TIỂU LUẬN TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ Bộ điều chỉnh nguồn OnChip giảm nhiễu chuyển mạch

TIỂU LUẬN TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ Bộ điều chỉnh nguồn OnChip giảm nhiễu chuyển mạch Tóm tắt: Trong mạng tự động đồng bộ phân phối nhịp thông thường, mạch kỹ thuật số mô phỏng trên cạnh của xung; do đó, họ tạo ra nhiễu mức cao (hoặc di dt) trên đường mạch cấp do các đỉnh nhọn của dòng điện, đó là nguồn phát điện từ (EME).

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI VIỆN ĐÀO TẠO SAU ĐẠI HỌC TIỂU LUẬN TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ ĐỀ TÀI : Bộ điều chỉnh nguồn On-Chip giảm nhiễu chuyển mạch Hà Nội, tháng 12/2011 Bộ điều chỉnh nguồn On-Chip giảm nhiễu chuyển mạch. Viết tắt: 1 Giảng viên hướng dẫn : PGS-TS. ĐÀO NGỌC CHIẾN Học viên cao học SHHV : : TRẦN QUANG HÀO 110838 Lớp : KTTT1B EME : Electromagnetic Emissions . EME-SR : EME-suppressing regulator . Clock FM Tóm tắt: Trong mạng tự động đồng bộ phân phối nhịp thông thường, mạch kỹ thuật số mô phỏng trên cạnh của xung; do đó, họ tạo ra nhiễu mức cao (hoặc di / dt) trên đường mạch cấp do các đỉnh nhọn của dòng điện, đó là nguồn phát điện từ (EME). Trong bài báo này, chúng tôi chứng minh sự kết hợp hiệu quả của hai kỹ thuật thiết kế giảm tiếng ồn di / dt dựa trên nguồn cấp hình thành kỹ thuật: 1) giới thiệu một EME điều chỉnh (EME-SR) với một vòng phản hồi kỹ thuật số và 2) FM của các EME- SR thời gian rời rạc xung. Kỹ thuật giảm đỉnh miền thời gian cũng như nguồn trong miền tần số bằng cách rời rạc thời gian EME-SR. Loại thứ hai là kỹ thuật làm giảm đỉnh của nguồn trong miền tần số bằng cách trải nguồn này vào miền sidelobes. I. Giới thiệu. Thiết bị điện tử tự động đang phát triển và các module càng trở nên phức tạp. Tần số sử dụng cũng ngày càng tăng. Do đó khả năng tương thích điện từ (EMC) trở thành vấn đề thách thức cho các kỹ sư. Về cơ bản có ba vấn đề cần được giải quyết. Đầu tiên là để giảm thiểu nhạy cảm điện tính (EMS) để các thiết bị điện tử được bảo vệ chống lạikhông mong muốn nhiễu điện từ (EMI) gây ra bởi khác hệ thống điện tử. Vấn đề EMS chủ yếu cho các mạch tương tự. Thứ hai, bảo vệ các thiết bị điện tử chống lại một môi trường khắc nghiệt bao gồm nguồn cấp lớn hoặc nhiễu gây ra bằng cách chuyển đổi của switch hoặc tải cảm ứng, chẳng hạn như đèn, khởi động động cơ, quạt làm mát, vv . Cuối cùng, giảm thiểu bức xạ điện từ được tích hợp vào trong các mạch tự động, đó là chủ đề của bài báo này. Những thay đổi biên độ của dòng điện trong kĩ thuật số, chuyển mạch vào ra trong các mạch tích hợp làm nguyên nhân phát sinh EME. Trường điện từ phát sinh trực tiếp từ các gói khung và mạch định tuyến ở cấp độ silicon được coi là bức xạ (30–100 MHz). Các xung dòng điện tại chân của IC hoạt động như ăng-ten phát, được gọi bức xạ điện dẫn (150 kHz-30 MHz).Vì vậy, việc làm giá trị của di / dt (dao động điện) nhỏ đi, do đó làm cho các dòng không đổi, rất cần thiết để giảm EME ở cấp độ chip. Kĩ thuật số tạp âm thấp đã được thiết kế trong đó giảm đáng kể nhiễu di/dt. Tuy nhiên tốc độ và bờ tạp âm thấp là những hạn chế của logic tạp âm thấp. Đặc biệt việc tăng nguồn tiêu thụ là hạn chế lớn, thường không được chấp nhận với hệ thống số lớn. Trải 2 phổ xung (SSC) được đề xuất để giảm EME của hệ thống xung. Nhưng không may, SSC có kiến trúc phức tạp nó không được dùng khi mà xung của hệ thống cần được đồng bộ với tín hiệu đồng bộ thời gian. Tuy nhiên nó được lưu ý bởi nhà thiết kế chip và hệ thống. . Một kỹ thuật hữu ích hơn là thêm một khối, trong khi vấn đề thiết kế và thời gian của các khối IP nội bộ vẫn như cũ, vì thế đồng nghĩa mạch được duy trì mà không có bất kỳ mạch giao diện. Đó là phương pháp EME điều tiết (EME-SR), sẽ được thảo luận tiếp theo. Bài viết này được tổ chức như sau.Mục II giới thiệu nguyên tắc của các ý tưởng đề xuất, trong khi tại Mục III trình bày mối quan hệ giữa chức năng chuyển dòng (TF) và thông số của mạch được thảo luận. Phần IV thảo luận về một thời gian liên tục của EME- SR. Trong phần V, một thời gian rời rạc EME-SR được đề xuất dựa trên tuyến tính và xấp xỉ bậc, tại mục VI, FMof EME SR rời rạc thời gian để giảm mức độ EME trong một phạm vi tần số rộng được thảo luận. Tại mục VII, một so sánh giữaEME-SR và kỹ thuật thiết kế khác được đưa ra. Cuối cùng, mục VIII trình bày tóm tắt. II Tiếp cận Các cơ sở kỹ thuật được đề xuất là thay thế vị trí của một mạch trung gian, tức là, EME-SR, giữa pin VBAT và VREG nút của các mạch kỹ thuật số (xem hình 1). Phần độc đáo trong thiết kế này là cách tiếp cận hai bước. Như có thể nhìn thấy từ dòng tải I EME Hình 1: Nguyên lý của EME-SR. Hình 2: Sơ đồ khối chung của EME-SR. 3 Đầu tiên ta sử dụng bộ điều chỉnh thấp cổ điển (LDO). Sau đó, ta sử dụng EME- SR từ thực tếrằng các đầu vào của LDO có thể thay đổi từ VBAT (12 V) giảm điện áp của LDO trên điện áp lõi kỹ thuật số (3,3 V). Tụ điện giảm nhiễu bằng cách cung cấp dòng. Trong phương pháp này, Ctank cũng cung cấp năng lượng cho dòng, nhưng ta cho phép một ΔV lớn trên Ctank để tránh biến đổi dòng lớn đối với VBAT. Zhou và Dehaene chỉ ra rằng việc sử dụng của nguồn dòng có thể giảm di / dt lớn. Điều này ngụ ý rằng nếu chúng ta có thể tìm thấy một cách thông minh để kiểm soát dòng trong lõi kỹ thuật số, EME cũng sẽ được điều khiển dưới sự kiểm soát. Sơ đồ khối chung của mạch được hiển thị trong hình. 2. Nó bao gồm của một nguồn dòng điều khiển, một mạch điều khiển, một tụ Ctank, và một LDO. Ctank được kết nối với các đầu vào của LDO. LDO chuyển đổi một điện áp Vout cao đến 3,3 V lõi trong kỹ thuật số. Ctank được tích điện dưới kiểm soát nguồn dòng. EME-SR được hiển thị bên trong trong hình. 2. Sự xuất hiện của di / dt lớn có nghĩa là dòng thay đổi đột ngột. Sự thay đổi này đầu tiên được thu nhận bởi Ctank . Do đó, các thay đổi Vout. Điều này được cảm nhận bởi các mạch điều khiển dòng thích nghi của nguồn dòng để thiết lập một trạng thái dòng ổn định tương ứng. Đây là phản ứng chậm của vòng điều khiển làm giảm di / dt trên mạch điện. Ctank cung cấp cho dòng ban đầu, sao cho nó đủ lớn. Nếu không phải là trường hợp như vậy, một khối chuyển đổi khẩn cấp tham gia để cung cấp dòng ngay lập tức. Những thay đổi tương đối lớn của Vout không thấy được trong kỹ thuật số bởi LDO. Hình 3: Tuyến tính xấp xỉ của xung dòng điển hình trong IC. Trong kĩ thuật số đỉnh của dòng điện tồn tại trong thời gian ngắn, dạng và thời gian đáp ứng sẽ quyết định độ rộng phổ tần số. Để ước lượng giá trị của EME-SR ta xác định tỉ số di/dt (dòng điện) theo: 4 EME EME EME Laplace[(di/dt) ] sI (s) I (s) ( ) Laplace[(di/dt) ] sI (s) I (s) IBAT BAT BAT I I H s = = = (1). Đó là tỉ số của dòng I BAT tại V BAT và dòng xoay chiều I EME tại V REG . III. Xác định I EME bởi di/dt TF. A. Xấp xỉ bậc đầu của TF di / dt Đáp ứng tổng của di/dt TF là để thấp hơn tần số EME bắt đầu từ 150 kHz. 1 ( ) 1 ( / 2 ) I H s s fc π = + (2) s và FC là các tham số phức và cắt -3 dB tần số, tương ứng. 1) Ước lượng phổ EME: nguồn dòng xung trong mạch số được tính xấp xỉ như hình 3. (IEME) đó là xấp xỉ tuyến tính của xung. Có một công thức tính chính xác cho dòng xung có thể thực hiện bằng biến đổi Fourier. (giả sử rằng tr = tf), kết quả EME exp[ ( ( / 2) / 2)] ( ) sin ( ( / 2))(1 exp[ ( )]) r p r r p j w t I jw I c w t jw t t w π + = − + (3) Trong đó sinc (x) = sin (x) / x, tr, tf, tp, và I P là thời gian tăng,thời gian xuống, độ rộng xung và biên độ của I EME ; k và ω là đơn vị ảo và tần số góc (radian trên giây), tương ứng. 2) Trạng thái động của EME-SR: Đầu ra lớn nhất của hiệu điện thế xuất hiện khi dòng nhảy từ mức 0 đến mức cao. tan tan p OUT k k I t Q V C C ∆ ∆ ∆ = = (4) Sự nạp của tụ C tank tới mạch đáp ứng theo hiệu điện thế đầu ra như hình 4. Δt là thời gian điều chỉnh và là xấp xỉ với điều chỉnh tần số vòng lặp đóng. Hiệu điện thế đầu tại tải được giảm bởi tăng dung lượng của C tank và băng thông vòng lặp. Quan hệ này càng rõ ràng khi dòng I EME xuất hiện nhanh hơn độ lợi băng tần (GBW) của bộ điều chỉnh, hình 4 chứng minh cho trường hợp này. Độ lợi băng tần chậm hơn nhiều với dòng I EME điện áp gate của transistor coi như không đổi. Vì EME-SR không có nhiều lợi thế của một tụ có điện áp lớn mà dựa vào các đặc tính của chip. Nó sẽ tạo dòng từ V BAT , 5 nguồn dòng không đổi phải được thay thế bởi nguồn dòng thích nghi, hình 4. Dòng I BAT dễ dàng được tính toán theo: Hình 4:(a) thông tin phản hồi chậm vòng EME-SR. (b) tương đương mạch cho tải nhanh I EME . EME ( ) ( ) ( ) BAT I I jw H jw I jw= (5) Biến đổi Laplace của KCL tại nút Vout, ta có: tan EME ( ) ( ) ( ) 0. OUT k BAT V jw jwC I jw I jw+ − = (6) Kết hợp (2),(5) và (6) ta có: EME tan ( ) ( ) (2 ) OUT k I jw V jw fc jw C π = + (7) Rõ ràng thấy từ (3) và (7), điện áp đầu ra là một hàm của Ip, tp, tr, Ctank, và FC. Ngoài ra, có là hạn chếvề giảm điện áp. Để đảm bảo LDO điều chỉnh điện áp cung cấp phù hợp với mạch số, có một yêu cầu tối thiểu đối với điện áp đầu ra của EME-SR: ( ax) (min) OUT OUT OUT V V m V∆ −p (8) Dựa trên mối quan hệ nói trên, chúng ta có thể tìm thấy Ctank giá trị tối thiểu để đạt được các yêu cầu FC IEME và tối đa I EME cho phép dựa trên Ctank và FC. 6 Hình5.ΔVOUT là hàm của Ctank và tần số cắt fc, dòng xung i.e, IP, tp, và tr. Hình 6: Đồ thị của ΔVOUT so với IP và tp. B. ΔVOUT với Ctank và FC Hình 5 thể hiện ΔVOUT như một hàm của Ctank và FC. I EME được tính, IP = 35 mA, tp = 15 ns, và tr = tf = 8 ns. Về cơ bản, FC thấp , ΔVOUT điện áp giảm và Ctank lớn. C. ΔVOUT với IP và tp Cho Ctank = 100 pF kHz fc = 150, và tr = 8 ns phụ thuộc ΔVOUT trên IP và tp được thể hiện trong hình. 6. Rõ ràng thấy từ đường đồng mức, đó là một ΔVOUT mong muốn, sản phẩm của IP và tp là hằng số, ví dụ: Constant = Ip tp (9) Điều đó nghĩa là có một sự cân bằng giữa tp và Ip cho FC, Ctank, và ΔVOUT. Bảng 1 7 Hình7.Sơ đồ của EME-SR. D. Tính toán Ctank tối thiểu Bảng I cung cấp cho một số giá trị tính toán của Ctank tối thiểu cần thiết cho FC mong muốn, I EME , và ΔVOUT lớn nhất có thể (5 V trong trường hợp này). Nếu độ rộng xung I EME rộng, ví dụ, trong phạm vi của một vài micro giây, sau đó Ctank rất lớn, tức là, hàng chục nanofarad. Mặt khác, một xung ngắn cần một nhiều giá trị tụ điện nhỏ hơn, ví dụ, hàng trăm picofarad FC và ΔVOUT. May mắn thay, trong một CMOS hiện đại mạch kỹ thuật số, xung hiện nay là bình thường ngắn [12], [13].Tuy nhiên, giá trị của Ctank được giới hạn trong phạm vi của một vài trăm picofarad để làm cho nó tích hợp đầy đủ trên chip. Vì vậy, trong trường hợp này, aCtank với khoảng 230 pF là lựa chọn hợp lý. IV. THỰC HIỆN THỜI GIAN LIÊN TỤC CỦA EME-SR A. Mạch thực hiện Hình 7 cho thấy sơ đồ thời gian liên tục của EME-SR trên cơ sở đầu tiên để Gm-C tích hợp [14]. Cấu trúc M1 và M2, đảm bảo giảm tạp âm di / dt, vì từ Vout đến V BAT cung cấp điện giảm đáng kể. Cấu trúc theo điện áp đảm bảo Vbias là cực như một nút trở kháng thấp, làm giảm từ Vbias đến nguồn của nút M2 và tới V BAT . Các Caux và Raux hoạt động như đường bù tần số để đảm bảo sự ổn định. P1 cực chi phối, P2 cực thứ hai, cực 0 Z, và GBW được đặt tại các tần số sau đây [14]: 2 aux 1 1 ( ) OTA V P R A C = (10) 0, ow tan 1 2 ( / / ) p er Load k P r R C = (11) aux , ow aux 1 ((1/ ) ) m p er Z C g R = − (12) aux m g OTA GBW C = (13) 8 Hình 8.Đơn giản hóa mô hình tín hiệu nhỏ cho di / dt TF analysis.re aux 2 0, ow tan 1 ( / / ) m p er Load k C P GBW g OTA r R C = (14) 1V mOTA OTA A g R= (15) 2 , 0, ow ( / / ) V m power p er Load A g r R = (16) Rota và gmOTA là trở kháng đầu ra và điện đẫn của bộ khuếch đại điện dẫn (OTA, gm, nguồn và ro, điện dẫn và trở kháng của nguồn dòng cascoded, tương ứng, AV 1 là đạt được của giai đoạn trung, và AV 2 là đạt được giai đoạn nguồn hiện tại. Để làm cho hệ thống ổn định, (P2 / GBW) nên được lớn hơn 3 lần với 72 ◦ pha. Như có thể thấy từ (14), cho tải gm, OTA, RLoad, và ro, năng lượng, tỷ lệ Caux / Ctank xác định sự ổn định. B. di / dt TF Phân tích liên tục thời gian EME-SR Đơn giản hóa di / dt TF mô hình tín hiệu nhỏ của EME-SR được hiển thị trong hình. 8. Theo hình. 8, chúng ta có được: (17) ωz1 ≈ gmOTA / Caux, ωz2 nằm ở tần số cao, ωp1 ≈ gmOTA / Caux là cực Vctrl, ωp2 ≈ gm, nguồn / Ctank tại Vout, và ωp3 cực gây ra bởi bù khi mà nằm ở tần số cao. 1) Dòng 1 chiều với tạp âm tần số thấp di / dt: Bất kỳ điều ảnh hưởng đến độ lợi của các vòng phản hồi cũng ảnh hưởng đến di / dt trong khu vực có tần số thấp. Trong số đó, quan trọng nhất là tải dòng bộ điều tiết, vì nó rất khác nhau. Khi tải tăng hiện nay, vòng lặp output là vòng mở giảm EME-SR (kể từ khi một trở kháng đầu ra MOSFETs tỉ lệ nghịch với dòng tải). Tăng tải hiện nay cũng đẩy cực đầu ra ωp2 đến một tần số cao hơn, làm tăng vòng phản hồi băng thông. Hiệu quả là tải tăng, do đó, giảm di / dt tại tần số thấp. Do đó, di / dt TF ở tần số thấp phải được phân khác. 9 Hình 9.Ví dụ về di / dt TF EME-SCR. (a) dòng từ thấp đến trung bình. (b) dòng từ thấp đến cao a) dòng từ thấp đến trung bình: Hình 9 (a) mô tả di / dt TF HI (s). Các đáp ứng HI (s) như mong đợi. Trong trường hợp này gm rất nhỏ, năng lượng Ctank lớn hơn so Caux Miller tụ điện bù, làm cho các ωp2chiếm ưu thế cực trong TF di / dt, vì thế ωp2 xác định tần số cắt -3 dB. Cực dò (ωp1) và cực không (ωz1)thể hiện trong (17), TF di / dt có thể được tính xấp xỉ như cực hệ thống. b) dòng từ thấp đến cao: Hình. 9 (b) cho một ví dụ về di / dt TF HI (s) trong dòng từ thấp đến cao. Kết quả là điểm 0 và cực vẫn vậy, cực thứ hai ωp2, cắt -3 dB tần số của TF di / dt. Vì vậy, nó vẫn có thể được xem như là một một cực của hệ thống. Tuy nhiên, thời gian này, sự khác biệt là tần số cắt được chuyển sang một tần số cao hơn so với ωp1, vì g m được tăng lên rất nhiều do sự tăng của dòng. Do đó, tạp âm động di / dt trên đường truyền là phụ thuộc và điểm dò 0. 2) Chặn di / dt tần số cao: Khi nhiễu tần số tác động nhiều độ lợi tần số của EME SR, vòng phản hồi không tác dụng, vì vậy Ctank vượt trội với các tụ kí sinh từ VBAT để Vout. Độ chặn tối đa di/dt được đưa ra: , ax , tan | ( ) | 20log( ) db power I m db power k C H s C C = + (18) 10 [...]... giải quyết với 1 bộ LDO sau EME-SR Cách làm băng thông của vòng số thấp là điều chỉnh xung của bộ quantizer chậm, nó sẽ làm cho đầu ra Vout chính xác trong LSB của bộ DAC ( bộ DAC 5-6 bit là đủ ) Băng thông thấp là cần thiết để giảm nhiễu của nguồn cấp Đặc biệt trong trường hợp tần số thấp Điều này được chứng minh bằng mô phỏng MATLAB với mạch tích hợp tốc độ cao với tín hiệu tương tự và mạch phần cứng... kế số nhiễu thấp Bộ chuyển đổi điện áp thấp Dạng và cách giảm Ưu nhược điểm, tính phụ thuộc và cân bằng Mức giảm tuyến tính với tỉ Hiệu quả trên 100MHz dung lượng tụ riêng biệt Hiệu quả với mạch số lớn Thực hiện với điện dung tích Kích thước silicon lớn hợp lớn (1-50nF) Cộng hưởng tụ kí sinh Là điều không mong muốn Mô phỏng giảm 44dB giá trị Chỉ thích hợp với hệ thống đỉnh Mô phỏng giảm 33dB nhỏ Nguồn. .. vùng C), sau đó tín hiệu thấp là cao và bộ đếm chậm nên dòng cấp giảm Khi Vout nằm giưa khoảng Vhigh và Vlow ( vùng B) thì bộ đếm giữ nguyên Để giảm nhiễu chuyển mạch các nhiệt kế được sử dụng tại đầu ra của bộ đếm Bộ nhiệt kế chuyển trạng thái on off của dòng DAC theo sự sai khác giữa Vout và điện áp tham chiếu Hình 15: So sánh phổ của dòng tải (IEME) và dòng nguồn IBAT Dòng tải tức thời được tính... nhiên bộ EME-SR thời gian rời rạc giải quyết được vấn đề này Nó như trở kháng điều chỉnh mạch trên đường cấp, làm giảm dung lượng Ctank -3dB tại tần số cắt B So sánh giữa EME-SR thời gian rời rạc và Cell logic nhiễu thấp Kỹ thuật thiết kế nhiễu số thấp làm giảm đáng kể nhiễu switching Tuy nhiên nó hiệu quả trong trong thiết kế số nhỏ bởi vấn đề nguồn tĩnh Nó cũng không được thực hiện tại những mạch. .. nhiên, bộ EME-SR thời gian rời rạc được đề xuất bởi có thể thực thi dễ dàng với chi phí thấp và sử dụng nguồn thấp Ta có thể điều chỉnh độ rộng của dây Chip và mức tiêu thụ điện năng mà không làm ảnh hưởng đến thiết kế LDO và core logic bên trong C So sánh giữa bộ EME-SR thời gian rời rạc và bộ chuyển đổi điện áp xuống Vấn đề của biến đổi đột ngột và những dao động trong của nguồn gây bởi những điện. .. dòng có và không có điều chế trải phổ (fm = 5kHz và β = 20%) Áp dụng FM cho EME-SR với các IC số sẽ làm điều chỉnh EME linh hoạt hơn Trước tiên , ta điều chỉnh đồng hồ phụ trợ trong bộ điều chỉnh Kĩ thuật điều chế SSC cơ bản sẽ thay đổi đồng hồ hệ thống của mạch số Thứ hai, dải tần của EME-SR nhìn chung nằm dưới 20MHz Thứ ba, xung đồng hồ không được dùng như xung của hệ thống, điều này cho phép thực... làm giảm nhiễu switching Tuy nhiên, các tụ tách rời chỉ giúp cho EME nếu như có điện trở trên mạch cấp Điều đó được giải thích tại (31) và hình 23 Nếu ta giả sử rằng fC = 100 kHz, Ctank = 100 pF và trở kháng hoàn toàn cảm ứng (25.33mH) Điều này đòi hỏi một offchip lớn và có chất lượng cao Cũng cần lưu ý rằng điện dẫn bên ngoài không giống như anten Nếu trở kháng hoàn toàn là điện trở thì giá trị điện. .. Tương ứng giảm theo decibel từ 100 kHz đến 40 MHz (fm = 5kHzand β = 20%) được thể hiện trong hình 22 Hiệu quả của việc giảm tần số fm và β lớn được xác định rõ ràng nếu ta so sánh hình 22 với hình 20 VI So sánh EME-SR rời rạc với kỹ thuật hiện tại Kết quả mô phỏng cho thấy rằng bộ điều chỉnh nguồn EME-SR là giải pháp phù hợp cho việc giảm nhiễu phát sinh trên chip trong quá trình switching FM của bộ EMESR... dòng điện bậc với chu kì lấy mẫu 1/Tstep Một cấu trúc đơn giản với một mẫu và thông tin phản hồi quantizer-DAC theo vòng, như trong hình12 Ở đây, điện áp đầu ra Vout là liên tục so sánh với điện áp tham chiếu Vref Sai khác giữa Vout và Vref được chuyển thành tín hiệu số đến bộ quantizer Bộ DAC sẽ chuyển các thông tin số thành các dạng tương tự, tỉ lệ thuân với sự sai khác giữa Vout và Vref 13 Điều. .. khối của mạch thời gian rời rạc EME-SR Hình 14.Sơ đồ hoạt động mạch thời gian rời rạc EME-SR C Mô phỏng mạch cấp cao Bộ quantizer trong hình 12 thực hiện bằng kết hợp bộ so sánh với bộ đếm lên xuống Hình 13 là sơ đồ triển khai Cửa sổ bộ so sánh có 2 mức điện áp tham chiếu Vhigh và Vlow Vout cảm nhận và so sánh với 2 mức Vhigh và Vlow Như trong hình 14 14 khi Vout nhỏ hơn Vlow, tín hiệu cao và bộ đếm . TẠO SAU ĐẠI HỌC TIỂU LUẬN TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ ĐỀ TÀI : Bộ điều chỉnh nguồn On-Chip giảm nhiễu chuyển mạch Hà Nội, tháng 12/2011 Bộ điều chỉnh nguồn On-Chip giảm nhiễu chuyển mạch. Viết tắt: 1 Giảng. bộ điều chỉnh thấp cổ điển (LDO). Sau đó, ta sử dụng EME- SR từ thực tếrằng các đầu vào của LDO có thể thay đổi từ VBAT (12 V) giảm điện áp của LDO trên điện áp lõi kỹ thuật số (3,3 V). Tụ điện. đổi biên độ của dòng điện trong kĩ thuật số, chuyển mạch vào ra trong các mạch tích hợp làm nguyên nhân phát sinh EME. Trường điện từ phát sinh trực tiếp từ các gói khung và mạch định tuyến ở cấp