Cấu kiện điện tử - vật liệu điện tử - Dư Quang Bình - 3 ppsx

CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN 40 là: LZ ZS R ZS i ii Vv i Vv R + − = − = (2.61) Suy ra mức dòng zener i Z , là: L i ZS Z i R Vv i − − = (2.62) Các đại lượng có thể thay đổi trong phương trình (2.62) là v S và i L . Để đảm bảo diode vẫn ở vùng điện áp hằng (vùng đánh thủng), ta hãy khảo sát hai mô hình của trạng thái vào/ra như sau: 1. Mức dòng chảy qua diode, i Z là nhỏ nhất (I Zmin ) khi dòng tải, i L là lớn nhất (I Lmax ) và mức điện áp nguồn, v S là nhỏ nhất (V Smin ). 2. Mức dòng chảy qua diode, i Z là lớn nhất (I Zmax ) khi dòng tải, i L là nhỏ nhất (I Lmin ) và mức điện áp nguồn, v S là lớn nhất (V Smax ). Khi các đặc tính của hai mô hình được kết hợp vào phương trình (2.61), ta có: Trạng thái 1: ZminLmax ZSmin i II VV R + − = (2.63) Trạng thái 2: ZmaxLmin ZSmax i II VV R + − = (2.64) Do trị số của R i trong cả hải phương trình (2.63) và phương trình (2.64) là một, nên ta có thể cân bằng hai biểu thức để có: ))(())(( ZminLmaxZSmaxZmaxLminZSmin IIVVIIVV + − = +− (2.65) Trong bài toán thực tế, hợp lý nhất là cho biết khoảng điện áp vào, khoảng dòng tải, và mức điện áp zener yêu cầu. Do vậy phương trình (2.65), sẽ tương đương một phương trình theo hai ẩn, dòng zener lớn nhất và nhỏ nhất. Xác định phương trình thứ hai bằng cách xét đặc tuyến hình 2.31. Để tránh phần đặc tuyến không phải hằng số, ta sử dụng quy tắc kinh nghiệm là mức dòng zener nhỏ nhất sẽ bằng 0,1 lần mức dòng zener lớn nhất, tức là: ZmaxZmin 0,1I I = Giải phương trình (2.65) theo I Zmax , trong đó sử dụng tiêu chuẩn thiết kế đã được giới thiệu ở trên, SmaxZSmin ZSmaxLmaxSminZLmin Zmax 0,1 - 0,9 - )( )( VVV VVIVVI I − + − = (2.66) Có thể tính được mức dòng zener lớn nhất, để có trị số của R i từ phương trình (2.63) hoặc (2.64). Ví dụ 2.3: Thiết kế bộ ổn định điện áp bằng zener khoảng 10V (hình 2.33) cho các điều kiện như sau: a) Khoảng dòng tải từ 100mA đến 200mA và khoảng điện áp nguồn từ 14V đến 20V. b) Khoảng dòng tải từ 20mA đến 200mA và khoảng điện áp nguồn từ 10,2V đến 14V. Sử dụng diode zener 10V trong cả hai trường hợp. Giải: a) Việc thiết kế bao gồm chọn giá trị điện trở R i phù hợp, và thông số định mức công suất cho zener. Sử dụng phương trình từ mục trên để tính mức dòng lớn nhất của diode zener và sau đó tính trị số điện trở vào. Từ phương trình (2.66), ta có: 533mA 20V0,110V0,914V V)01200mA(20V14V)100mA(10V 0,1 - 0,9 - )( )( SmaxZSmin ZSmaxLmaxSminZLmin Zmax = ×−×− − + − = − +− = VVV VVIVVI I Tiếp theo, từ phương trình (2.64), tính R i như sau: CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN 41 15,8Ω 100mA533mA 10V20V ZmaxLmin ZSmax i = + − = + − = II VV R Sẽ không đầy đủ nếu chỉ xác định điện trở R i , nên cũng cần phải chọn công suất định mức thích hợp cho điện trở. Mức công suất lớn nhất cho bởi tích của điện áp và dòng điện, trong đó sử dụng trị số lớn nhất cho mỗi đại lượng. 6,3W))(( ZSmaxLminZmaxR = − + = VVIIP Cuối cùng, ta phải xác định công suất định mức cho diode zener. Mức công suất lớn nhất tiêu tán ở diode zener được tính bằng tích của điện áp và dòng điện trên zener. 5,3W 10V 0,53A ZmaxZR = × = = IVP b) Lặp lại các bước tính trên theo các thông số của phần b, ta có: 4020mA - V410,110V0,910,2V V)01200mA(14V10,2V)20mA(10V 0,1 - 0,9 - )( )( SmaxZSmin ZSmaxLmaxSminZLmin Zmax = ×−×− − + − = − +− = VVV VVIVVI I Trị số I Zmax âm cho biết biên độ giữa V Smin và V Z là không đủ lớn để cho phép thay đổi dòng tải, nghĩa là, ở trạng thái xấu nhất của điện áp vào là 10,2V và dòng tải là 200mA, thì zener không thể cho khả năng duy trì 10V trên hai cực của diode zener. Do đó, bộ ổn định sẽ không hoạt động đúng đối với trị số chọn nào đó của điện trở, nên ta có thể tăng điện áp nguồn hoặc giảm mức dòng ra yêu cầu. Mạch ổn định bằng zener ở hình 2.33, có thể kết hợp với mạch nắn toàn kỳ ở hình 2.25, để tạo thành mạch nắn toàn kỳ có ổn định điện áp bằng zener như ở hình 2.34. R F là điện trở xã, dùng để tạo đường xã cho tụ khi tháo tải (tải hở). Các điện trở xã thường có trị số điện trở cao để không tiêu thụ nhiều công suất khi mạch hoạt động. Trị số của C F tính theo phương trình tương ứng (2.59). Điện trở trong phương trình là điện trở tương đương mắc song song với C F . Diode zener được thay bằng nguồn điện áp V Z . Điện trở tương đương là do mạch song song của R F với R i . Điện trở R i mắc nối tiếp trong mạch để tránh các ngắn mạch hiệu dụng của R L lên diode zener. Do R F lớn hơn nhiều so với R i , nên điện trở song song có trị số gần bằng với R i . Bởi vì điện áp ngang qua R i không thể bằng 0 đối với mạch nắn toàn kỳ, nên V max ở phương trình (2.59) cần phải được thay bằng tổng mức dao động điện áp. Vậy, tụ được tính gần đúng bởi phương trình (2.67), trong đó cho tỷ số biến áp a là ½. ip ZSmax F ∆ RVf VV C − = (2.67) Mức điện áp lớn nhất đặt trên bộ ổn áp là V Smax . ∆V là mức gợn đỉnh – đỉnh, và f p là tần số cơ bản của tín hiệu chỉnh lưu (tức là tần số tín hiệu ra của mạch chỉnh lưu toàn kỳ gấp hai lần tần số nguồn). b) Diode zener thực tế và độ ổn định theo phần trăm Ở mục trên ta giả thiết diode zener là lý tưởng, đó là ở vùng đánh thủng thác lũ, diode làm việc như một nguồn điện áp hằng, có nghĩa rằng đặc tuyến ở hình 2.31, là một đường thẳng dọc theo vùng đánh thủng. Trong thực tế, đoạn đặc tuyến đánh thủng không phải chính xác là một đường dọc mà có độ nghiêng nào đó để dẫn đến một điện trở n ối tiếp khác 0. Điện áp đánh thủng tùy thuộc vào mức dòng mà lẽ ra là không đổi. Mô hình diode zener thực tế như ở hình 2.35, thay diode zener thực tế bằng một diode lý tưởng mắc nối tiếp với một điện trở R Z . Để thấy rõ các ảnh hưởng của điện trở nối tiếp R Z , ta giả sử rằng diode zener thực tế đã được kết hợp đưa vào ví dụ 2.3a, với điện trở của diode R Z = 2Ω. Giả sử I Zmin bằng 10% của I Zmax , hay bằng 0,053A. Điện áp ra (song song với tải) không lớn hơn mức hằng số 10V do R Z . Ta tính các trị số nhỏ nhất và lớn nhất của điện áp ra từ hình 2.34, theo các mức dòng nhỏ nhất và lớn nhất. Mức điện áp ngang qua diode lý tưởng ở hình 2.35, là 10V, nên ta có thể viết: CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN 42 ( ) 10,1V2kΩ0,053A10V omin = × + = V ( ) 11,1V2kΩ0,53A10V omax = × + = V Độ ổn định theo phần trăm được định nghĩa bằng tổng mức dao động điện áp xung quanh mức điện áp ổn định (hay mức ổn định lý tưởng). Độ ổn định theo phần trăm nhỏ hơn sẽ cho ổn định điện áp tốt hơn. Vậy, ở ví dụ trên, 10%0,1 10V 10,1V11,1V % onominal ominomax == − = − = V VV Reg (2.68) Độ ổn định 10% được xem là kém đối với nhiều ứng dụng. Độ ổn định sẽ được cải thiện khi giới hạn mức dòng zener ở giá trị nhỏ hơn, và thực hiện bằng cách sử dụng một mạch khuyếch đại nối tiếp với tải. Tác dụng của mạch khuyếch đại là để giới hạn các biến thiên của dòng chả y qua diode zener. 2.7 MẠCH XÉN VÀ GHIM. Các diode có thể dùng để xén tín hiệu vào hay giới hạn các thành phần của tín hiệu. Diode cũng được dùng để khôi phục mức dc cho tín hiệu vào. a) Mạch xén Mạch xén dùng để xén một phần của dạng sóng phía trên hoặc phía dưới mức chuẩn nào đó. Mạch xén đôi khi còn gọi là mạch hạn chế, mạch chọn biên độ, hay mạch cắt. Mạch chỉnh lưu CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN 43 bán kỳ ở phần trước sử dụng hoạt động xén tại mức 0. Nếu thêm một nguồn pin nối tiếp với diode, mạch chỉnh lưu sẽ xén mức trên hoặc mức dưới của mức điện áp nguồn pin, tùy thuộc vào chiều của diode, như minh họa ở hình 2.36. Các dạng sóng ra ở hình 2.36, cho rằng các diode là lý tưởng. Có thể bỏ qua giả thiết lý tưởng bằng cách bổ sung hai thông số ở mô hình diode. M ột là để diode dẫn cần phải có điện áp trên diode lớn hơn V γ . Thứ hai, khi diode đang dẫn phải tính đến điện trở thuận R f . Hình 2.37a, là mạch đã được sửa đổi. Ảnh hưởng của V γ là tạo mức xén V γ + V B thay cho V B . Ảnh hưởng của điện trở là thay đổi hoạt động xén bằng phẳng theo mức tỷ lệ theo điện áp vào (tức là ảnh hưởng của mạch phân áp). Mức điện áp ra được tính như sau (xem hình 2.37b). Đối với: γBi VVv +< , ta có: io vv = Đối với: γBi VVv +> , ta có: () f γB f f io RR R VV RR R vv + ++ + = Ta có thể thực hiện đồng thời cả xén mức dương và xén mức âm bằng các mạch xén phân cực song song, thiết kế bằng hai diode và hai nguồn điện áp mắc theo hai chiều ngược nhau. Mạch sẽ cho dạng sóng ra như ở hình 2.38, trong đó giả thiết hai diode là lý tưởng. Suy rộng cho các diode thực tế mắc song song dẫn đến kết quả ở hình 2.37. Một kiểu xén khác là mạch xén phân cực nối tiếp, như mạch ở hình 2.39. Nguồn pin khoảng 1V mắc nối tiếp với nguồn tín hiệu vào sẽ làm cho tín hiệu vào được chồng chập lên nguồn điện áp 1V dc, đúng hơn là đối xứng qua trục 0. Giả sử mạch sử dụng diode lý tưởng, diode ở mạch hình 1.43, sẽ dẫn chỉ trong khoảng thời gian tín hiệu vào chuyển sang bán kỳ âm. Khi diode đang dẫn, tín hiệu ra bằng 0. Điện áp ra khác 0 khi diode ngưng dẫn. Ở mạch hình 2.39b, diode được mắc ngược lại cũng tương tự như trên. Khi tín hiệu ở trạng thái dương, diode sẽ dẫn và có tín hiệu ra, nhưng khi diode ngưng, không xuất hiện tín hiệu ra. Mặc dù nguyên lý hoạt động của hai mạch là khác nhau, nhưng hai tín hiệu ra là như nhau. Ở mạch hình 2.39c, và d, nguồn pin được đảo ngược cực tính và dạng sóng ra nhận được như hình vẽ. CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN 44 Ví dụ 2.4: Tính mức điện áp ra của mạch xén ở hình 2.40a, giả thiết rằng: a) V γ = 0; và b) V γ = 0,7V. và R f = 0 trong cả hai trường hợp. Giải: a) Khi V γ = 0, với v i dương và v i < 3V, suy ra: v i = v o . Khi v i dương và v i > 3V, suy ra: Ω101,5 3V 4 i 1 × − = v i 1 3VΩ10 i 3 2 1 4 o +×=+×= viv Đối với v i = 8V, thì v o = 6,33V. Khi v i âm và v i > - 4V, suy ra: v i = v o . Khi v i âm và v i < - 4V, suy ra: v o = - 4V Dạng sóng ra kết quả như ở hình 2.40b. Khi V γ = 0,7V, v i là dương, và v i < 3,7V, suy ra: v i = v o . CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN 45 Khi v i > 3,7V, suy ra: i 1 = (v i – 3,7V)/1,5 x 10 4 , 1,23 3,7VΩ10 i 3 2 1 4 o +×=+×= viv Đối với v i = 8V, thì v o = 6,56V. Khi V γ = 0,7V, v i âm và v i > - 4,7V, suy ra: v i = v o . Khi v i âm và v i < - 4,7V, suy ra: v o = - 4,7V Dạng sóng ra kết quả như ở hình 2.40c. b) Mạch ghim Dạng sóng điện áp có thể được dịch chuyển bằng cách bổ sung một nguồn điện áp độc lập, hoặc là nguồn hằng hoặc là nguồn phụ thuộc thời gian mắc nối tiếp với nguồn tín hiệu. Ghim là hoạt động dịch mức mà nguồn bổ sung không còn độc lập với nguồn tín hiệu nữa. Mức dịch tùy thuộc vào dạng sóng thực tế. Hình 2.41, thể hi ện ví dụ về việc ghim áp. Dạng sóng vào ở hình 2.41, bị dịch bởi một lượng làm cho mức đỉnh của dạng sóng bị dịch mức tại trị số là V B . Vậy mức dịch là mức chính xác cần để thay đổi mức lớn nhất ban đầu V m đến mức lớn nhất mới V B . Dạng sóng là “được ghim” đến giá trị V B . Nếu ta đã biết trị số chính xác của mức đỉnh ban đầu V m , thì ta có thể thực hiện dịch mức đỉnh bằng một nguồn dc độc lập mắc nối tiếp với nguồn tín hiệu. Đặc trưng riêng của mạch ghim là mạch có thể điều chỉnh dạng sóng mà không cần biết dạng chính xác ban đầu. Mức dịch được xác định bởi dạng sóng thực tế. Nếu dạng sóng vào thay đổi, thì mức dịch sẽ thay đổi theo để dạ ng sóng ra luôn luôn được ghim ở mức V B . Do vậy, mạch ghim sẽ cung cấp thành phần dc theo mức cần thiết để nhận được mức ghim yêu cầu. Đối với ví dụ, tụ trong mạch ở hình 2.41, sẽ nạp đến giá trị bằng với mức chênh lệch giữa mức đỉnh của dạng sóng ban đầu và V B . Tụ đóng vai trò như nguồn pin có biên độ điện áp V B mắc nối tiếp, do vậy làm dịch dạng sóng đến giá trị thể hiện ở hình 2.41c. Mạch ghim là mạch được kết hợp giữa nguồn pin (hay nguồn dc), diode, tụ điện và điện trở. Điện trở và tụ điện phải được chọn để có hằng số thời gian lớn. Để tụ nạp đến giá trị không đổi và duy trì tại giá trị đó suốt trong chu k ỳ của dạng sóng vào. Nếu điện áp trên tụ không duy trì gần như không đổi, thì sẽ dẫn đến méo dạng sóng nhiều hơn so với dịch đơn. Nếu đảm bảo điều kiện hằng số thời gian lớn và điện trở thuận của diode được giả thiết là bằng 0, thì dạng sóng ra là bản sao của dạng sóng vào với mức dịch thích hợp. Mỗi khi mức ra vượt quá V B , diode sẽ được phân cực thuận và sóng ra sẽ được giới hạn ở mức V B . Trong suốt khoảng thời gian đó, tụ sẽ được nạp đến giá trị là: CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN 46 BmC VVV − = Hình 2.42, là mạch ghim cho tín hiệu ra sẽ được ghim ở mức 0 (tức là không có nguồn pin nên V B = 0). Bởi vì diode được mắc ngược lại so với mạch trước, nên mức thấp nhất của tín hiệu ra sẽ được ghim, tức là tụ điện có thể nạp chỉ theo chiều là sẽ cộng thêm với mức điện áp vào. Mạch thể hiện với sóng vuông làm tín hiệu vào. Điều quan trọng là mức điện áp ngang qua tụ sẽ duy trì gần như không đổi trong suốt bán kỳ củ a dạng sóng vào. Theo kinh nghiệm thiết kế mạch, hằng số thời gian RC thấp nhất bằng 5 lần khoảng thời gian của bán kỳ (tức là 5 lần t 1 – t 0 hoặc t 2 – t 1 ). Nếu tuân theo nguyên tắc thiết kế, thì mạch RC phải có ít nhất là 20% của hằng số thời gian để nạp hoặc xả trong suốt bán kỳ, nghĩa là sẽ thay cho trị số cuối cùng trong khoảng 18% của giá trị ban đầu (tức là, exp(-0,2) = 0,82). Nếu hằng số thời gian quá nhỏ, dạng sóng sẽ bị méo dạng như chỉ ở hình 2.42c. Để làm giảm sai lệch đến mức thấp nhất so với 18%, thì có th ể tăng hằng số thời gian (nghĩa là, tăng lên gấp 10 lần khoảng thời gian của bán kỳ). 2.8 BỘ CHUYỂN ĐỔI MỨC ĐIỆN ÁP DC - DC Trong hầu hết các hệ thống điện tử, nguồn cung cấp cần phải có nhiều mức điện áp. Một trong những phương pháp tạo ra các mức điện áp là sử dụng hàng loạt các mạch chỉnh lưu bán kỳ hoặc toàn kỳ. Tuy nhiên, điện áp ra của các mạch chỉnh lưu được quyết định bởi điện áp của biến áp, nên biến áp cần phải có nhiề u đầu ra. Ngoài ra, hầu hết các mạch chỉnh lưu thường hoạt động ở tần số thấp 50Hz, hoặc 60Hz nên các biến áp có kích thước và trọng lượng lớn. Một phương pháp linh hoạt hơn là sử dụng các mạch biến đổi dc sang dc hiệu suất cao có thể hoạt động tại các tần số cao hơn nhiều, bằng cách như vậy sẽ làm giảm kích thước và trọng lượng của các cuộn điện cảm trong mạch. Mạch biến đổi dc sang dc sử dụng điện áp vào dc và sẽ cung cấp điện áp ra được điều khiển bằng điện tử với dãi biến đổ i liên tục. Mục này sẽ đề cập hai kiểu bộ biến đổi dc sang dc: bộ biến đổi tăng sẽ tạo ra điện áp đầu ra lớn hơn điện áp đầu vào, và bộ biến đổi giảm mà điện áp ra sẽ thấp hơn so với điện áp vào. a) Bộ biến đổi kiểu tăng áp Mạch của bộ biến đổi tăng [boost converter] cơ bản như ở hình 2.43a. Phần chính của bộ biến đổi là cuộn cảm L và chuyển mạch S sẽ được chuyển mạch đóng và mở một cách định kỳ, như chỉ rõ ở hình 2.43b. Chuyển mạch sẽ kín mạch trong khoảng thời gian T on và hở mạch trong khoảng thời gian T off . Chuyển mạch tuần hoàn theo chu kỳ T = T on + T off . Diode D cũng sẽ hoạt động như một chuyển mạch nên diode sẽ ngưng khi S kín mạch và ngược lại. Điện áp vào dc sẽ được cung cấp bởi nguồn V S , còn R và C tương ứng với điện trở tải và tụ lọc. Trong các phân tích sau ta giả thiết là mạch đã được hoạt động ở trạng thái ổn định và bất kỳ quá trình quá độ khi khởi đầu đều được loại bỏ, tức là mạch đang hoạt động ở trạng thái tuần hoàn. Chuyển mạch S đóng Trong khoảng thời gian T on chuyển mạch S kín mạch, mà điện áp đầu ra xác định được là sẽ lớn hơn 0, diode D 1 sẽ phân cực ngược, suy ra mạch tương đương ở hình 2.44a. Để đơn giản sử CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN 47 dụng mô hình diode lý tưởng. Điện áp vào dc V S lúc này sẽ xuất hiện trực tiếp trên cuộn cảm, và dòng điện trong cuộn cảm tại thời điểm kết thúc của khoảng thời gian T on là: on S L 0 S L 0 S LonL )(0)(0)(0)( on on T L V it L V i dt L V iTi T T +=+=+= +++ ∫ (2.69) Trong khoảng thời gian (0, T on ), dòng chảy qua cuộn điện cảm tăng dần theo tốc độ hằng như thể hiện ở hình 2.45. Vì dòng trong cuộn điện cảm không thể thay đổi tức thời, i L (0 + ) sẽ bằng với mức dòng ngay trước khi chuyển mạch thay đổi trạng thái. Chuyển mạch S hở mạch Khi chuyển mạch hở mạch, diode sẽ dẫn, tạo đường dẫn cho dòng điện cảm chảy qua diode, điện trở tải R và tụ lọc C như thể hiện ở hình 2.44b. Để đơn giản trong việc phân tích, giả sử rằng điện áp gợn ở tín hiệu ra là đủ nhỏ để điện áp ra phải gần bằng mức điện áp dc, tứ c là v o ≈ V O . Với giả thiết trên, điện áp trên cuộn điện cảm sẽ không đổi như trước và bằng với V S – V O . Dòng chảy qua cuộn cảm tại thời điểm kết thúc của khoảng thời gian T off (tức là: t = T on + T off = T) là: offon on offon on OS onL OS onLL )()()( TT T TT T t L VV Ti dt L VV TiTi + + − += − += ∫ (2.70) off OS on S LL )0()( T L VV T L V iTi − ++= + (2.71) Khi V O vượt quá V S , dòng cuộn cảm sẽ giảm theo thời gian trong suốt khoảng thời gian T off – lặp lại như thể hiện ở hình 2.45. Ngoài ra, do mạch hoạt động tuần hoàn với chu kỳ T, nên dòng điện cảm tại các thời điểm t = 0 + và t = T cần phải đồng nhất. Vì vậy, )0()( LL + = iTi nên: off SO on S T L VV T L V − = (2.72) Quan hệ cơ bản giữa điện áp ra và vào của mạch biến đổi tăng là: offOoffonS )( TVTTV =+ hay: δ V T T V T T VV − = − == 1 1 S on S off SO (2.73) trong đó: δ = T on / T được gọi là hệ số đầy xung [duty cycle] của dạng sóng chuyển mạch. Điện áp ra có thể thay đổi được bằng cách biến đổi hệ số đầy xung của chuyển mạch. Do 0 ≤ δ ≤ 1, nên điện áp ra V O ≥ V S ; bộ biến đổi “sẽ làm tăng” mức điện áp ra cao hơn mức điện áp vào. Tính mạch lọc Lưu ý rằng, biểu thức của điện áp ra ở phương trình (2.73) là độc lập với L. Thông số thiết kế cần bổ sung để chọn giá trị điện cảm L là dòng gợn trong cuộn điện cảm. Bởi vì điện áp trên cuộn điện cảm là không đổi trong suốt cả hai khoảng thời gian T on và T off , dòng điện cảm có dạng sóng răng cưa như mô tả ở hình 2.45 [xem phương trình (2.69) và (2.70)]. Biên độ của dòng gợn I r được tính theo hai cách: on S r T L V I = hoặc off SO r T L VV I − = (2.74) Mức dòng gợn ở hai cách tính cần phải như nhau. Từ phương trình (2.74), rút ra biểu thức cho trị số của cuộn cảm: δ fI V T T I TV T I V L r Son r S on r S = ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ == (2.75) trong đó, f = 1/T là tần số của chuyển mạch. Từ phương trình (2.75), ta thấy rằng việc chọn tần CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN 48 số làm việc cao hơn thì sẽ có trị số điện cảm cần thiết nhỏ hơn. Các bộ biến đổi điện áp dc sang dc có thể hoạt động tại các tần số trên 60Hz để giảm kích thước của L và f thường được chọn cao hơn dãi tần số tín hiệu tai người nghe được (tần số âm tần). Thông thường dãi tần số từ 25kHz đến 100kHz. Dòng vào dc Trong mạch tăng điện áp, dòng điện cảm trung bình I L lớn hơn so với dòng tải dc. Đối với bộ biến đổi lý tưởng, không có cơ chế suy hao trong mạch. Do vậy, công suất được phân bố đến đầu vào của bộ biến đổi cần phải bằng công suất phân chia ở điện trở tải R: OOSS IVIV = hoặc: δ - I T T II V V I 1 O off OO S O S === (2.76) Từ phương trình (2.76), ta thấy rằng dòng dc trong cuộn điện cảm là lớn hơn so với dòng tải một chiều bằng cùng hệ số khi tăng ở điện áp ra. Lưu ý rằng cuộn điện cảm cần phải được thiết kế chính xác để có khả năng hoạt động với giá trị lớn của dòng trung bình. Điện áp gợn và điện dung của mạch lọc Ở bộ biến đổi tăng áp, tụ lọc C được thiết kế để điều chỉnh mức điện áp gợn V r theo cách tương tự như tụ lọc trong mạch nắn. Trong suốt khoảng thời gian T on , diode D ngưng dẫn, như ở mạch hình 2.44a, nên tụ cần phải cung cấp toàn bộ dòng tải. Nếu điện áp gợn được thiết kế có biên độ nhỏ, thì dòng xã gần như không đổi (hằng số) và được tính theo I O ≈ V O /R. Dựa vào mức gần đúng này, điện áp gợn có thể được tính theo: δ RC TV T T RC TV RC TV T C I V OonOonO on O r = ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ ==≈ (2.77) Bảng 2.1, tóm tắt các công thức thiết kế cho bộ biến đổi tăng điện áp dc – dc BẢNG 2.1: Thiết kế bộ biến đổi tăng điện áp Điện áp ra δ V T T V T T VV − = − == 1 1 S on S off SO Dòng điện nguồn cung cấp δ - I T T - I T T II 1 1 O on O off OS === Cuộn điện cảm δ fI V T T I TV T I V L r Son r S on r S = ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ == Tụ lọc δ RC TV T T RV TV C Oon r O = ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ = b) Bộ biến đổi giảm áp Mạch biến đổi giảm áp [buck converter] như ở hình 2.46, được thiết kế để tạo ra điện áp đầu ra là thấp hơn so với điện áp đầu vào. Nguyên lý hoạt động của bộ biến đổi giảm áp ở hình 2.46, tương tự hoạt động của bộ biến đổi tăng áp, và chuyển mạch S sẽ hoạt động một cách tuần hoàn với cùng kiểu định thời như ở hình 2.43a. Chuyển mạch S kín mạch Trong khoảng thời gian T on , chuyển mạch S kín mạch, nên diode D sẽ được phân cực ngược theo điện áp vào dương dẫn đến mạch tương đương ở hình 2.46b. Giả sử điện áp gợn tại đầu ra khá nhỏ để điện áp đầu ra có thể xem gần đúng mức điện áp hằng v O ≈ V O , suy ra mức điện áp trên cuộn điện cảm sẽ bằng V S – V O , và mức dòng điện cảm tại thời điểm kết thúc của khoảng thời gian T on sẽ là: on OS L 0 OS LonL )(0)(0)( on T L VV i dt L VV iTi T − += − += ++ ∫ (2.78) Vì dòng chảy trong cuộn điện cảm không thay đổi tức thời, nên i L (0 + ) sẽ bằng với mức dòng ngay trước khi chuyển mạch thay đổi trạng thái. Chuyển mạch S hở mạch Khi chuyển mạch S chuyển sang hở mạch, diode sẽ chuyển sang dẫn, tạo đường dẫn liên tục cho dòng điện cảm từ điểm đất qua diode đến điện trở tải R và tụ lọc C như mô tả ở hình 3.72c. Điện áp trên điện cảm lúc này bằng với – V O . Dòng điện cảm tại thời điểm kết thúc của T off là: CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN 49 off O on OS L O onLL )(0)()( offon on T L V T L VV i dt L V TiTi TT T − − += − += + + ∫ (2.79) Tuy nhiên, mạch hoạt động tuần hoàn với chu kỳ T. Do đó, dòng điện cảm tại các thời điểm t = 0 + và t = T cần phải đồng nhất, nên ta có: )(0)( LL + = iTi và: off O on SO T L V T L VV = − (2.80) Rút gọn phương trình sẽ có quan hệ cơ bản giữa điện áp đầu ra và điện áp đầu vào của bộ biến đổi giảm áp: δ S on SO V T T VV == (2.81) Trong đó, δ là hệ số đầy xung của chuyển mạch. Do T on ≤ T, điện áp ra V O ≤ V S . Ở bộ biến đổi giảm áp điện áp cuộn điện cảm sẽ “làm giảm” điện áp vào, nên điện áp đầu ra là thấp hơn so với điện áp đầu vào. Điện áp ra của bộ biến đổi giảm áp tỷ lệ thuận với hệ số đầy xung δ . Tính điện cảm Quan hệ giữa điện áp vào và ra được biểu diễn theo phương trình (2.81) lại độc lập với L, nên việc tính trị số điện cảm sẽ được quyết định bởi thông số dòng gợn. Dạng sóng dòng điện cảm của mạch biến đổi giảm áp là rất giống với dạng sóng dòng điện ở mạch biến đổi tăng áp như ở hình 3.73. Biên độ dòng gợn I r được tính bởi: off O on OS r T L V T L VV I = − = (2.82) Từ phương trình (3.93) suy ra biểu thức cho giá trị của cuộn điện cảm: () δ −= ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ −= ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ == 11 r Oon r Ooff r O off r O fI V T T I TV T T I TV T I V L (2.83) Trong mạch biến đổi giảm áp, dòng dc I L bằng với dòng tải I O . Dòng cần phải được cung cấp từ nguồn V S sẽ được tính theo: [...]... (hình 3. 1d) Các điện áp và dòng điện của MOSFET kênh n cũng đã được xác định rõ trên hình 3. 1b Dòng Máng iD, dòng Nguồn iS, dòng Cổng iG, và dòng đế iB được xác định với chiều dư ng của dòng được chỉ rõ cho một transistor MOSFET kênh n Các điện áp giữa các cực quan trọng là điện áp Cổng-Nguồn: vGS = vG - vS , điện áp Máng-Nguồn: vDS = vD - vS , và điện áp Nguồn-Đế: vSB = vS - vB Tất cả các điện áp... tải điện cảm cũng có thể gây quá áp trên đường dây Nếu hai diode zener ở hình 2.55, có thông số điện áp đánh thủng là 32 0V, thì ở trạng thái bình thường, diode zener sẽ không dẫn điện, và thiết bị điện tử sẽ nhận mức điện áp đường dây cần thiết Nếu quá điện áp nguồn cung cấp xuất hiện trên đường dây điện vượt quá 32 0,7V đỉnh, thì hai diode zener sẽ dẫn điện ghim mức điện áp vào ở mức 32 0,7V Mức điện. .. tốt nhất Vật liệu làm Cổng thông dụng nhất là kim BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 3: TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 57 loại hoặc polysilicon Khi chiều dài kênh dẫn bằng 0 ,3 m, thì các thông số điển hình là: chiều dày của lớp ôxit ≈ 10µm, mức pha tạp của vùng đế là ≈ 3x1017cm -3 , độ dày tiếp giáp pn giữa Máng-Đế và Nguồn-Đế là ≈ 0,2µm Đối với mỗi loại kênh dẫn, thì mức ngưỡng của điện áp... biến dung hay varactor, là loại cấu kiện bán dẫn có chức năng như một tụ điện có thể thay đổi Nhắc lại rằng, tụ điện là một linh kiện gồm hai bản cực dẫn điện được cách ly bằng một lớp điện môi (vật liệu cách điện) Trị số điện dung của tụ phụ thuộc vào ba yếu tố: diện tích của hai bản cực, khoảng cách giữa hai bản cực, và loại vật liệu làm điện môi cách ly giữa hai bản cực Điện dung tỷ lệ thuận với diện... TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 58 lượng các lỗ trống và điện tử trong vùng đế được hạn chế (pha tạp loãng), điện dung của tụ có cấu trúc như trên là một hàm phi tuyến của điện áp vG Hình 3. 2(b, c, d) mô tả các trạng thái tức thời ở vùng bán dẫn làm đế, phía dư i điện cực Cổng theo ba giá trị điện áp phân cực khác nhau - Vùng Tích lũy Trạng thái của tụ MOS khi đặt điện áp phân cực âm lớn lên... B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 51 Cấu tạo của diode sẽ quyết định mức dòng làm việc, mức công suất có thể tiêu tán, và mức điện áp ngược lớn nhất mà diode có thể chịu được không bị hỏng Mỗi hãng sản xuất cho tiêu chuẩn theo các trang số liệu về cấu kiện Các thông số chính có ở trang số liệu của hãng sản xuất đối với một diode chỉnh lưu như sau: 1 Loại cấu kiện với... [hot - carrier diode] không có tiếp giáp pn, mà tiếp giáp của diode Shottky được tạo thành bằng một tấm chắn kim loại (vàng, platinum, bạc) và vật liệu bán dẫn - n (hình 2. 53) Diode Schottky có đặc tuyến dòng – áp tương tự như diode tiếp giáp pn, ngoại trừ điện áp mở thuận Vγ trong khoảng từ 0,3V đến 0,6V Điện dung BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 54... sáng có thể nhìn thấy khi áp đặt phân cực thuận, một số lượng lớn điện tử sẽ được phóng thích từ vật liệu n vào vùng vật liệu p Các điện tử đó sẽ kết hợp với các lỗ trống trong vùng vật liệu p tại mức năng lượng của dãi hóa trị, nên các photon sẽ được bức xạ Cường độ sáng tỷ lệ với tốc độ tái hợp của các điện tử và do đó tỷ lệ với dòng điện của diode Diode bằng gallium arsenide sẽ phát ra sóng ánh sáng... nguồn cung cấp ac để bảo vệ thiết bị điện tử không bị quá điện áp nguồn cung cấp ac Điện áp đĩnh của đường dây 220Vac là khoảng 31 0VP Thiết bị điện tử có mạch nguồn cung cấp được thiết kế với điện áp đường dây ac đầu vào và biến đổi điện áp ac thành các mức điện áp dc cần thiết Đôi khi có các thăng giáng điện áp nguồn cung cấp xuất hiện trên đường dây điện ac làm cho điện áp đỉnh lên đến hàng ngàn volt... thường Diode PIN Hình 2.52, là cấu tạo của diode PIN, với vùng vật liệu bán dẫn P và N được pha tạp đậm đặc cách ly bằng một vùng không pha tạp hay vật liệu bán dẫn thuần Tên gọi diode PIN bắt nguồn từ loại vật liệu bán dẫn được sử dụng trong cấu trúc của diode Vật liệu thuần đóng vai trò như chất điện môi phân cách hai vùng dẫn Sự ngăn cách hai vùng dẫn sẽ làm giảm điện dung tiếp giáp của diode nên . n. Các điện áp giữa các cực quan trọng là điện áp Cổng-Nguồn: v GS = v G - v S , điện áp Máng-Nguồn: v DS = v D - v S , và điện áp Nguồn-Đế: v SB = v S - v B . Tất cả các điện áp. tạo thành điện cực phía dư i của tụ có điện tr ở suất lớn do số CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 3: TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG 58 lượng các lỗ trống và điện tử trong vùng. loại cấu kiện bán dẫn có chức năng như một tụ điện có thể thay đổi. Nhắc lại rằng, tụ điện là một linh kiện gồm hai bản cực dẫn điện được cách ly bằng một lớp điện môi (vật liệu cách điện) .