Kim lo0i electron tự do Dòng điện trong kim loại là dòng chuyển dời có hướng của các electron tự do dưới tác dụng của điện trường.. Tuân theo định luật OHM khi nhiệt độ của kim loại đ
Trang 1LC IN — IN TRNG
- Định luật Coulomb
1 2 2
q q
r
ε
k = 9.109
2
2
Nm
C : hệ số tỷ lệ
q1; q2 (C): độ lớn hai điện tích điểm
ε: hằng số điện môi
r (m): khoảng cách giữa hai điện tích
-Cường độ điện trường
2
q ε r
F (N): lực điện tại điểm khảo sát
q (C): điện tích thử dương
Q (C): điện tích khảo sát
- Nguyên lý chồng chất điện trường
E = E + E
: E = E1 + E2
: E = E1− E2
E ⊥ E
: E = E12+ E22
CÔNG — TH NNG — IN TH
HIU IN TH
- Công của lực điện
AMN = q.E.d (d = s.cosα)
- Thế năng của một điện tích điểm q tại điểm M
trong điện trường:
WM = AM∞ = VMq
- Điện thế tại một điểm M trong điện trường:
M
V
∞
A
q
- Liên hệ giữa hiệu điện thế và cường độ điện
trường: U = E.d
T IN
- Điện dung của tụ điện: C Q
U
= (F)
Q (C): điện tích trên tụ điện
U (V): hiệu điện thế giữa hai đầu tụ điện
- Năng lượng điện trường trong tụ điện
2
2
MCH IN
- Cường độ dòng điện: I q
t
= (A = C/s)
q (C) là điện lượng chuyển qua tiết diện thẳng
của vật dẫn trong khoảng thời gian t (s)
- Điện năng tiêu thụ của đoạn mạch
A = U.q = U.I.t (J = V.C)
- Công suất điện của đoạn mạch
A
U I t
= =
- Nhiệt lượng tỏa ra ở vật dẫn
Q = R.I2.t (J)
- Công suất tỏa nhiệt của vật dẫn
2 2
P
- Định luật OHM đối với toàn mạch
N
I
= +
E
; UN = E E - I.r; E E = I.(RN + r)
- Đoạn mạch chứa nguồn điện
UAB = E - I.RAB hay AB
AB
U I
R
−
=E
GHÉP CÁC IN TR
- Ghép nối tiếp
I = I1 = I2 = …
U = U1 + U2 + …
R = R1 + R2 + …
- Ghép song song
I = I1 + I2 + …
U = U1 = U2 = …
1 2 12
R R R
=
1 2 3 123
R R R R
=
NGU N IN
- Suất điện động của nguồn điện
A q
=
E (V = J/C)
A (J) là công của lực lạ dịch chuyển một điện tích dương q (C) ngược chiều điện trường
- Công của nguồn điện: Ang =q.EEEE =E.E.E.E.I t
- Công suất của nguồn điện: Ang I
t
- Hiệu suất của nguồn điện
N
H
+
- Bộ nguồn nối tiếp
Eb = n E E ; rb = n.r
- Bộ nguồn song song
Eb = E E ; rb = r
n
- Bộ nguồn hỗn hợp đối xứng (n dãy, mỗi dãy có m nguồn)
Eb = m.E E ; rb = mr
n
R 1 R 2
E, r
R1
R 2
Trang 2S PH THU"C C#A IN TR VÀO
NHIT "
ρ=ρ0[1+α(t−t0)] R=R0[1+α(t t− 0)]
l R S
ρ
=
ρo : điện trở suất ở tooC (Ω.m)
l : chiều dài dây dẫn (m)
ρ: điện trở suất ở t oC
S : tiết diện dây dẫn (m2)
α : hệ số nhiệt điện trở (K-1)
HIN T'NG NHIT IN
1 2
T T T
α
E
E E là suất điện động nhiệt điện (V)
αT là hệ số nhiệt điện động (V.K-1)
T1 – T2 là hiệu nhiệt độ ở đầu nóng và đầu lạnh
DÒNG IN TRONG CH*T IN PHÂN
F n
= 1
A
F n
=
m: khối lượng vật chất được giải phóng ở điện cực (g)
k: đương lượng điện hóa
F = 9,65.104 : hằng số Faraday (C/mol)
A
n : đương lượng gam của nguyên tố
A: khối lượng mol nguyên tử (g/mol) n: hóa trị của nguyên tố làm điện cực I: cường độ dòng điện qua bình điện phân (A) t: thời gian dòng điện qua bình điện phân (s)
mili : m … = 10 -3 …; micro : µ… = 10 -6 …; nano : n … = 10 -9 …; pico : p … = 10 -12 …
B-NG TÓM T/T DÒNG IN TRONG CÁC MÔI TRNG
MT H0t t2i
:;ng 4=c tr:ng
1
Kim
lo0i
electron
tự do
Dòng điện trong kim loại là dòng chuyển dời có hướng của các electron tự do dưới tác dụng của điện trường
Tuân theo định luật OHM khi nhiệt độ của kim loại được giữ không đổi
- Siêu dẫn
- Nhiệt điện
2
Ch9t
4i5n
phân
ion
dương
ion âm
Dòng điện trong chất điện phân là dòng chuyển dời có hướng của các ion trong điện trường
Tuân theo định luật OHM - Luyện nhôm
- Mạ điện
3
Ch9t
khí
electron
ion
được
tạo nhờ
tác
nhân
ion hóa
Dòng điện trong chất khí là dòng chuyển dời có hướng của electron và các ion trong điện trường
Không tuân theo định luật OHM
- Tia lửa điện
- Hồ quang điện
4
Chân
không
electron
đưa vào
Dòng điện trong chân không
là dòng chuyển dời có hướng của các electron
Không tuân theo định luật OHM
- Tia catôt
5
Ch9t
bán
dQn
electron
tự do
lỗ trống
Dòng điện trong chất bán dẫn là dòng chuyển dời có hướng của các electron tự do
và lỗ trống dưới tác dụng của điện trường
Không tuân theo định luật OHM
- Điôt bán dẫn
- Transistor
Trang 3Lực từ tác dụng lên đoạn dây dẫn
mang dòng điện:
F = B.I.l.sinα
(Quy tắc bàn tay trái 1)
B (T): cảm ứng từ
I (A): cường độ dòng điện qua dây dẫn
l (m): chiều dài đoạn dây dẫn
α : góc hợp bởi B
và
l Cảm ứng từ của dòng điện chạy trong
+ dây dẫn thẳng: 7 I
r
−
(Quy tắc nắm tay phải 1)
r (m): khoảng cách từ dòng điện đến điểm
khảo sát
I (A): cường độ dòng điện qua dây dẫn
+ vòng dây tròn: B 2 10 N7 I
R
−
(Quy tắc nắm tay phải 2)
R (m): bán kính vòng dây
N (vòng): số vòng dây
I (A): cường độ dòng điện qua vòng dây
+ ống dây hình trụ: B= π4 10−7 NI
l
(Quy tắc nắm tay phải 3)
I (A): cường độ dòng điện qua ống dây
N (vòng): số vòng dây;
l (m): chiều dài ống dây
n = N
l : số vòng dây trên 1m chiều dài
Từ trường của nhiều dòng điện:
= +
B B B
B B : B = B1 + B2
B B : B = B1− B2
1⊥ 2
Lực tương tác giữa hai dòng điện song
song:
7 I I1 2
r
−
I1 và I2 là cường độ dòng điện qua hai dây dẫn
r : khoảng cách giữa hai dây dẫn
l : chiều dài đoạn dây dẫn tính lực tương tác
Lực Lorentz: f = q.v.B.sinα
(Quy tắc bàn tay trái 2)
q (C): điện tích của hạt mang điện chuyển
động
v (m/s): vận tốc của hạt mang điện
B (T): từ trường nơi hạt mang điện chuyển
động
α : góc hợp bởi v
và B
Chuyển động của hạt điện tích trong từ trường đều: v ⊥ B
Bán kính quỹ đạo: R mv
q.B
=
Chu kỳ chuyển động: T 2 R
v
π
=
Từ thông: Ф = B.S.cosα (Wb)
B (T): cảm ứng từ xuyên qua vòng dây
S (m2): diện tích vòng dây
α : góc hợp bởi B
và pháp tuyến n
Suất điện động cảm ứng
c
e
t
∆Φ
= −
∆ (V)
∆Ф : độ biến thiên từ thông
∆t : khoảng thời gian từ thông biến thiên
t
∆Φ
∆ : tốc độ biến thiên của từ thông
Từ thông riêng của mạch
Φ = L.i
Độ tự cảm của ống dây:
2
7 N
L= π4 10− S
l (H)
N (vòng): số vòng dây
l (m): chiều dài ống dây
S (m2): tiết diện ống dây
Suất điện động tự cảm
tc
i
t
∆
= −
∆ (V)
L (H): hệ số tự cảm của ống dây
∆i : độ biến thiên c.độ dòng điện trong mạch
∆t : khoảng thời gian dòng điện biến thiên
i t
∆
∆ : tốc độ biến thiên của cường độ dòng điện
Năng lượng từ trường của ống dây
2
1
2
L (H): hệ số tự cảm của ống dây
i (A): cường độ dòng điện qua ống dây
Định luật khúc xạ ánh sáng
n1.sini = n2.sinr hay 2
21 1
n sin i
n sin r = n =
Chiết suất tỷ đối
2 21 1
n n n
= ; 12
21
1 n n
=
Góc giới hạn phản xạ toàn phần
2 gh 1
n sin i
n
=
Điều kiện để có phản xạ toàn phần
n2 < n1 ; i≥igh
Trang 4Công thức lăng kính
sini1 = n.sinr1 ; A = r1 + r2
sini2 = n.sinr2 ; D = i1 + i2 – A
Nếu các góc i và A nhỏ
i1 = n.r1 ; A = r1 + r2
i2 = n.r2 ; D = (n – 1).A
Độ tụ của thấu kính
D : độ tụ (dp) f: tiêu cự thấu kính (m)
R1; R2 : bán kính các mặt cong (m)
n : chiết suất chất làm thấu kính
Thấu kính hội tụ : f > 0 ; D > 0
Thấu kính phân kỳ : f < 0 ; D < 0
Vị trí ảnh
f =d+d′ ;
d.d f
′
=
′ +
d f
d
′
=
d.f d
d f
′ =
−
Vật thật: d > 0 ; trước kính
Vật ảo: d < 0 ; sau kính
Ảnh thật: d’ > 0 ; sau kính
Ảnh ảo: d’ < 0 ; trước kính
Số phóng đại ảnh
A B
k
AB
′ ′
−
Hệ hai thấu kính đồng trục ghép sát
f =f +f ; D = D1 + D2
Hệ hai thấu kính đồng trục ghép cách nhau
Quan hệ giữa hai vai trò ảnh và vật của A1’B1’:
AB L 1
→ A1’B1’ L 2
→ A2’B2’
d1 d1’ d2 d2’
d2 =l – d1’ ; d1’+ d2 = l
Số phóng đại ảnh sau cùng:
k = k1.k2
Số bội giác
tan G
tan
Kính lúp: ngắm chừng ở vô cực
c
G
Kính hiển vi: ngắm chừng ở vô cực
1 2
1 2
.D
f f
∞
δ
Kính thiên văn: ngắm chừng ở vô cực
1
2
f G f
∞ =
S TO -NH B I TH*U KÍNH
TH*U KÍNH H"I T (f > 0)
-NH
d > 2f f < d’ < 2f -1 < k < 0
0 < d < f -O d’ < 0 k > 1
d ≥ 0
TH*U KÍNH PHÂN KX (f < 0)
-NH
d < 2f
-O
2f < d’ < f -1 < k < 0