiến, người ta thường phân chúng thành hai loại: sai số hệ thống và sai sốngẫu nhiên

Sai số hệ thống: là sai số không phụ thuộc vào số lần đo, có giá trịkhông đổi hoặc thay đổi chậm theo thời gian đo và thêm vào một độ lệchkhông đổi giữa giá trị thực và giá trị đo được Sai số hệ thống thường do sựthiếu hiểu biết về hệ đo, do điều kiện sử dụng không tốt gây ra Các nguyênnhân gây ra sai số hệ thống có thể là:

 Do nguyên lý của cảm biến

 Do giá trị của đại lượng chuẩn không đúng

ra sai số ngẫu nhiên có thể là:

+ Do sự thay đổi đặc tính của thiết bị

+ Do tín hiệu nhiễu ngẫu nhiên

+ Do các đại lượng ảnh hưởng không được tính đến khi chuẩn cảm biến.Chúng ta có thể giảm thiểu sai số ngẫu nhiên bằng một số biện phápthực nghiệm thích hợp như bảo vệ các mạch đo tránh ảnh hưởng của nhiễu,

tự động điều chỉnh điện áp nguồn nuôi, bù các ảnh hưởng nhiệt độ, tần số,vận hành đúng chế độ hoặc thực hiện phép đo lường thống kê

1.4.3 Độ nhanh và thời gian hồi áp

Độ nhanh là đặc trưng của cảm biến cho phép đánh giá khả năng theokịp về thời gian của đại lượng đầu ra khi đại lượng đầu vào biến thiên Thờigian hồi đáp là đại lượng được sử dụng để xác định giá trị số của độ nhanh

Độ nhanh Tr là khoảng thời gian từ khi đại lượng đo thay đổi đột ngộtđến khi biến thiên của đại lượng đầu ra chỉ khác nhau giá tri cuối cùng mộtlượng giới hạn ε tính bằng % Thời gian hồi đáp đặc trưng cho chế độ quá độcủa cảm biến và là hàm của các thông số thời gian xác định chế độ này

Trong trường hợp sự thay đổi của đại lượng đo có dạng bậc thang,các thông số thời gian gồm thời gian trễ khi tăng (tdm) và thời gian tăng(tm) ứng với sự tăng đột ngột của đại lượng đo hoặc thời gian trễ khi giảm(tdc) và thời gian giảm (tc) ứng với sự giảm đột ngột của đại lượng đo.Khoảng thời gian trễ khi tăng tdm là thời gian cần thiết để đại lượng đầu ratăng từ giá trị ban đầu của nó đến 10% của biến thiên tổng cộng của đại lượng

này và khoảng thời gian tăng tm là thời gian cần thiết để đại lượng đầu ratăng từ 10% đến 90% biến thiên biến thiên tổng cộng của nó.

Hình 1 3 Xác định các khoảng thời gian đặc trưng cho chế độ quá độ

Tương tự, khi đại lượng đo giảm, thời gian trể khi giảm tdc là thời gian cần thiết để đại lượng đầu ra giảm từ giá trị ban đầu của nó đến 10% biến thiên tổng cộng của đại lượng này và khoảng thời gian giảm tc là thời gian cần thiết để đại lượng đầu ra giảm từ 10% đến 90% biến thiên biến thiên tổngcổng của nó

Các thông số về thời gian tr, tdm, tm, tdc, tc của cảm biến cho phép tađánh giá về thời gian hồi đáp của nó

1.4.4 Giới hạn sử dụng của cảm biến

Trong quá trình sử dụng, các cảm biến luôn chịu tác động của ứng lực

cơ học, tác động nhiệt Khi các tác động này vượt quá ngưỡng cho phép,chúng sẽ làm thay đổi đặc trưng làm việc của cảm biến Bởi vậy khi sử dụngcảm biến, người sử dụng cần phải biết rõ các giới hạn này

a.Vùng làm việc danh định

Vùng làm việc danh định tương ứng với những điều kiện sử dụng

bình thường của cảm biến Giới hạn của vùng là các giá trị ngưỡng mà cácđại lượng đo, các đại lượng vật lý có liên quan đến đại lượng đo hoặc cácđại lượng ảnh hưởng có thể thường xuyên đạt tới mà không làm thay đổi cácđặc trưng làm việc danh định của cảm biến.

b.Vùng không gây nên hư hỏng

Vùng không gây nên hư hỏng là vùng mà khi mà các đại lượng đo hoặc các đại lượng vật lý có liên quan và các đại lượng ảnh hưởng vượt qua ngưỡng của vùng làm việc danh định nhưng vẫn còn nằm trong phạm vi không gây nên hư hỏng, các đặc trưng của cảm biến có thể bị thay đổi

nhưng những thay đổi này mang tính thuận nghịch, tức là khi trở về vùng làm việc danh định các đặc trưng của cảm biến lấy lại giá trị ban đầu của chúng

c.Vùng không phá huỷ

Vùng không phá hủy là vùng mà khi mà các đại lượng đo hoặc các đạilượng vật lý có liên quan và các đại lượng ảnh hưởng vượt qua ngưỡng củavùng không gây nên hư hỏng nhưng vẫn còn nằm trong phạm vi không bị pháhủy, các đặc trưng của cảm biến bị thay đổi và những thay đổi này mang tínhkhông thuận nghịch, tức là khi trở về vùng làm việc danh định các đặc trưngcủa cảm biến không thể lấy lại giá trị ban đầu của chúng Trong trường hợpnày cảm biến vẫn còn sử dụng được, nhưng phải tiến hành chuẩn lại cảmbiến

1.5 Nguyên lý chung chế tạo cảm biến

Các cảm biến được chế tạo dựa trên cơ sở các hiện tượng vật lý vàđược phân làm hai loại:

 Cảm biến tích cực: là các cảm biến hoạt động như một máy phát, đáp ứng(s) là điện tích, điện áp hay dòng

 Cảm biến thụ động: là các cảm biến hoạt động như một trở kháng trong

đó đáp ứng (s) là điện trở, độ tự cảm hoặc điện dung

1.5.1 Nguyên lý chế tạo các cảm biến tích cực

ứng vật lý biến đổi một dạng năng lượng nào đó (nhiệt, cơ hoặc bức xạ)thành năng lượng điện Dưới đây mô tả một cách khái quát ứng dụng một sốhiệu ứng vật lý khi chế tạo cảm biến.

1.5.2 Hiệu ứng nhiệt điện

Hai dây dẫn (M1) và (M2) có bản chất hoá học khác nhau được hànlại với nhau thành một mạch điện kín, nếu nhiệt độ ở hai mối hàn là T1 vàT2 khác nhau, khi đó trong mạch xuất hiện một suất điện động e(T1, T2) mà

độ lớn của nó phụ thuộc chênh lệch nhiệt độ giữa T1 và T2

Hình 1 4 Sơ đồ hiệu ứng nhiệt điện

Hiệu ứng nhiệt điện được ứng dụng để đo nhiệt độ T1 khi biết

trước nhiệt độ T2, thường chọn T2 = 0oC

1.5.2.1 Hiệu ứng hoả điện

Một số tinh thể gọi là tinh thể hoả điện (ví dụ tinh thể sulfatetriglycine) có tính phân cực điện tự phát với độ phân cực phụ thuộc vào nhiệt

độ, làm xuất hiện trên các mặt đối diện của chúng những điện tích trái dấu

Độ lớn của điện áp giữa hai mặt phụ thuộc vào độ phân cực của tinh thể hoảđiện

Hình 1 5 Ứng dụng hiệu ứng hỏa điện

Hiệu ứng hoả điện được ứng dụng để đo thông lượng của bức xạ ánhsáng Khi ta chiếu một chùm ánh sáng vào tinh thể hoả điện, tinh thể hấp thụánh sáng và nhiệt độ của nó tăng lên, làm thay đổi sự phân cực điện của tinhthể Đo điện áp V ta có thể xác định được thông lượng ánh sáng Φ

1.5.2.2 Hiệu ứng áp điện

Một số vật liệu gọi chung là vật liệu áp điện (như thạch anh chẳng hạn)khi bị biến dạng dước tác động của lực cơ học, trên các mặt đối diện của tấmvật liệu xuất hiện những lượng điện tích bằng nhau nhưng trái dấu, được gọi

là hiệu ứng áp điện Đo V ta có thể xác định được cường độ của lực tác dụngF

Hình 1 7 Ứng dụng hiệu ứng cảm ứng điện từ

Hiệu ứng cảm ứng điện từ được ứng dụng để xác định tốc độ dịchchuyển của vật thông qua việc đo suất điện động cảm ứng

1.5.2.4 Hiệu ứng quang điện

- Hiệu ứng quang dẫn: (hay còn gọi là hiệu ứng quang điện nội) là

hiện tượng giải phóng ra các hạt dẫn tự do trong vật liệu (thường là bán dẫn)khi chiếu vào chúng một bức xạ ánh sáng (hoặc bức xạ điện từ nói chung)

có bước sóng nhỏ hơn một ngưỡng nhất định

- Hiệu ứng quang phát xạ điện tử: (hay còn gọi là hiệu ứng quang

điện ngoài) là hiện tượng các điện tử được giải phóng và thoát khỏi bề mặt vậtliệu tạo thành dòng có thể thu lại nhờ tác dụng của điện trường

1.5.2.5 Hiệu ứng quang - điện - từ

Khi tác dụng một từ trường B vuông góc với bức xạ ánh sáng,trong vật liệu bán dẫn được chiếu sáng sẽ xuất hiện một hiệu điện thế theo

hướng vuông góc với từ trường B và hướng bức xạ ánh sáng

Hình 1 8 Ứng dụng hiệu ứng quang – điện- từ

1.5.2.6 Hiệu ứng Hall

Khi đặt một tấm mỏng vật liệu mỏng (thường là bán dẫn), trong đó có dòng điện chạy qua, vào trong một từ trường B có phương tạo với dòng điện I trong tấm một góc θ, sẽ xuất hiện một hiệu điện thế Vh theo hướng vuông góc với B và I , biểu thức hiệu điện thế có dạng

1.5.3 Nguyên tắc chế tạo cảm biến thụ động

Cảm biến thụ động thường được chế tạo từ một trở kháng có các thông

số chủ yếu nhạy với đại lượng cần đo Giá trị của trở kháng phụ thuộc kíchthước hình học, tính chất điện của vật liệu chế tạo ( điện trở suất , độ từ thẩm,hằng số điện môi ) Vì vậy tác động của đại lượng đo có thể ảnh hưởng riêngbiệt đến kích thước hình học ,tính chất điện hay đồng thời cả 2

Sự thay đổi thông số hình học của trở kháng gây ra do chuyển độngcủa phần tử chuyển động hoặc phần tử biến dạng của cảm biến Trong các cảmbiến có phần tử chuyển động, mỗi vị trí của phần tử động sẽ ứng với một giátrị xác định của trở kháng, cho nên đo trở kháng có thể xác định được vị trí củađối tượng Trong cảm biến có phần tử biến dạng, sự biến dạng của phần tử biếndạng dưới tác động của đại lượng đo (lực hoặc các đại lượng gây ra lực) gây

ra sự thay đổi của trở kháng của cảm biến Sự thay đổi trở kháng do biến dạngliên quan đến lực tác động, do đó liên quan đến đại lượng cần đo Xác địnhtrở kháng ta có thể xác định được đại lượng cần đo

Sự thay đổi tính chất điện của cảm biến phụ thuộc vào bản chất vậtliệu chế tạo trở kháng và yếu tố tác động (nhiệt độ, độ chiếu sáng, áp suất,

độ ẩm ) Để chế tạo cảm biến, người ta chọn sao cho tính chất điện của nóchỉ nhạy với một trong các đại lượng vật lý trên, ảnh hưởng của các đạilượng khác là không đáng kể Khi đó có thể thiết lập được sự phụ thuộc đơntrị giữa giá trị đại lượng cần đo và giá trị trở kháng của cảm biến

Trên bảng sau giới thiệu các đại lượng cần đo có khả năng làm thay đổitính chất điện của vật liệu chế tạo cảm biến

1.6 Mạch đo

1.6.1 Sơ đồ mạch đo

Mạch đo bao gồm toàn bộ thiết bị đo (trong đó có cảm biến) chophép xác định chính xác giá trị của đại lượng cần đo trong những điều kiện tốtnhất có thể

Ở đầu vào của mạch, cảm biến chịu tác động của đại lượng cần đo gâynên tín hiệu điện mang theo thông tin về đại cần đo

Ở đầu ra của mạch, tín hiệu điện đã qua xử lý được chuyển đổi sangdạng có thể đọc được trực tiếp giá trị cần tìm của đại lượng đo Việc chuẩn hệ

đo đảm bảo cho mỗi giá trị của chỉ thị đầu ra tương ứng với một giá trị của đạilượng đo tác động ở đầu vào của mạch

Dạng đơn giản của mạch đo gồm một cảm biến, bộ phận biến đổi tín hiệu và thiết bị chỉ thị, ví dụ mạch đo nhiệt độ gồm một cặp nhiệt ghép nối trực

tiếp với một milivôn kế.

Hình 1 10 Sơ đồ mạch đo nhiệt độ băng cặp nhiệt

dữ liệu, chẳng hạn mạch tuyến tính hoá tín hiệu nhận từ cảm biến, mạch khửđiện dung ký sinh, các bộ chuyển đổi nhiều kênh, bộ khuếch đại, bộ so phalọc nhiễu, bộ chuyển đổi tương tự - số, bộ vi xử lý, các thiết bị hỗ trợ Trênhình 1.11 biểu diễn sơ đồ khối một mạch điện đo điện thế trên bề mặt màng

nhạy quang được lắp ráp từ nhiều phần tử

1.6.2 Một số phần tử cơ bản của mạch đo

1.6.2.1 Bộ khuếch đại thuật toán (KĐTT)

Bộ khuếch đại thuật toán mạch tích hợp là bộ khuếch đại dòng mộtchiều có hai đầu vào và một đầu ra chung, thường gồm hàng trăm tranzito vàcác điện trở, tụ điện ghép nối với nhau Sơ đồ bộ khuếch đại thuật toán biểudiễn trên hình

Hình 1 12 Sơ đồ bộ khuếch đại thuật toán

Các đặc tính cơ bản của bộ khuếch đại thuật toán

Bộ khuếch đại có hai đầu vào: một đầu đảo (-), một đầu không đảo (+)

1.6.2.2 Bộ khuếch đại đo lường IA

Bộ khuếch đại đo lường IA có hai đầu vào và một đầu ra Tín hiệu đầu ra tỷ lệ với hiệu của hai điện áp đầu vào:

U ra = A(U + −U − ) = AΔsU

Hình 1 13 Sơ đồ bộ khuếch đai đo lường gồm ba KDTT ghép nối điện trở

Đầu vào vi sai đóng vai trò rất quan trọng trong việc khử nhiễu ởchế độ chung và tăngđiện trở vào của KĐTT Điện áp trên Ra phải bằngđiện áp vi sai đầu vào ΔsU và tạo nên dòng điện i=U/Ra.Các điện áp ra từKDTT U1và U2 phải băng nhau về biên độ nhưng ngược pha nhau Điện

áp U3 của tầng thứ hai biến đổi đầu ra vi sai thành đầu ra đơn cực Hệ sốkhuếch đại tổng của IA bằng:

1.6.2.3 Khử điện áp lệch

Đối với một bộ khuếch KĐTT lý tưởng khi hở mạch phải có điện

áp ra bằng không khi hai đầu vào nối mát Thực tế vì các điện áp bên trongnên tạo ra một điện áp nhỏ (điện áp phân cực) ở đầu vào KĐTT cỡ vài mV,nhưng khi sử dụng mạch kín điện áp này được khuếch đại và tạo nên điện

áp khá lớn ở đầu ra Để khử điện áp lệch có thể sử dụng sơ đồ hình 1.14,bằng cách điều chỉnh biến trở R3

Hình 1 14 Sơ đồ mạch khử điện áp lệch

 Mạch lặp lại điện áp

Để lặp lại điện áp chính xác, người ta sử dụng bộ KĐTT làm việc ở chế

độ không đảo với hệ số khuếch đại bằng 1 sơ đồ như hình

Hình 1 15 Mạch lặp lại điện áp

Trong bộ lặp điện áp, cực dương của KĐTT được nối trực tiếp vớitín hiệu vào, còn cực âm được nối trực tiếp với đầu ra, tạo nên điện ápphản hồi 100% do đó hệ số khuếch đại bằng 1 Mạch lặp điện áp cóchức năng tăng điện trở đầu vào, do vậy thường dùng để nối giữa haikhâu trong mạch đo

 Mạch cầu

Cầu Wheatstone thường được sử dụng trong các mạch đo nhiệt độ, lực, ápsuất, từ trường Cầu gồm bốn điện trở R1, R2, R3 cố định và R4 thayđổi (mắc như hình) hoạt động như cầu không cân bằng dựa trên việcphát hiện điện áp qua đường chéo của cầu

Hình 1 16 Sơ đồ mạch cầu

Trong mạch cầu, điện áp ra là hàm phi tuyến nhưng đối với biến đổi nhỏ(< 0,05) có thể coi là tuyến tính Khi R1=R2, và R3=R4

độ nhậy của cầu là cực đại Trường hợp R1>>R2 hay R1<< R2 điện áp

ra của cầu giảm Đặt K =R1/R2 độ nhậy của cầu là

Năm 1981, hãng Intel giới thiệu bộ vi điều khiển 8051 Bộ vi điều khiển này

có 128 byte RAM, 4 kbyte ROM, hai bộ định thời, một cổng nối tiếp và bốncổng vào ra song song (độ rộng 8 bit) tất cả đều được đặt trên một chip 8051 làmột bộ sử lý 8 bit có nghĩa là CPU chỉ có thể làm việc với 8 bit dữ liệu tại mộtthời điểm Dữ liệu lớn hơn 8 bit được chia ra thành các dữ liệu 8 bit để xử lý

8051 trở nên phổ biến sau khi Intel cho phép các nhà sản xuất khác sảnxuất và bán các dạng biến thể của nó Điều đó dẫn đến sự ra đời nhiều phiên bảncủa 8051 với các tốc độ khác nhau, dung lượng ROM trên chip khác nhau nhưngtất cả các lệnh đều tương thích với 8051 gốc Do đó nếu chúng ta mua và dùngphiên bản nào của nó thì chương trình vẫn chạy mà không phụ thuộc vào hãngsản xuất

8051 có nhiều phiên bản nhưng chúng ta nên nghiên cứu về loại AT89S52

Nó là bộ vi điều khiển thông dụng, giá rẻ, có nhiều chức năng, có tích hợp bộnạp ISP giúp chúng ta dễ dàng nạp và dùng chạy thử chương trình, chi phí thấpkhá phù hợp với sinh viên

Bảng đặc tính của 8051 đầu tiên

2.1.2 Vi điều khiển AT89S52

2.1.2.1 Giới thiệu chung

Bộ vi điều khiển AT89S52 gồm các chức năng chính sau đây :

 CPU (Central Processing Unit) bao gồm :

- Thanh ghi tích lũy A

- Thanh ghi tích lũy B, dùng cho phép nhân và phép chia

- Đơn vị logic học (ALU : Arithmetic Logical Unit)

- Thanh ghi từ trạng thái chương trình (PSw : Program Status Word)

- Bốn băng thanh ghi

- Con trỏ ngăn xếp

 Bộ nhớ chương trình (bộ nhớ ROM) gồm 8kbyte Flash

 Bộ nhớ dữ liệu (bộ nhớ RAM) gồm 256 byteBộ UART (UniversalAnsynchronous Receiver and Tranmistter) có chức năng truyền nhận,AT89S52 có thể giao tiếp với cổng nối tiếp của máy tính thông qua

 3 bộ Timer/Counter 16 bit thực hiện các chức năng định thời và đếm sựkiện

ROM trên chípRAM

Bộ định thờiCác chân vào raCổng nối tiếpNguồn ngắt

4K byte

128 byte23216

Bảng 2 1 Bảng đặc tính của 8051 đầu tiên

 WDM (Watch Dog Timer) : WDM được dùng để phục hồi lại hoạt độngcủa của CPU khi nó bị treo bởi một nguyên nhân nào đó.WDM ở AT89S52 gồm

1 bộ timer 14 bit , 1 bộ 7 bit ,thanh ghi WDTPRG (WDT programable) Timer

14 bit của WDT sẽ đếm tăng dần sau mỗi chu kỳ đồng hồ cho đến giá trị 16383thì xảy ra tràn Khi xảy ra tràn , chân Reset sẽ được đặt ở mức cao trong khoảngthời gian 98*TOSC (TOSC = 1/FOSC) và AT89S52 sẽ được reset .Khi WDT hoạtđộng , ngoại trừ Reset phần cứng và Reset cho WDT tràn thì không có cách nào

để cấm được WDT

 Khối điều khiển ngắt với 2 nguồn ngắt ngoài và 4 nguồn ngắt trong

 Bộ lập trình(ghi chương trình lên Flash ROM) cho phép người sử dụng cóthể nạp các chương trình cho chíp mà không cần đến bộ nạp chuyên dụng

 Bộ chia tần số với hệ số chia là 12

 4 cổng xuất nhập với 32 chân

Sơ đồ chân , chức năng của các chân của AT89S52

Hình dạng thật của IC

- Port 0(P0.0 – P0.7) : Port 0 gồm 8 chân, ngoài chức năng xuất nhập , port 0

còn là bus dữ liệu và địa chỉ (AD0 – AD7)

- Port 1 (P1.0 – P1.7) : có chức năng xuất nhập theo bit và theo byte Bên cạnh

đó 3 chân P1.5 , P1.6 , P1.7 được dùng để nạp ROM theo chuẩn ISP , 2 chânP1.0 và P1.1 được dùng cho bộ Timer 2

- Port 2 : là cổng vào/ra còn là byte cao của bus địa chỉ khi sử dụng bộn nhớ

ngoài

- Port 3 : ngoài chức năng xuất nhập còn có chức năng riêng sau :

nối tiếp

nối tiếp

- Chân /PSEN (Program Store Enable) : là chân điều khiển đọc chương trình ở

bộ nhớ ngoài, nó được phép đọc các byte mã lệnh trên ROM ngoài /PSEN sẽ ởmức thấp trong thời gian đọc mã lệnh Mã lệnh được đọc từ bộ nhớ ngoài quabus dữ liệu (port 0) thanh ghi lệnh để được giải mã.khi thực hiện chương trìnhROM nội thì /PSEN ở mức cao

- Chân ALE (Address Latch Enable) : ALE là tín hiệu điều khiển chốt địa chỉ

có tần số bằng 1/6 tần số dao động của vi điều khiển.Tín hiệu ALE được dùng

để cho phép vi mạch chốt bên ngoài như 74373, 74573 chốt byte địa chỉ thấp rakhỏi bus đa hợp địa chỉ/dữ liệu (Port 0)

- Chân /EA(External Access) : tín hiệu cho phép chọn bộ nhớ chương trình là

bộ nhớ trong hay ngoài vi điều khiển Nếu /EA ở mức cao (nối với VCC), thì viđiều khiển thi hành chương trình trong ROM nội Nếu /EA ở mức thấp(nốiGND)thì vi điều khiển thi hành chương trình bộ nhớ ngoài

- XTAL1,XTAL2 : AT89S52 có một bộ dao động trên chíp , nó thường được

nối với bộ dao động thạch anh có tần số lớn nhất là 33MHz, thông thường là12MHz

- V CC ,GND : AT89S52 dùng nguồn một chiều có dải điện áp từ 4V đến 5,5V

được cấp qua chân 40 và 20

2.1.2.2 Cấu trúc bên trong vi điều khiển

Hình 2 1 Cấu trúc bên trong vi điều khiển

2.1.2.3 Hoạt động định thời của AT89S52

Các bộ định thời (Timer) được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng đolường và điều khiển.Vi điều khiển AT89S52 có 3 bộ định thời 16 bit trong đó 2

bộ timer 0 và 1 có 4 chế độ hoạt động, timer 2 có 3 chế độ hoạt động Các bộđịnh thời dùng để định khoảng thời gian(hẹn giờ), đếm sự kiện xảy ra bên ngoài

bộ vi điều khiển hoặc tạo tốc độ baud cho công nối tiếp của vi điều khiển

Trong các ứng dụng định hoảng thời gian, timer được lập trình sao cho sẽtràn sau một khoảng thời gian và thiết lập cờ tràn bằng 1 Cờ tràn được sử dụngbởi chương trình để thực hiện một hành động tương ứng như kiểm tra trạng tháicủa các ngõ vào hoặc gửi các sự kiện cho các ngõ ra

Đếm sự kiện dùng để xác định số lần xảy ra của một sự kiện Trong ứng

trên cá chân T0 hoặc T1 hoặc T2 để dùng các timer tương ứng đếm các sự kiệnđó.

2.1.2.4 Các thanh ghi của bộ định thời.

Các thanh ghi của Timer 0 và Timer 1

Thanh ghi chế độ định thời(TMOD)

Thanh ghi TMOD chứa 2 nhóm 4 bit dùng để đặt chế độ làm việc cho Timer 0

cổng.Khi set lên 1,bộđịnh thời chỉ hoạtđộng trong khi INT1

ở mức cao

đếm hoặc định thời1=đếm sự kiện

0=định thời trong 1khoảng thời gian

10 chế độ 2 – 8 bit tựđộng nạp lại

11 chế độ 3 – táchTimer

cho bộ định thời 0

đếm hoặc định thờicho bộ định thời 0

nhất cho bộ định thời0

cho bộ định thời 0

Bảng 2 3 Thanh ghi TMOD

TCON.7 TCON.6 TCON.5 TCON.4 TCON.3 TCON.2 TCON.1 TCON.0

TCON Điều khiển bộ định thời

TCON.7 TF1 Cờ tràn của bộ định thời 1.Cờ này được set

bởi phần cứng khi có tràn,được xóa bởi phầnmềm,hoặc bởi phần cứng khi bộ vi xử lý trỏđến trình phục vụ ngắt

TCON.6 TR1 Bit điều khiển hoạt đong của bộ định thời

1.Bit này được set hay xóa bằng phần mềm

để điều khiển bộ định thời hoạt động hayngưng

TCON.5 TF0 Cờ tràn của bộ định thời 0

TCON.4 TR0 Bit điều khiển hoạt động của bộ định thời

TCON.3 IE1 Cờ ngắt bên ngoài 1(kích khởi cạnh).Cờ này

được set bởi phần cứng khi có cạnh âm(cuống) xuất hiện trên chan INT1,được xóabởi phần mềm,hoặc phần cứng khi CPU trỏđến trình phục vụ ngắt

TCON.2 IT1 Cờ ngắt bên ngoài 1(kích khởi cạnh hoặc

mức).Cờ này được set hay xóa bởi phần mềmkhi xảy ra cạnh âm hoặc mức thấp ở chânngắt ngoài

TCON.1 IE0 Cờ ngắt bên ngoài 0(kích khởi cạnh)

TCON.0 IT0 Cờ ngắt bên ngoài 0(kích khởi cạnh hoặc

mức)

Bảng 2 4 Thanh ghi TCON

2.1.2.5 Các chế độ định thời của timer 1 và timer 0

- Chế độ 0 : là chế độ định thời 13 bit , chế độ này tương thích với các bộ vi

điều khiển trước đó Trong chế độ này bộ định thời dùng 13 bit(8 bit của TH và

5 bit cao của TL) để chứa giá trị đếm, 3 bit thấp của TL không được sử dụng

- Chế độ 1 : Trong chế độ này , bộ timer dùng cả 2 thanh ghi TH và TL để

chứa giá trị đếm , vì vậy chế độ này còn được gọi là chế độ định thời 16 bit BitMSB sẽ là bit D7 của TH còn bit LSB là D0 của TL

- Chế độ 2 : Trong chế độ 2 , bộ định thời dùng TL để chứa giá trị đếm và TH

để chứa giá trị nạp lại vì vậy chế độ này còn gọi là chế độ tự nạp lại 8 bit.Saukhi đếm 255 sẽ xảy ra tràn,khi đó TF được đặt bằng 1 đồng thời giá trị của timer

tự động được nạp lại bằng nội dung của TH

- Chế độ 3 : Trong chế độ 3 , Timer 0 được tách thành 2 bộ Timer hoạt động

độc lập , chế độ này sẽ cung cấp cho bộ vi điều khiển thêm một Timer nữa

Bộ timer thứ nhất với nguồn xung clock được lấy từ bộ chia tần trên chiphoặc từ bộ tạo xung bên ngoài qua chân T0 tùy thộc vào giá trị của bit C-/T0.Việc điều khiển hoạt động của bộ thứ nhất do bit GATE , bit TR0 và mức logictrên chân INT0 (giống chế độ 0 , 1 ,2) Giá trị đếm của Timer được chứa trongTL0, khi xảy ra tràn cờ TF0 được đặt bằng một và gây ngắt do Timer 0 (nếuđược đặt)

Bộ Timer thứ hai với nguồn xung clock lấy từ bộ chia tần trên chip Việchoạt động của bộ thứ hai chỉ là việc đặt giá trị của bit TR0 Giá trị đếm củaTimer được chứa trong TH0, khi xảy ra tràn cờ TF1 được đặt bằng một và gây

ra ngắt do Timer 1 (nếu được đặt)

2.1.2.6 Tổ chức ngắt của AT89S52

AT89S52 chỉ có 6 nguồn ngắt:

 Ngắt ngoài đến từ chân #INT0

 Ngắt ngoài đến từ chân #INT1

 Ngắt ngoài do bộ Timer 0

 Ngắt ngoài do bộ Timer 0.

 Ngắt ngoài do bộ Timer 0

 Ngắt do Port nối tiếp

Ngắt được dành cho một vector ngắt kéo dài 8byte Về mặt lý thuyết, nếuchương trình đủ ngắn, mã tạo ra chứa đủ trong 8 byte, người lập trình hoàntoàn có thể đặt phần chương trình xử lý ngắt ngay tại vector ngắt Tuynhiên trong hầu hết các trường hợp, chương trình xử lý ngắt có dung lượng

mã tạo ra lớn hơn 8byte nên tại vector ngắt, ta chỉ đặt lệnh nhảy tới chươngtrình xử lý ngắt nằm ở vùng nhớ khác Nếu không làm vậy, mã chương trình

xử lý ngắt này sẽ lấn sang, đè vào vector ngắt kế cận

Cho phép ngắt và cấm ngắt :

Mỗi nguồn ngắt được cho phép hoặc cấm qua một thanh ghi chức năng đặc biệt

có địa chỉ bit IE ở địa chỉ A8H

SV: Đỗ Huy Đức – Điện tử 4 – K2

Bit Ký hiệu Địa chỉ bit Mô tả

IE.7 EA AFH Cho phép / cấm toàn bộ

IE.5 ET2 ADH Cho phép ngắt từ Timer 2 (8052)

IE.4 ES ACH Cho phép ngắt từ port nối tiếp

IE.3 ET1 ABH Cho phép ngắt từ Timer 1

IE.2 EX1 AAH Cho phép ngắt ngoài 1

IE.1 ET0 A9H Cho phép ngắt từ Timer 0

Thanh ghi IE là thanh ghi đánh địa chỉ bit, do đó có thể dùng các lệnh tác độngbit để tác động riêng rẽ lên từng bit mà không làm ảnh hưởng đến giá trị cácbit khác Cờ ngắt hoạt động độc lập với việc cho phép ngắt, điều đó có nghĩa

là cờ ngắt sẽ tự động đặt lên bằng 1 khi có sự kiện gây ngắt xảy ra, bất kể

Bảng 2 5 Thanh ghi IE