Câu hỏi và bài tập cấu hình điện tử_2 docx

78 79 Lưu ý:  Mỗi sinh viên hãy tự trả lời câu hỏi và làm bài tập trực tiếp vào tài liệu này. Không được sao chép bài của người khác. Nếu sao chép phần nào, hoặc chọn nhiều phương án trả lời trong một câu hỏi thì xem như phần bài đó bị loại bỏ.  Đối với phần câu hỏi trắc nghiệm, SV làm bài hãy suy nghĩ thật kỹ trước khi chọn bằng cách khoanh tròn vào một trong các phương án: a, b, c, v. v . . . hoặc đánh dấu  vào ngay trước một phương án đúng nhất, và giải thích ngắn gọn vào phần trống bên cạnh hoặc phía dưới mỗi câu hỏi. Đối với các bài tập, hãy ghi lời giải vào ngay phần để trống tương ứng ở mỗi bài tập.  Tài liệu tham khảo: - Bài giảng Cấu kiện điện tử. 2001 [ Dư Quang Bình ]. - Fundamentals of Linear Electronics Integrated and Dicrete. 1998. [James Cox ]. - Địa chỉ liên hệ khi cần: Thầy Dư Quang Bình, 0905894666,  05113894666, hoặc: e-mail: binhduquang@gmail.com  Thời hạn hoàn thành và nộp bài tập: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . tại bm: Điện tử, khoa Điện tử-Viễn thông, Trường Đại học Bách Khoa Đà Nẵng – 54 Nguyễn Lương Bằng, Quận Liên Chiểu, Tp Đà Nẵng. (Không chấp nhận sự chậm trễ). 80 I. Câu hỏi phần BJT. 3.1. Giới thiệu về BJT. 1. Ba điện cực của BJT là gì ? a. phát [emitter], gốc [base], góp [collector]. b. T 1 , T 2 , T 3 . c. nguồn [source], cổng [gate], máng [drain]. d. emitter, gate, collector. 2. Mũi tên trong ký hiệu mạch của BJT luôn luôn chỉ vào loại vật liệu nào ? a. dạng P; b. dạng N; c. dạng base; d. dạng PN. 3. Các BJT được phân loại thành . . . . a. các dụng cụ PPN và PIN. b. NPN và PNP. c. các dụng cụ NNP và PPN. d. dạng N và dạng P. 4. Ký hiệu mạch của transistor PNP là . . . . 3.2. Cấu tạo của BJT. 5. Có bao nhiêu tiếp giáp PN trong BJT? a. 0. b. 1. c. 2. d. 3. e. 4. 6. Loại vật liệu nào là vùng base của transistor PNP? a. dạng P. b. dạng N c. dạng base. d. dạng PN. 7. So với vùng collector và emitter, vùng base của BJT là . . . . a. rất dày. b. rất mõng. c. rất mềm. d. rất cứng. 8. Trong một BJT, dòng base là . . . . . . . . . . . khi được so với hai dòng collector và emitter . . . a. nhỏ. b. lớn. c. nhanh. d. chậm. 9. Một BJT có cấu tạo để vùng base của nó rất mõng và . . . . a. được pha tạp đậm. b. được pha tạp như vùng collector. c. được pha tạp loãng. d. được pha tạp như vùng emitter. 10. Dòng collector của BJT luôn luôn . . . . a. nhỏ hơn nhiều so với dòng emitter của BJT. b. nhỏ hơn so với dòng base. c. bằng dòng emitter. d. bằng dòng emitter trừ dòng base. 11. Trong hoạt động thông thường của transistor NPN, phần lớn điện tử di chuyển vào cực emitter . . . . . a. ra khỏi transistor thông qua cực collector. b. ra khỏi transistor thông qua cực base. c. sẽ được hấp thụ bởi transistor. d. không phải các trường hợp trên. 81 12. Phương trình nào biểu diễn quan hệ đúng giữa các dòng base, emitter, và collector ? a. I E = I B +  . b. I C = I B + I E . c. I E = I B + I C . d. I B = I E + I C . 13. Tỷ số của dòng collector và dòng base được gọi là . . . . . . . . a. rho b. pi c. omega d. beta e. alpha. 3.3. Chuyển mạch bằng BJT. 14. Khi một chuyển mạch bằng BJT đang dẫn bảo hoà, thì V CE xấp xĩ bằng . . . . . . . . a. V CC ; b. V B ; c. 0,2V; d. 0,7V. 15. Khi một chuyển mạch bằng BJT đang dẫn, thì dòng collector sẽ được giới hạn bởi . . . . . . a. dòng base; b. điện trở tải; c. điện áp base; d. điện trở base. 16. Khi một chuyển mạch bằng BJT ngưng dẫn, thì V CE xấp xĩ bằng . . . . . . a. V CC ; b. V B ; c. 0,2V; d. 0,7V. 3.4. Trang số liệu và các thông số của BJT. 17. Ba thông số quan trọng của BJT là beta, công suất tiêu tán lớn nhất, và . . . . . . . . a. rho nhỏ nhất; b. pi nhỏ nhất; c. dòng collector nhỏ nhất; d. dòng giử nhỏ nhất. 18. Thông số h fe sẽ bằng với . . . . . . . . của transistor. a. alpha; b. beta; c. dòng collector lớn nhất; d. dòng giử nhỏ nhất. 3.5. Mạch khuyếch đại bằng transistor. 19. Khi mạch khuyếch đại bằng BJT được phân cực đúng để hoạt động ở chế độ A, thì . . . . . . . a. tiếp giáp base - emitter được phân cực thuận và tiếp giáp base - collector được phân cực ngược; b. tiếp giáp base - emitter được phân cực ngược và tiếp giáp base - collector được phân cực ngược; c. tiếp giáp base - emitter được phân cực thuận và tiếp giáp base - collector được phân cực thuận; d. tiếp giáp base - emitter được phân cực ngược và tiếp giáp base - collector được phân cực thuận. 20. Để mạch khuyếch đại hoạt động ở chế độ A, thì tiếp giáp base - collector của BJT cần phải . . . . . a. hở mạch; b. kín mạch; c. được phân cực thuận; d. được phân cực ngược. 21. Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại bằng BJT bằng . . . . . . a. V B /V E ; b. V in / V out ; c. V out / V in ; d. V CC / V C . 22. Điện áp phân cực tại collector (V C ) của mạch khuyếch đại hoạt động ở chế độ A xấp xĩ bằng . . . . . . a. V CC ; b. một nửa V CC ; c. 0V; d. 0,2V. 3.6. Phân tích tín hiệu ở mạch khuyếch đại phân cực base. 23. Trở kháng vào của mạch khuyếch đại phân cực base sẽ bằng . . . . . . . . a. 1k; b. tỷ lệ nghịch với beta; c. tỷ lệ thuận với beta; d. không phải các trường hợp trên. 82 24. Trở kháng ra của mạch khuyếch đại phân cực base sẽ bằng . . . . . . . . a. Rc; b. tỷ lệ nghịch với beta; c. tỷ lệ thuận với beta; d. 1k. 25. Độ lệch pha giữa hai tín hiệu vào và ra của mạch khuyếch đại phân cực base bằng . . . . . a. 0 o ; b. 90 o ; c. 180 o ; d. 270 o . 26. Công thức chung để tính hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại phân cực base là . a. A v = V CC / V c ; b. A v = V B / V E ; c. A v = r c / r e ; d. A v = R L x  . 3.7. Phép đo trở kháng vào và ra. 27. Trở kháng vào của một mạch khuyếch đại bằng transistor có thể đo được bằng cách sử dụng . . . . . a. đồng hồ đo điện trở [ohmmeter]; b. đồng hồ đo trở kháng; c. máy vẽ đặc tuyến; d. điện thế kế mắc nối tiếp với máy tạo sóng. 28. Trở kháng ra của một mạch khuyếch đại bằng transistor có thể đo được bằng cách sử dụng . . . . . . a. đồng hồ đo điện trở [ohmmeter]; b. đồng hồ đo trở kháng; c. máy vẽ đặc tuyến; d. điện thế kế đặt vào vị trí của điện trở tải. 3.8. Họ đặc tuyến ra của BJT. 29. Họ đặc tuyến ra của BJT là đồ thị của . . . . . . a. dòng base theo điện áp collector - emitter; b. dòng collector theo điện áp base - emitter; c. dòng collector theo điện áp collector - emitter; d. dòng emitter theo điện áp base - emitter. 3.9. Sai hỏng trong mạch BJT. 30. Khi kiểm tra một BJT tốt bằng đồng hồ đo điện trở, thì BJT sẽ biểu hiện . . . . . . a. sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận - nghịch cao trên cả hai tiếp giáp; b. sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận - nghịch cao trên tiếp giáp collector - base; c. sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận - nghịch cao trên tiếp giáp emitter - base; d. không phải các ý trên. 31. Khi đầu que dương của một đồng hồ đo điện trở [ohmmeter] được nối đến base, còn đầu que âm được nối đến collector của một transistor NPN, thì giá trị điện trở đo được là bao nhiêu ? a. 0; b. điện trở thấp; c. 5k; d. điện trở cao. 32. Khi đầu que âm của một ohmmeter được nối đến cực base và đầu que dương được nối đến cực emitter của một transistor NPN, thì giá trị điện trở đo được là bao nhiêu ? a. 0; b. điện trở thấp; c. 5k; d. điện trở cao. 33. Điện trở đo được giữa hai cực collector và emitter của một transistor tốt là bao nhiêu ? a. 0; b. điện trở thấp; c. 5k; d. điện trở cao. 34. Giá trị điện áp trên collector của transistor ở hình 3.40a, là bao nhiêu ? a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V. 83 35. Điện áp trên collector của transistor ở mạch hình 3.40b là bao nhiêu ? a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V. 36. Mức điện áp DC trên collector của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ? a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V. 37. Điện áp DC trên cực base của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ? a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V. 38. Điện áp tín hiệu trên collector của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ? a. 50mVpp; b. 0,2Vpp; c. 7,5Vpp; d. 15Vpp. 39. Nếu tụ đầu ra (C 2 ) ở hình 3.41, hở mạch, thì mức điện áp tín hiệu trên collector của transistor là bao nhiêu ? a. 50mVpp; b. 0,2Vpp; c. 7,5Vpp; d. 15Vpp. K. Bài tập. 1. Nếu  = 80 ở mạch hình 3.42, thì các trị số đọc được trên các đồng hồ I B , I E , I C , và V CE là bao nhiêu ? 84 2. Nếu dòng base là 30A và dòng collector là 4mA, thì giá trị của dòng emitter là bao nhiêu? 3. Nếu dòng base là 20A và dòng collector là 4mA, thì giá trị của beta là bao nhiêu ? 4. Nếu transistor ở mạch hình 3.43, được dùng như một chuyển mạch. Hãy tính điện áp tại collector khi transistor dẫn. 5. Tính điện áp collector khi transistor ở mạch hình 3.43, ngưng dẫn. 6. Nếu  của transistor trong mạch hình 3.43, bằng 50, thì trị số điện áp nhỏ nhất cần thiết tại đầu vào để transistor bão hoà là bao nhiêu ? 7. Khi tín hiệu vào ở mạch ở hình 3.43, là 5V, thì giá trị  cần thiết để làm cho transistor bão hoà là bao nhiêu ? 8. Trong mạch hình 3.43, giả sử dòng collector là 4mA, và dòng vào là 0,5mA, nếu tăng dòng vào lên 1mA, thì dòng collector sẽ bằng bao nhiêu ? 9. Nếu điện áp "mở" [on] tại đầu vào được cho là 3,7V, thì trị số điện trở vào lớn nhất có thể sử dụng để nhận được sự bão hoà ở mạch hình 3.43 là bao nhiêu ? ( min = 50). 10. Hãy tính các trị số yêu cầu dưới đây đối với mạch ở hình 3.44JC. ( = 80). V B = . . . . . . . . . . V C = . . . . . . . . . . 11. Cần phải thay đổi giá trị điện trở R b (775k) ở mạch hình 3.44JC để tạo ra điện áp collector bằng 10V ( = 80). 85 12. Ở mạch hình 3.45JC, nếu R c = 3,3k, và beta là 120, hãy tính trị số của R b để mạch cho phân cực điểm giữa (V c = 7,5V) 13. Điện áp trên collector trong mạch hình 3.45JC sẽ bằng bao nhiêu nếu R b = 755k, R c = 3,3k, và  = 240 ?. 14. Trong mạch hình 3.45JC, nếu R b = 600k và beta bằng 200, thì giá trị nào của R c sẽ thích hợp cho phân cực điểm giữa (V c = 7,5V) ? 15. Trong mạch hình 3.45JC, nếu R b là 800k và R c là 4,7k, thì beta cần thiết để cho phân cực điểm giữa (V c = 7,5V) là bao nhiêu ? 16. Trị số của r' e , z in , và z out của mạch hình 3.46JC, là bao nhiêu ? r' e = . . . . . . . . . z in = . . . . . . . . . z out = . . . . . . . . . 17. Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch ở hình 3.46JC, là bao nhiêu ? A v = . . . . . . . . 18. Nếu tụ điện C 2 hở mạch, thì hệ số khuyếch đại điện áp của mạch hình 3.46JC, bằng bao nhiêu ? A v = . . . . . . 86 19. Đối với mạch ở hình 3.47JC, hãy tính: V c = . . . . ; V B = . . . . ; V E = . . . . ; V CE = . . . . ; z in = . . . . ; z out = . . . . . ; V out = . . . . ; A v = . . . . . 20. Cho mạch hình 3.48JC, hãy xác định: V c = . . . . ; V B = . . . . ; V E = . . . . ; V CE = . . . . ; z in = . . . . ; z out = . . . . . ; V out = . . . . ; A v = . . . . . 87 L. Câu hỏi phần mạch BJT. 4.1. Giới thiệu. 1. Tại sao cần phải ổn định mạch khuyếch đại bằng BJT để chống lại sự thay đổi ở beta ? a. do beta thay đổi theo nhiệt độ, b. do beta thay đổi theo sự thay đổi ở các tụ ghép tầng; c. do beta khác nhau trong các BJT cùng loại; d. cả (a) và (c). 2. Giá trị beta điển hình của một transistor có thể xem xét là . . . . . . . . . a. + 50% và - 50%; b. +50% và - 100%; c. + 100% và - 50%; d. + 100% và - 100%. 3. Nếu beta thay đổi, thì sự thiếu ổn định điểm phân cực trong mạch khuyếch đại như thế nào ? a. điện áp collector sẽ thay đổi; b. dòng collector sẽ thay đổi; c. dòng emitter sẽ thay đổi; d. tất cả các ý trên. 4.2. Phân cực phân áp. 4. Trong mạch phân cực phân áp, tại sao điện áp tại điểm nối của R b1 và R b2 được xem là độc lập với dòng base của transistor ? a. dòng base không chảy qua R b1 hoặc R b2 ; b. dòng base nhỏ so với dòng chảy qua R b1 và R b2 ; c. chỉ có dòng emitter ảnh hưởng đến dòng chảy qua R b1 và R b2 ; d. tụ nối tầng (tụ ghép tầng) chặn dòng base chảy qua mạch phân áp. 5. Trong các mạch khuyếch đại phân cực phân áp, sự chênh lệch điện áp giữa emitter và base luôn luôn bằng . . . . . a. 0V; b. 0,2V; c. 0,7V; d. 2V. 6. Trong các mạch khuyếch đại phân cực phân áp, khi đã tính được điện áp emitter DC, thì dòng collector tại điểm tĩnh có thể tính gần đúng bằng cách chia điện áp emitter cho . . . . . a. điện trở ở nhánh base; b. điện trở ở nhánh emitter; c. điện trở ở nhánh collector; d. điện trỏ của tải. 7. Trong các mạch khuyếch đại phân cực phân áp, điện áp collector (V C ) được tính bằng cách . . a. nhân dòng collector với điện trở collector; b. nhân dòng collector với điện trở tải; c. cộng điện áp base với điện áp emitter; d. trừ sụt áp trên điện trở collector khỏi điện áp nguồn. 4.3. Các tham số tín hiệu của mạch phân cực phân áp. 8. Mạch phân cực phân áp độc lập với beta, nhưng phải trả giá cho sự không phụ thuộc với beta là gì ? a. làm giảm độ ổn định; b. trở kháng ra thấp; c. suy giảm hệ số khuyếch đại điện áp; d. cả (b) và (c). 9. Khi tính trở kháng vào, hai điện trở base (R b1 và R b2 ) xuất hiện dưới dạng . . . . với các linh kiện khác. a. nối tiếp; b. nối tiếp / song song; c. song song; d. nối tiếp ngược chiều nhau. [...]... a hệ số khuyếch đại điện áp và công suất; b hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất; c hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp 17 Khi BJT được mắc theo cấu hình emitter chung, thì mạch có khả năng cung cấp a hệ số khuyếch đại điện áp và công suất; b hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất; c hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d chỉ... trung bình và trở kháng ra bằng Rc; b trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng Rc; d ngoài các trường hợp trên 15 Khi BJT được mắc theo cấu hình base chung, thì mạch có khả năng cung cấp a hệ số khuyếch đại điện áp và công suất; b hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất; c hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp 16 Khi BJT được mắc theo cấu hình collector... tính hệ số khuyếch đại điện áp tín hiệu (A v), và trở kháng vào (zin), trở kháng ra (zout), và độ dao động của điện áp ra lớn nhất gần đúng cho mạch ở hình 5.28JC 12 Hãy tính điện áp trên collector, base, và emitter của cả ba transistor trong mạch ở hình 5.29JC 13 Hãy tính hệ số khuyếch đại điện áp của đầu ra đơn và hệ số khuyếch đại điện áp vi sai cho mạch ở hình 5.29JC 100 BÀI TẬP BỔ SUNG PHẦN BJT... 250 c) Vẽ các đường tải d) Xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng 110 2.16 Đặt trực tiếp nguồn điện áp ac vào base của transistor npn như ở hình P2.8 Điện trở nội của nguồn điện áp ac là Ri Hãy xác định ICQ, VCEQ và Vo khi tín hiệu vào bằng 0 (cho biết beta = 100 và VBE = 0,7V) 2.17 Theo bài tập 2.16, trị số điện trở cần phải được bổ sung vào điện trở nội của nguồn tín hiệu để tạo ra tín hiệu... kháng vào cao và trở kháng ra thấp; c trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng Rc; b trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng Rc; d ngoài các ý trên 13 Hệ số khuyếch đại dòng của mạch base chung là a lớn hơn 1; b đúng bằng 1; c hơi nhỏ hơn so với 1; d bằng  95 5.6 So sánh các cấu hình của mạch khuyếch đại 14 Cấu hình emitter chung có a trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp; c trở kháng vào trung... nối với Vcc; d cả b và c 2 Mạch khuyếch đại collector chung có thể sử dụng kiểu phân cực a emitter; b hồi tiếp điện áp collector ; c phân áp ; d cả a và c 3 Cấu hình collector chung có a trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp; c trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng Rc; b trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng Rc; d ngoài các trường hợp trên 4 Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch collector... của điện áp ra đỉnh-đỉnh cho mạch ở hình 2.17, khi có R1 = 2k, R2 = 15k, RE = 200, RC = 2k, RL = 2k,  = 200, VBE = 0,7V, và VCC = 15V ĐS: 6,3Vpp D2.2 Dựa theo bài tập D2.1, hãy thiết kế mạch khuyếch đại để cho độ dao động đối xứng lớn nhất Tính các trị số của R1 và R2 ĐS: R1 = 4,5k, R2 = 36k D2.3 Biên độ dao động của điện áp ra đối xứng lớn nhất là bao nhiêu đối với cấu hình cho ở bài tập D2.2... ở hình 5.24JC, là bao nhiêu ? 98 5 Cho mạch ở hình 5.25JC, hãy tính các giá trị tại điểm làm việc tĩnh Q: VBQ1, VEQ1, VCQ1, VBQ2, VEQ2, VCQ2, và IEQ2 (giả sử Q1 = 90 và Q2 = 40) 6 Hãy tính các giá trị của zin, zout, và Av cho mạch hình 5.25JC (cho Q1 = 90 và Q2 = 40) 7 Cho mạch ở hình 5.25JC, hãy xác định hệ số khuyếch đại dòng điện (Ai) và hệ số khuyếch đại công suất (Ap) (giả sử Q1 = 90, và. ..10 Điện trở động của tiếp giáp base - emitter là được mắc a nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh base; b song song với điện trở tín hiệu ở nhánh base; c song song với điện trở tín hiệu ở nhánh emitter; d nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh emitter 11 Trở kháng ra của mạch khuyếch đại emitter chung sẽ bằng a điện trở collector; b điện trở tải; c điện trở collector mắc song song với điện. .. 27 Mức tín hiệu vào ở mạch hình 5.22JC, được đặt ở mức 0 Điện áp trên collector của Q1 đo được là 12V và điện áp trên Q2 đo được là 0,2V Sai hỏng có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ? a transistor Q1 hở mạch; b transistor Q2 hở mạch; c nguồn dòng bị hỏng; d mạch làm việc bình thường 28 Mức tín hiệu vào ở mạch hình 5.22JC, được đặt ở mức 0 Điện áp trên collector của Q 1 và Q2 đo được là . lời câu hỏi và làm bài tập trực tiếp vào tài liệu này. Không được sao chép bài của người khác. Nếu sao chép phần nào, hoặc chọn nhiều phương án trả lời trong một câu hỏi thì xem như phần bài. transistor Q 2 hở mạch; c. nguồn dòng bị hỏng; d. mạch làm việc bình thường. 27 . Mức tín hiệu vào ở mạch hình 5 .22 JC, được đặt ở mức 0. Điện áp trên collector của Q 1 đo được là 12V và điện. khuyếch đại base chung. 12. Cấu hình base chung có . . . . a. trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp; b. trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng R c ; c. trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng